专利名称：春石斛优质成品培育出花的方法
技术领域：
本发明涉及一种春石斛出花的综合栽培技术，尤其涉及一种春石斛优质成品培育的方法。
背景技术：
春石斛(Nobile Type Dendrobium)为兰科石斛属植物，是洋兰中继蝴蝶兰和大花蕙 兰后出现的又一洋兰新品，是一种喜干、喜光、耐低温的高档年宵盆花，其花色艳丽、观 赏期较长，具有较高观赏价值。现有的春石斛自然花期多在2 4月，刚刚错过元旦、春节等销售旺季。为适应我国花 卉消费的节日性和季节性，必须调节春石斛的花期，使其提前至元旦、春节。现有技术中，由于对春石斛品种的选择，肥料、光照和温度的控制不到位，把握不准 确，很难对春石斛的花期调控到元旦、春节期间。发明内容本发明的目的是提供一种能将春石斛的花期调控到元旦、春节期间的春石斛优质成品 培育管理的方法。本发明的目的是通过以下技术方案实现的本发明的春石斛优质成品培育出花的方法，包括，选择早花且花期长的春石斛品种的 半成品进行培育；培育期间增加对所述半成品光照强度和光照时间，并减少施肥量；当所 述半成品的茎叶生长形成休止叶时，进行两周以上的低温处理。由上述本发明提供的技术方案可以看出，本发明所述的春石斛优质成品培育出花的方 法，由于选择早花且花期长的春石斛品种的半成品，进行高光、底肥、低温控制，能将春 石斛的花期调控到元旦、春节期间。
图l为本发明春石斛优质成品培育出花的方法的控制框图。
具体实施方式
本发明的春石斛优质成品培育出花的方法，其较佳的具体实施方式
如图l所示，可以 控制春石斛优质成品培育出花过程中4个方面的环节品种的选择、光照控制、施肥控制、 温度控制。可以通过选择早花品种，进行高光、低肥、低温控制，能将春石斛的花期调控 到元旦、春节期间。具体的培育方法如下1、 品种的选择品种选择要适宜，可以选择早花、开花期长的品种。好的早花品种，对低温需求量 小、春化容易，可以提早花期。春石斛喜欢低温，在北方家庭的室内，常常由于温度相对高导致春石斛开花时间縮 短， 一般春石斛的花期在4 —6周，温度较高将縮短花期1一2周。因此可以选择花期长达6周 甚至8周或更长的品种，有利于延长销售期，扩大市场占有量。春石斛的花期调控只能把花期在一定的限度范围内适当提早，但真正起决定作用的是 种质遗传因素，如所选品种为难开花或晚开花、花期偏短的品种，即使后期人工管理技术 到位，也达不到理想的开花品质，或将提高人工养护的成本。只有选择好的早花品种，需 要的低温需求量小、春化容易，才能从根本上提早花期，利于花的应时开放。早花品种催花容易、花期早、管理成本低；长花期的品种可以增加货架期，有利于推动和开拓春石斛的销售市场。具体实施例，选择Den. Tomoflake 'Akebo加，为培育品种。2、 光照的控制可以增加光照强度，充分见光。光照可以保持在40000 450001x的范围。还可辅以通 风良好，使植株茎部粗壮。每年9-10月份的半成品花芽萌发期间，及10月份后至花芽萌发 前，应全天都在直射光下。春石斛为典型的喜光植物，对光适应力很强，在夏秋季充分接受日照，光照充足利于 植株健壮，茎部增粗快，且呈亮黄色，叶色呈绿黄色，成品质量可保证。至冬季可大量开 花。如果日照不足，l茎只可能2、 3节有花。除光照强弱对春石斛生长影响较大外，辅以良 好通风，使植株茎部粗壮。要求充分见光，进入秋季后气温渐凉，io月后至花芽萌发前， 应多接受阳光照射。春石斛需要强光来养护其茎干，促进茎干的成熟，完成其从营养生长到生殖生长的转 化。强光也利于春石斛顶芽的形成，促进茎粗生长。高的光照强度可使春石斛的茎干颜色由绿色转变为黄绿色，增加春石斛的茎干粗度，有利于养分的积累和转变，促进花芽的形 成。3、 施肥控制应减少施肥，在幼苗生长阶段对于生长健壮的施用少量肥即可。春石斛施肥可在8月 底前结束。促进形成休止叶，刺激开花。春石斛完成由营养生长到生殖生长的转变最难。春石斛在开花前3个月就会出现花 芽。对于生长健壮的在幼苗生长阶段施用少量肥即可。较弱的春石斛植株施肥最晚必须在8 月底前结束。施肥后肥效应在8月以前被植株根系吸收完，防止营养生长过旺。促进形成休 止叶，刺激开花。依据植株的大小，可以发出10 100个花芽不同。花芽膨大花葶现蕾时， 淋水不能过多，需保持不干不湿的微润状态。需要低肥，春石斛的肥料管理也是一个促进花芽形成的关键。春石斛为需低肥的洋 兰，需要的肥料量较少。只要在前期的幼苗生长阶段施肥即可，后期则需要停止或减少肥 料的施用。4、 温度控制进行低温处理，具体在开花前有一个低温春化过程，促进花芽分化，有利于提前开 花。可以维持两周以上的低温期，如连续2 4周的8 15'C低温，可维持25 60天的低温 期，春石斛叶腋处芽逐渐膨大发育成花芽。春石斛成花，除了栽培中肥水管理和光照外，温度条件极为关键，春石斛花芽的形成 需要低温的刺激，否则无法顺利成花，完成假鳞茎的发育。春石斛茎叶生长至9月中旬封顶，形成休止叶，营养生长完成，转入生殖生长。此时 感受外界的低温诱导进行花芽分化。花芽形成最重要环境因子是连续2 4周低温(8 15 °C)。温度越低，花芽形成时间越短，花芽形成越稳定，越不易逆转变为叶芽。如温度超 过上述标准或连续时间不到半月，均会使花芽分化不完全。维持25 60天低温期，春石斛 叶腋处芽逐渐膨大发育成花芽。低温处理调节花期时，最高气温不超过25'C。约有130小时15"C的低温累积时数，花 芽才能分化完成。188小时15。C的低温累积时数，效果更佳。品种和成熟度不同，低温处理 的温度与时间有差异。在夜间14'C以下低温次数应达到25次，也是低温花期调控完成的衡 量指标。假鳞茎的发育约在9月底至11月时成熟。春石斛在春节期间开花上市， 一般需要在IO 月中下旬至ll月上旬进行催花。为了使花期更提前，需要在8 9月份开始催花。人工控 制，大部分地区在8 9月份难以达到这样的温度。选择海拔800 2100m的高山，充分利用山地温差的自然优势，其成本比利用降温设备诱导花期低的多。若调控花期至国庆节，促成栽培需用人工冷气设备，在6 7月时以13t:低温处理春石 斛约2个月。再将温度调为25'C，以避免花变小，花瓣品质降低。若需夏季出花，则采用抑 制栽培，在秋天温度保持18'C以上，至l」3 5月份进行低温处理，即可使春石斛成品开花期 延到5 8月份。春石斛喜欢昼日温度高，夜间温度低，温差较大的环境，开花率超过温差小的植株一 倍。需要提供夜间13 16'C和白天21 32'C的温度。夜温应当不超过16'C，不低于5'C，直 到花芽出现。在较高温的日夜温差30/2(TC下，低温25/15"C的日夜温度更利于茎的充实， 开花率好。为保证春石斛优质成品的质量，首先要重视生长阶段.必须形成一个发育良好并充实 的假鳞茎，假鳞茎不够健壮，成品也不佳。假鳞茎充实饱满后，采用自然降温或人工控 温。在早秋，随着低温出现，茎部自然成熟，叶片由浓绿色逐渐变为黄绿色，碳水化合物 增加。前期养护技术不过关，对催花的成功率、催花的比例有一定影响，后期开花受影 响。本发明采用了优良的长花期、早花品种，减少施肥量、适量和适时施肥，结合正确的 光照和温度管理，有利于春石斛的营养生长，培养健壮的茎干和根系，并可保证春石斛在 元旦和春节的盆花销售旺季如期开花，花量足、花期长、开花整齐，开花节位达到或超过8 节，开花时间可在冬季室内达6周以上。培育出优良的开花植株，可以实现成品在元旦和春 节期间上市，高的成品率会降低生产成本，提高收益。以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式
，但本发明的保护范围并不局限于此，任 何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都 应涵盖在本发明的保护范围之内。
权利要求
1. 一种春石斛优质成品培育出花的方法，其特征在于，包括，选择早花且花期长的春石斛品种的半成品进行培育；培育期间增加对所述半成品光照强度和光照时间，并减少施肥量；当所述半成品的茎叶生长形成休止叶时，进行两周以上的低温处理。
2、 根据权利要求l所述的春石斛优质成品培育出花的方法，其特征在于，所述的春石 斛品种的花期大于等于6周。
3、 根据权利要求2所述的春石斛优质成品培育出花的方法，其特征在于，所述的春石 斛品种的花期为6 8周。
4、 根据权利要求l所述的春石斛优质成品培育出花的方法，其特征在于，所述的春石 角斗品禾中为Den. Tomoflake 'Akebono'。
5、 根据权利要求l所述的春石斛优质成品培育出花的方法，其特征在于，所述的光照 强度为40000 450001x。
6、 根据权利要求1或5所述的春石斛优质成品培育出花的方法，其特征在于，每年9-10月份的半成品花芽萌发期间，对所述半成品全天进行光照。
7、 根据权利要求l所述的春石斛优质成品培育出花的方法，其特征在于，所述的施肥 在每年的5月底结束，最晚到8月底结束，之后不再施肥。
8、 根据权利要求l所述的春石斛优质成品培育出花的方法，其特征在于，所述低温处 理的温度为8 15。C。
9、 根据权利要求1或8所述的春石斛优质成品培育出花的方法，其特征在于，所述低 温处理的时间为2 4周。
10、 根据权利要求1或8所述的春石斛优质成品培育出花的方法，其特征在于，所述低 温处理的时间为25 60天。
全文摘要
本发明公开了一种春石斛优质成品培育出花的方法，选择早花且花期长的春石斛品种的半成品进行培育，培育期间增加光照强度和光照时间，并减少施肥量，待茎叶生长形成休止叶时，进行两周以上的8～15℃的低温处理。可保证春石斛在元旦和春节的盆花销售旺季如期开花，花量足、花期长、开花整齐，开花节位达到或超过8节，开花时间可在冬季室内达6周以上。
文档编号A01G7/06GK101248729SQ20081010308
公开日2008年8月27日 申请日期2008年3月31日 优先权日2008年3月31日
发明者李振坚 申请人:中国林业科学研究院林业研究所