专利名称：一种盐碱地苗木种植方法
技术领域：
本发明涉及盐碱地苗木种植技术领域，具体地说，涉及一种在盐碱地上进行苗木种植的方法。
背景技术：
土壤中盐碱过多时，就会形成盐害，影响植物的正常生长。盐碱对植物可造成两种危害一是毒害作用，当植物吸收进较多的钠离子或氯离子时，就会改变细胞膜的结构和功能，最终会造成植物死亡；二是提高了土壤的渗透压，给植物根的吸收作用造成了阻力，使植物吸水发生困难，出现细胞脱水、植株萎蔫，最后导致植物死亡。
土地盐碱化是人类面临的一个世界性难题，我国有大面积的盐碱化土地，主要分布在华北平原、东北平原、西北内陆地区及滨海地区。盐碱地中种植植物的成活率一般都很低，因而严重影响着我国的农林业生产。发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种盐碱地苗木种植方法，以有效隔离盐碱， 提高苗木的成活率，确保苗木正常生长。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案是一种盐碱地苗木种植方法，包括以下步骤a、挖掘种植坑；b、铺设盐碱隔离层在所述种植坑的坑壁及底部铺设可以隔离盐碱入侵的隔离材料， 所述隔离材料为无纺布、草栅或者可降解塑料布，并用5-10 cm长的木棒将隔离材料固定于种植坑的坑壁上；C、铺设蓄水层完成步骤b后，在所述种植坑的底部铺设蓄水层，所述蓄水层是厚度为 15-25cm的碎石层，所述碎石的粒径为0. 5-lcm;d、铺设滤渗层在所述碎石层的上面铺设滤渗层，所述滤渗层是厚度为20-30cm的炉渣或者农作物秸秆；e、回填种植土向种植坑内回填适于苗木生长的种植土，所述种植土的ph值为 6. 5-7. 8，含盐量低于0. 2%；f、栽植苗木3月中下旬，向所述种植坑内栽植苗木。
作为优选，所述种植土取自异地地表35-45cm以内的阳土。
作为优选，所述步骤e中，回填种植土时，先填至种植土的上表面离种植坑顶部的距离为整个种植坑深度的1/5-1/3，之后用水灌透，再第二次回填种植土，直至种植土的上表面与种植坑的顶部平齐。
作为优选，所述步骤f中，栽植苗木的当天浇第一遍透水，三天后浇第二遍透水， 第十天浇第三遍透水。
作为优选，所述苗木为抗盐碱苗木。
作为进一步优选，所述抗盐碱苗木为柽柳、白蜡、金枝国槐、中华金叶榆、紫穗槐、 金丝柳、女贞、金丝小枣、海滨木槿、刺槐、沙棘、中天杨、红叶椿、卫矛、枸杞、迎春或紫叶李。
由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是由于本发明的盐碱地苗木种植方法包括挖掘种植坑、铺设盐碱隔离层、铺设蓄水层、铺设滤渗层、回填种植土和栽植苗木步骤，铺设在种植坑的坑壁及底部的盐碱隔离层可以隔离或减缓盐碱等有害物质侵入种植坑内，有利于苗木正常生长。当用大量的水浇灌苗木或下过大雨后，多余的水可以自种植土经滤渗层而下渗到蓄水层进行存储，对苗木起到防涝作用；当种植土内的水分不断蒸发掉后，蓄水层中存储的水通过滤渗层而向上输送到种植土，从而防止苗木干旱。
总之，采用本发明的盐碱地苗木种植方法，既可以有效地隔离盐碱，又能抗旱防涝，提高苗木的成活率，确保苗木正常生长。
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明 附图是本发明实施例的结构断面示意图；图中1-盐碱土壤；2-盐碱隔离层；3-木棒；4-种植土 ；5-滤渗层；6-蓄水层；7-种植坑。
具体实施方式
如附图所示，一种盐碱地苗木种植方法，包括以下步骤a、在盐碱土壤1上挖掘种植坑7。挖掘时，要把苗木2 3年的主根系生长量考虑进去。
b、铺设盐碱隔离层2 在所述种植坑7的坑壁及底部铺设可以隔离盐碱入侵的隔离材料而形成盐碱隔离层2，所述隔离材料采用无纺布、草栅或者可降解塑料布，并用5-10 cm长的木棒3将隔离材料固定于种植坑7的坑壁上。该盐碱隔离层2可以隔离或减缓盐碱等有害物质侵入种植坑7内，从而有利于苗木正常生长。木棒3经过一段时间后会腐烂掉， 起到肥料作用，也有利于苗木生长。
C、铺设蓄水层6 完成步骤b后，在所述种植坑7的底部铺设蓄水层6，所述蓄水层 6是厚度为15-25cm的碎石层，所述碎石的粒径为0. 5-lcm。
d、铺设滤渗层5 在所述碎石层的上面铺设滤渗层5，所述滤渗层5是厚度为 20-30cm的炉渣或者农作物秸秆。当用大量的水浇灌苗木或下过大雨后，多余的水可以自种植土 4经滤渗层5而下渗到蓄水层6进行存储，对苗木起到防涝作用；当种植土 4内的水分不断蒸发掉后，蓄水层6中存储的水通过滤渗层5而向上输送到种植土 4，从而防止苗木缺水，起到抗旱作用。
e、回填种植土向种植坑7内回填适于苗木生长的种植土 4，所述种植土 4的ph值为6. 5-7. 8，含盐量低于0. 2% ；所述种植土 4取自异地地表35-45cm以内的阳土，即向阳的土壤。回填种植土 4时，先填至种植土的上表面离种植坑7顶部的距离为整个种植坑深度的 1/5-1/3，最好为1/4，之后用水灌透，以便使种植土充分下沉，提高其致密度，然后再第二次回填种植土，直至种植土的上表面与种植坑7的顶部平齐，这样可以使种植坑7内多容纳一些适于苗木生长的种植土。
f、栽植苗木苗木的栽植宜早不宜晚，通常3月中下旬时，向所述种植坑7内栽植苗木，一些发芽较晚的苗木可以适当延后。栽植苗木的当天浇第一遍透水，三天后浇第二遍透水，第十天浇第三遍透水，确保苗木成活。
本实施例中的苗木优选为抗盐碱苗木，例如柽柳、白蜡、金枝国槐、中华金叶榆、紫穗槐、金丝柳、女贞、白三叶、金丝小枣、海滨木槿、刺槐、沙棘、中天杨、红叶椿、扶芳藤、卫矛、枸杞、迎春、紫叶李等。
采用本发明的盐碱地苗木种植方法，既可以有效地隔离盐碱，又能抗旱防涝，提高苗木的成活率，确保苗木正常生长。而且无需对盐碱地进行大面积的整治，只需在需种植苗木的地方进行局部地块整治，即可种植苗木，该方法简单易行，值得推广。
权利要求
1.一种盐碱地苗木种植方法，其特征在于，包括以下步骤a、挖掘种植坑；b、铺设盐碱隔离层在所述种植坑的坑壁及底部铺设可以隔离盐碱入侵的隔离材料， 所述隔离材料为无纺布、草栅或者可降解塑料布，并用5-10 cm长的木棒将隔离材料固定于种植坑的坑壁上；c、铺设蓄水层完成步骤b后，在所述种植坑的底部铺设蓄水层，所述蓄水层是厚度为 15-25cm的碎石层；d、铺设滤渗层在所述碎石层的上面铺设滤渗层，所述滤渗层是厚度为20-30cm的炉渣或者农作物秸秆；e、回填种植土向种植坑内回填适于苗木生长的种植土，所述种植土的Ph值为 6. 5-7. 8，含盐量低于0. 2% ；f、栽植苗木3月中下旬，向所述种植坑内栽植苗木。
2.如权利要求1所述的一种盐碱地苗木种植方法，其特征在于所述种植土取自异地地表;35-45cm以内的阳土。
3.如权利要求1所述的一种盐碱地苗木种植方法，其特征在于所述步骤e中，回填种植土时，先填至种植土的上表面离种植坑顶部的距离为整个种植坑深度的1/5-1/3，之后用水灌透，再第二次回填种植土，直至种植土的上表面与种植坑的顶部平齐。
4.如权利要求1所述的一种盐碱地苗木种植方法，其特征在于所述步骤f中，栽植苗木的当天浇第一遍透水，三天后浇第二遍透水，第十天浇第三遍透水。
5.如权利要求1至4任一项所述的一种盐碱地苗木种植方法，其特征在于所述苗木为抗盐碱苗木。
6.如权利要求5所述的一种盐碱地苗木种植方法，其特征在于所述抗盐碱苗木为柽柳、白蜡、金枝国槐、中华金叶榆、紫穗槐、金丝柳、女贞、金丝小枣、海滨木槿、刺槐、沙棘、中天杨、红叶椿、卫矛、枸杞、迎春或紫叶李。
全文摘要
本发明公开了一种盐碱地苗木种植方法，包括挖掘种植坑、铺设盐碱隔离层、铺设蓄水层、铺设滤渗层、回填种植土和栽植苗木步骤。采用本发明的盐碱地苗木种植方法，既可以有效地隔离盐碱，又能抗旱防涝，提高苗木的成活率，确保苗木正常生长。而且无需对盐碱地进行大面积的整治，只需在需种植苗木的地方进行局部地块整治，即可种植苗木，该方法简单易行，值得推广。
文档编号A01G1/00GK102498837SQ20111029327
公开日2012年6月20日 申请日期2011年9月30日 优先权日2011年9月30日
发明者王胜 申请人:山东胜伟园林科技有限公司