一种霍山石斛的组织培养方法
【专利摘要】本发明涉及到一种霍山石斛的组织培养方法，将带侧芽的霍山石斛茎段用清洗干净后，经一定的消毒程序之后，转移到无菌操作台上去除叶片及膜质叶鞘，进一步消毒处理后放置在无菌的培养皿中；将保存的幼芽接种到幼芽增殖培养基中，进行幼芽的诱导和增殖；将生长状况良好的幼芽接种到生根培养基上，培养温度25℃，光照强度2000lx，光照时间12h/d条件下培养，获得生长状况良好的培苗，经过炼苗、栽种后，植株的成活率达到90％以上，这表明通过组织培养，建立无性快速繁殖体系，提高繁殖系数，能达到短裙内获得大量霍山石斛培苗的目的。
【专利说明】一种霍山石斛的组织培养方法
【技术领域】
[0001]本发明属于植物组织培养【技术领域】，具体涉及一种霍山石斛类茎段的快速增殖的简易培养方法。
【背景技术】
[0002]霍山石斛俗称米斛，是兰科石斛属草本植物，主产于大别山区的安徽省霍山县。霍山石斛是传统的名贵中药，有“千金草”、“软黄金”之称。现代药理学研究表明，霍山石斛的多糖含量为普通石斛的3倍之多，能提高人体免疫力，尤其是对眼、咽、肺等器官疾病有特殊疗效；霍山石斛能大幅度提高人体内SOD水平，非常适用于经常熬夜、用脑过度、体虚乏力的人群。然而霍山石斛在炼苗及原产地栽培过程中，成活率极低，严重影响了霍山石斛的发展。
[0003]因此，霍山石斛的茎段是霍山石斛的体细胞胚，具有和植株同样的物质代谢和形态发育潜能，可用来代替原药材生产相关的活性物质。因此，研究高效、廉价的霍山石斛茎段的快速增殖技术是至关重要，实现霍山石斛的规模化生产，缓解野生资源紧张的局面、满足药材市场的需求具有重要意义。本发明采用组织培养的方法保护霍山石斛，提供一种霍山石斛类茎段快速、无性增殖的简易培养方法。
【发明内容】
[0004]为了探索霍山石斛组织培养的无性繁殖技术，提高其繁殖系数，大量获得组培苗的研究工作，对于药 用霍山石斛野生资源保护和扩大栽培及其综合利用具有极其重要的意义。
[0005]本发明通过下列技术方案实现:一种霍山石斛的组织培养方法，其特征在于以带侧芽的霍山石斛茎段位母体，并经过下列步骤:
[0006]A.将茎段经过水洗、75%的酒精浸泡I~2min、无菌水洗后，转移到无菌超净台上去除叶片及膜质叶鞘，再次经过0.1 % HgCl2加I滴吐温80消毒5~IOmin后，无菌水洗后无菌保存；
[0007]B.将保存的幼芽接种到幼芽增殖培养基中，进行幼芽的诱导和增殖；
[0008]C.将生长状况良好的幼芽接种到生根培养基上，培养温度25~28°C，光照强度20001x，光照时间12~14h/d条件下培养；
[0009]D.获得生长状况良好的培苗，将培苗取出，洗净根部的培养基，在木屑的基质中栽培，保持适当的通风和足够的湿度，获得种苗。
[0010]所述A步骤的带侧芽的霍山石斛茎段经过水洗、消毒、无菌水洗、去除叶片和膜质叶鞘、消毒、无菌水洗、无菌保存的操作方法。
[0011]所述B步骤的幼芽增殖培养基为:
[0012]1/2MS为基础培养基，蔗糖浓度20~30g/L，香蕉泥浓度100~200g/L，萘乙酸浓度0.2~0.3mg/L，6-苄基腺嘌呤浓度0.4~0.5mg/L，pH值为5.0~6.0。[0013]所述C步骤的生根培养基为:
[0014]MS为基本培养基，蔗糖浓度20~30g/L ;6_苄基腺嘌呤浓度1.0~20mg/L，萘乙酸浓度0.5~1.0mg/L ;香蕉泥100g/L，pH值5.8~6.0,培养温度25~28°C，光照强度20001x，光照时间12~14h/d条件下培养；
[0015]所述D步骤的是将培苗取出，洗净根部的培养基，在木屑的基质中栽培，保持适当的通风和足够的湿度，获得种苗。 [0016]本发明具有下列优点和效果:针对霍山石斛的茎段是霍山石斛的体细胞胚，具有和植株同样的物质代谢和形态发育潜能，可用来代替原药材生产相关的活性物质的这一特点，利用霍山石斛的茎段作为母体进行无性繁殖；以MS为基础培养基，在此基础上添加蔗糖、天然植物如香蕉泥、激素如6-苄基腺嘌呤和萘乙酸，保证组织能够顺利的增殖和生根；将培苗接种到基质上栽种，植株的成活率超过90%，表明该法可用于霍山石斛茎段的研究、开发和生产中的各个领域，尤其适合霍山石斛类的工业化大规模培养。
【权利要求】
1.一种霍山石斛的组织培养方法，其特征在于以带侧芽的霍山石斛茎段位母体，并经过下列步骤: A.将茎段经过水洗、75%的酒精浸泡I~2min、无菌水洗后，转移到无菌超净台上去除叶片及膜质叶鞘，再次经过0.1 % HgCl2加I滴吐温80消毒5~IOmin后，无菌水洗后无菌保存； B.将保存的幼芽接种到幼芽增殖培养基中，进行幼芽的诱导和增殖； C.将生长状况良好的幼芽接种到生根培养基上，培养温度25~28°C，光照强度20001x，光照时间12~14h/d条件下培养； D.获得生长状况良好的培苗，将培苗取出，洗净根部的培养基，在木屑的基质中栽培，保持适当的通风和足够的湿度，获得种苗。
2.根据权利要求1所述的霍山石斛组织方法，其特征在于所述A步骤的带侧芽的霍山石斛茎段经过水洗、消毒、无菌水洗、去除叶片和膜质叶鞘、消毒、无菌水洗、无菌保存的操作方法。
3.根据权利要求1所述的霍山石斛组织培养方法，其特征在于所述B步骤的幼芽增殖培养基为: 1/2MS为基础培养基，蔗糖浓度20~30g/L，香蕉泥浓度100~200g/L，萘乙酸浓度0.2~0.3mg/L，6-苄基腺 嘌呤浓度0.4~0.5mg/L，pH值为5.0~6.0。
4.根据权利要求1所述的霍山石斛组织培养方法，其特征在于所述C步骤的生根培养基为: MS为基本培养基，蔗糖浓度20~30g/L ；6-苄基腺嘌呤浓度1.0~20mg/L，萘乙酸浓度 0.5 ~1.0mg/L ;香蕉泥 100g/L, pH 值 5.8 ~6.0。
5.根据权利要求1所述的霍山石斛组织培养方法，其特征在于所述C步骤是将生长状况良好的幼芽接种到生根培养基上，培养温度25°C，光照强度20001x，光照时间12h/d条件下培养。
6.据权利要求1所述的霍山石斛组织培养方法，其特征在于所述D步骤是将培苗取出，洗净根部的培养基，在木屑的基质中栽培，保持适当的通风和足够的湿度，获得种苗。
【文档编号】A01H4/00GK104012400SQ201310061664
【公开日】2014年9月3日 申请日期:2013年2月28日 优先权日:2013年2月28日
【发明者】毛健, 姬中伟, 张敏, 牟穰, 阳志锐, 郭燕飞, 黎卫, 冯东阳, 巩丹, 刘芸雅 申请人:江南大学