本发明属于豆类种植方法，更具体的说涉及一种提高高寒地区山黧豆产量的方法。
背景技术：
山黧豆具有祛风除湿、活血止痛、温中散寒、解表散寒、治疗风寒湿痹、治疗关节游走疼痛，缓解腰膝疼痛等症，多用于跌打损伤、闪挫扭伤、以及各外伤疼痛、牙痛等症、胃寒呕吐的治疗，但是由于山黧豆多生长在温度较低的高寒地区，使得其产量极低。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种提高高寒地区山黧豆产量的方法，采用本方法种植山黧豆能够大大提高山黧豆的产量，满足市场上对山黧豆的需求。
本发明技术方案一种提高高寒地区山黧豆产量的方法，包括以下处理步骤：
（1）土壤处理：
首先在播种前两周内进行第一次翻地并进行晒地，然后在播种前一周进行第二次翻地，并在第二次翻地的同时向土壤中施加少量的复合肥；
然后利用地膜覆膜机对地块进行覆膜；
（2）种子处理：
首先挑选颗粒饱满、无虫害的山黧豆种子；
然后将其在10~20℃的纯净水中浸泡24~48小时，捞出沥干表面水份；
再次将经过纯净水浸跑过的山黧豆种子置于5~10℃条件下浓度为50~300mg/l的赤霉素溶液中进浸泡5~10小时，捞出沥干，得到表面干燥且种子处于吸涨状态；
然后再将经过赤霉素溶液浸泡的种子置于浓度为0.2%的高锰酸钾溶液中浸泡2小时，捞出沥干种子表面水份；
（3）播种：将经过高锰酸钾溶液浸泡的种子播种至已经覆盖地膜的土壤中；
（4）间苗：待山黧豆种子发芽后，人工进行间苗，对过于密集的幼苗进行间苗，对没有正常发芽的种子进行补种；
（5）施肥：在每年6月中旬至7月中旬，山黧豆进入孕蕾期和盛花期时各喷施一次含100～300mmol/lnacl的植物营养液，喷施以80%山黧豆进入孕蕾期或盛花期为准，喷施部位为山黧豆全株，包括枝、叶、花序。
优选的，所述植物营养液配方为：硫酸铵40份，硝酸铵77份，一水合磷酸二氢钙500份，硫酸钾65份，二水合硫酸镁90份，二水和硫酸钙60份，十水合硼酸钠1份，七水合硫酸锌1份，四水合硫酸锰1份，五水合硫酸铜1份，七水合硫酸亚铁2份，水适量。
本发明技术方案的一种提高高寒地区山黧豆产量的方法，第一次翻地后搁置一周时间，实现晒地，尽可能的去除土壤中的害虫和细菌，同时也去除冬季雨雪在土壤中融化的过多的水份；第二次翻地并箱土壤中加入复合肥，提高土壤的肥度，并搁置一周时间，使得土壤中的复合肥融化，在播种后正适合种子吸收；在土壤上进行地膜覆盖，有利于提高土壤温度，提高种子发芽率，同时也降低土壤的昼夜温差，提高幼苗的成活率；将种子经过纯净水浸跑，提高种子中的水分，提高种子的发芽率；再将种子经过赤霉素溶液浸泡，加快种子发芽；将种子经过高锰酸钾溶液浸泡，实现对种子的杀菌，同时也提高种子在播种后对抗土壤中细菌的能力，避免种子被细菌侵蚀。
本发明技术有益效果：
本发明技术方案的一种提高高寒地区山黧豆产量的方法，从播种前翻地开始就严格控制，通过降低土壤积水、提高土壤肥度和温度，提高种子发芽率等手段，来实现提高高寒地区山黧豆产量，通过本方法，能够提高高寒地区山黧豆产量10%~15%。
具体实施方式
为便于本领域技术人员理解本发明技术方案，现结合具体实施例或实施方式对本发明技术方案做进一步的说明。
一种提高高寒地区山黧豆产量的方法，包括以下处理步骤：
（1）土壤处理：
首先在播种前两周内进行第一次翻地并进行晒地，然后在播种前一周进行第二次翻地，并在第二次翻地的同时向土壤中施加少量的复合肥；
然后利用地膜覆膜机对地块进行覆膜；
（2）种子处理：
首先挑选颗粒饱满、无虫害的山黧豆种子；
然后将其在10~20℃的纯净水中浸泡24~48小时，捞出沥干表面水份；
再次将经过纯净水浸跑过的山黧豆种子置于5~10℃条件下浓度为50~300mg/l的赤霉素溶液中进浸泡5~10小时，捞出沥干，得到表面干燥且种子处于吸涨状态；
然后再将经过赤霉素溶液浸泡的种子置于浓度为0.2%的高锰酸钾溶液中浸泡2小时，捞出沥干种子表面水份；
（3）播种：将经过高锰酸钾溶液浸泡的种子播种至已经覆盖地膜的土壤中；
（4）间苗：待山黧豆种子发芽后，人工进行间苗，对过于密集的幼苗进行间苗，对没有正常发芽的种子进行补种；
（5）施肥：在每年6月中旬至7月中旬，山黧豆进入孕蕾期和盛花期时各喷施一次含100～300mmol/lnacl的植物营养液，喷施以80%山黧豆进入孕蕾期或盛花期为准，喷施部位为山黧豆全株，包括枝、叶、花序。
上述植物营养液配方为：硫酸铵40份，硝酸铵77份，一水合磷酸二氢钙500份，硫酸钾65份，二水合硫酸镁90份，二水和硫酸钙60份，十水合硼酸钠1份，七水合硫酸锌1份，四水合硫酸锰1份，五水合硫酸铜1份，七水合硫酸亚铁2份，水适量。
本发明技术方案在上面结合实施例对发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性改进，或未经改进将发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。