一种薄壳山核桃切根方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及植物繁育领域，具体地说涉及一种薄壳山核桃切根方法。
【背景技术】
[0002] 美国山核桃（CaryaillinoinensisKoch)，又名薄壳山核桃，长山核桃，属胡桃科 山核桃属，是集高档干果、园林绿化、高档木材为一体的生态经济型树种。美国山核桃为深 根性树种，主根深、侧根须根少，育成苗木质量差，移栽成活率低，缓苗时间长，造林成活率 低。
[0003] 切根是苗木培育过程中干扰根系较常见的技术，通过切断美国山核桃苗木主根或 的一部分，抑制根系的顶端优势，从而降低苗木的高生长，促进多发侧根和须根，形成发达、 紧凑的根系，调整苗木地上和地下比例，最终提高苗木造林的成活效果。近年来我国切根育 苗技术已应用于小麦、葡萄等经济作用的栽培，研究表明切根技术可提高作物产量和成活 率，且早切根苗木在干旱及植被竞争激烈的立地，表现出较高成活率，并认为是一种简捷的 形成均匀规格苗木的方法。
[0004] 我国美国山核桃幼苗切根技术研究总体上处于科学生产的初步阶段，开展美国山 核桃育苗期断根处理对其生长的影响的研究，可为苗木生产提供理论依据。
【发明内容】
[0005] 发明目的：本发明的目的是提供一种用于抑制根系的顶端优势，从而促进侧根和 须根发育的切根方法。
[0006] 技术方案：为了实现上述发明目的，本发明的一种薄壳山核桃切根方法，是用剪刀 或其他工具在薄壳山核桃苗木主根具地面5-6cm处切断，然后移栽至育苗容器中，浇透水 并加盖遮阳网。
[0007] 具体地说，所述薄壳山核桃苗木高8-llcm。此时苗木已长有若干片真叶，作为本发 明的优选方案，所述薄壳山核桃苗木此时长有3-4片真叶。
[0008] 将苗木主根切段的位置须特别讲究，根据经验来说，一般只要剪掉主根尖部，保证 去除顶端优势即可，但对于美国山核桃而言，由于美国山核桃为深根性树种，主根生长发达 且迅速，因此此处需要深切，但切记不能切得太多，从距地面5-6cm处切断为最适宜。
[0009] 本发明的切根方法主要用于抑制主根的顶端优势，促进侧根和须根数量和长度的 增加，形成发达、紧凑的根系。该方法可调整苗木地上和地下长度的比例，避免容器内根系 盘旋、窝根现象的发生。另外，该方法使美国山核桃苗木浅土层须根丰富，为地上部生长提 供养分，促进苗高和地径生长，移栽或苗木造林后缓苗期短，成活率高。
【具体实施方式】
[0010] 下面通过【具体实施方式】对本发明进行进一步说明。
[0011] 实施例
[0012] 4月中旬将苗高8-llcm、长有3-4片真叶的美国山核桃幼苗切根移栽。将幼苗从 育苗机制中挖出，注意保护根系完整，用剪刀或其他工具将苗木主根具地面5-6cm处切断， 移栽至育苗容器中，移栽后浇透水并加盖遮阳网。
[0013] 试验例
[0014] 试验设置两个处理，处理一采用实施例的方法将苗木主根距地面5-6cm处切断， 处理二：将苗木主根距地面IOcm处切断，以不切根苗木为对照。移栽后浇透水并加盖遮阳 网。按照日常经营管理，进行除草施肥。12月底苗木落叶后，将苗木根系挖出，测定苗木生 长情况。
[0015] 表1.不同基质配方对美国山核桃苗木生长的影响
[0016]
[0017] 试验表明切根后移栽的美国山核桃苗木侧根数量、长度和粗度显著高于对照，侧 根数量、长度和粗度以切根5-6cm为最大。
[0018] 以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出：对于本技术领域的普通技术人 员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应 视为本发明的保护范围。
【主权项】
1. 一种薄壳山核桃切根方法，其特征在于：用剪刀或其他工具在薄壳山核桃苗木主根 具地面5-6cm处切断，然后移栽至育苗容器中，浇透水并加盖遮阳网。2. 根据权利要求1所述的一种薄壳山核桃切根方法，其特征在于：所述薄壳山核桃苗 木高 8-llcm。3. 根据权利要求2所述的一种薄壳山核桃切根方法，其特征在于：所述薄壳山核桃苗 木此时长有3-4片真叶。
【专利摘要】本发明公开了一种薄壳山核桃切根方法，是用剪刀或其他工具在薄壳山核桃苗木主根具地面5-6cm处切断，然后移栽至育苗容器中，浇透水并加盖遮阳网。本发明的切根方法主要用于抑制主根的顶端优势，促进侧根和须根数量和长度的增加，形成发达、紧凑的根系。该方法可调整苗木地上和地下长度的比例，避免容器内根系盘旋、窝根现象的发生。另外，该方法使美国山核桃苗木浅土层须根丰富，为地上部生长提供养分，促进苗高和地径生长，移栽或苗木造林后缓苗期短，成活率高。
【IPC分类】A01G17/00
【公开号】CN105028090
【申请号】CN201510362631
【发明人】郁世军, 李英, 王克春, 周妍, 朱宗源, 黄自强
【申请人】江苏水木农景股份有限公司
【公开日】2015年11月11日
【申请日】2015年6月26日