一种金铃花快速繁殖的方法

文档序号:10628938阅读:499来源:国知局
一种金铃花快速繁殖的方法
【专利摘要】本发明涉及一种金铃花快速繁殖的方法,所述的方法包括:1)外植体的选取,2)外植体消毒,3)初始诱导培养,4)愈伤组织诱导,5)增殖培养,6)生根培养,7)炼苗和移栽。采用本方法繁育金铃花,可以降低生产成本,提高繁殖速度和成活率。
【专利说明】
一种金铃花快速繁殖的方法
技术领域
[0001]本发明涉及植物快速繁殖技术领域,尤其是一种金铃花快速繁殖的方法技术领域。【背景技术】
[0002] 金铃花(学名:Abutilon striatum),又名灯笼花、网花苘麻、红脉商麻,属于常绿灌木,由于叶片常绿、花形独特、花期较长、易于繁殖,颇受喜爱。金铃花系丛生,茎直立,叶翠绿,质厚,卵状,亦有掌状,边缘有锯齿,花梗细长,小蕾期向上,随着蕾的膨大逐渐向下, 开花特别下垂,花钟形,橙黄色,上有鲜艳的紫红色脉纹,花蕊和花柱较长,伸出花冠之外, 整花如吊着的金色铃子而得名。
[0003] 喜温暖及阳光充足,不耐寒,稍耐阴;宜肥沃、湿润而排水花的砂壤土。原产南美洲的巴西、乌拉圭等地,中国西南等地有栽培,供园林观赏用。金铃花的叶和花可活血祛瘀,舒筋通络。用于跌打损伤。
[0004]目前,金铃花多采用扦插来进行生产栽培,这种繁育技术提高了品种的纯度,保持了品种特性,但成活率较低及繁殖速度较慢,制约了金铃花产业的发展。而组织培养育苗技术既可以保持种的纯度和特性,也可以降低生产成本,提高繁殖速度和成活率。
[0005]现有技术中尚无经愈伤组织途径获得金铃花再生植株的报道。
【发明内容】

[0006]本发明所要解决的技术问题是提供一种金铃花快速繁殖的方法,经愈伤组织途径获得金铃花丛生芽,诱导生根,可实现金铃花组培苗的大量快速繁殖。
[0007]为了解决上述技术问题,本发明提出下列技术方案:
[0008] —种金铃花快速繁殖的方法,其特征在于所述的方法包括以下步骤:
[0009] 1)外植体的选取:取当年生直径10-20_的金铃花半木质化嫩枝枝条为外植体,剪去下部叶片后剪成5-12cm的茎段;
[0010] 2)外植体消毒:将上述茎段放入盛有自来水的20KHZ超声波清洗机中保持温度30-35°C处理30-45min,然后用自来水冲洗10-20min;随后在超净工作台上以70-75%的酒精消毒20-30秒,0.5%升汞溶液中处理5-7分钟,然后以无菌水冲洗6-8遍,置于无菌培养皿备用;
[0011] 3)初始诱导培养:将灭菌后外植体茎段各剪去3-5mm,茎段按末端向下插入初始诱导培养基中培养,培养条件为光强2500-3500LX、光周期10-14h/d,温度25°C ±2°C ;培养4-6d后将其中未污染的外植体茎段转接到新的初始诱导培养基中,并继续培养12-18d至新芽长出;所述的初始诱导培养基组成为:WPM+6-BA0 ? 1-0 ? 2mg/L+NAA0 ? 01-0 ? 02mg/L+PVP5-10mg/L;[〇〇12] 4)愈伤组织诱导:取初始诱导培养中的芽,放入愈伤组织诱导培养基中培养15-20d,条件为暗培养,温度20 °C ± 2 °C ;所述愈伤组织培养基为:WPM+6-BA0.5-2.0mg/L+NAA0.02-0.05mg/L+PVP5-10mg/L;[〇〇13]5)分化和增殖培养:将透明无色的愈伤组织块放入分化培养基中培养20-25d,增殖产生大量丛生苗,培养条件为光强1800-2500LX、光周期10-14h/d,温度25°C±2°C;所述分化和增殖培养用培养基为:1/2MS+6-BA0.1-0.5mg/L+NAA0.1-0.5mg/L+PVP 5-10mg/L; [〇〇14]6)生根培养:将5)步骤中的丛生苗切割成单个,转移至生根培养基中培养15-20d后生根,培养条件为光强1800-2500LX、光周期10-14h/d,温度251:±2°(:;所述生根用培养基为:1/2MS+IBA0 ? 1-0 ? 5mg/L+PVP5_10mg/L;
[0015]7)炼苗和移栽:将有生根的金铃花幼苗的培养基瓶盖打开,室温下炼苗3-5d后,取出幼苗,洗去根部培养基,移栽装有河沙基质的苗床上,保持温度20-25°C,湿度85 %-95 %, 适当遮荫即可;[〇〇16] 所述的WPM培养基配方为:大量元素:硝酸铵NH4N03400mg/L,硫酸钾K2S〇4900mg/L, 磷酸二氢钾KH2P03170mg/L,硫酸镁MgS〇4 ? 7H20370mg/L;钙盐:氯化钙CaCl2 ? 2H2096mg/L; 四水合硝酸钙Ca(N03)2 ? 4H20556mg/L;微量元素:硼酸H3B036.2mg/L,硫酸锰MnS〇4 ? 4H2022.5mg/L,硫酸锌ZnS〇4 ? 7H208.6mg/L,钼酸钠Na2Mo〇4 ? 2H200.25mg/L,硫酸铜CuS〇4 ? 5H200 ? 25mg/L;铁盐:乙二胺四乙酸二钠Na2-EDTA37 ? 3mg/L,硫酸亚铁FeS〇4 ? 7H2027 ? 8mg/ L;有机酸:肌醇lOOmg/L,甘氨酸2mg/L,盐酸硫胺素lmg/L,盐酸卩比咳醇0 ? 5mg/L,烟酸0 ? 5mg/ L;
[0017] 所述的MS培养基配方为:大量元素:硝酸钾KN031900mg/L,硝酸铵NH4N031650mg/L, 磷酸二氢钾KH2P03170mg/L,硫酸镁MgS〇4 ? 7H20370mg/L;钙盐:氯化钙CaCl2 ? 2H20440mg/L; 微量元素:碘化钾K1 ? 83mg/L,硼酸H3B036 ? 2mg/L,硫酸锰MnS〇4 ? 4H2022 ? 3mg/L,硫酸锌 ZnS〇4 ? 7H208.6mg/L,钼酸钠Na2Mo〇4 ? 2H200.25mg/L,硫酸铜CuS04 ? 5H200.025mg/L,氯化钴(:〇(:12.611200.02511^/1;铁盐:乙二胺四乙酸二钠恥2-£01437.2511^/1,硫酸亚铁?6304* 7H2〇27.85mg/L;有机酸:肌醇lOOmg/L,甘氨酸2mg/L,盐酸硫胺素0.5mg/L,盐酸卩比咳醇 0 ? 5mg/L,烟酸 0 ? 5mg/L;蔗糖30g/L,琼脂粉 7g/L,pH为5 ? 7;[〇〇18] 所述的1/2MS培养基配方为:大量元素:硝酸钾KN03950mg/L,硝酸铵NH4N03825mg/ L,磷酸二氢钾KH2P0385mg/L,硫酸镁MgS〇4 ? 7H20185mg/L;余同上述MS培养基;[〇〇19]所述的6-BA为6-苄氨基嘌呤;[〇〇2〇] 所述的NAA为a-萘乙酸;[〇〇21] 所述的IBA为吲哚-3-丁酸;[〇〇22]所述的PVP为聚乙烯吡咯烷酮。[〇〇23] 优选的,步骤3)中初始诱导培养基组成为:WPM+6-BA0 ? 15mg/L+NAA0 ? 015mg/L+ PVP6mg/L〇
[0024]优选的,步骤4)中愈伤组织培养基为:WPM+6-BAl.0mg/L+NAA0.04mg/L+PVP8mg/L。 [〇〇25] 优选的,步骤5)中分化和增殖培养用培养基为:1/2MS+6-BA0 ? 3mg/L+NAA0 ? 3mg/L+ PVP8mg/L〇[〇〇26] 优选的,步骤6)中生根用培养基为:1/2MS+IBA0 ? 3mg/L+PVP8mg/L。
[0027]采用本发明繁殖金铃花,可实现金铃花组培苗的大量快速繁殖,为金铃花生产栽培和品种改良奠定基础。
[0028]为了更好的阐述技术方案,下面结合【具体实施方式】对本发明作进一步的说明,但本发明所要求的保护范围不限于下列实施例。【具体实施方式】
[0029]实施例1
[0030]1)外植体的选取:取当年生直径10-20_的金铃花枝条为外植体,剪去叶片后剪成 5-12cm的茎段;[〇〇31]2)外植体消毒:将上述茎段放入盛有自来水的20KHz超声波清洗中保持温度30 °C处理30min,然后以自来水冲洗lOmin;随后在超净工作台上以70%的酒精消毒25秒,0.5% 升汞溶液中处理5分钟,然后以无菌水冲洗6遍,置于无菌培养皿备用;
[0032]3)初始诱导培养:将灭菌后外植体茎段各剪去3_5mm,茎段按末端向下插入初始诱导培养基中培养,培养条件为光强2500-3500LX、光周期10-14h/d,温度25°C ±2°C ;培养6d 后将其中未污染的外植体茎段转接到新的初始诱导培养基中,并继续培养18d至新芽长出; 所述的初始诱导培养基组成为:WPM+6-BA0 ? lmg/L+NAAO ? 01mg/L+PVP5mg/L;[〇〇33]4)愈伤组织诱导:取初始诱导培养中的芽,放入愈伤组织诱导培养基中培养20d,条件为暗培养,温度20°C ± 2°C ;所述愈伤组织培养基为:WPM+6-BA0 ? 5mg/L+NAA0 ? 02mg/L+ PVP5mg/L;[〇〇34]5)分化和增殖培养:将透明无色的愈伤组织块放入分化培养基中培养25d,增殖产生大量丛生苗,培养条件为光强1800-2500LX、光周期10-14h/d,温度25°C±2°C;所述分化和增殖培养用培养基为:1/2MS+6-BA0 ? lmg/L+NAAO ? lmg/L+PVP5mg/L;[〇〇35]6)生根培养:将5)步骤中的丛生苗切割成单个,转移至生根培养基中培养120d后生根,培养条件为光强1800-2500LX、光周期10-14h/d,温度25°C ±2°C ;所述生根用培养基为:1/2MS+IBA0?lmg/L+PVP5mg/L;
[0036]7)炼苗和移栽:将有生根的金铃花幼苗的培养基瓶盖打开,室温下炼苗5d后,取出幼苗,洗去根部培养基,移栽装有河沙基质的苗床上,保持温度20-25°C,湿度85 %-95 %,适当遮荫即可。[〇〇37]经试验,采用本实施例所育试管苗的苗床移栽成活率为89.2%。
[0038]实施例2
[0039]1)外植体的选取:取当年生直径10-20_的金铃花枝条为外植体,剪去叶片后剪成 5-12cm的茎段;
[0040]2)外植体消毒:将上述茎段放入盛有自来水的25KHZ超声波清洗中保持温度30-35 °C处理45min,然后以自来水冲洗20min;随后在超净工作台上以75%的酒精消毒25-35秒, 〇.5 %升汞溶液中处理7分钟,然后以无菌水冲洗8遍,置于无菌培养皿备用;
[0041]3)初始诱导培养:将灭菌后外植体茎段各剪去3-5mm,茎段按末端向下插入初始诱导培养基中培养,培养条件为光强2500-3500LX、光周期10-14h/d,温度25°C ±2°C ;培养4d 后将其中未污染的外植体茎段转接到新的初始诱导培养基中,并继续培养12d至新芽长出; 所述的初始诱导培养基组成为:WPM+6-BA0 ? 2mg/L+NAA0 ? 02mg/L+PVP10mg/L;
[0042]4)愈伤组织诱导:取初始诱导培养中的芽,放入愈伤组织诱导培养基中培养15d, 条件为暗培养,温度20°C ± 2°C ;所述愈伤组织培养基为:WPM+6-BA2 ? Omg/L+NAAO ? 05mg/L+ PVP10mg/L;
[0043]5)分化和增殖培养:将透明无色的愈伤组织块放入分化培养基中培养20d,增殖产生大量丛生苗,培养条件为光强1800-2500LX、光周期10-14h/d,温度25°C±2°C;所述分化和增殖培养用培养基为:1/2MS+6-BA0 ? 5mg/L+NAA0 ? 5mg/L+PVP10mg/L;
[0044]6)生根培养:将5)步骤中的丛生苗切割成单个,转移至生根培养基中培养15d后生根,培养条件为光强1800-2500LX、光周期10-14h/d,温度25°C ± 2°C ;所述生根用培养基为: 1/2MS+IBA0.5mg/L+PVP1Omg/L;
[0045]7)炼苗和移栽:将有生根的金铃花幼苗的培养基瓶盖打开,室温下炼苗5d后,取出幼苗,洗去根部培养基,移栽装有河沙基质的苗床上,保持温度20-25°C,湿度85 %-95 %,适当遮荫即可。
[0046]经试验,采用本实施例所育试管苗的苗床移栽成活率为90.3%。[〇〇47]实施例3
[0048]1)外植体的选取:取当年生直径10-20_的金铃花枝条为外植体,剪去叶片后剪成5-12cm的茎段;[〇〇49]2)外植体消毒:将上述茎段放入盛有自来水的25KHz超声波清洗中保持温度30-35°C处理45min,然后以自来水冲洗20min;随后在超净工作台上以75%的酒精消毒25-35秒, 〇.5 %升汞溶液中处理7分钟,然后以无菌水冲洗8遍,置于无菌培养皿备用;
[0050]3)初始诱导培养:将灭菌后外植体茎段各剪去2-3mm,茎段按末端向下插入初始诱导培养基中培养,培养条件为光强2500-3500LX、光周期10-14h/d,温度25°C ±2°C ;培养5d 后将其中未污染的外植体茎段转接到新的初始诱导培养基中,并继续培养16d至新芽长出; 所述的初始诱导培养基组成为:WPM+6-BA0 ? 15mg/L+NAA0 ? 015mg/L+PVP6mg/L;
[0051]4)愈伤组织诱导:取初始诱导培养中的芽,放入愈伤组织诱导培养基中培养18d, 条件为暗培养,温度20°C ± 2°C ;所述愈伤组织培养基为:WPM+6-BA1 ? Omg/L+NAAO ? 04mg/L+ PVP8mg/L;[〇〇52]5)分化和增殖培养:将透明无色的愈伤组织块放入分化培养基中培养22d,增殖产生大量丛生苗,培养条件为光强1800-2500LX、光周期10-14h/d,温度25°C±2°C;所述分化和增殖培养用培养基为:1/2MS+6-BA0 ? 3mg/L+NAA0 ? 3mg/L+PVP8mg/L;[〇〇53]6)生根培养:将5)步骤中的丛生苗切割成单个,转移至生根培养基中培养18d后生根,培养条件为光强1800-2500LX、光周期10-14h/d,温度25°C ± 2°C ;所述生根用培养基为: 1/2MS+IBA0.3mg/L+PVP8mg/L;[〇〇54]7)炼苗和移栽:将有生根的金铃花幼苗的培养基瓶盖打开,室温下炼苗5d后,取出幼苗,洗去根部培养基,移栽装有河沙基质的苗床上,保持温度20-25°C,湿度85 %-95 %,适当遮荫即可。
[0055]经试验,采用本实施例所育试管苗的苗床移栽成活率为92.8%。
【主权项】
1.一种金铃花快速繁殖的方法,其特征在于所述的方法包括以下步骤:1)外植体的选取:取当年生直径10-20mm的金铃花半木质化嫩枝枝条为外植体,剪去下 部叶片后剪成5-12cm的茎段;2)外植体消毒:将上述茎段放入盛有自来水的20KHz超声波清洗机中保持温度30-35 °C 处理30-45min,然后用自来水冲洗10-20min;随后在超净工作台上以70-75%的酒精消毒 20-30秒,0.5 %升汞溶液中处理5-7分钟,然后以无菌水冲洗6-8遍,置于无菌培养皿备用;3)初始诱导培养:将灭菌后外植体茎段各剪去3-5mm,茎段按末端向下插入初始诱导培 养基中培养,培养条件为光强2500-3500LX、光周期10-14h/d,温度25°C ±2°C ;培养4-6d后 将其中未污染的外植体茎段转接到新的初始诱导培养基中,并继续培养12-18d至新芽长 出;所述的初始诱导培养基组成为:WPM+6-BA0 ? 1-0 ? 2mg/L+NAA0 ? 01-0 ? 02mg/L+PVP5-10mg/ L;4)愈伤组织诱导:取初始诱导培养中的芽,放入愈伤组织诱导培养基中培养15-20d,条 件为暗培养,温度20°C ± 2°C ;所述愈伤组织培养SS:WPM+6-BA0.5-2.0mg/L+NAA0.02-0.05mg/L+PVP5-10mg/L;5)分化和增殖培养:将透明无色的愈伤组织块放入分化培养基中培养20-25d,增殖产 生大量丛生苗,培养条件为光强1800-2500LX、光周期10-14h/d,温度25°C±2°C;所述分化 和增殖培养用培养基为:1/2MS+6-BA0?1-0?5mg/L+NAA0?1-0?5mg/L+PVP 5-10mg/L;6)生根培养:将5)步骤中的丛生苗切割成单个,转移至生根培养基中培养15-20d后生 根,培养条件为光强1800-2500LX、光周期10-14h/d,温度25°C ± 2°C ;所述生根用培养基为: 1/2MS+IBA0.1-0.5mg/L+PVP5-10mg/L;7)炼苗和移栽:将有生根的金铃花幼苗的培养基瓶盖打开,室温下炼苗3-5d后,取出幼 苗,洗去根部培养基,移栽装有河沙基质的苗床上,保持温度20-25°C,湿度85%-95%,适当 遮荫即可;所述的6-BA为6-苄氨基嘌呤;所述的NAA为a-萘乙酸;所述的IBA为吲哚-3-丁酸;所述的PVP为聚乙烯吡咯烷酮。2.根据权利要求1所述一种金铃花快速繁殖的方法,其特征在于所述步骤3)中初始诱 导培养基组成为:WPM+6-BA0 ? 15mg/L+NAA0 ? 015mg/L+PVP6mg/L。3.根据权利要求1所述一种金铃花快速繁殖的方法,其特征在于所述步骤4)中愈伤组 织培养基为:WPM+6-BA1 ? 0mg/L+NAA0 ? 04mg/L+PVP8mg/L。4.根据权利要求1所述一种金铃花快速繁殖的方法,其特征在于所述步骤5)中分化和 增殖培养用培养基为:1/2MS+6-BA0 ? 3mg/L+NAA0 ? 3mg/L+PVP8mg/L。5.根据权利要求1所述一种金铃花快速繁殖的方法,其特征在于所述步骤6)中生根用 培养基为:1/2MS+IBA0 ? 3mg/L+PVP8mg/L。
【文档编号】A01H4/00GK105993943SQ201610340091
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年5月20日
【发明人】戴勤, 王冬梅, 李慧珍
【申请人】芜湖欧标农业发展有限公司
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