一种新型育苗种植垫的制作方法

文档序号:10408950阅读:407来源:国知局
一种新型育苗种植垫的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及农业技术领域,尤其涉及一种育苗种植装置。
【背景技术】
[0002]传统的播种方式,占用土地面积大、耗水量大,劳动强度大,施肥、除草麻烦,生产管理费用较高,且生长缓慢;而使用现代化的机械进行育苗播种,对地形的要求较高,且同样需要施肥、除草,生产管理费用高。

【发明内容】

[0003]本实用新型就是针对上述【背景技术】,提供一种新型育苗种植垫。本实用新型的技术方案如下:
[0004]—种新型育苗种植垫,包括基底1、营养室2、营养基质21、营养缓释孔22、种子室3、种子31、种子营养基32,其特征在于:所述营养室2与所述种子室3设置在所述基底I上,所述种子室3和所述营养室2隔开,避免所述营养室2中的营养基质21直接进入所述种子室3影响所述种子31发育;所述营养室2设置有所述营养基质21;所述营养室2上设置有所述营养缓释孔22,用于使所述营养室2中的所述营养基质21缓慢释放到所述基底I所覆盖的土壤中,以利于所述种子31发芽后的生长及土壤的改良。
[0005]优选的,所述一种新型育苗种植垫,其特征在于,所述种子室3中设置有所述种子营养基32,为所述种子31的发芽提供必须的养分。
[0006]优选的,所述一种新型育苗种植垫,其特征在于,所述基底I设有渗水透气孔11,保障土壤水分蒸发及吸收,并有效隔离杂草生长。
【附图说明】
[0007]图1为本产品的截面图。
[0008]图2为本产品的俯视图。
[0009]图3为本产品使用后的植物生长示意图。
[0010]其中I为基底、11为渗水透气孔、2为营养室、21为营养基质、22为营养缓释孔、3为种子室、31为种子、32为种子营养基、41为植物生长的枝叶、42为植物生长的根莖。
【具体实施方式】
[0011]为了便于理解本实用新型,下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的优选实施例。但是,本实用新型可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容更加透彻全面。
[0012]本实用新型按图1及图2所示,先根据各种植物生长特性和土质营养需求配置好相应营养基质,基质选用可降解、无需人工去除、对环境无害的材料;同时在基底上设置好种子室和营养室,种子室中放置相应种子及营养基,营养室中放置相应的营养基质,营养室外的基质上设置好营养缓释孔,在工厂批量生产。
[0013]种植时,将生产好的种植垫铺展开,放置于土壤上即可,营养基质透过营养缓释孔缓慢渗入土壤中,供植物生长吸收及土壤改良;种子室和营养室中根据植物生长特性放置一定量的植物种子,并放置一定量的营养物质,以利于种子发芽。种子吸收土壤中的水分以及种子室中的营养物质后就可发芽生长,无需另行施肥及除草,操作简单,营养种植、育苗速度快、管理简单,且产量高。
[0014]以上所述仅为了表达本实用新型构思的实施方式,不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1.一种新型育苗种植垫,包括基底1、营养室2、营养基质21、营养缓释孔22、种子室3、种子31、种子营养基32,其特征在于:所述营养室2与所述种子室3设置在所述基底I上,所述种子室3和所述营养室2隔开,避免所述营养室2中的营养基质21直接进入所述种子室3影响所述种子31发育;所述营养室2设置有所述营养基质21;所述营养室2上设置有所述营养缓释孔22,用于使所述营养室2中的所述营养基质21缓慢释放到所述基底I所覆盖的土壤中,以利于所述种子31发芽后的生长及土壤的改良。2.根据权利要求1所述的一种新型育苗种植垫,其特征在于,所述种子室3中设置有所述种子营养基32,为所述种子31的发芽提供必须的养分。3.根据权利要求1所述的一种新型育苗种植垫,其特征在于,所述基底I设有渗水透气孔11,保障土壤水分蒸发及吸收,并有效隔离杂草生长。
【专利摘要】传统的播种方式,占用土地面积大、耗水量大,施肥、除草麻烦,生产管理费用较高,且生长缓慢。本实用新型提供一种新的育苗种植垫,在基底上设置营养室和育苗室,营养室外围设带缓释孔的保护膜,通过缓释孔将营养室中的营养基质缓慢释放到土壤中,以利于植物生长吸收。本实用新型可以在工厂将消毒、灭菌后的种子及营养基质设置好,使用时将其铺展开置于相应种植地面上即可,操作简单、营养种植、育苗速度快、管理简单,且产量高。
【IPC分类】A01G9/10
【公开号】CN205320706
【申请号】CN201620064209
【发明人】杨敏杰
【申请人】杨敏杰
【公开日】2016年6月22日
【申请日】2016年1月25日
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