一种芝麻烘焙加工工艺的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种烘焙加工工艺，尤其涉及一种芝麻烘焙加工工艺。
【背景技术】
[0002]中国自古就有许多用芝麻和芝麻油制作的名特食品和美味佳肴，一直着称于世.把芝麻的种子去皮之后便是芝麻仁，芝麻仁在烹饪上多用作辅料.另外，芝麻仁外面有一层稍硬的膜，把它碾碎才能使人体吸收到营养，所以整粒的芝麻应加工后再吃。市场上芝麻加工工艺都还停留在操作工人经验上，尤其是烘焙环节大多还是依靠看、闻来判断芝麻烘焙效果，芝麻在140°C左右温度下烘焙检测出的香气成分及种类最多，此温度下又可以达到灭菌的效果，芝麻烘焙加工工艺生产在芝麻加工领域，进行芝麻仁烘培深加工工艺势在必行。鉴于上述缺陷，实有必要设计一种芝麻烘焙加工工艺。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的技术问题在于:提供一种芝麻烘焙加工工艺，来解决芝麻烘焙环节只是依靠看、闻来判断芝麻烘焙效果的问题。
[0004]为解决上述技术问题，本发明的技术方案是:一种芝麻烘焙加工工艺，该工艺为芝麻两次加热烘焙，第一次烘干，第二次烘焙提香，具体步骤如下:
[0005]I)除杂:将需要加工的芝麻经芝麻去石机去除沙石、金属块粒等杂质进行分离清理；
[0006]2)浸泡:将去除杂质后的芝麻清水浸泡5-10分钟，清洗过滤后再放入70 °C — 80 °C的碱水中浸泡；
[0007]3)皮仁分离:将浸泡的芝麻经离心机进行芝麻皮与芝麻仁分离；
[0008]4)烘干:将去皮后的芝麻仁在80°C — 90°C温度下热风吹干；
[0009]5)烘培:将芝麻仁在130°C — 140°C温度下烘培20— 25分钟。
[0010]进一步地，所述步骤2)中芝麻放入碱水中浸泡20—30分钟，待其芝麻皮涨破，所述芝麻浸泡中可将未成熟芝麻清除。
[0011]进一步地，所述步骤4)中烘干40分钟左右，第一次烘干防止芝麻仁黏着烤焦。
[0012]进一步地，所述步骤5)中温度分三个阶段逐步提升至130°C — 140°C:第一阶段60-70 °C烘培5— 8分钟，第二阶段90-100 °C烘培1— 15分钟。
[0013]与现有技术相比，该芝麻烘焙加工工艺，芝麻分为两次加热烘焙，第一次烘干，第二次烘焙提香:第一次烘干是将去皮后的芝麻仁在80°C — 90°C温度下热风吹干，第二次烘焙提香，烘焙温度分三个阶段逐步提升至130°C — 140°C:第一阶段60-70°C烘培5—8分钟，第二阶段90-100°C烘培10 —15分钟，第三阶段130°0 — 140°0烘培20— 25分钟，该工艺经过合理的工艺安排，精益的加工理念，生产效率得到提升，大大地提高了芝麻提香的质量。
【附图说明】
[0014]图1是该芝麻烘焙加工工艺流程图
[0015]如下【具体实施方式】将结合上述附图进一步说明。
【具体实施方式】
[0016]在下文中，阐述了多种特定细节，以便提供对构成所描述实施例基础的概念的透彻理解。然而，对本领域的技术人员来说，很显然所描述的实施例可以在没有这些特定细节中的一些或者全部的情况下来实践。在其他情况下，没有具体描述众所周知的处理步骤。
[0017]实施例1
[0018]如图1所示，一种芝麻烘焙加工工艺，该工艺为芝麻两次加热烘焙，第一次烘干，第二次烘焙提香，具体步骤如下:
[0019]I)除杂:将需要加工的芝麻经芝麻去石机去除沙石、金属块粒等杂质进行分离清理；
[0020]2)浸泡:将去除杂质后的芝麻清水浸泡5分钟，清洗过滤后再放入70°C的碱水中浸泡；
[0021]3)皮仁分离:将浸泡的芝麻经离心机进行芝麻皮与芝麻仁分离；
[0022]4)烘干:将去皮后的芝麻仁在80°C温度下热风吹干；
[0023]5)烘培:将芝麻仁在130°C温度下烘培20分钟。
[0024]本发明所述步骤2)中芝麻放入碱水中浸泡20分钟，待其芝麻皮涨破，所述芝麻浸泡中可将未成熟芝麻清除，所述步骤4)中烘干40分钟左右，第一次烘干防止芝麻仁黏着烤焦，所述步骤5)中温度分三个阶段逐步提升至130°C:第一阶段60°C烘培5分钟，第二阶段90°C烘培10分钟。
[0025]实施例2
[0026]如图1所示，一种芝麻烘焙加工工艺，该工艺为芝麻两次加热烘焙，第一次烘干，第二次烘焙提香，具体步骤如下:
[0027]I)除杂:将需要加工的芝麻经芝麻去石机去除沙石、金属块粒等杂质进
[0028]行分离清理；
[0029]2)浸泡:将去除杂质后的芝麻清水浸泡8分钟，清洗过滤后再放入75°C
[0030]的碱水中浸泡；
[0031]3)皮仁分离:将浸泡的芝麻经离心机进行芝麻皮与芝麻仁分离；
[0032]4)烘干:将去皮后的芝麻仁在85°C温度下热风吹干；
[0033]5)烘培:将芝麻仁在135°C温度下烘培30分钟。
[0034]本发明所述步骤2)中芝麻放入碱水中浸泡25分钟，待其芝麻皮涨破，所述芝麻浸泡中可将未成熟芝麻清除，所述步骤4)中烘干40分钟左右，第一次烘干防止芝麻仁黏着烤焦，所述步骤5)中温度分三个阶段逐步提升至135°C:第一阶段65°C烘培7分钟，第二阶段95°C烘培12分钟。
[0035]实施例3
[0036]如图1所示，一种芝麻烘焙加工工艺，该工艺为芝麻两次加热烘焙，第一次烘干，第二次烘焙提香，具体步骤如下:
[0037]I)除杂:将需要加工的芝麻经芝麻去石机去除沙石、金属块粒等杂质进行分离清理；
[0038]2)浸泡:将去除杂质后的芝麻清水浸泡10分钟，清洗过滤后再放入80°C的碱水中浸泡；
[0039]3)皮仁分离:将浸泡的芝麻经离心机进行芝麻皮与芝麻仁分离；
[0040]4)烘干:将去皮后的芝麻仁在90°C温度下热风吹干；
[0041]5)烘培:将芝麻仁在140 °C温度下烘培25分钟。
[0042]本发明所述步骤2)中芝麻放入碱水中浸泡30分钟，待其芝麻皮涨破，所述芝麻浸泡中可将未成熟芝麻清除，所述步骤4)中烘干40分钟左右，第一次烘干防止芝麻仁黏着烤焦，所述步骤5)中温度分三个阶段逐步提升至140°C:第一阶段70°C烘培8分钟，第二阶段100°C烘培15分钟。
[0043]本发明不局限于上述具体的实施方式，本领域的普通技术人员从上述构思出发，不经过创造性的劳动，所做出的种种变换，均落在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种芝麻烘焙加工工艺，其特征在于，该工艺为芝麻两次加热烘焙，第一次烘干，第二次烘焙提香，具体步骤如下: 1)除杂:将需要加工的芝麻经芝麻去石机去除沙石、金属块粒等杂质进行分离清理； 2)浸泡:将去除杂质后的芝麻清水浸泡5-10分钟，清洗过滤后再放入70°C— 80°C的碱水中浸泡； 3)皮仁分离:将浸泡的芝麻经离心机进行芝麻皮与芝麻仁分离； 4)烘干:将去皮后的芝麻仁在80°C— 90°C温度下热风吹干； 5)烘培:将芝麻仁在130°C— 140°C温度下烘培20— 25分钟。
2.如权利要求1所述的芝麻烘焙加工工艺，其特征在于所述步骤2)中芝麻放入碱水中浸泡20— 30分钟，待其芝麻皮涨破，所述芝麻浸泡中可将未成熟芝麻清除。
3.如权利要求1所述的芝麻烘焙加工工艺，其特征在于所述步骤4)中烘干40分钟左右，第一次烘干防止芝麻仁黏着烤焦。
4.如权利要求1所述的芝麻烘焙加工工艺，其特征在于所述步骤5)中温度分三个阶段逐步提升至130°C — 140°C:第一阶段60-70°C烘培5—8分钟，第二阶段90_100°C烘培10—15分钟。
【专利摘要】本发明公开了一种芝麻烘焙加工工艺，该工艺为芝麻两次加热烘焙，第一次烘干，第二次烘焙提香，具体步骤如下：除杂→浸泡→皮仁分离→烘干→烘培，该芝麻烘焙加工工艺，芝麻分为两次加热烘焙，第一次烘干，第二次烘焙提香：第一次烘干是将去皮后的芝麻仁在80℃—90℃温度下热风吹干，第二次烘焙提香，烘焙温度分三个阶段逐步提升至130℃—140℃：第一阶段60-70℃烘培5—8分钟，第二阶段90-100℃烘培10—15分钟，第三阶段130℃—140℃烘培20—25分钟，该工艺经过合理的工艺安排，精益的加工理念，生产效率得到提升，大大地提高了芝麻提香的质量。
【IPC分类】A23L1-36
【公开号】CN104814479
【申请号】CN201510159251
【发明人】徐国松, 邓青, 王九胜
【申请人】安徽新桥工贸有限责任公司
【公开日】2015年8月5日
【申请日】2015年4月3日