专利名称：非创伤性葛根素离子渗透给药系统的制备方法
技术领域：
本发明属于医药临床医学领域，具体地说是一种非创伤性葛根素离子渗透给药系统的制备方法。
背景技术：
葛根素，8- β -D-葡萄吡喃糖-4’，7- 二羟基异黄酮。由豆科植物野葛Puerarialobata (willd. ) Ohwi的干燥根中提取分离得到。是2010版中国药典收录品种,在临床应用中具有重要地位。葛根素的化学结构为
权利要求
1.一种非创伤性葛根素离子渗透给药系统的制备方法，其特征在干，该给药系统包括给药池、接受池、导电硅胶电极、离子渗透仪或交流电发生仪，其制备方法采取如下步骤 选择给药池溶液和接受池溶液给药池溶液选用PH值为5. 0-5. 5之间的葛根素溶液，其pH范围内离子型药物占药物总浓度的96%以上，保证离子渗透过程顺利完成，给药池中同时加入皮肤渗透促进剂，接受池溶液选用生理盐水； 置換葛根素离子交換膜将阳离子交換膜切割成所需大小，经去离子水冲洗后，置于含有皮肤渗透促进剂的pH值为5. 0-5. 5之间的葛根素饱和溶液中，再经水浴摇床震荡，水浴摇床的温度为37°C，震荡时间为12hr，此时葛根素饱和溶液中的葛根素离子与阳离子交換膜进行置換，并检测被置換溶液中葛根素残留量，多次置換，直至离子交換膜上所吸附葛根素离子达到饱和； 判断是否提取完全为确定饱和后葛根素离子交換膜的药物吸附量，用こ醇为溶剂反复提取饱和后的葛根素离子交換膜上的药物，直到最后一次提取量小于第一次提取量的.10%时，认为提取完全； 葛根素离子交換膜置入导电硅胶电极取出饱和后的葛根素离子交換膜，用吸水纸将葛根素离子交換膜表面的液层吸干，然后置入导电硅胶电极内，再将硅胶压紧，使葛根素离子交换膜和导电娃胶电极密合； 连接葛根素离子渗透给药系统根据直流电或交流电或直流电/交流电结合的不同电源，采用离子渗透仪或交流电发生仪与给药池、接受池、导电硅胶电极连接为离子渗透水平扩散或垂直扩散方式。
2.根据权利要求I所述的非创伤性葛根素离子渗透给药系统的制备方法，其特征在于所述的皮肤渗透促进剂选用范围包括萜烯类、醇类、氨基化合物类、阴离子表面活性剤、氮卓酮类、阳离子表面活性剤、脂肪酸、非离子表面活性剤、多元醇类、吡咯烷酮类、亚砜类、两性离子表面活性剂类及水、尿素、环糊精。
3.根据权利要求I所述的非创伤性葛根素离子渗透给药系统的制备方法，其特征在于步骤C中的葛根素饱和溶液为采用浓度为10%的HCl溶液调节而成的。
4.根据权利要求I所述的非创伤性葛根素离子渗透给药系统的制备方法，其特征在于，步骤E中连接葛根素离子渗透给药系统时，根据电源的选择有如下三种情况 直流电采用电流恒定型离子渗透仪，给药池电极为Ag，接受池电极为AgCl/Ag，电流密度为O. 05-0. 5mA/ cm2，给药时间至少为时滞Tlag的3_4倍； 交流电采用结合有电压放大器的交流电发生仪，施加电压为5V-80V，频率.O.05Hz-1000Hz，给药池及接受池电极均为AgCl/Ag，给药时间至少为时滞Tlag的3_4倍； 直流电/交流电结合采用结合有电压放大器的交流电发生仪，施加电压为5V-80V，频率O. 05Hz-1000Hz，给药池及接受池电极均为AgCl/Ag，给药时间至少为时滞Tlag的3_4倍。
全文摘要
本发明的目的是克服现有技术的不足，公开了一种非创伤性葛根素离子渗透给药系统的制备方法，该给药系统包括给药池、接受池、导电硅胶电极、离子渗透仪或交流电发生仪，其制备方法采取如下步骤A.选择给药池溶液和接受池溶液；B.置换葛根素离子交换膜；C.判断是否提取完全；D.葛根素离子交换膜置入导电硅胶电极；E.连接葛根素离子渗透给药系统。在试验所采用的条件下，采用非创伤性给药方式，药物的渗透量明显提高，因此本发明提供了一种安全、快速、方便的新型给药系统的制备方法。
文档编号A61M37/00GK102671292SQ20111006266
公开日2012年9月19日 申请日期2011年3月16日 优先权日2011年3月16日
发明者丁竟鹏, 李子樵, 练子富, 许清芳 申请人:上海蓝怡科技有限公司