专利名称：射频治疗仪参数调节系统的制作方法
技术领域：
本实用新型属于医疗器械技术领域，尤其是涉及一种射频治疗仪参数调节系统。
背景技术：
射频治疗仪是一种临床上用于射频治疗的医疗器械，使用过程中，需要对电压刺激、射频工作模式、治疗温度、输出功率等参数进行设置，以达到所需治疗效果。目前国内外常用的射频治疗仪参数设置主要是通过机械旋钮或增加、减少等按键进行设置，机械旋钮虽然可快速调节，但调节的精度无法满足要求，按键的参数调节效率低，输出0 IOV的电压刺激信号，如果步长为0. IV的话，从OV到IOV的电压范围，需设置按键100次才能调节到需要的范围，无论是单次检测或连续检测，在临床中都比较费时。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种射频治疗仪参数调节系统，其结构简单，设计合理，使用操作便捷，调节效率高，调节精度高，实现成本低，功能完备，使用效果好，便于推广使用。为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是一种射频治疗仪参数调节系统，其特征在于包括用于对射频治疗仪参数进行调节的编码器、与编码器相接的光耦隔离电路和与光耦隔离电路相接且用于接收编码器所输出的信号并进行分析处理的微处理
O上述的射频治疗仪参数调节系统，其特征在于所述编码器包括用于对刺激脉冲幅度进行调节的刺激幅度编码器、对射频时间进行调节的射频时间编码器、对射频功率进行调节的射频功率编码器和对治疗温度进行调节的温度参数编码器。上述的射频治疗仪参数调节系统，其特征在于所述编码器包括用于对刺激脉冲宽度进行调节的刺激脉宽编码器、对刺激脉冲频率进行调节的刺激频率编码器、对射频脉宽进行调节的射频脉宽编码器和对射频频率进行调节的射频频率编码器。上述的射频治疗仪参数调节系统，其特征在于所述刺激幅度编码器、射频时间编码器、射频功率编码器和温度参数编码器均为具有5个引脚的旋转编码开关；所述光耦隔离电路由三个芯片P521-4、两个芯片74HCM5、十二个上拉电阻Rl和十二个上拉电阻R2构成；第一个芯片P521-4的引脚1、引脚3、引脚5和引脚7分别对应与四个上拉电阻Rl连接后再与+12V电源相接，第一个芯片P521-4的引脚2与刺激幅度编码器的引脚1相接，第一个芯片P521-4的引脚4与刺激幅度编码器的引脚2相接，第一个芯片P521-4的引脚6与射频时间编码器的引脚1相接，第一个芯片P521-4的引脚8与射频时间编码器的引脚2相接，第一个芯片P521-4的引脚9、引脚11、引脚13和引脚15均接数字地GND，第一个芯片 P521-4的引脚10与第一个芯片74HCM5的引脚5相接且与一个上拉电阻R2连接后再与 +5V电源相接，第一个芯片P521-4的引脚12与第一个芯片74HC245的引脚4相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第一个芯片P521-4的引脚14与第一个芯片74HCM5的引脚3相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第一个芯片P521-4的引脚 16与第一个芯片74HC245的引脚2相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接；第二个芯片P521-4的引脚1、引脚3、引脚5和引脚7分别对应与四个上拉电阻Rl连接后再与+12V电源相接，第二个芯片P521-4的引脚2与射频功率编码器的引脚1相接，第二个芯片P521-4的引脚4与射频功率编码器的引脚2相接，第二个芯片P521-4的引脚6与温度参数编码器的引脚1相接，第二个芯片P521-4的引脚8与温度参数编码器的引脚2相接，第二个芯片P521-4的引脚9、引脚11、引脚13和引脚15均接数字地GND，第二个芯片P521-4 的引脚10与第一个芯片74HC245的引脚9相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第二个芯片P521-4的引脚12与第一个芯片74HCM5的引脚8相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第二个芯片P521-4的引脚14与第一个芯片74HC245的引脚7相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第二个芯片P521-4的引脚16与第一个芯片74HCM5的引脚6相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接；第三个芯片P521-4的引脚1、引脚3、引脚5和引脚7分别对应与四个上拉电阻Rl连接后再与 +12V电源相接，第三个芯片P521-4的引脚2与刺激幅度编码器的引脚4相接，第三个芯片 P521-4的引脚4与射频时间编码器的引脚4相接，第三个芯片P521-4的引脚6与射频功率编码器的引脚4相接，第三个芯片P521-4的引脚8与温度参数编码器的引脚4相接，第三个芯片P521-4的引脚9、引脚11、引脚13和引脚15均接数字地GND，第三个芯片P521-4的引脚10与第二个芯片74HC245的引脚5相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第三个芯片P521-4的引脚12与第二个芯片74HCM5的引脚4相接且与一个上拉电阻 R2连接后再与+5V电源相接，第三个芯片P521-4的引脚14与第二个芯片74HCM5的引脚 3相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第三个芯片P521-4的引脚16与第二个芯片74HC245的引脚2相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接；所述刺激幅度编码器的引脚3和引脚5、射频时间编码器的引脚3和引脚5、射频功率编码器的引脚3 和引脚5、以及温度参数编码器的引脚3和引脚5均接模拟地GNDl ；第一个芯片74HC245的引脚11 18和第二个芯片74HCM5的引脚15 18均与微处理器的输入端相接，第一个芯片74HC245的引脚1和第二个芯片74HC245的引脚1均接+5V电源，第一个芯片74HCM5 的引脚19和第二个芯片74HCM5的引脚19均与微处理器的输出端相接。 上述的射频治疗仪参数调节系统，其特征在于所述刺激幅度编码器、射频时间编码器、射频功率编码器、温度参数编码器、刺激脉宽编码器、刺激频率编码器、射频脉宽编码器和射频频率编码器均为具有5个引脚的旋转编码开关；所述光耦隔离电路由六个芯片 P521-4、三个芯片74HCM5、二十四个上拉电阻Rl和二十四个上拉电阻R2构成；第一个芯片P521-4的引脚1、引脚3、引脚5和引脚7分别对应与四个上拉电阻Rl连接后再与+12V电源相接，第一个芯片P521-4的引脚2与刺激幅度编码器的引脚1相接，第一个芯片P521-4 的引脚4与刺激幅度编码器的引脚2相接，第一个芯片P521-4的引脚6与射频时间编码器的引脚1相接，第一个芯片P521-4的引脚8与射频时间编码器的引脚2相接，第一个芯片 P521-4的引脚9、引脚11、引脚13和引脚15均接数字地GND，第一个芯片P521-4的引脚10 与第一个芯片74HC245的引脚5相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第一个芯片P521-4的引脚12与第一个芯片74HC245的引脚4相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第一个芯片P521-4的引脚14与第一个芯片74HCM5的引脚3相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第一个芯片P521-4的引脚16与第一个芯片 74HC245的引脚2相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接；第二个芯片P521-4 的引脚1、引脚3、引脚5和引脚7分别对应与四个上拉电阻Rl连接后再与+12V电源相接， 第二个芯片P521-4的引脚2与射频功率编码器的引脚1相接，第二个芯片P521-4的引脚 4与射频功率编码器的引脚2相接，第二个芯片P521-4的引脚6与温度参数编码器的引脚 1相接，第二个芯片P521-4的引脚8与温度参数编码器的引脚2相接，第二个芯片P521-4 的引脚9、引脚11、引脚13和引脚15均接数字地GND，第二个芯片P521-4的引脚10与第一个芯片74HC245的引脚9相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第二个芯片 P521-4的引脚12与第一个芯片74HCM5的引脚8相接且与一个上拉电阻R2连接后再与 +5V电源相接，第二个芯片P521-4的引脚14与第一个芯片74HC245的引脚7相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第二个芯片P521-4的引脚16与第一个芯片74HCM5 的引脚6相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接；第三个芯片P521-4的引脚 1、引脚3、引脚5和引脚7分别对应与四个上拉电阻Rl连接后再与+12V电源相接，第三个芯片P521-4的引脚2与刺激脉宽编码器的引脚1相接，第三个芯片P521-4的引脚4与刺激脉宽编码器的引脚2相接，第三个芯片P521-4的引脚6与刺激频率编码器的引脚1相接， 第三个芯片P521-4的引脚8与刺激频率编码器的引脚2相接，第三个芯片P521-4的引脚 9、引脚11、引脚13和引脚15均接数字地GND，第三个芯片P521-4的引脚10与第二个芯片 74HC245的引脚5相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第三个芯片P521-4 的引脚12与第二个芯片74HC245的引脚4相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第三个芯片P521-4的引脚14与第二个芯片74HCM5的引脚3相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第三个芯片P521-4的引脚16与第二个芯片74HCM5的引脚2相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接；第四个芯片P521-4的引脚1、 引脚3、引脚5和引脚7分别对应与四个上拉电阻Rl连接后再与+12V电源相接，第四个芯片P521-4的引脚2与射频脉宽编码器的引脚1相接，第四个芯片P521-4的引脚4与射频脉宽编码器的引脚2相接，第四个芯片P521-4的引脚6与射频频率编码器的引脚1相接， 第四个芯片P521-4的引脚8与射频频率编码器的引脚2相接，第四个芯片P521-4的引脚 9、引脚11、引脚13和引脚15均接数字地GND，第四个芯片P521-4的引脚10与第一个芯片 74HC245的引脚9相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第四个芯片P521-4 的引脚12与第一个芯片74HC245的引脚8相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第四个芯片P521-4的引脚14与第二个芯片74HCM5的引脚7相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第四个芯片P521-4的引脚16与第二个芯片74HCM5的引脚6相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接；第五个芯片P521-4的引脚1、 引脚3、引脚5和引脚7分别对应与四个上拉电阻Rl连接后再与+12V电源相接，第五个芯片P521-4的引脚2与刺激幅度编码器的引脚4相接，第五个芯片P521-4的引脚4与射频时间编码器的引脚4相接，第五个芯片P521-4的引脚6与射频功率编码器的引脚4相接， 第五个芯片P521-4的引脚8与温度参数编码器的引脚4相接，第五个芯片P521-4的引脚 9、引脚11、引脚13和引脚15均接数字地GND，第五个芯片P521-4的引脚10与第三个芯片 74HC245的引脚5相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第五个芯片P521-4 的引脚12与第三个芯片74HC245的引脚4相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第五个芯片P521-4的引脚14与第三个芯片74HCM5的引脚3相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第五个芯片P521-4的引脚16与第三个芯片74HCM5的引脚2相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接；第六个芯片P521-4的引脚1、 引脚3、引脚5和引脚7分别对应与四个上拉电阻Rl连接后再与+12V电源相接，第六个芯片P521-4的引脚2与刺激脉宽编码器的引脚4相接，第六个芯片P521-4的引脚4与刺激频率编码器的引脚4相接，第六个芯片P521-4的引脚6与射频脉宽编码器的引脚4相接， 第六个芯片P521-4的引脚8与射频频率编码器的引脚4相接，第六个芯片P521-4的引脚 9、引脚11、引脚13和引脚15均接数字地GND，第六个芯片P521-4的引脚10与第三个芯片 74HC245的引脚9相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第六个芯片P521-4 的引脚12与第三个芯片74HC245的引脚8相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第六个芯片P521-4的引脚14与第三个芯片74HCM5的引脚7相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第六个芯片P521-4的引脚16与第三个芯片74HCM5的引脚6相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接；所述刺激幅度编码器的引脚3和引脚5、射频时间编码器的引脚3和引脚5、射频功率编码器的引脚3和引脚5、温度参数编码器的引脚3和引脚5、刺激脉宽编码器的引脚3和引脚5、刺激频率编码器的引脚3和引脚5、射频脉宽编码器的引脚3和引脚5、以及射频频率编码器的引脚3和引脚5均接模拟地GNDl ；第一个芯片74HC245的引脚11 18、第二个芯片74HC245的引脚11 18和第三个芯片74HCM5的引脚11 18均与微处理器的输入端相接，第一个芯片74HC245的引脚 1、第二个芯片74HCM5的引脚1和第三个芯片74HCM5的引脚1均接+5V电源，第一个芯片74HC245的引脚19、第二个芯片74HC245的引脚19和第三个芯片74HC245的引脚19均与微处理器的输出端相接。上述的射频治疗仪参数调节系统，其特征在于所述微处理器为单片机。本实用新型与现有技术相比具有以下优点1、本实用新型的结构简单，设计合理，使用操作便捷。2、本实用新型通过依次相接的编码器、光耦隔离电路和微处理器构建了智能化的射频治疗仪参数调节系统，调节效率高，调节精度高，解决了现有技术所存在的调节精度较低、调节费时等缺陷和不足。3、本实用新型的实现成本低，功能完备，使用效果好，便于推广使用。下面通过附图和实施例，对本实用新型的技术方案做进一步的详细描述。
图1为本实用新型实施例1的电路原理框图。图2为本实用新型实施例1的电路原理图。图3为本实用新型实施例2的电路原理框图。图4为本实用新型实施例2除微处理器外的电路原理图。附图标记说明1-编码器；1-1-刺激幅度编码器；1-2-射频时间编码器；1-3-射频功率编码器；1-4-温度参数编码器；1-5-刺激脉宽编码器；1-6-刺激频率编码器；1-7-射频脉宽编码器；1-8-射频频率编码器；[0023]2-光耦隔离电路；3-微处理器。
具体实施方式
实施例1如图1所示，本实用新型包括用于对射频治疗仪参数进行调节的编码器、与编码器相接的光耦隔离电路2和与光耦隔离电路2相接且用于接收编码器所输出的信号并进行分析处理的微处理器3。本实施例中，所述编码器包括用于对刺激脉冲幅度进行调节的刺激幅度编码器 1-1、对射频时间进行调节的射频时间编码器1-2、对射频功率进行调节的射频功率编码器 1-3和对治疗温度进行调节的温度参数编码器1-4。结合图2，本实施例中，所述刺激幅度编码器1-1、射频时间编码器1-2、射频功率编码器1-3和温度参数编码器1-4均为具有5个引脚的旋转编码开关；所述光耦隔离电路 2由三个芯片P521-4、两个芯片74HCM5、十二个上拉电阻Rl和十二个上拉电阻R2构成； 第一个芯片P521-4的引脚1、引脚3、引脚5和引脚7分别对应与四个上拉电阻Rl连接后再与+12V电源相接，第一个芯片P521-4的引脚2与刺激幅度编码器1_1的引脚1相接，第一个芯片P521-4的引脚4与刺激幅度编码器1-1的引脚2相接，第一个芯片P521-4的引脚6与射频时间编码器1-2的引脚1相接，第一个芯片P521-4的引脚8与射频时间编码器1-2的引脚2相接，第一个芯片P521-4的引脚9、引脚11、引脚13和引脚15均接数字地 GND，第一个芯片P521-4的引脚10与第一个芯片74HC245的引脚5相接且与一个上拉电阻 R2连接后再与+5V电源相接，第一个芯片P521-4的引脚12与第一个芯片74HCM5的引脚 4相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第一个芯片P521-4的引脚14与第一个芯片74HC245的引脚3相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第一个芯片P521-4的引脚16与第一个芯片74HCM5的引脚2相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接；第二个芯片P521-4的引脚1、引脚3、引脚5和引脚7分别对应与四个上拉电阻Rl连接后再与+12V电源相接，第二个芯片P521-4的引脚2与射频功率编码器1_3 的引脚1相接，第二个芯片P521-4的引脚4与射频功率编码器1-3的引脚2相接，第二个芯片P521-4的引脚6与温度参数编码器1-4的引脚1相接，第二个芯片P521-4的引脚8与温度参数编码器1-4的引脚2相接，第二个芯片P521-4的引脚9、引脚11、引脚13和引脚 15均接数字地GND，第二个芯片P521-4的引脚10与第一个芯片74HCM5的引脚9相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第二个芯片P521-4的引脚12与第一个芯片 74HC245的引脚8相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第二个芯片P521-4 的引脚14与第一个芯片74HC245的引脚7相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第二个芯片P521-4的引脚16与第一个芯片74HC245的引脚6相接且与一个上拉电阻 R2连接后再与+5V电源相接；第三个芯片P521-4的引脚1、引脚3、引脚5和引脚7分别对应与四个上拉电阻Rl连接后再与+12V电源相接，第三个芯片P521-4的引脚2与刺激幅度编码器1-1的引脚4相接，第三个芯片P521-4的引脚4与射频时间编码器1_2的引脚4相接，第三个芯片P521-4的引脚6与射频功率编码器1-3的引脚4相接，第三个芯片P521-4 的引脚8与温度参数编码器1-4的引脚4相接，第三个芯片P521-4的引脚9、引脚11、引脚 13和引脚15均接数字地GND，第三个芯片P521-4的引脚10与第二个芯片74HC245的引脚5相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第三个芯片P521-4的引脚12与第二个芯片74HC245的引脚4相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第三个芯片P521-4的引脚14与第二个芯片74HCM5的引脚3相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第三个芯片P521-4的引脚16与第二个芯片74HCM5的引脚2相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接；所述刺激幅度编码器1-1的引脚3和引脚5、 射频时间编码器1-2的引脚3和引脚5、射频功率编码器1-3的引脚3和引脚5、以及温度参数编码器1-4的引脚3和引脚5均接模拟地GNDl ；第一个芯片74HC245的引脚11 18 和第二个芯片74HC245的引脚15 18均与微处理器3的输入端相接，第一个芯片74HCM5 的引脚1和第二个芯片74HC245的引脚1均接+5V电源，第一个芯片74HC245的引脚19和第二个芯片74HCM5的引脚19均与微处理器3的输出端相接。本实施例中，所述微处理器3为单片机。实施例2结合图3，本实施例与实施例1不同的是所述编码器还包括用于对刺激脉冲宽度进行调节的刺激脉宽编码器1-5、对刺激脉冲频率进行调节的刺激频率编码器1-6、对射频脉宽进行调节的射频脉宽编码器1-7和对射频频率进行调节的射频频率编码器1-8。结合图4，本实施例中，所述刺激幅度编码器1-1、射频时间编码器1-2、射频功率编码器1-3、温度参数编码器1-4、刺激脉宽编码器1-5、刺激频率编码器1-6、射频脉宽编码器1-7和射频频率编码器1-8均为具有5个引脚的旋转编码开关；所述光耦隔离电路2由六个芯片P521-4、三个芯片74HCM5、二十四个上拉电阻Rl和二十四个上拉电阻R2构成； 第一个芯片P521-4的引脚1、引脚3、引脚5和引脚7分别对应与四个上拉电阻Rl连接后再与+12V电源相接，第一个芯片P521-4的引脚2与刺激幅度编码器1_1的引脚1相接，第一个芯片P521-4的引脚4与刺激幅度编码器1-1的引脚2相接，第一个芯片P521-4的引脚6与射频时间编码器1-2的引脚1相接，第一个芯片P521-4的引脚8与射频时间编码器1-2的引脚2相接，第一个芯片P521-4的引脚9、引脚11、引脚13和引脚15均接数字地 GND，第一个芯片P521-4的引脚10与第一个芯片74HC245的引脚5相接且与一个上拉电阻 R2连接后再与+5V电源相接，第一个芯片P521-4的引脚12与第一个芯片74HCM5的引脚 4相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第一个芯片P521-4的引脚14与第一个芯片74HC245的引脚3相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第一个芯片P521-4的引脚16与第一个芯片74HCM5的引脚2相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接；第二个芯片P521-4的引脚1、引脚3、引脚5和引脚7分别对应与四个上拉电阻Rl连接后再与+12V电源相接，第二个芯片P521-4的引脚2与射频功率编码器1_3 的引脚1相接，第二个芯片P521-4的引脚4与射频功率编码器1-3的引脚2相接，第二个芯片P521-4的引脚6与温度参数编码器1-4的引脚1相接，第二个芯片P521-4的引脚8与温度参数编码器1-4的引脚2相接，第二个芯片P521-4的引脚9、引脚11、引脚13和引脚 15均接数字地GND，第二个芯片P521-4的引脚10与第一个芯片74HCM5的引脚9相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第二个芯片P521-4的引脚12与第一个芯片 74HC245的引脚8相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第二个芯片P521-4 的引脚14与第一个芯片74HC245的引脚7相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第二个芯片P521-4的引脚16与第一个芯片74HC245的引脚6相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接；第三个芯片P521-4的引脚1、引脚3、引脚5和引脚7分别对应与四个上拉电阻Rl连接后再与+12V电源相接，第三个芯片P521-4的引脚2与刺激脉宽编码器1-5的引脚1相接，第三个芯片P521-4的引脚4与刺激脉宽编码器1_5的引脚2相接，第三个芯片P521-4的引脚6与刺激频率编码器1-6的引脚1相接，第三个芯片P521-4 的引脚8与刺激频率编码器1-6的引脚2相接，第三个芯片P521-4的引脚9、引脚11、引脚 13和引脚15均接数字地GND，第三个芯片P521-4的引脚10与第二个芯片74HC245的引脚 5相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第三个芯片P521-4的引脚12与第二个芯片74HCM5的引脚4相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第三个芯片P521-4的引脚14与第二个芯片74HCM5的引脚3相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第三个芯片P521-4的引脚16与第二个芯片74HCM5的引脚2相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接；第四个芯片P521-4的引脚1、引脚3、引脚5 和引脚7分别对应与四个上拉电阻Rl连接后再与+12V电源相接，第四个芯片P521-4的引脚2与射频脉宽编码器1-7的引脚1相接，第四个芯片P521-4的引脚4与射频脉宽编码器 1-7的引脚2相接，第四个芯片P521-4的引脚6与射频频率编码器1-8的引脚1相接，第四个芯片P521-4的引脚8与射频频率编码器1-8的引脚2相接，第四个芯片P521-4的引脚 9、引脚11、引脚13和引脚15均接数字地GND，第四个芯片P521-4的引脚10与第一个芯片 74HC245的引脚9相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第四个芯片P521-4 的引脚12与第一个芯片74HC245的引脚8相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第四个芯片P521-4的引脚14与第二个芯片74HCM5的引脚7相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第四个芯片P521-4的引脚16与第二个芯片74HCM5的引脚6相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接；第五个芯片P521-4的引脚1、引脚3、引脚5和引脚7分别对应与四个上拉电阻Rl连接后再与+12V电源相接，第五个芯片 P521-4的引脚2与刺激幅度编码器1-1的引脚4相接，第五个芯片P521-4的引脚4与射频时间编码器1-2的引脚4相接，第五个芯片P521-4的引脚6与射频功率编码器1_3的引脚4相接，第五个芯片P521-4的引脚8与温度参数编码器1-4的引脚4相接，第五个芯片 P521-4的引脚9、引脚11、引脚13和引脚15均接数字地GND，第五个芯片P521-4的引脚10 与第三个芯片74HC245的引脚5相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第五个芯片P521-4的引脚12与第三个芯片74HC245的引脚4相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第五个芯片P521-4的引脚14与第三个芯片74HCM5的引脚3相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第五个芯片P521-4的引脚16与第三个芯片 74HC245的引脚2相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接；第六个芯片P521-4 的引脚1、引脚3、引脚5和引脚7分别对应与四个上拉电阻Rl连接后再与+12V电源相接， 第六个芯片P521-4的引脚2与刺激脉宽编码器1-5的引脚4相接，第六个芯片P521-4的引脚4与刺激频率编码器1-6的引脚4相接，第六个芯片P521-4的引脚6与射频脉宽编码器 1-7的引脚4相接，第六个芯片P521-4的引脚8与射频频率编码器1_8的引脚4相接，第六个芯片P521-4的引脚9、引脚11、引脚13和引脚15均接数字地GND，第六个芯片P521-4的引脚10与第三个芯片74HC245的引脚9相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第六个芯片P521-4的引脚12与第三个芯片74HCM5的引脚8相接且与一个上拉电阻 R2连接后再与+5V电源相接，第六个芯片P521-4的引脚14与第三个芯片74HCM5的引脚7相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第六个芯片P521-4的引脚16与第三个芯片74HC245的引脚6相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接；所述刺激幅度编码器1-1的引脚3和引脚5、射频时间编码器1-2的引脚3和引脚5、射频功率编码器1-3的引脚3和引脚5、温度参数编码器1-4的引脚3和引脚5、刺激脉宽编码器1_5的引脚3和引脚5、刺激频率编码器1-6的引脚3和引脚5、射频脉宽编码器1-7的引脚3和引脚5、以及射频频率编码器1-8的引脚3和引脚5均接模拟地GNDl ；第一个芯片74HCM5 的引脚11 18、第二个芯片74HC245的引脚11 18和第三个芯片74HC245的引脚11 18均与微处理器3的输入端相接，第一个芯片74HC245的引脚1、第二个芯片74HC245的引脚1和第三个芯片74HC245的引脚1均接+5V电源，第一个芯片74HC245的引脚19、第二个芯片74HCM5的引脚19和第三个芯片74HC245的引脚19均与微处理器3的输出端相接。 其余结构均与实施例1相同。实施例1和实施例2中，所述刺激幅度编码器1-1、射频时间编码器1-2、射频功率编码器1-3、温度参数编码器1-4、刺激脉宽编码器1-5、刺激频率编码器1-6、射频脉宽编码器1-7和射频频率编码器1-8的引脚1和引脚2均为参数的增加、减小信号的控制判断和增加减少量读取端口，引脚4均为参数粗调、细调的控制判断端口。本实用新型配套在相应的射频治疗仪上，使用时，医生根据实际使用需求，先通过操作编码器设置调节模式为粗调，选择相应的调节参数到需要的调节范围，然后再通过操作编码器设置调节模式为细调，精确调节相应的调节参数到准确的设置范围，编码器所输出的信号通过光耦隔离电路2进行电平转换后输出给微处理器3，微处理器3接收该信号并实现相应的调节，参数调节的智能化程度高，既能节省时间，又能精确定位。本实用新型中通过编码器的设计，实现了电刺激脉冲的宽度、频率、幅度，射频的时间、功率、脉宽、频率， 以及温度等参数的智能调节，功能完备，调节效率高，调节精度高。以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例，并非对本实用新型作任何限制，凡是根据本实用新型技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效结构变化，均仍属于本实用新型技术方案的保护范围内。
权利要求1.一种射频治疗仪参数调节系统，其特征在于包括用于对射频治疗仪参数进行调节的编码器、与编码器相接的光耦隔离电路(2)和与光耦隔离电路(2)相接且用于接收编码器所输出的信号并进行分析处理的微处理器(3)。
2.按照权利要求1所述的射频治疗仪参数调节系统，其特征在于所述编码器包括用于对刺激脉冲幅度进行调节的刺激幅度编码器(1-1)、对射频时间进行调节的射频时间编码器(1-2)、对射频功率进行调节的射频功率编码器(1- 和对治疗温度进行调节的温度参数编码器(1-4)。
3.按照权利要求2所述的射频治疗仪参数调节系统，其特征在于所述编码器包括用于对刺激脉冲宽度进行调节的刺激脉宽编码器(1- 、对刺激脉冲频率进行调节的刺激频率编码器(1-6)、对射频脉宽进行调节的射频脉宽编码器(1-7)和对射频频率进行调节的射频频率编码器(1-8)。
4.按照权利要求2所述的射频治疗仪参数调节系统，其特征在于所述刺激幅度编码器(1-1)、射频时间编码器(1-2)、射频功率编码器(1-3)和温度参数编码器(1-4)均为具有5个引脚的旋转编码开关；所述光耦隔离电路O)由三个芯片P521-4、两个芯片 74HCM5、十二个上拉电阻Rl和十二个上拉电阻R2构成；第一个芯片P521-4的引脚1、引脚3、引脚5和引脚7分别对应与四个上拉电阻Rl连接后再与+12V电源相接，第一个芯片 P521-4的引脚2与刺激幅度编码器(1-1)的引脚1相接，第一个芯片P521-4的引脚4与刺激幅度编码器(1-1)的引脚2相接，第一个芯片P521-4的引脚6与射频时间编码器(1_2) 的引脚1相接，第一个芯片P521-4的引脚8与射频时间编码器(1-2)的引脚2相接，第一个芯片P521-4的引脚9、引脚11、引脚13和引脚15均接数字地GND，第一个芯片P521-4 的引脚10与第一个芯片74HC245的引脚5相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第一个芯片P521-4的引脚12与第一个芯片74HCM5的引脚4相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第一个芯片P521-4的引脚14与第一个芯片74HCM5的引脚3相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第一个芯片P521-4的引脚16与第一个芯片74HCM5的引脚2相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接；第二个芯片P521-4的引脚1、引脚3、引脚5和引脚7分别对应与四个上拉电阻Rl连接后再与 +12V电源相接，第二个芯片P521-4的引脚2与射频功率编码器(1_3)的引脚1相接，第二个芯片P521-4的引脚4与射频功率编码器(1-3)的引脚2相接，第二个芯片P521-4的引脚6与温度参数编码器(1-4)的引脚1相接，第二个芯片P521-4的引脚8与温度参数编码器(1-4)的引脚2相接，第二个芯片P521-4的引脚9、引脚11、引脚13和引脚15均接数字地GND，第二个芯片P521-4的引脚10与第一个芯片74HCM5的引脚9相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第二个芯片P521-4的引脚12与第一个芯片74HC245的引脚8相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第二个芯片P521-4的引脚14 与第一个芯片74HC245的引脚7相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第二个芯片P521-4的引脚16与第一个芯片74HCM5的引脚6相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接；第三个芯片P521-4的引脚1、引脚3、引脚5和引脚7分别对应与四个上拉电阻Rl连接后再与+12V电源相接，第三个芯片P521-4的引脚2与刺激幅度编码器 (1-1)的引脚4相接，第三个芯片P521-4的引脚4与射频时间编码器(1-2)的引脚4相接， 第三个芯片P521-4的引脚6与射频功率编码器(1-3)的引脚4相接，第三个芯片P521-4的引脚8与温度参数编码器(1-4)的引脚4相接，第三个芯片P521-4的引脚9、引脚11、引脚13和引脚15均接数字地GND，第三个芯片P521-4的引脚10与第二个芯片74HC245的引脚5相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第三个芯片P521-4的引脚12与第二个芯片74HC245的引脚4相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第三个芯片P521-4的引脚14与第二个芯片74HCM5的引脚3相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第三个芯片P521-4的引脚16与第二个芯片74HCM5的引脚2相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接；所述刺激幅度编码器(1-1)的引脚3和引脚 5、射频时间编码器(1-2)的引脚3和引脚5、射频功率编码器(1-3)的引脚3和引脚5、以及温度参数编码器(1-4)的引脚3和引脚5均接模拟地GNDl ；第一个芯片74HC245的引脚 11 18和第二个芯片74HC245的引脚15 18均与微处理器(3)的输入端相接，第一个芯片74HCM5的引脚1和第二个芯片74HC245的引脚1均接+5V电源，第一个芯片74HCM5 的引脚19和第二个芯片74HC245的引脚19均与微处理器(3)的输出端相接。
5.按照权利要求3所述的射频治疗仪参数调节系统，其特征在于所述刺激幅度编码器(1-1)、射频时间编码器(1-2)、射频功率编码器(1-3)、温度参数编码器(1-4)、刺激脉宽编码器(1-5)、刺激频率编码器(1-6)、射频脉宽编码器(1-7)和射频频率编码器(1-8) 均为具有5个引脚的旋转编码开关；所述光耦隔离电路O)由六个芯片P521-4、三个芯片 74HC245、二十四个上拉电阻Rl和二十四个上拉电阻R2构成；第一个芯片P521_4的引脚1、 引脚3、引脚5和引脚7分别对应与四个上拉电阻Rl连接后再与+12V电源相接，第一个芯片 P521-4的引脚2与刺激幅度编码器(1-1)的引脚1相接，第一个芯片P521-4的引脚4与刺激幅度编码器(1-1)的引脚2相接，第一个芯片P521-4的引脚6与射频时间编码器(1_2) 的引脚1相接，第一个芯片P521-4的引脚8与射频时间编码器(1-2)的引脚2相接，第一个芯片P521-4的引脚9、引脚11、引脚13和引脚15均接数字地GND，第一个芯片P521-4的引脚10与第一个芯片74HC245的引脚5相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第一个芯片P521-4的引脚12与第一个芯片74HCM5的引脚4相接且与一个上拉电阻 R2连接后再与+5V电源相接，第一个芯片P521-4的引脚14与第一个芯片74HCM5的引脚 3相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第一个芯片P521-4的引脚16与第一个芯片74HC245的引脚2相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接；第二个芯片P521-4的引脚1、引脚3、引脚5和引脚7分别对应与四个上拉电阻Rl连接后再与+12V 电源相接，第二个芯片P521-4的引脚2与射频功率编码器(1-3)的引脚1相接，第二个芯片 P521-4的引脚4与射频功率编码器(1-3)的引脚2相接，第二个芯片P521-4的引脚6与温度参数编码器(1-4)的引脚1相接，第二个芯片P521-4的引脚8与温度参数编码器(1_4) 的引脚2相接，第二个芯片P521-4的引脚9、引脚11、引脚13和引脚15均接数字地GND，第二个芯片P521-4的引脚10与第一个芯片74HC245的引脚9相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第二个芯片P521-4的引脚12与第一个芯片74HC245的引脚8相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第二个芯片P521-4的引脚14与第一个芯片 74HC245的引脚7相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第二个芯片P521-4 的引脚16与第一个芯片74HCM5的引脚6相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接；第三个芯片P521-4的引脚1、引脚3、引脚5和引脚7分别对应与四个上拉电阻Rl 连接后再与+12V电源相接，第三个芯片P521-4的引脚2与刺激脉宽编码器(1_5)的引脚1相接，第三个芯片P521-4的引脚4与刺激脉宽编码器(1-5)的引脚2相接，第三个芯片 P521-4的引脚6与刺激频率编码器(1-6)的引脚1相接，第三个芯片P521-4的引脚8与刺激频率编码器(1-6)的引脚2相接，第三个芯片P521-4的引脚9、引脚11、引脚13和引脚 15均接数字地GND，第三个芯片P521-4的引脚10与第二个芯片74HCM5的引脚5相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第三个芯片P521-4的引脚12与第二个芯片 74HC245的引脚4相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第三个芯片P521-4 的引脚14与第二个芯片74HC245的引脚3相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第三个芯片P521-4的引脚16与第二个芯片74HCM5的引脚2相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接；第四个芯片P521-4的引脚1、引脚3、引脚5和引脚7分别对应与四个上拉电阻Rl连接后再与+12V电源相接，第四个芯片P521-4的引脚2与射频脉宽编码器(1-7)的引脚1相接，第四个芯片P521-4的引脚4与射频脉宽编码器(1_7)的引脚2相接，第四个芯片P521-4的引脚6与射频频率编码器(1-8)的引脚1相接，第四个芯片P521-4的引脚8与射频频率编码器(1-8)的引脚2相接，第四个芯片P521-4的引脚 9、引脚11、引脚13和引脚15均接数字地GND，第四个芯片P521-4的引脚10与第一个芯片 74HC245的引脚9相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第四个芯片P521-4 的引脚12与第一个芯片74HC245的引脚8相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第四个芯片P521-4的引脚14与第二个芯片74HCM5的引脚7相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第四个芯片P521-4的引脚16与第二个芯片74HC245的引脚6相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接；第五个芯片P521-4的引脚1、引脚3、引脚5和引脚7分别对应与四个上拉电阻Rl连接后再与+12V电源相接，第五个芯片 P521-4的引脚2与刺激幅度编码器(1-1)的引脚4相接，第五个芯片P521-4的引脚4与射频时间编码器(1-2)的引脚4相接，第五个芯片P521-4的引脚6与射频功率编码器(1_3) 的引脚4相接，第五个芯片P521-4的引脚8与温度参数编码器(1-4)的引脚4相接，第五个芯片P521-4的引脚9、引脚11、引脚13和引脚15均接数字地GND，第五个芯片P521-4的引脚10与第三个芯片74HC245的引脚5相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第五个芯片P521-4的引脚12与第三个芯片74HCM5的引脚4相接且与一个上拉电阻 R2连接后再与+5V电源相接，第五个芯片P521-4的引脚14与第三个芯片74HC245的引脚 3相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第五个芯片P521-4的引脚16与第三个芯片74HC245的引脚2相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接；第六个芯片P521-4的引脚1、引脚3、引脚5和引脚7分别对应与四个上拉电阻Rl连接后再与+12V 电源相接，第六个芯片P521-4的引脚2与刺激脉宽编码器(1-5)的引脚4相接，第六个芯片P521-4的引脚4与刺激频率编码器(1-6)的引脚4相接，第六个芯片P521-4的引脚6 与射频脉宽编码器(1-7)的引脚4相接，第六个芯片P521-4的引脚8与射频频率编码器 (1-8)的引脚4相接，第六个芯片P521-4的引脚9、引脚11、引脚13和引脚15均接数字地 GND，第六个芯片P521-4的引脚10与第三个芯片74HC245的引脚9相接且与一个上拉电阻 R2连接后再与+5V电源相接，第六个芯片P521-4的引脚12与第三个芯片74HC245的引脚 8相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第六个芯片P521-4的引脚14与第三个芯片74HC245的引脚7相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接，第六个芯片P521-4的引脚16与第三个芯片74HCM5的引脚6相接且与一个上拉电阻R2连接后再与+5V电源相接；所述刺激幅度编码器(1-1)的引脚3和引脚5、射频时间编码器(1-2)的引脚3和引脚5、射频功率编码器(1-3)的引脚3和引脚5、温度参数编码器(1-(4)的引脚 3和引脚5、刺激脉宽编码器(1-5)的引脚3和引脚5、刺激频率编码器(1-6)的引脚3和引脚5、射频脉宽编码器(1-7)的引脚3和引脚5、以及射频频率编码器(1-8)的引脚3和引脚5均接模拟地GNDl ；第一个芯片74HCM5的引脚11 18、第二个芯片74HC 245的引脚11 18和第三个芯片74HCM5的引脚11 18均与微处理器(3)的输入端相接，第一个芯片74HC245的引脚1、第二个芯片74HC245的引脚1和第三个芯片74HC245的引脚1均接+5V电源，第一个芯片74HC245的引脚19、第二个芯片(74HCM5的引脚19和第三个芯片 74HC245的引脚19均与微处理器(3)的输出端相接。
6.按照权利要求1-5中任一权利要求所述的射频治疗仪参数调节系统，其特征在于 所述微处理器C3)为单片机。
专利摘要本实用新型公开了一种射频治疗仪参数调节系统，包括用于对射频治疗仪参数进行调节的编码器、与编码器相接的光耦隔离电路和与光耦隔离电路相接且用于接收编码器所输出的信号并进行分析处理的微处理器。本实用新型结构简单，设计合理，使用操作便捷，调节效率高，调节精度高，实现成本低，功能完备，解决了现有技术所存在的调节精度较低、调节费时等缺陷和不足，使用效果好，便于推广使用。
文档编号A61N1/36GK202179785SQ201120278468
公开日2012年4月4日 申请日期2011年8月2日 优先权日2011年8月2日
发明者何丛刚, 陈思平, 雷斌, 马民花, 黄军伟 申请人:西安集智医疗器械科技有限公司