一种碳纳米管神经元电极的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及生物传感器领域，具体涉及一种碳纳米管神经元电极。
【背景技术】
[0002]在分析神经元细胞如何完成各种功能时，往往需要植入神经元电极，其功能是通过不同的电信号刺激脑区得到相应的信息反馈。
[0003]目前，常用的神经微电极有线状或面状结构，材料以金属材料或硅材料制作而成。专利CN201410027692.9或CN201110304586.7分别设计了不同材质的阵列电极。
[0004]上述材质生物相容性和材质柔软程度差，需要一种具有良好的导电能力，材质柔软，易变性而不易断裂的新材料取代传统的电极材料。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型的目的是提供一种碳纳米管神经元电极，以克服现有技术的不足。碳纳米管材料的出现，满足了上述技术特征，并且具有纳米级的尖端和微米级的长度，同时满足加工需求。
[0006]一种碳纳米管神经元电极，包括电极阵列和连接框架，其特征在于:所述电极阵列采用碳纳米管材料，阵列垂直排列在连接框架上方。
[0007]所述碳纳米管在垂直方向上有一定的支撑性能，能够随连接框架移动，因此常被用作原子力显微镜的扫描针尖，并且碳纳米管韧性强，不易折断。碳纳米管同时还具有优良的导电性能。
[0008]所述连接框架用来固定碳纳米管阵列和连接电源器件，可以选用金属材料。
[0009]本实用新型有益效果:碳纳米管阵列电极由于其具有出色的韧性、导电性和小尺寸尖端非常适合作为神经元电极需要，改变了原有阵列结构加工难度大，硬度高，不兼容的缺点。
【附图说明】
[0010]图1为碳纳米管神经元电极结构图
【具体实施方式】
[0011]如图1所示，连接框架2上方垂直生长电极阵列1，电极阵列I采用碳纳米管材料，碳纳米管生长方式选用传统的CVD方法。激光刻蚀碳纳米管阵列，形成规则排列的电极阵列I。
[0012]电极阵列I对神经元电刺激时，碳纳米管小尺寸尖端可以随神经元的形状，位置做自身调整，从而实现对神经元活动的激励或者抑制。
【主权项】
1.一种碳纳米管神经元电极，包括电极阵列(I)和连接框架(2)，其特征在于:所述电极阵列(I)采用碳纳米管材料，阵列垂直排列在连接框架(2)上方。
【专利摘要】本实用新型涉及生物传感器领域，具体涉及一种碳纳米管神经元电极。其特征在于：所述电极阵列采用碳纳米管材料，阵列垂直排列在连接框架上方。本实用新型有益效果：碳纳米管阵列电极由于其具有出色的韧性、导电性和小尺寸尖端非常适合作为神经元电极需要，改变了原有阵列结构加工难度大，硬度高，不兼容的缺点。
【IPC分类】A61N1/05
【公开号】CN204699252
【申请号】CN201520327871
【发明人】乔宪武, 吴昊
【申请人】中国计量学院
【公开日】2015年10月14日
【申请日】2015年5月19日