专利名称：增加晶片薄层电阻和/或光电池功率密度水平的溶液的制作方法
技术领域：
本发明涉及酸性处理组合物和这种酸性处理组合物在处理用于光电池中的薄膜无定形或单晶或多晶硅晶片衬底的方法中的用途，所述晶片衬底在所述晶片衬底的顶面上具有至少一种Pn结或np结和部分磷硅酸盐或硼硅酸盐玻璃层，从而增加晶片的薄层电阻和/或由所述晶片制造的光电池的功率密度。
背景技术：
硅基太阳能电池，或光电池，要求多个工艺步骤才能将入射光转化为电流。这些步骤中的一个步骤涉及生成发射极，最常见的是通过将磷热驱入(thermal drive-in)至硼掺杂的硅晶片中来完成。这个工艺产生了所谓的死层(dead layer)，其得到生成电荷的高重组率，并且不利于太阳能电池的功率密度水平。此外，该工艺在晶片的顶部产生了一种所谓的磷硅酸盐玻璃(PSG)层，该层中含有磷、硅和氧，并且必须将该PSG层除去才能够进行电池制造。在热驱入工艺后，磷注入深度分布(phosphorous depth profile)表现出从表面延伸至数十或数百纳米深度(取决于工艺条件)的高浓度平台。理想地，近表面的浓度会较高(即102°_21个原子/cm3)，从而能够很好地接触电极。多晶光电池生产商的主要目标是降低太阳能电池传递的能量的成本。这一般通过以下两种方式中的一种完成减少整个电池制造成本和/或提高太阳能电池转换效率。为了实现后一目标，目前的制造工艺在磷扩散后采用一种发射极后蚀刻工艺(post-emitter etch)，通过将晶片浸入HF中除去该PSG层。先前的实验已经表明在HF浸泡后的额外处理可以产生更高的电池效率，最高达0. 3%绝对值。目前Mallinckrodt Baker, Inc.的产品 (即产品PV-160)用于该额外的步骤中。然而，使用这种产品通常要求在该产品的加热浴 (70°C或更高)中处理晶片衬底。迫切需要提供一种组合物，与目前使用的PV-160产品得到的结果相比，该组合物能够在相同或更少的加工时间内和在降低的温度下通过改进对残留的PSG层的蚀刻以及对死层的更深地蚀刻在太阳能电池中产生更高的功率密度。
发明内容
在本发明的一个实施方案中，本发明提供了用于光电池中的薄膜无定形或单晶或多晶硅晶片衬底的处理方法，从而增加(a)晶片的薄层电阻和(b)由所述晶片制造的光电池的功率密度中的至少一项，所述晶片衬底在其晶片衬底的顶面上具有pn结或np结和/ 或部分磷硅酸盐和/或硼硅酸盐玻璃层，所述处理方法包括使晶片衬底在足够的温度下与酸性处理溶液接触足够的时间以增加(a)所述晶片的薄层电阻和(b)所述晶片制备的光电池的功率密度中的至少一项，所述溶液包含含有以下成分的缓冲氧化蚀刻(BOE)溶液约0. 1至约20重量％的至少一种四烷基氢氧化铵，约0. 1至约5重量％的乙酸，约0. 1至约5重量％的至少一种非离子型表面活性剂，
约0. 1至约5重量％的至少一种金属螯合剂，约0. 1至约20重量％的不含金属的铵离子源(metal free source of ammonium ions)，约0. 01至约20重量％的不含金属的氟离子源(metal free source of fluoride ions)，加至100%的余量水；该缓冲氧化蚀刻(BOE)溶液与氧化剂和任选的水以0. 01-10/0-100/1的氧化剂/ 水/BOE溶液的体积比进行混合。具有发射极(emitter)的晶片包括P型硅和N型硅。尽管该处理可以增加晶片的薄层电阻或光电池的功率密度，但是优选增加这两项。此外，该处理还可以增加由该晶片制造的光电池的效率。在本发明的另一实施方案中，本发明提供了一种处理用于光电池中的薄膜无定形或单晶或多晶硅晶片衬底的酸性处理溶液，从而增加(a)所述晶片的薄层电阻和(b)由所述晶片制造的光电池的功率密度水平中的至少一项，所述晶片衬底在其晶片衬底的顶面上具有pn结或np结和/或部分磷硅酸盐和/或硼硅酸盐玻璃层，其中所述酸性处理溶液包含以下的混合物含有以下成分的缓冲氧化蚀刻(BOE)溶液约0. 1至约20重量％的至少一种四烷基氢氧化铵，约0. 1至约5重量％的乙酸，约0. 1至约5重量％的至少一种非离子型表面活性剂，约0. 1至约5重量％的至少一种金属螯合剂，约0. 1至约20重量％的不含金属的铵离子源，约0. 01至约20重量％的不含金属的氟离子源，加至100%的余量水；该缓冲氧化蚀刻(BOE)溶液与氧化剂和任选的水以0. 01-10/0-100/1的氧化剂/ 水/BOE溶液的体积比进行混合。具有发射极的晶片包括P型硅和N型硅。在这两个实施方案中，四烷基氢氧化铵在BOE溶液中的重量百分比优选为0. 5至 15%,更优选1至10%，再优选1. 5至8%，最优选2至4%，并且特别为3. 1 %。乙酸的重量百分比优选为0. 5至4 %，更优选0. 8至3 %，再优选1至2 %，最优选 1至1.5%，并且特别为1-2%。对于非离子型表面活性剂，其重量百分比优选为0. 2至4%，更优选0. 3至2 %，再优选0. 5至1 %，最优选0. 7至0. 9 %，并且特别为0. 8 %。对于螯合剂，其重量百分比优选为0. 2至4%，更优选0. 3至3%，再优选0. 4至 1%，最优选0.5至0.8%，并且特别为0.6% .对于铵离子源，其重量百分比优选为0. 2至10%，更优选0. 3至5%，再优选0. 5 至2 %，最优选0. 6至1 %，并且特别为0. 8 %。对于氟离子源，其重量百分比优选为1至10%，更优选0. 5至5%，再优选1. 0至 3 %，最优选1. 5至2. 5 %，并且特别为2. 1 %。尽管该处理可以增加晶片的薄层电阻或由该晶片制造的光电池的功率密度，但是优选增加这两项。此外，该处理还可以增加由该晶片制造的光电池的效率。
在本发明一个优选的实施方案中，该处理在约20°C至小于70°C的温度进行。在本发明另一优选的实施方案中，所述BOE溶液的pH值为约3至小于7，优选约3 至约6，更优选为约4. 3至约5。在本发明再一优选的实施方案中，氧化剂包含过氧化氢。一般而言，所述氧化剂为水和过氧化氢以任何合适比例的水溶液形式(0. 01%至50%，更优选0. 至30%，甚至更优选约30%的水溶液)，所述合适比例通常为约6/10. 2至约6/1的比例。在本发明的再一优选实施方案中，该BOE溶液包含四甲基氢氧化铵作为所述四烷基氢氧化铵，3，5- 二甲基己-1-炔-3-醇作为所述至少一种表面活性剂，和EDTA作为所述至少一种金属螯合剂，并且所述氧化剂溶液包含过氧化氢和水。在本发明的再一优选实施方案中，该BOE溶液包含约3. 1 %的四甲基氢氧化铵、约 1. 2 %的乙酸、约2. 1 %的HF、约0. 8 %的3，5- 二甲基己-1-炔-3-醇、约0. 8 %的氢氧化铵、 约0. 6%的EDTA和约91. 5%的水，其中所述百分比为重量百分比。在本发明的再一优选实施方案中，该BOE溶液与氧化剂溶液以约为1/6/0.2的 BOE/水/过氧化氢的比例进行混合。在本发明的另一优选实施方案中，该BOE溶液与氧化剂溶液以约为1/6/0. 8的BOE/水/过氧化氢的比例进行混合。在本发明的另一优选实施方案中，该BOE溶液与氧化剂溶液以约为1/6/1的BOE/水/过氧化氢的比例进行混合。在本发明的再一优选实施方案中，该实施方案包括一个或多个上述优选实施方案的组合。此外，本发明可以用于约20°C至约40°C的处理温度，该温度低于70°C的现行工业标准。发明详述本发明提供了一种用于光电池中的薄膜无定形或单晶或多晶硅晶片衬底的处理方法，从而改进(a)晶片的薄层电阻和(b)由所述晶片制造的光电池的功率密度中的至少一项，所述晶片衬底在其晶片衬底的顶面上具有Pn结或np结和/或部分磷硅酸盐和/或硼硅酸盐玻璃层，所述方法包括使晶片衬底在足够的温度下与酸性处理溶液接触足够的时间以增加(a)薄层电阻和(b)光电池的功率密度中的至少一项，所述酸性处理溶液包含含有以下成分的缓冲氧化蚀刻(BOE)溶液约0. 1至约20重量％的至少一种四烷基氢氧化铵，约0. 1至约5重量％的乙酸，约0. 1至约5重量％的至少一种非离子型表面活性剂，约0. 1至约5重量％的至少一种金属螯合剂，约0. 1至约20重量％的不含金属的铵离子源，约0. 01至约20重量％的不含金属的氟离子源，加至100%的余量水；该缓冲氧化蚀刻(BOE)溶液与氧化剂和任选的水以0. 01-10/0-100/1的氧化剂 /水/BOE溶液的体积比进行混合。具有发射极的晶片包括P型硅和N型硅(both p-and n-source silicon types)。尽管该处理可以增加晶片的薄层电阻或由该晶片制造的光电池的功率密度，但是优选增加这两项。此外，该处理还可以增加由该晶片制造的光电池的效率。
类似地，本发明提供了一种处理用于光电池中的薄膜无定形或单晶或多晶硅晶片衬底的溶液，从而增加(a)所述晶片的薄层电阻和(b)由所述晶片制造的光电池的功率密度水平中的至少一项，所述晶片衬底在其晶片衬底的顶面上具有pn结或np结和/或部分磷硅酸盐和/或硼硅酸盐玻璃层，其中所述酸性处理溶液包含以下的混合物含有以下成分的缓冲氧化蚀刻(BOE)溶液约0. 1至约20重量％的至少一种四烷基氢氧化铵，约0. 1至约5重量％的乙酸，约0. 1至约5重量％的至少一种非离子型表面活性剂，约0. 1至约5重量％的至少一种金属螯合剂，约0. 1至约20重量％的不含金属的铵离子源，约0. 01至约20重量％的不含金属的氟离子源，加至100%的余量水；该缓冲氧化蚀刻(BOE)溶液与氧化剂和任选的水以0. 01-10/0-100/1的氧化剂/ 水/BOE溶液的比例进行混合。具有发射极的晶片包括P型硅和N型硅。尽管该处理可以增加晶片的薄层电阻或由该晶片制造的光电池的功率密度，但是优选增加这两项。此外，该处理还可以增加由该晶片制造的光电池的效率。在本发明的工艺中，应用酸性处理溶液的步骤在用HF除去磷硅酸盐或硼硅酸盐玻璃(不完全除去)后，并且刚好在再次用HF浸泡以及后续的抗反射涂层 (AntiReflective Coating,ARC)(如SiNxH沉积)之前，施用在光电池晶片衬底上。该方法包括在足够的温度下使晶片衬底接触该酸性处理溶液，如通过将晶片衬底浸没入该溶液的加热浴中充分的时间以增加(a)晶片的薄层电阻和(b)由该晶片制造的光电池的功率密度中至少一项。该晶片衬底与酸性处理溶液的接触通常持续约0. 01至约20分钟，优选约0. 5 至约5分钟，更优选约1分钟。该溶液的温度通常为约20°C至小于约70°C，优选约20°C至约60°C，更优选约20°C至约40°C，甚至更优选约40°C。适用于本发明酸性处理组合物的可以提及式[(R)4NlpDT1]的四烷基氢氧化铵或其盐，其中各R独立地为取代或未取代的烷基，优选为具有1至22个、更优选1至6个、最优选1个碳原子的烷基，并且X = OH或合适的盐阴离子，如碳酸根等；P和q相等，并且为1至 3的整数。其中最优选的是四甲基氢氧化铵和三甲基-2-羟乙基氢氧化铵(胆碱)。其他可用的季铵氢氧化物的实例包括三甲基-3-羟丙基氢氧化铵，三甲基-3-羟丁基氢氧化铵， 三甲基-4-羟丁基氢氧化铵，三乙基-2-羟乙基氢氧化铵，三丙基-2-羟乙基氢氧化铵，三丁基-2-羟乙基氢氧化铵，二甲基乙基-2-羟乙基氢氧化铵，二甲基二(2-羟乙基)氢氧化铵，单甲基三(2-羟乙基)氢氧化铵，四乙基氢氧化铵，四丙基氢氧化铵，四丁基氢氧化铵， 单甲基三乙基氢氧化铵，单甲基三丙基氢氧化铵，单甲基三丁基氢氧化铵，单乙基三甲基氢氧化铵，单乙基三丁基氢氧化铵，二甲基二乙基氢氧化铵，二甲基二丁基氢氧化铵等，及其混合物。不含金属的铵离子源可以为任何合适的不含金属的铵盐，例如氢氧化铵、氟化铵、 氯化铵、硝酸铵等，但是优选氢氧化铵。不含金属的氟离子源可以为任何合适的不含金属的氟化物化合物，如氟化氢、氟化铵，季铵氟化物如四甲基氟化铵。优选地，该不含金属的氟离子源为HF。在另一优选的实施方案中，铵离子和氟离子可以通过一种化合物提供，即氟化铵。本发明的酸性处理溶液可以含有任何合适的非离子型表面活性剂。在用于本发明处理组合物中的各种合适的非离子型表面活性剂中，可以提及，例如低成泡性非离子型表面活性剂，如炔醇表面活性剂，氟化的表面活性剂，如氟化的烷基烷氧基化物如Fluorad FC-171，氟化的烷基酯如FC-430和FC-431，和氟化的聚氧乙烯烷醇如Fluorad FC-170C， 多元醇的脂肪酸酯，聚氧乙烯单烷基醚，聚氧乙烯二醇，硅氧烷型表面活性剂和亚烷基二醇单烷基醚，如丁氧基丙醇。优选用作本发明酸性处理组合物中的非离子型表面活性剂的是炔醇表面活性剂，特别是3，5- 二甲基己-1-炔-3-醇(Surfynol -61)或任何其他 Surfynol 表面活性剂，氟化的烷基聚氧乙烯乙醇类，特别是Fluorad FC-170C，和亚烷基二醇单烷基醚，特别是丁氧基丙醇。增加制剂在溶液中保持金属容量的任何合适的金属螯合剂都可以用于本发明的酸性处理组合物中。用于此目的的螯合剂的典型实例为如下的有机酸和它们的盐乙二胺四乙酸(EDTA)、丁二胺四乙酸、环己烷-1，2-二胺四乙酸(CyDTA)、二亚乙基三胺五乙酸、乙二胺四丙酸、(羟乙基)乙二胺三乙酸(HEDTA)、甲基亚氨基二乙酸、丙二胺四乙酸、氮川三乙酸(NTA)、柠檬酸、酒石酸、葡糖酸、葡糖二酸、甘油酸、草酸、邻苯二甲酸、马来酸、扁桃酸、 丙二酸、乳酸、水杨酸、儿茶酚、8-羟基喹啉、N，N，N' ,N'-乙二胺四(亚甲基膦酸)，等。可以使用任何合适的氧化剂，如，氧化性阴离子，如过氧化物、硝酸及其盐，以及铵的硝酸盐、过硫酸盐、高碘酸盐、过溴酸盐、高氯酸盐、碘酸盐、溴酸盐和氯酸盐。优选的是过氧化物，特别是过氧化氢。本发明的酸性处理组合物可以通过在合适的容器中混合所需的成分以形成组合物而制备。优选地，将该组合物的所需组分以碱/酸/碱/酸的顺序加入到容器中，从而最小化各成分反应生成的热。但是，在太阳能电池的制造中，该产物不仅会蚀刻氧化硅，还会蚀刻硅和磷。为此目的，BOE需要与作为氧化剂的过氧化氢混合。这表示，在蚀刻-氧化的连续过程中，BOE蚀刻掉氧化硅，同时氧化剂在表面上产生新的氧化硅。此外，该氧化剂将层中存在的磷氧化， 由此将其溶解。通过添加螯合剂将蚀刻掉的物质(包括但不限于金属杂质)部分保留在溶液中，同时通过添加表面活性剂改善表面的润湿性(即氧化剂能够氧化表面的效率)。添加乙酸确保了双缓冲体系(doubly buffered system)，这有助于工艺稳定性。本发明将通过，但不限于，以下实施例进行说明。在这些实施例中，百分比为重量百分比。实施例1在工业型流水线(industrial type in-line)光电池生产工序中加工一组25个相邻的多晶硅晶片(尺寸为约15. 6X 15. 6cm2，厚度为约180-200 μ m)。在发射极沉积并用 HF除去磷玻璃后，该晶片在晶片衬底的顶面具有部分磷硅酸盐玻璃层，使该晶片在40°C接触(1)本发明的酸性处理溶液，；(2)现有技术的PV-160溶液，该溶液要求在70°C ；或(3) 无处理溶液，作为对照。本发明的酸性处理溶液包含BOE溶液，其包含约3. 的四甲基氢氧化铵、约1. 2%的乙酸、约2. 的HF、约0. 8%的3，5-二甲基己-1-炔-3-醇、约0. 8% 的氢氧化铵、约0. 6%的EDTAJ々91. 5%的水。该BOE溶液与过氧化氢氧化剂溶液以约为 1/6/0. 2的BOE/水/30%过氧化氢溶液的比例进行混合。现有技术中的PV-160溶液也与过氧化氢氧化剂溶液以约为1/6/0. 2的BOE/水/30%过氧化氢溶液的比例进行混合。然后，在 1重量％的HF溶液中于室温对该处理过的晶片进行1分钟的湿法化学处理，接着实施常见的光电制造步骤从而制备出所需的光电池。在处理不同组时保持电极放电设置(Electrode firing setting)恒定，并将现有技术组设置为最佳的放电设置。测量各电池的功率密度水平(单位mW/cm2，定义为短路电流密度和开路电压的乘积，JscXVoc)。结果示于下表1中。
表 权利要求
1.用于光电池中的薄膜无定形或单晶或多晶硅晶片衬底的处理方法，所述晶片衬底在其晶片衬底的顶面上具有Pn结或np结和部分磷硅酸盐或硼硅酸盐玻璃层中的至少一种， 从而增加(a)薄层电阻和(b)光电池的功率密度中的至少一项，所述方法包括使晶片衬底在足够的温度下与酸性处理溶液接触足够的时间以增加(a)所述晶片的薄层电阻和(b)所述晶片制备的光电池的功率密度中的至少一项，所述酸性处理溶液包含含有以下成分的缓冲氧化蚀刻(BOE)溶液约0. 1至约20重量％的至少一种四烷基氢氧化铵，约0. 1至约5重量％的乙酸，约0. 1至约5重量％的至少一种非离子型表面活性剂，约0. 1至约5重量％的至少一种金属螯合剂，约0. 1至约20重量％的不含金属的铵离子源，约0. 01至约20重量％的不含金属的氟离子源，加至100%的余量水；该缓冲氧化蚀刻(BOE)溶液与氧化剂溶液和任选的水以0. 01-10/0-100/1的氧化剂溶液/水/BOE溶液的比例进行混合。
2.根据权利要求1的方法，其中所述处理在约20°C至约70°C的温度进行。
3.根据权利要求1或2的方法，其中所述BOE溶液的pH值为约3至约6。
4.根据权利要求3的方法，其中所述BOE溶液的pH值为4.3至约5。
5.根据前述权利要求中任一项的方法，其中所述氧化剂溶液包含过氧化氢。
6.根据前述权利要求中任一项的方法，其中所述BOE溶液包含作为所述四烷基氢氧化铵的四甲基氢氧化铵，作为所述至少一种表面活性剂的3，5- 二甲基己-1-炔-3-醇，和作为所述至少一种金属螯合剂的EDTA，并且所述氧化剂溶液包含过氧化氢和水。
7.根据权利要求6的方法，其中所述BOE溶液包含约3.1 %的四甲基氢氧化铵、约 1. 2 %的乙酸、约2. 1 %的HF、约0. 8 %的3，5- 二甲基己-1-炔-3-醇、约0. 8 %的氢氧化铵、 约0. 6 %的EDTA和约91.5%的水。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述BOE溶液与氧化剂溶液以范围为 1/6/0. 2-1. 0的BOE/水/30%过氧化氢的比例进行混合。
9.根据权利要求7的方法，其中所述BOE溶液与氧化剂溶液以约为1/6/0.2的BOE/水 /30%过氧化氢溶液的比例进行混合。
10.根据权利要求7的方法，其中所述BOE溶液与氧化剂溶液以约为1/6/0.8的BOE/ 水/30%过氧化氢溶液的比例进行混合。
11.根据权利要求7的方法，其中所述BOE溶液与氧化剂溶液以约为1/6/1的BOE/水 /30%过氧化氢溶液的比例进行混合。
12.根据权利要求9的方法，其中所述处理在约20°C至约70°C的温度进行。
13.根据前述权利要求中任一项的方法，其中所述处理还提高了由该晶片制造的光电池的效率。
14.处理用于光电池中的薄膜无定形或单晶或多晶硅晶片衬底的酸性处理溶液，所述晶片衬底在其晶片衬底的顶面上具有pn结或np结和部分磷硅酸盐或硼硅酸盐玻璃层中的至少一种，从而增加(a)所述晶片的薄层电阻和(b)由所述晶片制造的光电池的功率密度中的至少一项，所述酸性处理溶液包含以下的混合物 含有以下成分的缓冲氧化蚀刻(BOE)溶液 约0. 1至约20重量％的至少一种四烷基氢氧化铵， 约0. 1至约5重量％的乙酸，约0. 1至约5重量％的至少一种非离子型表面活性剂， 约0. 1至约5重量％的至少一种金属螯合剂， 约0. 1至约20重量％的不含金属的铵离子源， 约0. 01至约20重量％的不含金属的氟离子源， 加至100%的余量水；该缓冲氧化蚀刻(BOE)溶液与氧化剂溶液和任选的水以0. 01-10/0-100/1的氧化剂溶液/水/BOE溶液的比例进行混合。
15.根据权利要求14所述的酸性处理溶液，其中所述BOE溶液的pH值为约3至约6。
16.根据权利要求15所述的酸性处理溶液，其中所述BOE溶液的pH值为约4.3至约5.0
17.根据权利要求14至15中任一项所述的酸性处理溶液，其中所述氧化剂溶液包含过氧化氢。
18.根据权利要求14至17中任一项所述的酸性处理溶液，其中所述BOE溶液包含作为所述四烷基氢氧化铵的四甲基氢氧化铵，作为所述至少一种表面活性剂的3，5_ 二甲基己-1-炔-3-醇，和作为所述至少一种金属螯合剂的EDTA，并且所述氧化剂溶液包含过氧化氢和水。
19.根据权利要求18所述的酸性处理溶液，其中所述BOE溶液包含约3.的四甲基氢氧化铵、约1. 2 %的乙酸、约2. 1 %的HF、约0. 8 %的3，5- 二甲基己-1-炔-3-醇、约0. 8 % 的氢氧化铵、约0. 6%的EDTA和约91. 5%的水。
20.根据权利要求19所述的酸性处理溶液，其中所述BOE溶液与氧化剂溶液以范围为 1/6/0. 2-1. 0的BOE/水/30%过氧化氢溶液的比例进行混合。
21.根据权利要求19所述的酸性处理溶液，其中所述BOE溶液与氧化剂溶液以约为 1/6/0. 2的BOE/水/30%过氧化氢溶液的比例进行混合。
22.根据权利要求19所述的酸性处理溶液，其中所述BOE与氧化剂溶液以约为 1/6/0. 8的BOE/水/30%过氧化氢溶液的比例进行混合。
23.根据权利要求19所述的酸性处理溶液，其中所述BOE与氧化剂溶液以约为1/6/1 的BOE/水/30%过氧化氢溶液的比例进行混合。
全文摘要
本发明提供了一种用于光电池中的薄膜无定形或单晶或多晶硅晶片衬底的处理方法，所述晶片衬底在其晶片衬底的顶面上具有至少一种pn结或np结和部分磷硅酸盐或硼硅酸盐玻璃层，从而增加(a)晶片的薄层电阻和(b)由该晶片制造的光电池的功率密度水平中的至少一项。本发明还提供了一种酸性处理溶液，其包含缓冲氧化蚀刻(BOE)溶液，其包含至少一种四烷基氢氧化铵、乙酸、至少一种非离子型表面活性剂、至少一种金属螯合剂、不含金属的铵源、不含金属的氟离子源和水，其与氧化剂溶液和任选的水混合。
文档编号C11D11/00GK102282682SQ201080004496
公开日2011年12月14日 申请日期2010年1月11日 优先权日2009年1月14日
发明者乔安妮斯.T.V.胡格布姆, 卢卡斯.M.H.格罗尼伍德, 约翰尼斯.A.E.奥斯特霍尔特, 萨布里纳.里特梅杰 申请人:安万托特性材料有限公司