专利名称：一种原生多晶碳头料的清洗方法
技术领域：
本发明主要涉及一种清洗方法，尤其涉及一种原生多晶碳头料的清洗方法。
背景技术：
多晶娃在生产过程中有部分娃料的附有石墨,且在运输中有些杂质附于表面。传统的处理方法是用地将附在靓面的石墨磨去，这样对硅的损耗降会很大，且速度很慢，严重浪费生产工时，处理不妥还会额外带来一些杂质，不能保证硅料表面杂质完全被清除。
发明内容
本发明目的就是为了弥补已有技术的缺陷，提供一种原生多晶碳头料的清洗方 法。本发明是通过以下技术方案实现的
一种原生多晶碳头料的清洗方法，包括以下步骤
(1)在槽中配置重量比为3-4:1:1的硫酸、氯化锰、双氧水的混合溶液，将多晶碳头料放入混合溶液，浸泡12-14小时；
(2)捞出多晶碳头料后用去离子水冲洗2-3次；
(3)将多晶碳头放入质量比为10-15:0.8-1. 2 :0. 2-0. 3的硝酸、氢氟酸、偏硅酸钠的混合溶液中清洗1-3分钟，然后用去离子水冲洗2-3次；
(4)在浓度为O.3-0. 5%的高锰酸钾溶液中浸泡1-2小时，然后用去离子水冲洗2-3次；
(5)将多晶碳头料进行超声处理；
(6 )捞出多晶碳头料，进行烘干，完成清洗过程。步骤(I)所述的硫酸为浓度为97-98%的电子级硫酸，所述的氯化锰的浓度为20-25%、所述的双氧水的浓度为20-25%。步骤(3)中所述的硝酸是浓度为70-75%的电子级硝酸，所述的氢氟酸浓度为49-55%。本发明的优点是
本方法摒弃了传统的机械加工来去除多晶碳头料上的石墨杂质的方法，采用化学清洗的方法。由于使用了化学溶液对多晶碳头料进行的清洗，与传统的方法相比能够将多晶碳头料的上的石墨杂质去除，完全符合太阳能硅业的清洁要求，且对多晶碳头料本身的损耗很少，增加了原料的可利用率。且经过清洗后废酸及冲洗液经排放处理后不会对环境造成污染。
图I为本发明的工艺流程图。
具体实施方式
实施例I
一种原生多晶碳头料的清洗方法，包括以下步骤
(1)在槽中配置重量比为4:1:1的硫酸、氯化锰、双氧水的混合溶液，将多晶碳头料放入混合溶液，浸泡14小时；
(2)捞出多晶碳头料后用去离子水冲洗3次；
(3)将多晶碳头放入质量比为15:I. 2 :0. 2的硝酸、氢氟酸、偏硅酸钠的混合溶液中清洗1-3分钟，然后用去离子水冲洗2-3次；
(4)在浓度为O.5%的高锰酸钾溶液中浸泡2小时，然后用去离子水冲洗2-3次；
(5)将多晶碳头料进行超声处理；
(6 )捞出多晶碳头料，进行烘干，完成清洗过程。步骤(I)所述的硫酸为浓度为98%的电子级硫酸，所述的氯化锰的浓度为25%、所述的双氧水的浓度为25%。步骤(3)中所述的硝酸是浓度为70-75%的电子级硝酸，所述的氢氟酸浓度为55%。本发明能够将多晶碳头料的上的石墨杂质去除，完全符合太阳能硅业的清洁要求，且对多晶碳头料本身的损耗很少。
权利要求
1.一种原生多晶碳头料的清洗方法，其特征在于包括以下步骤 (1)在槽中配置重量比为3-4:1:1的硫酸、氯化锰、双氧水的混合溶液，将多晶碳头料放入混合溶液，浸泡12-14小时； (2)捞出多晶碳头料后用去离子水冲洗2-3次； (3)将多晶碳头放入质量比为10-15:0.8-1. 2 :0. 2-0. 3的硝酸、氢氟酸、偏硅酸钠的混合溶液中清洗1-3分钟，然后用去离子水冲洗2-3次； (4)在浓度为O.3-0. 5%的高锰酸钾溶液中浸泡1-2小时，然后用去离子水冲洗2-3次； (5)将多晶碳头料进行超声处理； (6 )捞出多晶碳头料，进行烘干，完成清洗过程。
2.根据权利要求I所述的一种原生多晶碳头料的清洗方法，其特征在于步骤(I)所述的硫酸为浓度为97-98%的电子级硫酸，所述的氯化锰的浓度为20-25%、所述的双氧水的浓度为 20-25%。
3.根据权利要求I所述的一种原生多晶碳头料的清洗方法，其特征在于步骤(3)中所述的硝酸是浓度为70-75%的电子级硝酸，所述的氢氟酸浓度为49-55%。
全文摘要
本发明公开了一种原生多晶碳头料的清洗方法，包括以下步骤在槽中配置硫酸、氯化锰、双氧水的混合溶液，将多晶碳头料放入，浸泡；捞出多晶碳头料后用去离子水冲洗2-3次；将多晶碳头放入硝酸、氢氟酸的混合溶液中清洗；在高锰酸钾溶液中浸泡，然后用去离子水冲洗2-3次；将多晶碳头料进行超声处理；捞出多晶碳头料，进行烘干，完成清洗过程。本方法摒弃了传统的机械加工来去除多晶碳头料上的石墨杂质的方法，采用化学清洗的方法。完全符合太阳能硅业的清洁要求，且对多晶碳头料本身的损耗很少，增加了原料的可利用率。且经过清洗后废酸及冲洗液经排放处理后不会对环境造成污染。
文档编号B08B3/08GK102962224SQ20121043869
公开日2013年3月13日 申请日期2012年11月6日 优先权日2012年11月6日
发明者钱新江 申请人:安徽日能中天半导体发展有限公司