专利名称：金属薄膜的除去方法及装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及例如通过蒸镀或电镀形成的金属薄膜不能满足质量管理标准时，将该金属薄膜从基板除去的方法及实施该方法的装置。
背景技术：
具有优良的光学性能(透过率等)及机械性能(平坦度等)的高性能玻璃基板可用于诸如平面显示器等。但由于其价格昂贵，因此当其表面上形成的金属薄膜不能够满足质量管理标准时，希望将该金属薄膜除去，而玻璃基板则可再加以利用。
除去该金属薄膜的方法有化学浸蚀除去法。如
图18所示，该方法是将需除去形成于其表面的金属薄膜的基板2浸渍于化学溶液1中，使金属薄膜通过化学反应溶解于该化学溶液中(例如，参照日本专利特开平6-321581号、日本专利特开平9-86968号)。
但是，由于化学浸蚀除去法要使用强酸及强碱等化学溶液，因此存在以下问题1)使用时必须十分注意，操作性差，2)对装置必须进行耐腐蚀性处理，成本高，3)化学溶液基本上是使用后即废弃，由此产生大量的废液。
4)使用后，化学废液的处理困难。
本发明是鉴于上述技术问题而完成的发明。本发明的目的是提供不使用强酸及强碱等化学溶液、且不需要精确的位置控制、能基本上以非接触状态有效地除去金属薄膜的方法及实施该方法的装置。
发明的揭示本发明的第1金属薄膜的除去方法是使用由倾斜设置的、引导电解流的流下的金属平板电极、安装在该金属平板电极的上游或下游侧且一部分应浸入电解液中的辅助电极、施加于上述两电极的直流电压电源构成的本发明的第1金属薄膜的除去装置，在对上述金属平板电极与辅助电极施加直流电压的状态下，使从上述金属平板电极上流下的电解液与绝缘物表面的金属薄膜产生碰撞，将金属薄膜除去。
并且，该第1发明未使用强酸及强碱这样的化学溶液，不需要控制喷嘴电极相对于绝缘物表面的金属薄膜的精确位置，由于是非接触状态，所以不会对绝缘物造成损伤，能高效地除去金属薄膜。
本发明的第2金属薄膜的除去方法使用必须经过上述本发明的第1金属薄膜的除去装置的上述金属平板电极与辅助电极之间、在该两电极的下方安装底面电极，对该底面电极也必须由直流电压电源施加上述辅助电极和上述金属平板电极的直流电压而构成的本发明的第2金属薄膜的除去装置；在上述的本发明的第1金属薄膜的除去方法中，以对配置于上述绝缘物的内面侧的底面电极也施加了直流电压的状态，使从上述金属平板电极上流下的电解液与绝缘物表面的金属薄膜产生碰撞，将金属薄膜除去。
这样的话，比第1发明更有助于效果的发挥。
在上述的第1或第2发明中，设置至少使浸渍于电解液的绝缘物或金属平板电极的任一方相对于另一方移动的移动装置，如果使上述绝缘物与金属平板电极能在相对移动的同时除去金属薄膜的话，那么就能除去更大范围的金属薄膜。
本发明的第3金属薄膜的除去方法是使用上述第1或第2发明中，在上述金属平板电极的绝缘物的进入侧设置了电解液的侵入抑制构件的本发明的第3金属薄膜的除去装置，以抑制早期的电解液侵入绝缘物的边缘侧。
这样的话，就能防止产生麻面状金属薄膜。
本发明的第4金属薄膜的除去方法是使用上述第1～第3的发明中，将金属平板电极做成能旋转的电极、在与该电极的金属薄膜进行接触的部位安装了研磨基材、具备向与上述电极的金属薄膜进行接触的部位供给研磨基材的供给手段的本发明的第4金属薄膜的除去装置，通过位于与上述电极的金属薄膜进行接触的部位的研磨基材擦过金属薄膜的表面。
该第4发明能完全除去因电解溶出而残留的膜。
附图的简单说明图1是实施第1发明的金属薄膜除去装置的一例的概略结构示意图。图2是实施第1发明的金属薄膜除去装置的例2的概略结构示意图。图3是图2的整体结构图。图4是表示形成直流电压电源—金属平板电极—连续流—金属薄膜—加工槽内的电解液—辅助电极—直流电压电源的闭路时的电压与电流关系的示意图。图5的(a)是在第1发明中金属薄膜残留在终端部位的理由说明图。图5的(b)是金属薄膜残留在终端部位的绝缘物的图。图6是在第1发明中不使金属薄膜残留在终端部位情况发生的方法的说明图。图7的(a)(b)是在第1发明中不使金属薄膜残留在终端部位的情况发生的其它状态的说明图。图8是实施第2发明的金属薄膜除去装置的一例的概略结构示意图。图9是在绝缘物的端部以麻面状残留的金属薄膜的说明图。图10是实施第3发明的一例金属薄膜除去装置的概略结构示意图。图11是实施第3发明的金属薄膜除去装置的另一例的概略结构示意图。图12是实施第3发明的其它实施例的一例金属薄膜除去装置的概略结构示意图。图13是实施第4发明的一例金属薄膜除去装置的概略结构示意图。图14是实施第4发明的金属薄膜除去装置的例2的概略结构示意图。图15是实施第4发明的金属薄膜除去装置的例3的概略结构示意图。图16是实施第4发明的金属薄膜除去装置的例4的概略结构示意图。图17是实施第4发明的金属薄膜除去装置的例5的概略结构示意图。图18是通过化学浸蚀除去金属薄膜的方法的说明图。
实施发明的最佳方式为更详细地解释本发明，现根据附图加以说明。
首先，本发明的第1金属薄膜除去装置的一例用图1～图3表示。
在图1～图3中，21是具有与例如后述的绝缘物24大致相同的宽度、在电解液26的上方以倾斜状立设的金属平板电极，22为下端部浸渍于电解液26的辅助电极，23为直流电压电源，24为浸渍在加工槽25内的电解液(如食盐水)26中的绝缘物，在其表面形成了欲除去的金属薄膜24a。另外，M表示电解溶出部，V表示阀门。
其中，图1中所示的例子表示通过泵28将电解液槽27内的电解液26送至金属平板电极21的情况，辅助电极22为圆柱状，以与上述绝缘物24表面的金属薄膜24a不接触的状态竖立设置。
在图2及图3所示的例子中，辅助电极22例如形成自由旋转的滚筒状并与金属平板电极21平行配置，使该辅助电极22与绝缘物24表面的金属薄膜24a接触，并且，如图3所示，将加工后的电解液26回收入电解液槽27，回收的电解液经过滤器30过滤送至金属平板电极21，这样就表示循环使用了电解液26。滚筒状的辅助电极22也可以与绝缘物24表面的金属薄膜24a不接触的状态固定配置。
上述的第1发明按以下原理除去金属薄膜24a。
1)从金属平板电极21向金属薄膜24a流出电解液26，形成连续电流26a。
2)例如施加以金属平板电极21为负极、以辅助电极22为正极的直流电压，则形成直流电压电源23-金属平板电极21-连续流26a-金属薄膜24a-电解液26-辅助电极22-直流电压电源23的闭路。
3)若形成上述电路，则电压与电流呈图4所示的曲线。若超过该图4中的A电压，则从金属平板电极21及金属薄膜24a的表面开始产生氢·氧离子以及微小气泡。若超过B电压，则电流开始急剧上升，随之气泡的产生量急剧加大。
4)进一步若超过电压C，则电压与电流呈大致的比例关系，以下①式所示的库仑定律大致成立，出现薄膜金属的溶出，并能进行薄膜金属24a的除去加工。不言而喻，这时绝缘物24不会电解溶出。D电压为金属溶出的最小电压值，即分解电压，D电压由电极材料(表面活性度)、电解液浓度、电路电阻等决定。
W＝η1·η2·k·I·t……①其中，η1溶出效率(％)，η2电流效率(％)，k电化学当量(mg/c)，I电解电流(A)，T电解时间(scc)。
上述第1发明(除图2、3所示的例以外)由于是非接触的加工法，因此不损伤绝缘物，并且不需要对电极与金属薄膜间的位置进行精确控制。另外，由于不是化学除去法，而是通过电解溶出的加工法，所以只要是可通电的电解液即可，可使用NaNO3、NaCl等中性盐电解液，因此操作性好，且电解液的废液处理较容易。图2、3所示的第1发明也只有滚筒状的辅助电极22发生接触，因此基本上与上述相同。
上述的第1发明中，例如移动绝缘物24，金属薄膜24a被渐渐除去，到达其最终端的话，如图5(a)所示，金属薄膜24a与辅助电极22间的距离渐渐远离，流过金属薄膜24a的电流量比电解液26中的少，因此，电流效率降低，如图5(b)所示，最终，金属薄膜24a便残留在下游侧(图5的纸面左侧)端部。
因此，如图6所示，在第1发明中，若在绝缘物24的下游侧(图6的纸面左侧)端部设置与绝缘物24厚度大致相同的导电体板31，则即使在绝缘物24的最终端通过辅助电极22之后，由于形成直流电压电源23-金属平板电极21-连续流26a-金属薄膜24a-导电体板31-电解液26-辅助电极22-直流电压电源23的闭路，所以也能防止电流效率的降低，并在下游侧端部不残留金属薄膜24a。要形成上述的闭路，则导电体板31的电极移动方向的长度必须比金属平板电极21与辅助电极22间的间隔a要长。
此外，用于溶出的电极采用如图7(a)所示，交替设置多个阴极(如金属平板电极21)和阳极(如辅助电极22)电极，或如图7(b)所示，设置多个以圆筒32的内侧为阴极、以外侧为阳极的电极来代替图6所示的在绝缘物24的下游侧端部设置的与绝缘物24厚度大致相同的导电体板31，也可起到与设置导电体板31同样的效果。
图7(a)所示的是以绝缘体33连接阴极与阳极的结构。
然后，本发明的第2金属薄膜除去装置的一例如图8所示。在图8中，29为必须经过上述金属平板电极21与辅助电极22之间、在这两个电极21、22的下方配置的底面电极，其余结构与图3所示的例子相同。
但是，这些第1、第2发明中，由于阳极部分正下方的金属薄膜溶出，并随着溶出的不断进行，阳极与薄膜的距离加大，电流便不能流过，溶出停止，因此，绝缘物24的表面较宽时，就不能全部除去在表面上形成的金属薄膜24a。
因此，在这些第1、第2发明中，设置至少浸渍于电解液中的绝缘物24或金属平板电极21的任一方能相对于另一方移动的移动结构，若使上述绝缘物24与金属平板电极21相对移动的同时除去金属薄膜24a，则能除去较大范围的金属薄膜24a。这时，在第1及第2发明中，设金属平板电极21的宽度为W(cm)，相对移动速度为V(cm/min)，电流为I(A)，最好以满足下述关系的相对移动速度移动。
0.1≥I/(W×V)≥0.03使该金属平板电极21相对于另一方移动时，在第1及第2的发明中，例如施加于正极的辅助电极22比施加于负极的金属平板电极21更加位于上游侧，也就是说，最好将辅助电极22设置得比金属平板电极21先通过绝缘物24表面的金属薄膜24a上。
其理由是因为电解溶出是从施加于正极的阳极部分溶出，金属薄膜24a的溶出靠近施加于负极的阴极，如图1～图3、图5及图6、图8所示的例子是从位于金属平板电极21下方的金属薄膜24a溶出的缘故。总之，若反方向移动，则金属薄膜24a溶出的部分通过电极间，不能形成先前所说的闭路，且不能连续地溶出。为防止阳极的溶出，最好在阳极电极上使用碳或实施镀白金。
在上述第1、第2的发明中，使金属平板电极21相对绝缘物24移动时，若辅助电极22是固定的，则随着金属平板电极21的移动，极间距离发生变化，因而电压—电流产生变化，会引起不能均匀地除去金属薄膜24a的情况发生。
这时，如图2及图3所示，将辅助电极22与金属平板21平行配置，使两者同时移动，便能解决上述问题。
此外，上述第1、第2的发明中，在进行金属薄膜24a的除去处理的正当中，若电解液26泄漏，覆盖在绝缘物24上面，则绝缘物24的端部在通过金属平板电极21或辅助电极22之前便开始电解溶出。这是因为通常由于电极间的电场(电流集中的强度)最强，只是在电极间析出，而浸于电解液26的绝缘物24的端部集中产生电场，达到与电极间同等的电场强度的缘故。
并且，由于绝缘物24端部的电场不均匀，引起金属薄膜24a的除去也不均匀，因此在绝缘物24的端部，金属薄膜24a如图9所示，以麻面状残留。图9的24b表示以麻面状残留的金属薄膜。
即使这样的麻面状金属薄膜24b残留的部分通过金属平板电极21，由于金属薄膜在麻面状部位被连续地切断，因此不能形成先前所说的闭路，因而金属薄膜24b未被除去而残留着。
因此，在第1或第2的发明中，在金属平板电极21的绝缘物24的进入侧设置控制电解液26侵入的构件，如具有与绝缘物24大致等宽的图10所示的橡胶制隔壁34a，使其尽可能地接触绝缘物24的表面；或设置具有与绝缘物24大致等宽的图11所示的橡胶制滚筒34b，由弹簧35将其压紧在绝缘物24的表面侧，这样的话，就能控制早期的电解液26对绝缘物24端部的侵入，防止产生麻面状金属薄膜24b。这就是第3发明。
在上述第1～第3的发明中，由于电流借助电解液26流过，因此电解液26中流过的电流使金属薄膜24a的溶出效率变差。
因此，在第1～第3的发明中，在绝缘物24表面侧的金属平板电极21与辅助电极22之间，设置与绝缘物26大致等宽的绝缘壁36，如图12所示的那样，使之尽可能地接近绝缘物24的表面，这样能减少电解液26中流过的电流，提高金属薄膜24a的溶出效率。
上述第1～第3的发明尽管能在不损伤绝缘物24的情况下有效地除去金属薄膜24a，但是由于是流过电解液26的电流使金属薄膜24a溶出而除去金属薄膜24a的，因而有时也会产生因电解溶出而有残量的膜残留的情况。
在第1～第3的发明中，用能旋转的电极37代替金属平板电极21，并在与该电极37的金属薄膜24a进行接触的部位配置研磨基材，具备向与上述电极37的金属薄膜24a进行接触的部位提供研磨基材的供给手段。该构成中，用位于与上述电极37的金属薄膜24a进行接触的部位的研磨基材擦过金属薄膜24a的表面，就能完全除去因电解溶出而残留的膜。这就是第4发明。
例如，图13所示的例子中，由电解液槽27向在外周配置了具有通水性的研磨基材的可旋转的棒状电极37的中心部位提供电解液26，使电解液26从棒状电极37的外周部流出。此外，图14所示的例子是图13所示的例子的辅助电极22与棒状电极37平行配置的情况；图15所示的例子是配置了下面装有具有通水性的研磨基材的可旋转的圆盘状的电极37的情况，以代替图13所示的棒状电极；图16所示的例子是使图14所示的辅助电极22形成滚筒状并与绝缘物24表面的金属薄膜24a接触的情况；图17所示的例子是电解液26不是在电极37的内部而是从外部供给的情况。
以上例子表示在与电极37的金属薄膜24a进行接触的部位配置了研磨基材的情况，但是，不在电极27配置研磨基材，而是在与该电极37的金属薄膜24a进行接触的部位提供研磨基材也可以。
以下，对为确认本发明效果而进行的实施结果加以说明。
A.第1发明的实施例(之一)使用图3所示构成的本发明的第1金属薄膜的除去装置(金属平板电极宽1000mm)，在如下的加工条件下，实施本发明的第1金属薄膜的除去方法，能有效除去蒸镀在1000mm×1000mm的玻璃基板上的、厚1000×10-10m的铝薄膜，并且玻璃基板能再利用。另外，将滚筒状辅助电极与玻璃基板以非接触状态固定配置，电流变为300A，除此之外其它加工条件相同，实施本发明的第2金属薄膜的除去方法，与上述同样，能有效除去蒸镀在玻璃基板上的铝薄膜，并且玻璃基板能再利用。
电解液20％NaCl喷出流量约30升/min施加电压约100V电流150A
玻璃基板移动速度1m/minB.第1发明的实施例(之二)使用图3所示构成的本发明的第1金属薄膜的除去装置，如图6所示，在1000mm×1000mm的玻璃基板(厚0.7mm)的终端设置相同厚度的碳板，在如下的加工条件下，实施本发明的第1金属薄膜的除去方法，能至端部为止有效除去蒸镀在上述玻璃基板上的1000×10-10m厚的铝薄膜，并且玻璃基板能再利用。
电解液5％NaCl喷出流量约30升/min施加电压约100V电流300A玻璃基板移动速度1m/minC.第3发明的实施例(之一)使用图10所示构成的本发明的第3金属薄膜的除去装置，在如下的加工条件下，实施本发明的第3金属薄膜的除去方法，能至端部为止有效除去蒸镀在1000mm×1000mm的玻璃基板(厚0.7mm)上的1000×10-10m厚的铝薄膜，并且玻璃基板能再利用。
电解液5％NaCl喷出流量约30升/min附加电压约100V电流300A玻璃基板移动速度1m/min侵入控制构件橡胶制隔壁D.第3发明的实施例(之二)使用图12所示构成的本发明的第3金属薄膜的除去装置，在如下的加工条件下，实施本发明的第3金属薄膜的除去方法，即使移动速度较其它实施例提高10％，也能有效除去蒸镀在1000mm×1000mm的玻璃基板(厚0.7mm)上的1000×10-10m厚的铝薄膜，并且玻璃基板能再利用。
电解液5％NaCl
喷出流量约30升/min施加电压约100V电流300A玻璃基板移动速度1.1m/min绝缘物隔壁聚氯乙烯制隔壁E.第4发明的实施例使用图16所示构成的本发明的第4金属薄膜的除去装置，在如下的加工条件下，实施本发明的第4金属薄膜的除去方法，能无残留地完全除去蒸镀在1000mm×1000mm玻璃基板上的1000×10-10m厚的铝薄膜，并且玻璃基板能再利用。
电解液20％NaCl供给流量约30升/min棒状电极旋转数600rpm研磨剂磨粒#3000氧化铝磨粒(与电解液混合供给)施加电压约100V电流200A玻璃基板移动速度1m/min不言而喻，上述实施例并不完全对应所有的权利要求项，但即使是未作为实施例列举的权利要求项中记载的发明，也能有效地地除去绝缘物上形成的金属薄膜，并且能实现绝缘物的再生。
产业中利用的可能性如上所述，本发明不使用强酸、强碱这样的化学溶液，并且不需要进行对应于绝缘物表面的金属薄膜的电极的精确的位置控制，能以基本非接触的方式，不损伤绝缘物地有效除去金属薄膜，使半导体领域中使用的高价的机能性玻璃基板的再生利用成为可能。
权利要求书(按照条约第19条的修改)1.金属薄膜的除去方法，其特征在于，以对倾斜配置的金属平板电极与配置在该金属平板电极的上游或下游侧且一部分应浸渍于电解液中的辅助电极施加了直流电压的状态，使从上述金属平板电极上流下的电解液与绝缘物表面的金属薄膜产生碰撞，将金属薄膜除去。
2.如权利要求1所述的金属薄膜的除去方法，其特征还在于，在上述绝缘物的内面侧配置必须经过上述金属平板电极与辅助电极之间的底面电极，以对该底面电极也施加辅助电极和金属平板电极的直流电压的状态，使从上述金属平板电极上流下的电解液与绝缘物表面的金属薄膜产生碰撞，将金属薄膜除去。
3.如权利要求1或2所述的金属薄膜的除去方法，其特征还在于，使上述绝缘物与金属平板电极在相对移动的同时除去金属薄膜。
4.如权利要求1或2所述的金属薄膜的除去方法，其特征还在于，在上述金属平板电极的绝缘物进入侧设置电解液的侵入抑制构件，以抑制电解液的早期的侵入。
5.如权利要求3所述的金属薄膜的除去方法，其特征还在于，在上述金属平板电极的绝缘物进入侧设置电解液的侵入抑制构件，以抑制电解液的早期的侵入。
6.金属薄膜的除去装置，其特征在于，由倾斜配置的、引导电解液的流下的金属平板电极、配置在该金属平板电极的上游或下游侧且一部分应浸入电解液中的辅助电极、以及施加于上述两电极的直流电压电源构成。
7.如权利要求6所述的金属薄膜的除去装置，其特征还在于，必须经过上述金属平板电极与辅助电极之间、在该两电极的下方配置底面电极，对该底面电极上也必须由直流电压电源施加辅助电极和金属平板电极的直流电压。
8.如权利要求6或7所述的金属薄膜的除去装置，其特征还在于，设置至少使浸渍于电解液中的绝缘物或金属平板电极的任一方相对于另一方移动的移动装置。
9.如权利要求6或7所述的金属薄膜的除去装置，其特征还在于，在上述金属平板电极的绝缘物进入侧设置了电解液的侵入抑制构件。
10.如权利要求8所述的金属薄膜的除去装置，其特征还在于，在上述金属平板电极的绝缘物进入侧设置了电解液的侵入抑制构件。
权利要求
1.金属薄膜的除去方法，其特征在于，以对倾斜配置的金属平板电极与配置在该金属平板电极的上游或下游侧且一部分应浸渍于电解液中的辅助电极施加了直流电压的状态，使从上述金属平板电极上流下的电解液与绝缘物表面的金属薄膜产生碰撞，将金属薄膜除去。
2.如权利要求1所述的金属薄膜的除去方法，其特征还在于，在上述绝缘物的内面侧配置必须经过上述金属平板电极与辅助电极之间的底面电极，以对该底面电极也施加辅助电极和金属平板电极的直流电压的状态，使从上述金属平板电极上流下的电解液与绝缘物表面的金属薄膜产生碰撞，将金属薄膜除去。
3.如权利要求1或2所述的金属薄膜的除去方法，其特征还在于，使上述绝缘物与金属平板电极在相对移动的同时除去金属薄膜。
4.如权利要求1或2所述的金属薄膜的除去方法，其特征还在于，在上述金属平板电极的绝缘物进入侧设置电解液的侵入抑制构件，以抑制电解液的早期的侵入。
5.如权利要求3所述的金属薄膜的除去方法，其特征还在于，在上述金属平板电极的绝缘物进入侧设置电解液的侵入抑制构件，以抑制电解液的早期的侵入。
6.如权利要求1或2所述的金属薄膜的除去方法，其特征还在于，将上述金属平板电极做成能旋转的电极，通过位于与该电极的金属薄膜进行接触的部位的研磨基材擦过金属薄膜的表面。
7.如权利要求4所述的金属薄膜的除去方法，其特征还在于，将上述金属平板电极做成能旋转的电极，通过位于与该电极的金属薄膜进行接触的部位的研磨基材擦过金属薄膜的表面。
8.如权利要求5所述的金属薄膜的除去方法，其特征还在于，将上述金属平板电极做成能旋转的电极，通过位于与该电极的金属薄膜进行接触的部位的研磨基材擦过金属薄膜的表面。
9.如权利要求3所述的金属薄膜的除去方法，其特征还在于，将上述金属平板电极做成能旋转的电极，通过位于与该电极的金属薄膜进行接触的部位的研磨基材擦过金属薄膜的表面。
10.金属薄膜的除去装置，其特征在于，由倾斜配置的、引导电解液的流下的金属平板电极、配置在该金属平板电极的上游或下游侧且一部分应浸入电解液中的辅助电极、以及施加于上述两电极的直流电压电源构成。
11.如权利要求10所述的金属薄膜的除去装置，其特征还在于，必须经过上述金属平板电极与辅助电极之间、在该两电极的下方配置底面电极，对该底面电极上也必须由直流电压电源施加辅助电极和金属平板电极的直流电压。
12.如权利要求10或11所述的金属薄膜的除去装置，其特征还在于，设置至少使浸渍于电解液中的绝缘物或金属平板电极的任一方相对于另一方移动的移动装置。
13.如权利要求10或11所述的金属薄膜的除去装置，其特征还在于，在上述金属平板电极的绝缘物进入侧设置了电解液的侵入抑制构件。
14.如权利要求12所述的金属薄膜的除去装置，其特征还在于，在上述金属平板电极的绝缘物进入侧设置了电解液的侵入抑制构件。
15.如权利要求10或11所述的金属薄膜的除去装置，其特征还在于，将上述金属平板电极做成能旋转的电极的同时，在与该电极的金属薄膜进行接触的部位配置研磨基材，具备向与上述电极的金属薄膜进行接触的部位供给研磨基材的供给手段。
16.如权利要求12所述的金属薄膜的除去装置，其特征还在于，将上述金属平板电极做成能旋转的电极的同时，在与该电极的金属薄膜进行接触的部位配置研磨基材，具备向与上述电极的金属薄膜进行接触的部位供给研磨基材的供给手段。
17.如权利要求13所述的金属薄膜的除去装置，其特征还在于，将上述金属平板电极做成能旋转的电极的同时，在与该电极的金属薄膜进行接触的部位配置研磨基材，具备向与上述电极的金属薄膜进行接触的部位供给研磨基材的供给手段。
18.如权利要求14所述的金属薄膜的除去装置，其特征还在于，将上述金属平板电极做成能旋转的电极的同时，在与该电极的金属薄膜进行接触的部位配置研磨基材，具备向与上述电极的金属薄膜进行接触的部位供给研磨基材的供给手段。
全文摘要
使用由倾斜配置的引导电解流的流下的金属平板电极(21)、安装在该金属平板电极(21)的上游或下游侧且一部分应浸渍于电解液中的辅助电极(22)、以及施加于上述两电极的直流电压电源(23)构成的金属薄膜的除去装置，在对上述金属平板电极(21)与辅助电极(22)施加了直流电压的状态下，使从上述金属平板电极(21)上流下的电解液(26)与绝缘物(24)表面的金属薄膜(24a)产生碰撞，由此将金属薄膜(24a)除去。
文档编号C03C23/00GK1703380SQ20038010120
公开日2005年11月30日 申请日期2003年10月2日 优先权日2002年10月11日
发明者大工博之, 前畑英彦, 塚原正德, 滨田省吾, 井上铁也, 浜崎洋志 申请人:日立造船株式会社, 日立造船金属工业股份有限公司