专利名称：：一种用于非线性电阻片侧面高阻层的滚釉涂料及其制备方法
技术领域：
：本发明涉及非线性电阻片制造领域，尤其涉及一种用于非线性电阻片侧面高阻层的滚釉涂料及其制备方法。
背景技术：
：在氧化锌电阻片的制造过程中，有三种提高电阻片侧面绝缘强度的方法，分别是有机绝缘釉、无机高阻层和无机玻璃釉，其中最常采用的是无机高阻层。传统的无机高阻层采用浸釉工艺。与浸釉工艺相配套的是预烧成工艺，只有预烧过的电阻片坯体，才能进行浸釉。这样就带来了一个问题，那就是浸釉工艺与其他工艺相比，要多出一道工序。这道工序，需要隧道炉这样的设备来支持，而且增加了能耗。于是，不预烧的高阻层涂布工艺——滚釉工艺就应运而生了。滚釉工艺由于生产周期短，工作效率高等优势，常被生产厂家采用。但是，传统的高阻层配方直接用于滚釉工艺，由于电阻片不预烧，排胶后的电阻片坯体密度较小，涂料更容易渗入，Li+的渗透深度较预烧过的坏体要深，从而导致电阻片的通流面积减少，残压比增大，影响电阻片的综合性能。
发明内容本发明的一个目的在于提供一种用于非线性电阻片侧面高阻层的滚釉涂料，它能够提高非线性电阻片的合格率，降低残压比。本发明的另一个目的在于提供上述用于非线性电阻片侧面高阻层的滚釉涂料的制备方法。为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案予以实现(1)一种用于非线性电阻片侧面高阻层的滚釉涂料，包括粘合剂和配料，所述配料包括以下重量比的组分2830%的ZnO，2224%的Bi203，2123%的Sb203，2123%的Si02，0.10.2%的Li2C03;其特征在于，所述配料还包括15%的ZnCl2;所述粘合剂为配料总重量的11.5倍。所述粘合剂优选2.8%PVA溶液。(2)用于非线性电阻片侧面高阻层的滚釉涂料的制备方法，其特征在于，按照上述重量比称取各组分，作为配料，将ZnO、Bi203、Sb203、Si02、Li2C(V混合后干磨12小时，在800850。C煅烧1.52小时，然后加入ZnCl2研磨为粉料；最后，称取重量为配料总重量的11.5倍粘合剂,将上述粉料与粘合剂混合、搅匀即可。传统的高阻层中，主要靠Li2C03来提高电阻率。由于Li+离子半径比Zn2+的半径小，可以进入ZnO晶粒中，而ZnO是n型半导体，Li+的引入，降低了载流子的浓度，从而提高了ZnO的电阻率。而ZnO的电阻率是影响残压比的重要因素。当Li+的引入超出一定范围，就会使电阻片的残压比变差。本发明减少Lr的浓度，并且引入Cr，不进入ZnO晶粒，只是通过阻止氧化锌的烧结，增加晶界数量，从而提高电阻片的侧面电阻率，由于ZnO的电阻率没有增加，因而不会增大残压比。具体实施例方式实施例l按照重量百分比为30%、24%、22.8%、23%、0.2%,分别称取Zn0、Bi203、Sb203、Si02、L:UC03作为配料，备用；将ZnO、Bi203、Sb203、Si02、"20)3混合后干磨12小时，在800。C煅烧2小时，作为高阻层粉料备用。制作试样见试样表l。称取50g高阻层粉料，与50g浓度为2.8y。的PVA溶液混合均匀，作为对比样，编号为O;称取49.5g高阻层粉料，0.5gZnCl2,与50g浓度为2.8%的PVA溶液混合均匀，编号为l;称取49g高阻层粉料，lgZnCl2，与50g浓度为2.8%的PVA溶液混合均匀，编号为2;称取47.5g高阻层粉料，2.5gZnCl2，与50g浓度为2.8%的PVA溶液混合均匀，编号为3。试样表l<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>将以上试样分别用碾钵磨匀，然后手工刷涂在排过胶的D8.5阀片的侧面，并刷涂两遍，按照试样进行编号。然后进行后续的烧成、热处理、喷电极等工序，完成电阻片的制作。制作完成的电阻片，分别进行IU、UuM以及方波筛选，结果如电性能表l所示。电性能表1<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>注表中的数据为统计平均值。表中Ukm是通过10kA电流时电阻片两端的残压，Uua是流过lmA电流时电阻片两端的残压，ka自AU，称作保护比(即残压比)，k值越小，保护比越好。方波筛选是剔除电阻片中有缺陷的电阻片，筛出率越低，产品合格率就越高。正常情况下，在方波筛选中剔除的缺陷电阻片，80%的缺陷，集中在距侧面(内侧和外侧)边缘01.5mm范围内。高阻层除了提高侧面的绝缘强度，还可以通过提高电阻片侧面lmm范围内的电阻率，改变电流路径，来"弥补"缺陷，降低方波筛出率。.从电性能表l中数据可以看出，随着配方中ZnCl2的引入，电阻片的残压压比比原来略好，方波筛出率低，产品合格率高。另外，大电流冲击试验结果表明，本发明的样品均通过100kA的耐受。实施例2按照重量百分比为30%、24%、22,8%、23%、0.2%,分别称取ZnO、Bi203、Sb203、Si02、Li2CCU乍为配料，备用；将ZnO、Bi203、Sb203、Si02、"20)3混合后干磨12小时，在85(TC煅烧1.5小时，作为高阻层粉料备用。制作试样见试样表2。称取50g高阻层粉料，与75g浓度为2.89&的PVA溶液混合均匀，作为对比样，编号为O;称取49.5g高阻层粉料，0.5gZnCl2，与75g浓度为2.8%的PVA溶液混合均匀，编号为l;称取49g高阻层粉料，lgZnCh，与75浓度为2.8%的PVA溶液混合均匀，编号为2;称取47.5g高阻层粉料，2.5gZnCl2，与75g浓度为2.8%的PVA溶液混合均匀，编号为3。试样表2<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>将以上试样分别用碾钵磨匀，然后手工刷涂在排过胶的D8.5阀片的侧面,并刷涂两遍，按照试样进行编号。然后进行后续的烧成、热处理、喷电极等工序，完成电阻片的制作。制作完成的电阻片，分别进行仏,A、U,以及方波筛选，结果如电性能表2所示。电性能表2<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>注表中的数据为统计平均值。从电性能表2中数据可以看出，随着配方中ZnCl2的引入，电阻片的残压比比原来略好，方波筛出率低，产品合格率高。另外，大电流冲击试验结果表明，本发明的样品均通过100kA的耐受。权利要求1.一种用于非线性电阻片侧面高阻层的滚釉涂料，包括粘合剂和配料，所述配料包括以下重量比的组分28～30％的ZnO，22～24％的Bi2O3，21～23％的Sb2O3，21～23％的SiO2，0.1～0.2％的Li2CO3；其特征在于，所述配料还包括1～5％的ZnCl2；所述粘合剂为配料总重量的1～1.5倍。2、根据权利要求1所述的一种用于非线性电阻片侧面高阻层的滚釉涂料，其特征在于，所述粘合剂优选2.8y。PVA溶液。3、一种用于非线性电阻片侧面高阻层的滚釉涂料的制备方法，其特征在于，按照权利要求1所述的重量比称取各组分，作为配料，将ZnO、Bi203、Sb203、Si02、Li2C(V混合后千磨12小时，在800850。C煅烧1.52小时，然后加入ZnCl2研磨为粉料；最后，称取重量为配料总重量的11.5倍粘合剂,将上述粉料与粘合剂混合、搅匀即可。全文摘要本发明涉及非线性电阻片制造领域，公开了一种用于非线性电阻片侧面高阻层的滚釉涂料，它包括粘合剂和配料，所述配料包括以下重量比的组分28～30％的ZnO，22～24％的Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>，21～23％的Sb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>，21～23％的SiO<sub>2</sub>，0.1～0.2％的Li<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>，1～5％的ZnCl<sub>2</sub>；所述粘合剂为配料总重量的1～1.5倍；按照上述的重量比，将ZnO、Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Sb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、SiO<sub>2</sub>、Li<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>混合后干磨12小时，在800～850℃煅烧1.5～2小时，然后加入ZnCl<sub>2</sub>研磨为粉料；最后，称取粘合剂与上述粉料混合、搅匀即可。文档编号C03C8/00GK101367614SQ20081015096公开日2009年2月18日申请日期2008年9月12日优先权日2008年9月12日发明者蒙晓记,谢青云申请人:中国西电电气股份有限公司