专利名称：石英晶体监控片的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种光学镀膜技术，尤其是涉及一种石英晶体监控片。
背景技术：
1950年，德国科学家GEORGE SAUERBREY研究发现，如果在晶体的表 面上镀一层薄膜，则晶体的振动就会减弱，而且还发现这种振动或频率的减少， 是由薄膜的厚度和密度决定的，利用非常精密的电子设备，每秒钟可能多次测 试振动，从而实现对晶体镀膜厚度和邻近基体薄膜厚度的实时监控。基于此， 产生了膜厚控制仪来控制光学产品镀膜的厚度，利用膜厚控制仪来控制镀膜的 厚度，主要蟲利用石英晶体的压电效应和质量负荷效应。石英晶体压电效应的 固有频率不仅取决于其几何尺寸，切割类型，而且还取决于芯片的厚度。当芯 片上镀了某种膜层，使芯片的厚度增大，则芯片的固有频率会相应的衰减。石 英晶体的这个效应是质量负荷效应。石英晶体膜厚监控仪就是通过测量频率或 与频率有关^参量的变化而监控淀积薄膜的厚度。
目前常使用的石英晶体监控片是在基底石英晶片的两面上先各镀上一层金 属底融层，使用的是铬、镍、钛、铝等附着力较强的金属，在底融层上再镀一 层金属电极厚，使用的是金、银等导电性较强的金属(参见图2)。
这种石英晶体监控片的主要缺点是由于金、银等金属虽然具有较好的导 电性，但却不具有较强的附着力，使用这样的石英晶体监控片进行镀膜监控时 会发生被监控膜的厚度不大的情况下，石英晶体监控片的被监控镀层与电极层 发生脱落，导致石英晶体监控片失效，寿命较短，成本高，同时也降低了镀膜 的生产效率
发明内容
本发明主要是解决现有技术所存在的石英晶体监控片的电极层与被监控沉 积膜附着力不强、易发生脱落，石英晶体监控片使用寿命短、成本高、镀膜生 产效率低等的技术问题。提供一种电极层和被监控沉积膜附着力强、不易脱落， 使用寿命长、成本低、能有效提高镀膜生产效率的新型的石英晶体监控片。
本发明的原理是本发明的石英晶体监控片是将石英晶体监控片应用于光 学镀膜起作用的。在光学镀膜过程中，使用石英晶体膜厚监控仪同时检测石英 晶体监控片和工件的镀膜厚度，由于本发明的石英晶体监控片在传统的金、银 电极层上又加镀了一层附着力很强的铬、镍、钛等金属(表融层)，有效地增加 了电极层与被监控沉积膜之间的附着力，迸而实现了增加被监控沉积膜的厚度 的目的，这禅通过石英晶体膜厚监控仪测量频率或与频率有关的参量的变化而 监控沉积薄膜的厚度，提高了镀膜的生产效率，增加了石英晶体监控片的使用 寿命，有效地降低了生产成本。
本发明的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的本发明包括 基底石英晶A、镀在基底石英晶片两面的底融层及镀在底融层上的电极层，在 电极层上还镀有一层表融层。
作为优选，底融层、电极层和表融层的形状是钥匙孔型。
作为优逸，底融层所使用的原料为镍或铬、钛或铝。
作为优选，电极层所使用的原料为金、银。
作为优选，表融层所使用的原料为铬或钛、镍或铝。
因此，本发明具有辯构合理，构思新颖等特点，尤其是在现有的石英晶体 监控片的电极层上再镀一层附着力较强的镍、铬、钛等金属，能够使得石英晶 体监控片的使用寿命大大延长，有效降低了光学镀膜成本，提高了镀膜的生产 效率。
附图1是本发明技术结构示意图。
具体实施例方式
下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。 实施例1:
本发明也括基底石英晶片、镀在基底石英晶片两面上的底融层及镀在底融 层上的电极层，在电极层上还镀有一层表融层，底融层所使用的原料为铬，电 极层所使用的原料为金，表融层所使用的原料为铬。(参见图l)
在镀膜过程中，使用石英晶体膜厚监控仪同时检测石英晶体监控片和工件 的镀膜厚度，由于本发明在传统的电极层上又加镀了一层附着力很强的铬金属， 对于亲铬的被监控沉积膜来说，有效地增加了电极层与沉积膜之间的附着力， 进而实现了增加镀膜的厚度的目的，这样通过石英晶体膜厚监控仪测量频率或 与频率有关^I参量的变化而监控淀积薄膜的厚度。使用本发明提高了镀膜的生 产效率，增加了石英晶体监控片的使用寿命，有效地降低了生产成本。
实施例2:
本发明4括基底石英晶片、镀在基底石英晶片正面上的底融层及镀在底融 层上的电极层，在基底石英晶片的背面镀有钥匙孔型的金属电极，在电极层上 还镀有一层表融层，底融层所使用的原料为铬，电极层所使用的原料为金，表 融层所使用的原料为铬。(参见图O
在镀膜^:程中，使再石英晶体膜厚监控仪同时检测石英晶体监控片和工件 的镀膜厚度，由于本发明在传统的电极层上又加镀了一层附着力很强的铬金属， 对于亲铬的被监控沉积膜来说，有效地增加了电极层与沉积膜之间的附着力， 进而实现了增加镀膜的厚度的目的，这样通过石英晶体膜厚监控仪测量频率或 与频率有关的参量的变化而监控淀积薄膜的厚度。使用本发明提高了镀膜的生 产效率，增加了石英晶体监控片的使用寿命，有效地降低了生产成本。
实施例3:
本发明包括基底石英晶片、镀在基底石英晶片正面上的底融层及镀在底融层上的电极层，在电极层上还镀有一层表融层，在基底石英晶片的背面镀有钥 匙孔型的金属电极，底融层所使用的原料为铬，电极层所使用的原料为金，表 融层所使用的原料为镍。(参见图l)
在镀膜过程中，使用石英晶体膜厚监控仪同时检测石英晶体监控片和工件 的镀膜厚度，由于本发明在传统的电极层上又加镀了一层附着力很强的镍金属， 对于亲镍的被监控沉积膜来说，有效地增加了电极层与沉积膜之间的附着力， 进而实现了增加镀膜的厚度的目的，这样通过石英晶体膜厚监控仪测量频率或
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与频率有关的参量的变化而监控淀积薄膜的厚度。使用本发明提高了镀膜的生 产效率，增加了石英晶体监控片的使用寿命，有效地降低了生产成本。 实施例4:
本发明包括基底石英晶片、镀在基底石英晶片正面上的底融层及镀在底融 层上的电极层，在电极层上还镀有一层表融层，在基底石英晶片的背面镀有钥 匙孔型的金属电极。底融层所使用的原料为铬，电极层所使用的原料为金，表 融层所使用的原料为钛。(参见图l)
在镀膜过程中，使用石英晶体膜厚监控仪同时检测石英晶体监控片和工件 的镀膜厚度，由于本发明在传统的电极层上又加镀了一层附着力很强的钛金属， 对于亲钛的^监控沉积膜来说，有效地增加了电极层与沉积膜之间的附着力， 进而实现了增加镀膜的厚度的目的，这样通过石英晶体膜厚监控仪测量频率或 与频率有关的参量的变化而监控淀积薄膜的厚度。使用本发明提高了镀膜的生 产效率，增加了石英晶体监控片的使用寿命，有效地降低了生产成本。
实施例5:
本发明包括基底石英晶片、镀在基底石英晶片正面上的底融层及镀在底融 层上的电极层，在电极层上还镀有一层表融层，在基底石英晶片的背面镀有钥 匙孔型的金属电极。底融层所使用的原料为钛，电极层所使用的原料为银，表 融层所使用的原料为镍。(参见图1)在镀膜过程中，使用石英晶体膜厚监控仪同时检测石英晶体监控片和工件 的镀膜厚度，由于本发明在传统的电极层上又加镀了一层附着力很强的镍金属， 对于亲镍的纟皮监控沉积膜来说，有效地增加了电极层与沉积膜之间的附着力， 进而实现了增加镀膜的厚度的目的，这样通过石英晶体膜厚监控仪测量频率或 与频率有关的参量的变化而监控淀积薄膜的厚度。使用本发明提高了镀膜的生 产效率，增加了石英晶体监控片的使用寿命，有效地降低了生产成本。
实施例6:
本发明包括基底石英晶片、镀在基底石英晶片正面上的底融层及镀在底融
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层上的电极层，在电极层上还镀有一层表融层，在基底石英晶片的背面镀有钥 匙孔型的金属电极。底融层所使用的原料为钛，电极层所使用的原料为金，表 融层所使用的原料为钛。(参见图l)
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在镀膜过程中，使用石英晶体膜厚监控仪同时检测石英晶体监控片和工件 的镀膜厚度，由于本发明在传统的电极层上又加镀了一层附着力很强的钛金属， 对于亲钛的被监控沉积膜来说，有效地增加了电极层与沉积膜之间的附着力， 进而实现了增加镀膜的厚度的目的，这样通过石英晶体膜厚监控仪测量频率或 与频率有关的参量的变化而监控淀积薄膜的厚度。使用本发明提高了镀膜的生 产效率，增血了石英晶体监控片的使用寿命，有效地降低了生产成本。
实施例7:
本发明包括基底石英晶片、镀在基底石英晶片正面上的底融层及镀在底融 层上的电极层，在电极层上还镀有一层表融层，在基底石英晶片的背面镀有钥 匙孔型的金属电极。底融层所使用的原料为钛，电极层所使用的原料为银，表 融层所使用的原料为钛。(参见图l)
在镀膜过程中，使用石英晶体膜厚监控仪同时检测石英晶体监控片和工件 的镀膜厚度，,由于本发明在传统的电极层上又加镀了一层附着力很强的钛金属， 对于亲钛的被监控沉积膜来说，有效地增加了电极层与沉积膜之间的附着力，进而实现了增加镀膜的厚度的目的，这样通过石英晶体膜厚监控仪测量频率或 与频率有关的参量的变化而监控淀积薄膜的厚度。使用本发明提高了镀膜的生
产效率，增加了石英晶体监控片的使用寿命，有效地降低了生产成本。 实施例8:
本发明包括基底石英晶片、镀在基底石英晶片正面上的底融层及镀在底融 层上的电极层，在电极层上还镀有一层表融层，在基底石英晶片的背面镀有钥 匙孔型的金属电极。底融层所使用的原料为钛，电极层所使用的原料为银，表 融层所使用的原料为镍。(参见图l)
在镀膜过程中，使用石英晶体膜厚监控仪同时检测石英晶体监控片和工件 的镀膜厚度，,由于本发明在传统的电极层上又加镀了一层附着力很强的镍金属， 对于亲镍的被监控沉积膜来说，有效地增加了电极层与沉积膜之间的附着力， 进而实现了增加镀膜的厚度的目的，这样通过石英晶体膜厚监控仪测量频率或 与频率有关的参量的变化而监控淀积薄膜的厚度。使用本发明提高了镀膜的生 产效率，增加了石英晶体监控片的使用寿命，有效地降低了生产成本。
实施例9:
本发明包括基底石英晶片、镀在基底石英晶片正面上的底融层及镀在底融 层上的电极层，在电极层上还镀有一层表融层，在基底石英晶片的背面镀有钥 匙孔型的金属电极。底融层所使用的原料为铬，电极层所使用的原料为银，表 融层所使用的原料为钛。(参见图l)
在镀膜过程中，使用石英晶体膜厚监控仪同时检测石英晶体监控片和工件 的镀膜厚度，由于本发明在传统的电极层上又加镀了一层附着力很强的钛金属， 对于亲钛的被监控沉积膜来说，有效地增加了电极层与沉积膜之间的附着力， 进而实现了增加镀膜的厚度的目的，这样通过石英晶体膜厚监控仪测量频率或 与频率有关的参量的变化而监控淀积薄膜的厚度。使用本发明提高了镀膜的生
产效率，增力)i了石英晶体监控片的使用寿命，有效地降低了生产成本。实施例10:
本发明包括基底石英晶片、镀在基底石英晶片正面上的底融层及镀在底融 层上的电极层，在电极层上还镀有一层表融层，在基底石英晶片的背面镀有钥 匙孔型的金属电极。底融层所使用的原料为铝，电极层所使用的原料为银，表 融层所使用的原料为镍。(参见图l)
在镀膜过程中，使用石英晶体膜厚监控仪同时检测石英晶体监控片和工件 的镀膜厚度，由于本发明在传统的电极层上又加镀了 一层附着力很强的镍金属， 对于亲镍的被监控沉积膜来说，有效地增加了电极层与沉积膜之间的附着力， 迸而实现了增加镀膜的厚度的目的，这样通过石英晶体膜厚监控仪测量频率或 与频率有关的参量的变化而监控淀积薄膜的厚度。使用本发明提高了镀膜的生 产效率，增i了石英晶体监控片的使用寿命，有效地降低了生产成本。
实施例11:
本发明包括基底石英晶片、镀在基底石英晶片正面上的底融层及镀在底融 层上的电极层，在电极层上还镀有一层表融层，在基底石英晶片的背面镀有钥 匙孔型的金属电极。底融层所使用的原料为钛，电极层所使用的原料为银，表 融层所使用的原料为铝。(参见图l)
在镀膜过程中，使用石英晶体膜厚监控仪同时检测石英晶体监控片和工件 的镀膜厚度，,由于本发明在传统的电极层上又加镀了一层附着力很强的铝金属， 对于亲铝的被监控沉积膜来说，有效地增加了电极层与沉积膜之间的附着力， 进而实现了增加镀膜的厚度的目的，这样通过石英晶体膜厚监控仪测量频率或 与频率有关的参量的变化而监控淀积薄膜的厚度。使用本发明提高了镀膜的生 产效率，增加了石英晶体监控片的使用寿命，有效地降低了生产成本。
当然，i发明的使用范围并不仅仅局限于上述实施例，如底融层、电极层、
表融层所使用的金属材料之间的组合并不局限于上述几种，也可以采用其他不 同的组合；同时底融层、电极层、表融层所使用的金属材料也并不局限于上述
9几种，其他的只要是具有良好导电性又具有可镀性的金属均可以作为表融层的原料，同样，其他的只要具有良好附着力又具有可镀性的金属也可以用作底融
层和电极层的原料；这样的变化均落在本发明的保护范围之内。
权利要求
1. 一种石英晶体监控片，包括基底石英晶片(1)、镀在所述基底石英晶片(1)两面的底融层(2)及镀在所述底融层(2)上的电极层(3)，其特征在于在所述电极层(3)上还镀有一层表融层(4)。
2. 根据权利要求1所述的石英晶体监控片，其特征在于:所述的底融层(2)、 电极层(3)和表融层(4)的形状是钥匙孔型。
3. 根据权利要求1或2所述的石英晶体监控片，其特征在于所述的底融 层(2)所使用的原料为镍或铬或钛或铝。
4. 根据权利要求1或2所述的石英晶体监控片，其特征在于所述的电极 层(3)所使用的原料为金或银。
5. 根据权利要求3所述的石英晶体监控片，其特征在于所述的电极层(3) 所使用的原料、为金或银"
6. 根据权利要求1或2所述的石英晶体监控片，其特征在于所述的表融 层(4)所使用的原料为铬或钛或镍或铝。
7. 根据权利要求3所述的石英晶体监控片，其特征在于所述的表融层(4)所使用的原，为铬或钛或镍或铝。
8. 根据权利要求4所述的石英晶体监控片，其特征在于所述的表融层(4)所使用的原料为铬或钛或镍或铝。
9. 根据权利要求5所述的石英晶体监控片，其特征在于所述的表融层(4) 所使用的原料为铬或钛或镍或铝。
全文摘要
本发明涉及光学镀膜用石英晶体监控片。它包括基底石英晶片、镀在基底石英晶片两面的底融层及镀在底融层上的电极层，在电极层上还镀有一层表融层。由于本发明在传统的金、银电极层上又加镀了一层附着力很强的铬、镍、钛、铝等金属，有效地增加了电极层与沉积膜之间的附着力，进而实现了增加沉积膜厚度的目的。使用本发明能提高镀膜的生产效率，增加石英晶体监控片的使用寿命，有效地降低生产成本。
文档编号C03C17/36GK101475321SQ200910095269
公开日2009年7月8日 申请日期2009年1月6日 优先权日2009年1月6日
发明者王祖勇 申请人:嘉兴晶控电子有限公司