专利名称：一种含有硅膜层的截止紫外线镀膜玻璃及其制备方法
技术领域：
本发明具体涉及一种完全截止紫外线镀膜玻璃及其制备方法。属于汽车、火车、轮
船、建筑、家电用玻璃和照明灯具玻璃技术领域。
背景技术：
紫外线会使高分子有机物老化，在一些特殊的场合需要阻止紫外线从玻璃射入或 射出。居室、博物馆、汽车、轮船、火车和家电内的物质，例如纸张、织物、塑料制品和某些 珍贵文物等在紫外线的照射下会老化、变质；照明灯具光源发出的紫外线也会老化照明光 源能达到位置的物质。目前，制备截止紫外线玻璃的方法有两种，第一种方法是在生产玻 璃时，在原料组分中添加铈离子，紫外线被截止的量与玻璃厚度和铈的掺入量有关。这种制 备方法存在的问题是，用熔制法直接制备紫外线截止玻璃，工艺复杂，铈离子的添加量不易 控制，并且颜色不容易控制。第二种方法是用溅射的方法在玻璃上镀截止紫外线膜(紫外 线截止镀膜玻璃及其制备方法，ZL200410061019. 3 ;截止紫外线/反射红外线双重功能镀 膜玻璃及其制备方法，ZL200410061018. 9)，直接用溅射方法在玻璃基片上镀截止紫外线膜 (玻璃/Ti02-Ce02)得到紫外线截止镀膜玻璃。另外，目前的阳光控制镀膜玻璃、或阳光控 制低辐射镀膜玻璃都不能完全截止紫外线。
发明内容
技术问题本发明的目的在于在玻璃上镀制紫外线吸收膜层，提供一种完全截止 紫外线的镀膜玻璃及其制备方法，包括完全截止紫外线镀膜玻璃、完全截止紫外线阳光控 制镀膜玻璃、完全截止紫外线阳光控制低辐射镀膜玻璃。 技术方案为了实现上述目的，本发明的技术方案是镀膜玻璃的膜系中含有硅 或硅合金膜层，该镀膜玻璃是在玻璃基片上镀有硅或硅合金膜，形成完全截止紫外线的低 辐射镀膜玻璃，或完全截止紫外线阳光控制镀膜玻璃，或完全截止紫外线阳光控制低辐射 镀膜玻璃， 完全截止紫外线的低辐射镀膜玻璃为玻璃_过渡层_硅或硅合金膜层_氮化硅 膜层，或玻璃_硅或硅合金膜层_氮化硅膜层； 完全截止紫外线阳光控制镀膜玻璃为玻璃_过渡层_硅或硅合金膜层_不锈钢 膜层_氮化钛膜层_氮化硅膜层，或玻璃_过渡层_不锈钢膜层_氮化钛膜层_硅或硅合 金膜层-氮化硅膜层； 完全截止紫外线阳光控制低辐射镀膜玻璃为玻璃-过渡层-硅或硅合金膜 层_镍铬膜层_银膜层_镍铬膜层_氮化硅膜层，或玻璃_过渡层_镍铬膜层_银膜层_镍 铬膜层_硅或硅合金膜层_氮化硅膜层，或玻璃_硅或硅合金膜层_透明导电氧化物膜层、 或玻璃_过渡层_硅或硅合金膜层_透明导电氧化物膜层；利用硅或硅合金膜的截止波长在400nm 550nm的特点，完全截止紫外线。
所述的过渡层为二氧化锡、或氧化锌、或氧化钛或氮化硅；透明导电氧化物膜层包含铝掺杂氧化锌或铟掺杂二氧化锡。 在玻璃基片上的硅或硅合金膜硅层用的靶材是纯硅靶或掺加了 B、P、Al、C或Ge的
硅合金靶材。 硅或硅合金膜层的厚度为10 200纳米。 完全截止紫外线的低辐射镀膜玻璃的制备方法包括如下步骤 1)对待镀膜玻璃用去离子水进行清洗，干燥； 2)将清洁处理过的玻璃直接送入溅射镀膜设备中，在玻璃基片上用磁控溅射沉积 过渡层二氧化锡、氧化锌、氧化钛或氮化硅；用Ar和02作为工作气体，工作气压为0. 27 0. 31Pa，体积比Ar/02 = 3:2，沉积二氧化锡，氧化锌，氧化钛薄膜，厚度为20 40nm ;用 Ar和N2作为工作气体反应溅射沉积氮化硅薄膜作为过渡层，工作气压为0. 27 0. 31Pa， 其中体积比Ar/N2 = 0. 7 : l，沉积薄膜厚度为20 40nm ; 3)将预镀了过渡层或直接在清洁处理过的玻璃基片上，用磁控溅射沉积硅或硅合 金膜层，用Ar作为工作气体，工作气压为0. 30 0. 37Pa，薄膜厚度为10 200nm ;
4)在硅或硅合金膜层上用磁控溅射方法沉积氮化硅薄膜。用Ar和N2作为工作气 体，工作气压为O. 27 0. 31Pa，其中体积比Ar/N2 = 3 : 2，薄膜厚度为7 15nm。
完全截止紫外线阳光控制镀膜玻璃的制备方法包括如下步骤
其中对膜系玻璃-过渡层-硅或硅合金膜层_不锈钢膜层_氮化钛膜层_氮化 硅膜层的制备方法为 1)对待镀膜玻璃用去离子水进行清洗，干燥； 2)将清洁处理过的玻璃直接送入溅射镀膜设备中，在玻璃基片上用磁控溅射沉 积过渡层二氧化锡、或氧化锌、或氧化钛；用Ar和02作为工作气体，工作气压为0. 27 0. 31Pa，体积比Ar/02 = 3:2，沉积薄膜厚度为20 40nm ;或用Ar和N2作为工作气体 反应溅射沉积氮化硅薄膜作为过渡层，工作气压为0. 27 0. 31Pa，其中体积比Ar/N2 = 0.7 : 1，沉积薄膜厚度为20 40nm; 3)在预镀了过渡层的镀膜玻璃上，直接在玻璃上用磁控溅射沉积硅或硅合金膜
层；用Ar作为工作气体，工作气压为0. 30 0. 37Pa，薄膜厚度为10 200nm ; 4)在硅或硅合金膜层上用磁控溅射方法依次沉积不锈钢膜层，氮化钛膜层和氮化
硅膜层；其中，不锈钢膜层用Ar作为工作气体，工作气压为0. 27 0. 31Pa，沉积薄膜厚度
为7 15nm ;氮化钛和氮化硅膜层，均用Ar和N2作为工作气体，工作气压为0. 27 0. 31Pa，
其中体积比Ar/N2 = 3:2，薄膜厚度分别为15 25nm和20 40nm ; 对膜系玻璃-过渡层-不锈钢膜层-氮化钛膜层_硅或硅合金膜层_氮化硅膜
层的制备方法为 1)对待镀膜玻璃用去离子水进行清洗，干燥； 2)将清洁处理过的玻璃直接送入溅射镀膜设备中，在玻璃基片上用磁控溅射沉积 过渡层氧化锡、或氧化锌、或氧化钛；用Ar和02作为工作气体，工作气压为0. 27 0. 31Pa， 体积比Ar/02 = 3 : 2，沉积薄膜厚度为20 40nm ;或用Ar和N2作为工作气体反应溅射沉 积氮化硅薄膜作为过渡层，工作气压为0. 27 0. 31Pa，其中体积比Ar/N2 = 0. 7 : 1，沉积 薄膜厚度为20 40nm ; 3)在预镀了过渡层的镀膜玻璃上，或直接在玻璃上用磁控溅射沉积不锈钢膜层；
6用Ar作为工作气体，工作气压为0. 27 0. 31Pa，沉积薄膜厚度为7 15nm ;
4)在已镀了不锈钢膜层的镀膜玻璃上继续沉积氮化钛薄膜，用Ar和N2作为工作 气体反应溅射沉积氮化硅薄膜，用Ar和N2作为工作气体，工作气压为0. 27 0. 31Pa，其中 体积比Ar/N2 = 3 : 2，薄膜厚度为15 25nm， 5)在不锈钢膜层上用磁控溅射沉积硅或硅合金膜层，用Ar作为工作气体，工作气 压为0. 30 0. 37Pa，薄膜厚度为10 200nm ; 6)在硅或硅合金膜层上用磁控溅射方法沉积氮化硅薄膜。用Ar和N2作为工作气 体，工作气压为O. 27 0. 31Pa，其中体积比Ar/N2 = 3 : 2，薄膜厚度为20 40nm。
完全截止紫外线阳光控制低辐射镀膜玻璃的制备方法包括如下步骤
对膜系玻璃-过渡层-硅或硅合金膜层_镍铬膜层_银膜层_镍铬膜层_氮化 硅膜层的制备方法为 1)对待镀膜玻璃用去离子水进行清洗，干燥； 2)将清洁处理过的玻璃直接送入溅射镀膜设备中，在玻璃基片上用磁控溅射沉积 过渡层氧化锡、或氧化锌、或氧化钛；用Ar和02作为工作气体，工作气压为0. 27 0. 31Pa， 体积比Ar/02 = 3 : 2，沉积薄膜厚度为20 40nm ;或用Ar和N2作为工作气体反应溅射沉 积氮化硅薄膜作为过渡层，工作气压为0. 27 0. 31Pa，其中体积比Ar/N2 = 0. 7 : 1，沉积 薄膜厚度为20 40nm ; 3)在预镀了过渡层的镀膜玻璃上，直接在玻璃上用磁控溅射沉积硅或硅合金膜
层。用Ar作为工作气体，工作气压为0. 30 0. 37Pa，薄膜厚度为10 200nm ; 4)在硅或硅合金膜上依次镀制镍铬膜层、银膜层、镍铬膜层和氮化硅膜层；用Ar
作为工作气体，工作气压为0. 30 0. 37Pa，溅射沉积镍铬膜层、银膜层；用Ar和N2反应溅
射沉积氮化硅，工作气压为0. 27 0. 31Pa、其中体积比Ar/N2 = 3:2; 对膜系玻璃-过渡层-镍铬膜层-银膜层-镍铬膜层_硅或硅合金膜层_氮化
硅膜层的制备方法为 1)对待镀膜玻璃用去离子水进行清洗，干燥； 2)将清洁处理过的玻璃直接送入溅射镀膜设备中，在玻璃基片上用磁控溅射沉积 过渡层氧化锡、或氧化锌、或氧化钛；用Ar和02作为工作气体，工作气压为0. 27 0. 31Pa， 体积比Ar/02 = 3 : 2，沉积薄膜厚度为20 40nm ;或用Ar和N2作为工作气体反应溅射沉 积氮化硅薄膜作为过渡层，工作气压为0. 27 0. 31Pa，其中体积比Ar/N2 = 0. 7 : 1，沉积 薄膜厚度为20 40nm ; 3)在预镀了过渡层的镀膜玻璃上，直接在玻璃上用磁控溅射依次沉积镍铬膜层 2 4nm、银膜层6 10nm、镍铬膜层2 4nm ;用Ar作为工作气体，工作气压为0. 30 0. 37Pa， 4)在镍铬膜层上镀制硅或硅合金膜。用Ar作为工作气体，工作气压为0. 30 0. 37Pa，厚度为10 200nm。 5)在硅或硅合金膜层上沉积氮化硅薄膜。用Ar和N2作为工作气体，工作气压为 0. 27 0. 31Pa、其中体积比Ar/N2 = 3 : 2，厚度为20 40nm ; 对膜系玻璃-过渡层-硅或硅合金膜层_透明导电氧化物膜层的制备方法为
1)对待镀膜玻璃用去离子水进行清洗，干燥；
2)将清洁处理过的玻璃直接送入溅射镀膜设备中，在玻璃基片上用磁控溅射沉积 过渡层氧化锡、或氧化锌、或氧化钛或氮化硅；用Ar和(^作为工作气体，工作气压为0. 27 0. 31Pa，体积比Ar/02 = 3:2，沉积薄膜厚度为20 40nm ;或用Ar和N2作为工作气体 反应溅射沉积氮化硅薄膜作为过渡层，工作气压为0. 27 0. 31Pa，其中体积比Ar/N2 = 0.7 : 1，沉积薄膜厚度为20 40nm; 3)在预镀了过渡层的镀膜玻璃上，直接在玻璃上用磁控溅射沉积硅或硅合金膜 层。用Ar作为工作气体，工作气压为0. 30 0. 37Pa，薄膜厚度为10 200nm。
4)在硅或硅合金膜层上沉积透明导电氧化物薄膜，用Ar作为工作气体，工作气压 为0. 30 0. 37Pa，薄膜厚度为280 310nm。 有益效果本发明的制备方法与现有的在玻璃组分中添加铈离子熔制玻璃制备的
紫外线吸收玻璃相比，具有工艺简单灵活的特点；与现有的溅射镀膜法相比，膜层成分简
单、溅射靶材费用低的特点。根据膜层的厚度可以调整可见光的透射率。 本发明在汽车、火车、轮船、建筑、家电用玻璃和照明玻璃灯具工业方面具有广泛
的应用，前景广阔。
具体实施方式
实例1 : 用溅射方法制备完全截止紫外线镀膜玻璃，包括如下步骤 1)对待镀膜玻璃基片进行清洗、干燥；基片玻璃对太阳光谱中紫外线的透射率为 4% ; 2)工作气压为0. 30Pa，用Ar和02反应溅射沉积，其中Ar/02 = 3 : 2 (体积比)， 在玻璃基片上镀制过渡层二氧化锡、或氧化锌、或氧化钛；或用Ar和N2反应溅射沉积氮化 硅薄膜作为过渡层，工作气压为0. 30Pa，其中Ar/N2 = 0. 7 : 1 (体积比)；
3)工作气压为0. 35Pa，用Ar作为工作气体。在过渡层上镀制硅或硅合金膜；
得到的完全截止紫外线镀膜玻璃性能如下过渡层膜厚30nm、硅或硅合金膜厚 80nm ;可见光透过率62X，400nm以下波长的紫外线截止率100% ;膜层反射色呈淡黄；镀膜 玻璃的理化性能符合"镀膜玻璃理化性能测试标准"中规定的国家标准。
实例2 : 用溅射方法制备完全截止紫外线镀膜玻璃，包括如下步骤 1)首先对待镀膜玻璃基片进行清洗、干燥；基片玻璃对太阳光谱中紫外线的透射 率为4% ; 2)工作气压为0. 35Pa，用Ar作为工作气体。直接在玻璃基片上镀制硅或硅合金 膜； 得到的完全截止紫外线镀膜玻璃的性能如下硅或硅合金膜厚160nm ;可见光透 过率42X，400nm以下波长的紫外线截止率100% ;膜层反射色呈黄色；镀膜玻璃的理化性 能符合"镀膜玻璃理化性能测试标准"中规定的国家标准。
实例3 : 用溅射方法制备完全截止紫外线阳光控制镀膜玻璃，包括如下步骤 1)对待镀膜玻璃基片进行清洗、干燥；基片玻璃对太阳光谱中紫外线的透射率为
84% ; 2)工作气压为0. 30Pa，用Ar和02反应溅射沉积，其中Ar/02 = 3 : 2 (体积比)， 在玻璃基片上镀制过渡层二氧化锡、或氧化锌、或氧化钛；或用Ar和N2反应溅射沉积氮化 硅薄膜作为过渡层，工作气压为0.30Pa，其中Ar/A二0.7 : l(体积比)；或不镀制过渡层；
3)工作气压为0. 35Pa，用Ar作为工作气体。在过渡层上或直接在玻璃上镀制硅 或硅合金膜； 4)工作气压为0. 30Pa，用Ar作为工作气体溅射沉积不锈钢；用Ar和N2反应溅射 沉积氮化钛和氮化硅，工作气压为0. 30Pa、其中Ar/N2 = 3 : 2 (体积比)。在硅或硅合金 膜上依次镀制不锈钢膜层、氮化钛膜层和氮化硅膜层。 得到的完全截止紫外线阳光控制镀膜玻璃的性能如下过渡层膜厚30nm、硅或硅 合金膜厚30nm ;不锈钢膜层、氮化钛膜层和氮化硅膜层的厚度分别为10nm、20nm和30nm ; 可见光透过率38. 9% ， 400nm以下波长的紫外线截止率100% ;遮阳系数0. 3 ;膜系反射色呈
微淡黄。镀膜玻璃的理化性能符合"镀膜玻璃理化性能测试标准"中规定的国家标准。
实例4 : 用溅射方法制备完全截止紫外线阳光控制镀膜玻璃，包括如下步骤 1)对待镀膜玻璃基片进行清洗、干燥；基片玻璃对太阳光谱中紫外线的透射率为
4% ; 2)工作气压为0. 30Pa，用Ar和02反应溅射沉积，其中Ar/02 = 3 : 2 (体积比)， 在玻璃基片上镀制过渡层二氧化锡、或氧化锌、或氧化钛的一种；或用Ar和N2反应溅射沉 积氮化硅薄膜作为过渡层，工作气压为0.30Pa，其中Ar/^二0.7 : l(体积比)；或不镀制 过渡层； 3)工作气压为0. 30Pa，用Ar作为工作气体溅射沉积不锈钢；用Ar和N2反应溅射 沉积氮化钛，工作气压为0. 30Pa、其中Ar/N2 = 3 : 2 (体积比)；用Ar作为工作气体，工作 气压为O. 35Pa，镀制硅或硅合金膜；工作气压为O. 30Pa，Ar/N2 = 3 : 2(体积比)，用Ar和 K反应溅射沉积氮化硅。 在玻璃基片上依次镀制过渡层(或不镀制过渡层)、不锈钢膜层、氮化钛膜层、硅 或硅合金膜和氮化硅膜层。 得到的完全截止紫外线阳光控制镀膜玻璃的性能如下过渡层膜厚30nm、硅或硅 合金膜厚30nm ;不锈钢膜层、氮化钛膜层和氮化硅膜层的厚度分别为10nm、20nm和30nm ; 可见光透过率38. 9% ， 400nm以下波长的紫外线截止率100% ;遮阳系数0. 3 ;膜系反射色呈
微淡黄。镀膜玻璃的理化性能符合"镀膜玻璃理化性能测试标准"中规定的国家标准。
实例5 : 用溅射方法制备完全截止紫外线阳光控制低辐射镀膜玻璃，包括如下步骤
1)对待镀膜玻璃基片进行清洗、干燥；基片玻璃对太阳光谱中紫外线的透射率为 4% ; 2)用Ar和02反应溅射沉积二氧化锡、或氧化锌、或氧化钛，工作气压为0. 30Pa、 其中Ar/02 = 3 : 2 (体积比)；或用Ar和N2反应溅射沉积氮化硅，工作气压为0. 30Pa、其 中Ar/K二3 : 2(体积比)。在玻璃基片上镀制过渡层二氧化锡、或氧化锌、或氧化钛、或 氮化硅的一种，或不镀制过渡层；
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3)工作气压为0. 35Pa，用Ar作为工作气体。在过渡层上或直接在玻璃上镀制硅 或硅合金膜； 4)工作气压为0. 35Pa，用Ar作为工作气体溅射沉积镍铬膜层、银膜层；用Ar和N2 反应溅射沉积氮化硅，工作气压为0. 30Pa、其中Ar/N2 = 3 : 2 (体积比)。在硅或硅合金 膜上依次镀制镍铬膜层、银膜层、镍铬膜层和氮化硅膜层。 得到的完全截止紫外线阳光控制低辐射镀膜玻璃的性能如下过渡层膜厚30nm、 硅或硅合金膜厚30nm ;镍铬膜层、银膜层、镍铬膜层和氮化硅膜层的厚度分别为2nm、8nm、 2nm和30nm;可见光透过率48. 9%，400nm以下波长的紫外线截止率100% ;遮阳系数O. 6 ; 辐射率O. 12 ;膜系反射色呈微淡黄。镀膜玻璃的理化性能符合"镀膜玻璃理化性能测试标 准"中规定的国家标准。
实例6: 用溅射方法制备完全截止紫外线阳光控制低辐射镀膜玻璃，包括如下步骤
1)对待镀膜玻璃基片进行清洗、干燥；基片玻璃对太阳光谱中紫外线的透射率为 4% ; 2)用Ar和02反应溅射沉积二氧化锡、或氧化锌、或氧化钛，工作气压为0. 30Pa、 其中Ar/02 = 3 : 2 (体积比)；或用Ar和N2反应溅射沉积氮化硅，工作气压为0. 30Pa、其 中Ar/K二3 : 2(体积比)。在玻璃基片上镀制过渡层二氧化锡、或氧化锌、或氧化钛、或 氮化硅的一种，或不镀制过渡层； 3)工作气压为O. 35Pa，用Ar作为工作气体溅射沉积镍铬膜层、银膜层、镍铬膜层。
4)工作气压为0. 35Pa，用Ar作为工作气体。在镍铬膜层上镀制硅或硅合金膜；
5)用Ar和N2反应溅射在硅或硅合金膜层上沉积氮化硅，工作气压为0. 30Pa、其 中Ar/N2 = 3 : 2(体积比); 在玻璃上依次镀制过渡层、镍铬膜层、银膜层、镍铬膜层、硅或硅合金膜和氮化硅 膜层。 得到的完全截止紫外线阳光控制低辐射镀膜玻璃的性能如下过渡层膜厚30nm、 硅或硅合金膜厚30nm ;镍铬膜层、银膜层、镍铬膜层和氮化硅膜层的厚度分别为2nm、8nm、 2nm和30nm;可见光透过率48. 9%，400nm以下波长的紫外线截止率100% ;遮阳系数O. 6 ; 辐射率O. 12 ;膜系反射色呈微淡黄。镀膜玻璃的理化性能符合"镀膜玻璃理化性能测试标 准"中规定的国家标准。
实例7 : 用溅射方法制备完全截止紫外线阳光控制低辐射镀膜玻璃，包括如下步骤
1)对待镀膜玻璃基片进行清洗、干燥；基片玻璃对太阳光谱中紫外线的透射率为 4% ; 2)用Ar和02反应溅射沉积二氧化锡、或氧化锌、或氧化钛，工作气压为0. 30Pa、 其中Ar/02 = 3 : 2 (体积比)；或用Ar和N2反应溅射沉积氮化硅，工作气压为0. 30Pa、其 中Ar/K二3 : 2(体积比)。在玻璃基片上镀制过渡层二氧化锡、或氧化锌、或氧化钛、或 氮化硅的一种，或不镀制过渡层； 3)工作气压为0. 35Pa，用Ar作为工作气体在过渡层上或直接在玻璃上镀制硅或 硅合金膜；
4)工作气压为0. 35Pa，用Ar作为工作气体在硅或硅合金膜上镀透明导电氧化物 膜。 得到的完全截止紫外线阳光控制低辐射镀膜玻璃的性能如下过渡层膜厚30nm、 硅或硅合金膜厚90nm ;透明导电氧化物膜厚300nm ;可见光透过率54. 9%，400nm以下波长
的紫外线截止率100%;遮阳系数0. 62 ;辐射率O. 15 ;膜系反射色呈微淡黄。镀膜玻璃的理
化性能符合"镀膜玻璃理化性能测试标准"中规定的国家标准。
权利要求
一种含有硅膜层的截止紫外线镀膜玻璃，其特征在于镀膜玻璃的膜系中含有硅或硅合金膜层，该镀膜玻璃是在玻璃基片上镀有硅或硅合金膜，形成完全截止紫外线的低辐射镀膜玻璃，或完全截止紫外线阳光控制镀膜玻璃，或完全截止紫外线阳光控制低辐射镀膜玻璃，完全截止紫外线的低辐射镀膜玻璃为玻璃-过渡层-硅或硅合金膜层-氮化硅膜层，或玻璃-硅或硅合金膜层-氮化硅膜层；完全截止紫外线阳光控制镀膜玻璃为玻璃-过渡层-硅或硅合金膜层-不锈钢膜层-氮化钛膜层-氮化硅膜层，或玻璃-过渡层-不锈钢膜层-氮化钛膜层-硅或硅合金膜层-氮化硅膜层；完全截止紫外线阳光控制低辐射镀膜玻璃为玻璃-过渡层-硅或硅合金膜层-镍铬膜层-银膜层-镍铬膜层-氮化硅膜层，或玻璃-过渡层-镍铬膜层-银膜层-镍铬膜层-硅或硅合金膜层-氮化硅膜层，或玻璃-硅或硅合金膜层-透明导电氧化物膜层、或玻璃-过渡层-硅或硅合金膜层-透明导电氧化物膜层；利用硅或硅合金膜的截止波长在400nm～550nm的特点，完全截止紫外线。
2. 根据权利要求1所述的含有硅膜层的截止紫外线镀膜玻璃，其特征在于，所述的过 渡层为二氧化锡、或氧化锌、或氧化钛或氮化硅；透明导电氧化物膜层包含铝掺杂氧化锌或 铟掺杂二氧化锡。
3. 根据权利要求1或2所述的含有硅膜层的截止紫外线镀膜玻璃，其特征在于，在玻璃 基片上的硅或硅合金膜硅层用的靶材是纯硅靶或掺加了 B、P、Al、C或Ge的硅合金靶材。
4. 根据权利要求1所述的完全截止紫外线的低辐射镀膜玻璃，其特征在于，硅或硅合 金膜层的厚度为10 200纳米。
5. —种如权利要求1所述的含有硅膜层的截止紫外线镀膜玻璃，其特征在于完全截止 紫外线的低辐射镀膜玻璃的制备方法包括如下步骤1) 对待镀膜玻璃用去离子水进行清洗，干燥；2) 将清洁处理过的玻璃直接送入溅射镀膜设备中，在玻璃基片上用磁控溅射沉积过 渡层二氧化锡、氧化锌、氧化钛或氮化硅；用Ar和02作为工作气体，工作气压为0. 27 0. 31Pa，体积比Ar/02 = 3:2，沉积二氧化锡，氧化锌，氧化钛薄膜，厚度为20 40nm ;用 Ar和N2作为工作气体反应溅射沉积氮化硅薄膜作为过渡层，工作气压为0. 27 0. 31Pa， 其中体积比Ar/N2 = 0. 7 : l，沉积薄膜厚度为20 40nm ;3) 将预镀了过渡层或直接在清洁处理过的玻璃基片上，用磁控溅射沉积硅或硅合金膜 层，用Ar作为工作气体，工作气压为0. 30 0. 37Pa，薄膜厚度为10 200nm ;4) 在硅或硅合金膜层上用磁控溅射方法沉积氮化硅薄膜。用Ar和^作为工作气体， 工作气压为0. 27 0. 31Pa，其中体积比Ar/N2 = 3 : 2，薄膜厚度为7 15nm。
6. —种如权利要求1所述的含有硅膜层的截止紫外线镀膜玻璃，其特征在于，完全截 止紫外线阳光控制镀膜玻璃的制备方法包括如下步骤其中对膜系玻璃_过渡层_硅或硅合金膜层_不锈钢膜层_氮化钛膜层_氮化硅膜 层的制备方法为1) 对待镀膜玻璃用去离子水进行清洗，干燥；2) 将清洁处理过的玻璃直接送入溅射镀膜设备中，在玻璃基片上用磁控溅射沉积过渡层二氧化锡、或氧化锌、或氧化钛；用Ar和02作为工作气体，工作气压为0. 27 0. 31Pa，体 积比Ar/02 = 3 : 2，沉积薄膜厚度为20 40nm ;或用Ar和N2作为工作气体反应溅射沉积 氮化硅薄膜作为过渡层，工作气压为0. 27 0. 31Pa，其中体积比Ar/N2 = 0. 7 : 1，沉积薄 膜厚度为20 40nm ;3) 在预镀了过渡层的镀膜玻璃上，直接在玻璃上用磁控溅射沉积硅或硅合金膜层；用 Ar作为工作气体，工作气压为0. 30 0. 37Pa，薄膜厚度为10 200nm ;4) 在硅或硅合金膜层上用磁控溅射方法依次沉积不锈钢膜层，氮化钛膜层和氮化硅膜 层；其中，不锈钢膜层用Ar作为工作气体，工作气压为0. 27 0. 31Pa，沉积薄膜厚度为7 15nm ;氮化钛和氮化硅膜层，均用Ar和N2作为工作气体，工作气压为0. 27 0. 31Pa，其中 体积比Ar/N2 = 3:2，薄膜厚度分别为15 25nm和20 40nm ;对膜系玻璃_过渡层_不锈钢膜层_氮化钛膜层_硅或硅合金膜层_氮化硅膜层的 制备方法为1) 对待镀膜玻璃用去离子水进行清洗，干燥；2) 将清洁处理过的玻璃直接送入溅射镀膜设备中，在玻璃基片上用磁控溅射沉积过渡 层氧化锡、或氧化锌、或氧化钛；用Ar和02作为工作气体，工作气压为0. 27 0. 31Pa，体积 比Ar/02 = 3 : 2，沉积薄膜厚度为20 40nm ;或用Ar和N2作为工作气体反应溅射沉积氮 化硅薄膜作为过渡层，工作气压为0. 27 0. 31Pa，其中体积比Ar/N2 = 0. 7 : 1，沉积薄膜 厚度为20 40nm ;3) 在预镀了过渡层的镀膜玻璃上，或直接在玻璃上用磁控溅射沉积不锈钢膜层；用Ar 作为工作气体，工作气压为0. 27 0. 31Pa，沉积薄膜厚度为7 15nm ;4) 在已镀了不锈钢膜层的镀膜玻璃上继续沉积氮化钛薄膜，用Ar和N2作为工作气体 反应溅射沉积氮化硅薄膜，用Ar和N2作为工作气体，工作气压为0. 27 0. 31Pa，其中体积 比Ar/N2 = 3:2，薄膜厚度为15 25nm ;5) 在不锈钢膜层上用磁控溅射沉积硅或硅合金膜层，用Ar作为工作气体，工作气压为 0. 30 0. 37Pa，薄膜厚度为10 200nm ;6) 在硅或硅合金膜层上用磁控溅射方法沉积氮化硅薄膜。用Ar和K作为工作气体， 工作气压为0. 27 0. 31Pa，其中体积比Ar/N2 = 3 : 2，薄膜厚度为20 40nm。
7. —种如权利要求1所述的含有硅膜层的截止紫外线镀膜玻璃，其特征在于，完全截 止紫外线阳光控制低辐射镀膜玻璃的制备方法包括如下步骤对膜系玻璃_过渡层_硅或硅合金膜层_镍铬膜层_银膜层_镍铬膜层_氮化硅膜 层的制备方法为1) 对待镀膜玻璃用去离子水进行清洗，干燥；2) 将清洁处理过的玻璃直接送入溅射镀膜设备中，在玻璃基片上用磁控溅射沉积过渡 层氧化锡、或氧化锌、或氧化钛；用Ar和02作为工作气体，工作气压为0. 27 0. 31Pa，体积 比Ar/02 = 3 : 2，沉积薄膜厚度为20 40nm ;或用Ar和N2作为工作气体反应溅射沉积氮 化硅薄膜作为过渡层，工作气压为0. 27 0. 31Pa，其中体积比Ar/N2 = 0. 7 : 1，沉积薄膜 厚度为20 40nm ;3) 在预镀了过渡层的镀膜玻璃上，直接在玻璃上用磁控溅射沉积硅或硅合金膜层。用 Ar作为工作气体，工作气压为0. 30 0. 37Pa，薄膜厚度为10 2Q0nm ;4)在硅或硅合金膜上依次镀制镍铬膜层、银膜层、镍铬膜层和氮化硅膜层；用Ar作为 工作气体，工作气压为0. 30 0. 37Pa，溅射沉积镍铬膜层、银膜层；用Ar和N2反应溅射沉 积氮化硅，工作气压为0. 27 0. 31Pa、其中体积比Ar/N2 = 3:2;对膜系玻璃_过渡层_镍铬膜层_银膜层_镍铬膜层_硅或硅合金膜层_氮化硅膜 层的制备方法为1) 对待镀膜玻璃用去离子水进行清洗，干燥；2) 将清洁处理过的玻璃直接送入溅射镀膜设备中，在玻璃基片上用磁控溅射沉积过渡 层氧化锡、或氧化锌、或氧化钛；用Ar和02作为工作气体，工作气压为0. 27 0. 31Pa，体积 比Ar/02 = 3 : 2，沉积薄膜厚度为20 40nm ;或用Ar和N2作为工作气体反应溅射沉积氮 化硅薄膜作为过渡层，工作气压为0. 27 0. 31Pa，其中体积比Ar/N2 = 0. 7 : 1，沉积薄膜 厚度为20 40nm ;3) 在预镀了过渡层的镀膜玻璃上，直接在玻璃上用磁控溅射依次沉积镍铬膜层2 4nm、银膜层6 10nm、镍铬膜层2 4nm ;用Ar作为工作气体，工作气压为0. 30 0. 37Pa，4) 在镍铬膜层上镀制硅或硅合金膜。用Ar作为工作气体，工作气压为O. 30 0. 37Pa， 厚度为10 200nm。5) 在硅或硅合金膜层上沉积氮化硅薄膜。用Ar和^作为工作气体，工作气压为0. 27 0. 31Pa、其中体积比Ar/N2 = 3 : 2，厚度为20 40nm ;对膜系玻璃_过渡层_硅或硅合金膜层_透明导电氧化物膜层的制备方法为1) 对待镀膜玻璃用去离子水进行清洗，干燥；2) 将清洁处理过的玻璃直接送入溅射镀膜设备中，在玻璃基片上用磁控溅射沉积过 渡层氧化锡、或氧化锌、或氧化钛或氮化硅；用Ar和02作为工作气体，工作气压为0. 27 0. 31Pa，体积比Ar/02 = 3:2，沉积薄膜厚度为20 40nm ;或用Ar和N2作为工作气体 反应溅射沉积氮化硅薄膜作为过渡层，工作气压为0. 27 0. 31Pa，其中体积比Ar/N2 = 0.7 : 1，沉积薄膜厚度为20 40nm;3) 在预镀了过渡层的镀膜玻璃上，直接在玻璃上用磁控溅射沉积硅或硅合金膜层。用 Ar作为工作气体，工作气压为0. 30 0. 37Pa，薄膜厚度为10 200nm。4) 在硅或硅合金膜层上沉积透明导电氧化物薄膜，用Ar作为工作气体，工作气压为 0. 30 0. 37Pa，薄膜厚度为280 310nm。
全文摘要
本发明的目的在于提供一种用磁控溅射方法制备的完全截止紫外线镀膜玻璃及其制备方法，包含完全截止紫外线阳光控制、完全截止紫外线阳光控制低辐射镀膜玻璃及其制备方法。在玻璃基片上镀制硅或硅合金膜作为紫外线吸收膜，利用硅或硅合金膜的截止波长在400nm～550nm的特点，完全截止紫外线。所述的硅或硅合金膜层的厚度为10～200纳米，用Ar作为工作气体，工作气压为0.30～0.37Pa。用单纯硅靶材溅射沉积硅膜、或在单纯硅中掺加B、P、Al、C和Ge形成的硅合金靶材溅射沉积硅合金膜。本发明在汽车、火车、轮船、建筑、家电用玻璃材料和照明玻璃灯具工业方面具有广泛的应用，前景广阔。
文档编号C03C17/36GK101717202SQ200910234399
公开日2010年6月2日 申请日期2009年11月24日 优先权日2009年11月24日
发明者卢秀强, 董玉红, 赵青南 申请人:江苏秀强玻璃工艺股份有限公司