专利名称：一种开方机中多晶硅锭的放置结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种多晶硅锭切方的加工技术，具体涉及一种开方机中多晶硅锭的放
置结构。
背景技术：
多晶硅锭在铸锭炉内生产过程中，在惰性气体环境下，将石英坩埚内的半导体材料硅融化；通过隔热层的提升，在热场内产生温度梯度，从而控制晶体由下往上定向生长，在生长过程中，硅料中含有的杂质会自动聚集到多晶硅锭的上表面。若多晶硅锭不翻转，直接放入开方机中开方，会造成多晶硅棒暗裂、拉锭的现象发生。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术的不足，提供一种开方机中多晶硅锭的放置结构，解决了因多晶硅锭在开方前没有翻锭所引起的多晶硅棒暗裂、拉锭，从而影响产量和增加了生产成本等问题。本发明采用的技术方案是一种开方机中多晶硅锭的放置结构，包括多晶硅锭、晶托和杂质层，所述多晶硅锭的下表面设置有杂质层，所述杂质层的下表面与所述晶托固定连接。
本发明通过发泡剂将多晶硅锭与晶托粘牢后放入多线开方机中，开方机通过钢线将硅锭切成25个多晶硅棒。当钢线切至晶托与多晶硅锭连接处时，多晶硅锭底部的部分一般都会出现暗裂和拉锭的现象。多晶硅锭翻转后再开方时，出现暗裂和拉锭的部分就会在杂质层中，而在下一道工序中杂质层会被切除，所以即使出现暗裂和拉锭现象也不会对产品的合格率、产量等产生影响。有益效果本发明将多晶硅锭翻转再与晶托粘牢后放入开方机中开方，提高了产品的合格率，增加了产量，降低了生产成本。
附图为本发明的结构示意图。
具体实施例方式下面结合附图和具体实施方式
对本发明作进一步说明
如附图所示一种开方机中多晶硅锭的放置结构，包括多晶硅锭I、晶托2和杂质层3，所述多晶硅锭I的下表面设置有杂质层3，所述杂质层3的下表面与所述晶托2固定连接。
权利要求
1.一种开方机中多晶硅锭的放置结构，其特征在于包括多晶硅锭(I)、晶托(2)和杂质层(3)，所述多晶硅锭(I)的下表面设置有杂质层(3)，所述杂质层(3)的下表面与所述晶托(2)固定连接。
全文摘要
本发明公开了一种开方机中多晶硅锭的放置结构，包括多晶硅锭、晶托和杂质层，所述多晶硅锭的下表面设置有杂质层，所述杂质层的下表面与所述晶托固定连接。本发明将多晶硅锭翻转再与晶托粘牢后放入开方机中开方，提高了产品的合格率，增加了产量，降低了生产成本。
文档编号B28D5/04GK102765140SQ201110114840
公开日2012年11月7日 申请日期2011年5月5日 优先权日2011年5月5日
发明者姚兴平 申请人:江苏新潮光伏能源发展有限公司