专利名称：可异地加工的单银低辐射镀膜玻璃的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种镀膜玻璃，尤其是涉及一种可异地加工的单银低辐射镀膜玻璃。
背景技术：
目前市场上普通单银低辐射镀膜产品，随着国产设备性能的提升及大批量的投入使用，市场进一步被蚕食、压缩，这对于大型的玻璃深加工企业来说，其为了保持与小型加工厂在竞争中的竞争优势，就必须利用自身国外设备性能的优势，来提高生产效率，因此， 就出现了可异地加工的单银低辐射镀膜玻璃，利用高效的生产效率和降低成本来提升产品的竞争力，然而目前市场上的可异地加工单银低辐射镀膜玻璃，经常由于膜层硬度不够，抗氧化能力较差，在预处理过程中造成划伤、擦伤，且储存时间稍长便会出现氧化的问题。
发明内容为了克服现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种性能稳定、耐磨、抗氧化性能好，且能提供透光率的可异地加工的单银低辐射镀膜玻璃。本实用新型是通过以下技术方案来实现的一种可异地加工的单银低辐射镀膜玻璃，包括基板玻璃和镀膜层，镀膜层包括以基板玻璃为基础层向外依次镀覆的第一电介质层、第一保护层jg层、第二保护层和第二电介质层，其中第一电介质层和第二电介质层的材料为Si3N4，其特征在于，所述的第一保护层的材料为ΑΖ0，而第二保护层的材料为&0。本实用新型的有益效果是本实用新型通过采用AZO材料和ZrO材料分别作为保护层分镀在银层的前后两侧，使得产品本身的耐磨性及抗氧化性能得到了很大的提高， 能够承受长途运输、预加工处理(如切割、洗磨)，甚至是高温处理(如钢化、热弯)，在此过程中，其外观和性能均不会受到影响，并且具有很高的透过率，其热功性能优于普通的但银低辐射玻璃，且非常易于长期储存。
图1为本实用新型一实施例的结构示意图。图中主要附图标记含义为1、基板玻璃2、第一电介质层 3、第一保护层4、Ag层5、第二保护层6、第二电介质层。
具体实施方式
下面将结合附图，详细说明本实用新型的具体实施方式
图1为本实用新型一实施例的结构示意图。如图1所示可异地加工的单银低辐射镀膜玻璃，包括基板玻璃1和镀膜层，其中，镀膜层包括以基板玻璃为基础层向外依次镀覆的第一电介质层2、第一保护层3 jg层4、第二保护层5和第二电介质层6，其中第一电介质层2和第二电介质层6的材料为Si3N4，而所述的第一保护层3的材料为ΑΖ0，第二保护层5的材料为&0。此外，本实用新型的生产工艺为首先选用新鲜的基板玻璃1，然后通过清洗机清洗达到要求后，干燥，经过预真空过渡后，按顺序依次镀制第一电介质层2、第一保护层3、 Ag层4、第二保护层5和第二电介质层6。更为具体的是其中的第一电介质层2和第二电介质层6是通过旋转交流阴极的硅铝靶在氮、氩氛围中溅射形成，其中Si:Al=92:8，其作用为a、在银层和电解质层之间提供吸附力；b、保护整个膜层结构，减少其氧化，提高其物理和化学性能；C、控制膜系的光学性能和颜色。银层，通过直流平面阴极的银靶在氩气氛围中溅射，其作用是银层作为主要功能层，降低了辐射率，以起到隔热、保温的效果。而第一保护层3通过旋转交流阴极AZO靶在氧、氩氛围中溅射，作用是a、保护银层不被氧化；b、增加银层同其它膜层的结合力；C、为银层成膜做好铺垫，并能保证复合膜的透过率。第二保护层5通过直流平面阴极^ 靶在氧、氩氛围中溅射，作用是a、加强对银层的保护；b、增加银层同其它膜层的结合力。本实用新型使用德国冯.阿登纳的磁控溅射镀膜机，采用表1列出工艺参数，使用 7个交流旋转双阴极，4个直流平面阴极，制出本实用新型使用新材料的可异地加工低辐射单银镀膜玻璃，其工艺参数和靶的位置列表如下表1 使用新型材料的可异地加工单银低辐射镀膜玻璃靶位及工艺参数
权利要求1. 一种可异地加工的单银低辐射镀膜玻璃，包括基板玻璃和镀膜层，镀膜层包括以基板玻璃为基础层向外依次镀覆的第一电介质层、第一保护层、Ag层、第二保护层和第二电介质层，其中第一电介质层和第二电介质层的材料为Si3N4，其特征在于，所述的第一保护层的材料为ΑΖ0，而第二保护层的材料为&0。
专利摘要本实用新型公开了一种可异地加工的单银低辐射镀膜玻璃，包括基板玻璃和镀膜层，镀膜层包括以基板玻璃为基础层向外依次镀覆的第一电介质层、第一保护层、Ag层、第二保护层和第二电介质层，其中第一电介质层和第二电介质层的材料为Si3N4，所述的第一保护层的材料为AZO，而第二保护层的材料为ZrO。本实用新型通过采用AZO和ZrO材料分别作为保护层分镀在银层前后两侧，使得产品的耐磨性及抗氧化性能得到了很大的提高，能够承受长途运输、预加工处理(如切割、洗磨)，甚至是高温处理(如钢化、热弯)，在此过程中，其外观和性能均不会受到影响，并且具有很高的透过率，其热功性能优于普通的单银低辐射玻璃，且非常易于长期储存。
文档编号C03C17/36GK201962204SQ20112005413
公开日2011年9月7日 申请日期2011年3月3日 优先权日2011年3月3日
发明者林嘉宏 申请人:林嘉宏