具有保护膜层的镀膜玻璃的制作方法

文档序号:1873162阅读:482来源:国知局
专利名称:具有保护膜层的镀膜玻璃的制作方法
技术领域
本实用新型涉及玻璃深加工中的镀膜技术领域,具体是ー种具有保护膜层的镀膜玻璃。
背景技术
镀膜玻璃是在玻璃表面涂镀ー层或多层金属、合金或金属化合物的薄膜,用以改变玻璃的光学性能,满足某种特定要求。镀膜玻璃在人们日常生活中的应用越来越广泛,不单用于建筑领域,而且很多生活用品也用玻璃为材料。但是,镀膜玻璃在运输和存储的过程中,基片膜层容易发生划伤、磨损的情况,其功能层银膜也很容易氧化,并且镀膜玻璃在进行各种深加工和热处理后,物理化学性能容易发生改变。针对上述问题,目前玻璃制造企业 采用的方法是使用PE有机贴膜保护基片膜层,它可以起到一定的保护作用。但是,在使用基片时,需要人工揭膜,该保护膜不能重复利用且不易降解,批量使用会造成大量固体废弃物,对环境造成严重的负面影响。

实用新型内容本实用新型的技术目的是解决现有技术中存在的问题,提供ー种光学性能稳定、不易发生氧化的镀膜玻璃。本实用新型的技术方案是ー种具有保护膜层的镀膜玻璃,包括玻璃基片和镀制在玻璃基片上的镀膜层,其特征在于,所述镀膜层以玻璃基片为基础自内向外依次包括沉积在所述玻璃基片上的第一保护层;沉积在所述第一保护层上的第一电介质层;沉积在所述第一电介质层上的第二保护层;沉积在所述第二保护层上的功能膜层;沉积在所述功能膜层上的第三保护层;沉积在第三保护层上的第二电介质层;沉积在所述第二电介质层上的外保护膜层。进ー步的技术方案还包括作为优选,所述外保护膜层设为碳膜层;所述第一保护层、第二保护层、第三保护层优选为NiCr、Cr、Ti或不锈钢材料膜层中的ー种;所述第一电介质层、所述第二电介质层优选为Sn02、ZnS03、ZnO、Si3N4或TiO2材料膜层中的ー种;所述功能膜层为银层;作为优选,所述第一保护层、第二保护层、第三保护层的膜厚范围设为3_8nm;所述第一电介质层、第二电介质层的膜厚设为16-100nm ;所述外保护膜层的厚度范围设为O. I-O. 5 μ m。本实用新型的有益效果I)、通过在玻璃基片上设置第一保护层有效的阻止了 Na+扩散,避免了 Na+扩散对薄膜沉积性能和色系的不利影响,并起到降低反射,提高玻璃机械化强度的作用;2)、在功能膜层上下两侧沉积第二保护层和第三保护层提高功能膜层的抗氧化性能,延长其保存时间,増加膜层之间的附着力,同时增强玻璃的可加工性;3)、通过在所述功能膜层上沉积外保护膜层,提高玻璃的耐腐蚀性与耐磨损性,便于玻璃的运输和储存。作为优选的炭膜层,膜层材料环保,使用时易于去除,同时还使得玻璃具有高硬度、低摩擦系数的优点,具有良好耐腐蚀性与耐磨损性。

图I是本实用新型具有保护膜层的镀膜玻璃的结构示意图;图2是本实用新型具有保护膜层的镀膜玻璃的制备流程示意图。
具体实施方式
为了阐明本实用新型的技术方案、构造特征、产品功效及技术目的,
以下结合附图及具体实施方式
对本实用新型做进ー步的介绍。如图I所示,本实用新型的ー种具有保护膜层的镀膜玻璃I,包括玻璃基片10和镀制在玻璃基片10上的镀膜,其膜层结构自玻璃基片10向外依次为沉积在所述玻璃基片10上的第一保护层11 ;沉积在所述第一保护层11上的第一电介质层12 ;沉积在所述第一电介质层12上的第二保护层13 ;沉积在所述第二保护层13上的功能膜层14 ;沉积在所述功能膜层14上的第三保护层15 ;沉积在所述第三保护层15上的第二电介质层16 ;沉积在所述第二电介质层16上的外保护膜层17。其中,所述第一保护层11、第二保护层13以及第三保护层15优选NiCr、Cr、不锈钢、Ti等材料中的一种镀制膜层。所述功能膜层14为具有低辐射性能的银层,起到増加保温或隔热效果的作用。所述第一电介质层12与所述第二电介质层16优选Sn02、ZnSO3> ZnO> Si3N4、TiO2等材料中的一种镀制膜层。为了使玻璃具有高硬度、低摩擦系数、良好耐腐蚀性与耐磨损性等特性,在本实用新型中,所述外保护膜层17优选的为碳膜层,其可以通过650°以上的热处理去除。如图2所示,为ー种制备上述具有保护膜层的镀膜玻璃的制备方法,采用真空磁控溅射设备镀膜,其制备流程具体包括以下步骤步骤SI :提供玻璃基片10 ;步骤S2 :在所述玻璃基片10上沉积第一保护层11,所述第一保护层11通过直流单靶材溅射形成,靶材为NiCr IE,其溅射条件为背景真空度为3. 2 X 10_3mbar,在纯氩 气环境中溅射,所述第一保护层11的膜厚为3-8nm ;[0039]步骤S3 :在所述第一保护层11上沉积第一电介质层12。所述第一电介质层12通过交流双靶溅射形成,其溅射条件为背景真空度为3.0X10_3mbar,在氮氩或者氩氧环境中派射。其中,充入IS气和氮气时,IS气和氮气的体积比为30 : 35,所述第一电介质层12的膜厚为16-100nm ;步骤S4 :在所述第一电介质层12上沉积第二保护层13。所述第二保护层13通过直流单祀材派射形成,祀材为NiCr革E,其派射条件为背景真空度为2. 85X 10_3mbar,充入纯氩气溅射,所述第二保护层13的膜厚为3-8nm ;步骤S5 :在所述第二保护层13上沉积功能膜层14。所述功能膜层14是通过直流单革G材派射形成。其中,派射条件为背景真空度为4. 5X 10_3mbar,在纯気气环境中派射;步骤S6 :在所述功能膜层14上沉积第三保护层15。所述第三保护层15通过直流单革巴材派射形成,祀材为NiCr革E,其派射条件为背景真空度为2. 85X 10_3mbar,充入纯気气溅射,所述第三保护层15的膜厚为3-8nm ;步骤S7 :在所述第三保护层15上沉积第二电介质层16。所述第二电介质层16通过交流双靶溅射形成,其溅射条件为背景真空度为3. OX 10_3mbar,在充入氩气、氮气或者氩气、氧气的混合气体的环境下溅射。其中,充入氩气和氮气时,氩气和氮气的体积比为30 35,所述第二电介质层16的膜厚为16-100nm;步骤S8 :在所述第二电介质层16上沉积外保护膜层17。所述外保护膜层17是由碳材料构成,所述外保护膜层17是将100%含碳氢源通入反应器中经薄膜エ艺形成。在本实用新型中优选的含碳氢源为甲烷,所述薄膜エ艺可采用化学气相沉积、离子蒸镀或反应磁控溅射。具体的,以等离子体离子蒸镀为例,该薄膜沉积エ艺是将基板载体通以高周波电源,使反应器的真空腔体壁产生电容放电,等离子体甲烷解离,使甲烷离子凭借高周波的自我偏压所得到的能量直接轰击基板,エ艺真空背景維持在I. 9X 10_3mbar,高周波功率为IOOff0所述外保护膜层17的厚度范围为O. 1-0. 5 μ m。以上已以较佳实施例公开了本实用新型,然其并非用以限制本实用新型,凡采用等同替换或者等效变换方式所获得的技术方案,均应落在本实用新型要求的保护范围之内。
权利要求1.ー种具有保护膜层的镀膜玻璃,包括玻璃基片和镀制在玻璃基片上的镀膜层,其特征在于,所述镀膜层以玻璃基片为基础自内向外依次包括 沉积在所述玻璃基片上的第一保护层; 沉积在所述第一保护层上的第一电介质层; 沉积在所述第一电介质层上的第二保护层; 沉积在所述第二保护层上的功能膜层; 沉积在所述功能膜层上的第三保护层; 沉积在第三保护层上的第二电介质层; 沉积在所述第二电介质层上的外保护膜层。
2.根据权利要求I所述的ー种具有保护膜层的镀膜玻璃,其特征在于 所述外保护膜层为碳膜层。
3.根据权利要求I所述的ー种具有保护膜层的镀膜玻璃,其特征在于 所述第一保护层、第二保护层、第三保护层为NiCr、Cr、Ti或不锈钢材料的膜层。
4.根据权利要求I所述的ー种具有保护膜层的镀膜玻璃,其特征在于 所述第一电介质层、所述第二电介质层为Sn02、ZnS03、ZnO、Si3N4或TiO2材料的膜层。
5.根据权利要求1-4中任ー权利要求所述的ー种具有保护膜层的镀膜玻璃,其特征在于 所述功能膜层为银层。
6.根据权利要求5所述的ー种具有保护膜层的镀膜玻璃,其特征在于所述第一保护层、第二保护层、第三保护层的膜厚为3-8nm。
7.根据权利要求5所述的ー种具有保护膜层的镀膜玻璃,其特征在于所述第一电介质层、第二电介质层的膜厚为16-100nm。
8.根据权利要求5所述的ー种具有保护膜层的镀膜玻璃,其特征在于所述外保护膜层的厚度为O. 1-0. 5 μ m。
专利摘要本实用新型公开了一种具有保护膜层的镀膜玻璃,包括玻璃基片和镀制在玻璃基片上的镀膜层,其特征在于,所述镀膜层以玻璃基片为基础自内向外依次包括第一保护层、第一电介质层、第二保护层、功能膜层、第三保护层、第二电介质层、外保护膜层。本实用新型通过在玻璃基片上沉积第一保护层有效的阻止了Na+扩散,降低反射,并且提高了玻璃的机械化强度;在功能膜层上下两侧沉积第二保护层和第三保护层提高了功能膜层的抗氧化性能,延长其保存时间,增加膜层之间的附着力,同时增强了玻璃的可加工性,另外,在所述功能膜层上沉积外保护膜层使得镀膜玻璃便于运输和储存,并且使用时易于去除。
文档编号C03C17/36GK202415379SQ20112053365
公开日2012年9月5日 申请日期2011年12月19日 优先权日2011年12月19日
发明者林嘉宏 申请人:林嘉宏
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