一种Si₃N₄-Si₂N₂O多孔复相陶瓷的制备方法

专利名称：一种Si₃N₄-Si₂N₂O多孔复相陶瓷的制备方法
技术领域：
本发明涉及多孔复相陶瓷的制备方法。
背景技术：
多孔陶瓷是一种新型结构与功能陶瓷材料，具有体积密度小、比表面积大及独特的物理表面特性，对液体和气体介质有选择性透过性，具有能量吸收或阻尼特性，并具有陶瓷特有的耐高温、耐腐蚀、高的化学稳定性和尺寸稳定性，使其在过滤、净化分离、化工催化载体、吸声减震、高级保温材料和传感材料等多方面得到广泛应用。Si3N4陶瓷具有一系列优良的性质，如高强度、高韧性、抗腐蚀、耐磨、抗热震性能好、抗高温蠕变性能优良等。相对于Si3N4陶瓷来讲，Si2N2O陶瓷具备更加优异的抗高温氧化性能特点。从热力学角度考虑，Si2N2O是Si-N-O三元体系中唯一稳定的化合物，可与Si3N4 共存。Si3N4-Si2N2O复相陶瓷在性能上可以结合Si3N4陶瓷优异的力学性能以及Si2N2O陶瓷优异的抗氧化性能。因此，Si3N4-Si2N2O复相陶瓷作为应用于高温、恶劣使用条件下的结构部件受到广泛关注。Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的传统制备方法为例如公开号为CN102229498和CN101531538的中国发明专利，都是以Si3N4和SiO2为原料，通过添加少量MxOy (M = Al, Y, Li等)，高温条件下MxOy与部分SiO2反应生成液相，Si3N4在液相中溶解并与其中的SiO2反应生成Si2N2O,材料中的孔隙通过常见的多孔陶瓷的制备方法引入。Q. F. Tong, et al. (J. Eur.Ceram. Soc.，27(16)，2007，4767-72)，S. Q. Li, et al. (Ceram. Int.，35 (5)，2009，1851-4)，R. K. Paul,et al. (J. Mater. Sci. , 42 (12), 2007,4701-6)等人在文献中也做了类似的报道。传统的以Si3N4为原料制备Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的方法存在以下问题需要额外添加SiO2，制备方法复杂，且最终产物中易残留Si02。

发明内容
本发明是要解决现有制备Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的方法存在的制备方法复杂，且最终产物中易残留SiO2的技术问题，从而提供一种Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的制备方法。本发明的一种Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的制备方法按以下步骤进行一、称取 Si3N4、Y203、Al2O3 和(NH4)2HPO4,其中 Si3N4 Y2O3 Al2O3 的质量比为(92 95) : 4 : 2，(NH4)2HPO4 占 Si3N4' Y2O3 和 Al2O3 总体积的 10 60vol. %,向 Si3N4'Y2O3和Al2O3中加入(NH4) 2ΗΡ04,采用无水乙醇为分散介质进行球磨混料5 24h，得到浆料；二、将浆料在温度为40 80°C流动空气条件下烘干，经烘干后的混合粉体过筛，在20 30MPa的压力下保压I 2min进行预成型，得到块体材料；三、取出块体材料放入橡胶模具中，抽气并进行封装，在100 300MPa的压力下保压I 2min冷等静压成型，得到生坯；四、将成型后的生坯在空气炉中于500 800°C煅烧I 2h，得到多孔结构生坯；
五、最后将煅烧后的多孔结构生坯在O. I O. 2MPa的N2保护气氛下在热压烧结炉中于1500 1800°C进行无压烧结I 3h，得到Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷。本发明制备的Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷具有如下优点(I)利用(NH4)2HPO4的分解，原位形成生坯中的孔隙，经烧结后得以保留，形成Si3N4-Si2N2O复相陶瓷中的孔隙结构，通过控制原料中(NH4)2HPO4的尺寸、形状和加入量，可以调控Si3N4-Si2N2O复相陶瓷的孔隙率以及孔隙的尺寸和形状；(2)本发明制备的Si3N4-Si2N2O多孔陶瓷由等轴状a -Si3N4,长棒状β -Si3N4和平板状Si2N2O三相组成，平均孔径为5 8 μ m ;(3) (NH4)2HPO4的分解产物为复相陶瓷中Si2N2O的生成提供0，Si2N2O相的生成量随原料中(NH4)2HPO4添加量的增大而增大，因而可以通过控制原料中(NH4)2HPO4的引入量而控制Si3N4-Si2N2O复相陶瓷中Si2N2O相的含量； (4)本发明无需额外添加SiO2，使Si2N2O相以及材料中孔隙的形成分步进行，制备方法简单，且最终产物中无残留SiO2，适合大规模化的实际生产；(5)本发明制备的Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的抗弯强度132 267MPa，断裂韧性
I.8 4. 3MPa ·ηι1/2,实际密度I. 8 2. 7g/cm3,介电常数4. O 6. 7,可用于航空航天、机械工业等领域的热防护材料和透波材料。


图I为所制备的原料中不同(NH4)2HPO4添加量时的Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的XRD图图Ia)为试验一所制备的原料中未添加(NH4)2HPO4时的Si3N4多孔复相陶瓷XRD图，图Ib)为试验二所制备的原料中(NH4) 2即04添加量占Si3N4J2O3和Al2O3总体积的IOvol. %时的Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷XRD图，图Ic)为试验三所制备的原料中(NH4) 2ΗΡ04添加量占Si3N4、Y203和Al2O3总体积的20vol. %时所制备的Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷XRD图，图Id)为试验四所制备的原料中(NH4)2HPO4添加量占Si3N4、Y2O3和Al2O3总体积的30vol. %时的Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷XRD图，图le)为试验五所制备的原料中(NH4) 2ΗΡ04添加量占Si3N4' Y2O3和Al2O3总体积的40vol. %时的Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷XRD图，其中，V代表 a -Si3N4,〇代表 Si2N2O, ▼代表 β -Si3N4 ；图2为实验三所制备的Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的低倍SEM图；图3为实验三所制备的Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的高倍SEM图；图4为实验三所制备的Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的TEM照片。
具体实施例方式具体实施方式
一本实施方式中一种Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的制备方法是按以下步骤进行的一、称取 Si3N4、Y203、Al2O3 和(NH4)2HPO4，其中 Si3N4 Y2O3 Al2O3 的质量比为(92 95) : 4 : 2，(NH4)2HPO4 占 Si3N4' Y2O3 和 Al2O3 总体积的 10 60vol. %,向 Si3N4'Y2O3和Al2O3中加入(NH4) 2ΗΡ04,采用无水乙醇为分散介质进行球磨混料5 24h，得到浆料；二、将浆料在温度为40 80°C流动空气条件下烘干，经烘干后的混合粉体过筛，在20 30MPa的压力下保压I 2min进行预成型，得到块体材料；
三、取出块体材料放入橡胶模具中，抽气并进行封装，在100 300MPa的压力下保压I 2min冷等静压成型，得到生坯；四、将成型后的生坯在空气炉中于500 800°C煅烧I 2h，得到多孔结构生坯；五、最后将煅烧后的多孔结构生坯在O. I O. 2MPa的N2保护气氛下在热压烧结炉中于1500 1800°C进行无压烧结I 3h，得到Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷。本实施方式制备的Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷具有如下优点(I)利用(NH4)2HPO4的分解，原位形成生坯中的孔隙，经烧结后得以保留，形成Si3N4-Si2N2O复相陶瓷中的孔隙结构，通过控制原料中(NH4)2HPO4的尺寸、形状和加入量，可以调控Si3N4-Si2N2O复相陶瓷的孔隙率以及孔隙的尺寸和形状；
(2)本实施方式制备的Si3N4-Si2N2O多孔陶瓷由等轴状a -Si3N4,长棒状β -Si3N4和平板状Si2N2O三相组成，平均孔径为5 8 μ m ;(3) (NH4)2HPO4的分解产物为复相陶瓷中Si2N2O的生成提供0，Si2N2O相的生成量随原料中(NH4)2HPO4添加量的增大而增大，因而可以通过控制原料中(NH4)2HPO4的引入量而控制Si3N4-Si2N2O复相陶瓷中Si2N2O相的含量；(4)本实施方式无需额外添加SiO2,使Si2N2O相以及材料中孔隙的形成分步进行，制备方法简单，且最终产物中无残留SiO2，适合大规模化的实际生产；(5)本实施方式制备的Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的抗弯强度132 267MPa，断裂韧性I. 8 4. 3MPa ·πι1/2，实际密度I. 8 2. 7g/cm3，介电常数4. O 6. 7，可用于航空航天、机械工业等领域的热防护材料和透波材料。
具体实施方式
二 本实施方式与具体实施方式
一不同的是步骤一中Si3N4粉体为α型，纯度为86 98%，平均粒径为O. 2 O. 8 μ m，其它与具体实施方式
一相同。
具体实施方式
三本实施方式与具体实施方式
一或二之一不同的是步骤一中(NH4)2HPO4粒径为60 120目。其它与具体实施方式
一或二之一相同。
具体实施方式
四本实施方式与具体实施方式
一至三之一不同的是步骤一中混料时采用的分散介质为无水乙醇，球磨时间为24h，球料质量比(I 1.5) I。其它与具体实施方式
一至三之一相同。
具体实施方式
五本实施方式与具体实施方式
一至四之一不同的是步骤四中煅烧的升温速率低于2. 5°C /min。其它与具体实施方式
一至四之一相同。
具体实施方式
六本实施方式与具体实施方式
一至五之一不同的是步骤四中煅烧的升温速率为2V /min。其它与具体实施方式
一至五之一相同。
具体实施方式
七本实施方式与具体实施方式
一至六之一不同的是步骤五中烧结的升温速率为10 30°C /min。其它与具体实施方式
一至六之一相同。
具体实施方式
八本实施方式与具体实施方式
一至七之一不同的是步骤五中烧结的升温速率为20°C /min。其它与具体实施方式
一至七之一相同。通过以下试验验证本发明的有益效果试验一本试验作为对比试验，原料中不加入(NH4)2HPO4，制备Si3N4多孔复相陶瓷，制备方法按以下方法实现一、称取94g纯度为95%、平均粒径为O. 6 μ m的Si3N4粉体、4g Y2O3粉体和2gAl203粉体，不加入(NH4)2HPO4，采用无水乙醇为分散介质进行球磨混料24h，球料质量比I. 5 1，得到浆料；二、将浆料在温度为60°C流动空气条件下烘干，经烘干后的混合粉体过筛，在20MPa的压力下保压90s进行预成型，得到块体材料；三、取出块体材料放入橡胶模具中，抽气并进行封装，在200MPa的压力下保压Imin冷等静压成型，得到生坯；四、将成型后的多孔结构生坯在空气炉中，于升温速率2°C/min升温至500°C煅烧Ih,得到多孔结构生坯；五、最后将煅烧后的生坯在O. IMPa的N2保护气氛下在热压烧结炉中，于升温速率200C /min升温至1700°C进行无压烧结2h，得到Si3N4多孔复相陶瓷。本试验步骤四中所得到多孔结构生坯的真实密度为1.78g/cm3。
本试验一所制备的原料中未添加(NH4)2HPO4的Si3N4多孔复相陶瓷XRD图如图Ia)所示，从图Ia)可以看出Si3N4多孔复相陶瓷由a-Si3N4和β-Si3N4组成，无Si2N2O相。烧结线性收缩率为12. 3 %，真实密度为2. 67g/cm3,开气孔率为13. 3 %，抗弯强度为433. 2MPa，断裂韧性为4. 29MPa · m1/2，在20GHz下的介电常数为6. 76。试验二 本试验的一种Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的制备方法是按以下方法实现一、称取94g纯度为95%、平均粒径为O. 6 μ m的Si3N4粉体、4g Y2O3粉体和2gAl203粉体，向其中加入IOg粒径为100目的(NH4)2HPO4,采用无水乙醇为分散介质进行球磨混料24h，球料质量比I. 5 1，得到浆料；二、将浆料在温度为60°C流动空气条件下烘干，经烘干后的混合粉体过筛，在20MPa的压力下保压90s进行预成型，得到块体材料；三、取出块体材料放入橡胶模具中，抽气并进行封装，在200MPa的压力下保压Imin冷等静压成型，得到生坯；四、将成型后的多孔结构生坯在空气炉中，于升温速率2°C/min升温至500°C煅烧lh，得到多孔结构生坯；五、最后将煅烧后的生坯在O. IMPa的N2保护气氛下在热压烧结炉中，于升温速率200C /min升温至1700°C进行无压烧结2h，得到Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷。本试验步骤四中所得到多孔结构生坯的真实密度为1.75g/cm3。本试验二中添加的(NH4) 2ΗΡ04经煅烧分解，在生坯中原位形成孔隙，然后(NH4)2HPO4的分解产物在无压烧结过程中可促进Si2N2O相的形成，即通过添加(NH4) ,04就可使Si2N2O相以及材料中孔隙的形成分步进行，无需额外添加SiO2，制备方法简单，且最终产物中无残留Si02。本试验二所制备的(NH4)2HPO4添加量占Si3N4、Y2O3和Al2O3总体积IOvol. %的Si3N4_Si2N20多孔复相陶瓷XRD图如图Ib)所示，从图Ib)可以看出Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷由a -Si3N4, β -Si3N4和Si2N2O三相组成，其中Si2N2O的含量占总摩尔含量的20. 3%;烧结线性收缩率为11. 6%，真实密度为2. 51g/cm3，开气孔率为15. 5 %，抗弯强度为266. 2MPa，断裂韧性为3. 08MPa · m1/2，在20GHz下的介电常数为6. 08。试验三本试验的一种Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的制备方法是按以下方法实现
一、称取94g纯度为95%、平均粒径为O. 6 μ m的Si3N4粉体、4g Y2O3粉体和2gAl203粉体，向其中加入20g粒径为100目的(NH4)2HPO4,采用无水乙醇为分散介质进行球磨混料24h，球料质量比I. 5 1，得到浆料；二、将浆料在温度为60°C流动空气条件下烘干，经烘干后的混合粉体过筛，在20MPa的压力下保压90s进行预成型，得到块体材料；三、取出块体材料放入橡胶模具中，抽气并进行封装，在200MPa的压力下保压Imin冷等静压成型，得到生坯；四、将成型后的生坯在空气炉中，于升温速率2V /min升温至500°C煅烧lh，得到多孔结构生坯；五、最后将煅烧后的多孔结构生坯在O. IMPa的N2保护气氛下在热压烧结炉中，于 升温速率20°C /min升温至1700°C进行无压烧结2h，得到Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷。本试验步骤四中所得到多孔结构生坯的真实密度为1.69g/cm3。本试验三中添加的(NH4) 2ΗΡ04经煅烧分解，在生坯中原位形成孔隙，然后(NH4)2HPO4的分解产物在无压烧结过程中可促进Si2N2O相的形成，即通过添加(NH4) ,04就可使Si2N2O相以及材料中孔隙的形成分步进行，无需额外添加SiO2，制备方法简单，且最终产物中无残留Si02。本试验三所制备的(NH4)2HPO4添加量占Si3N4、Y2O3和Al2O3总体积20vol. %的Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷XRD图如图Ic)所示，从图Ic)可以看出Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷由a -Si3N4, β -Si3N4和Si2N2O三相组成，其中Si2N2O的含量占总摩尔含量的34. 7%;烧结线性收缩率为10. 3 %，真实密度为2. 25g/cm3,开气孔率为20. 7 %，抗弯强度为246. 9MPa，断裂韧性为2. 72MPa · m1/2，在20GHz下的介电常数为5. 34。本试验三所制备的Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的低倍SEM图如图2所示，从图2可以看出，Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷中的气孔在基体中分布比较均勻，孔隙成无规则状，孔隙尺寸约为5 8 μ m。本试验三所制备的Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的高倍SEM图如图3所示，从图3可以看出，Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷中的Si2N2O晶粒呈现非常规整的平板状结构，厚度约为
O.7 I μ m0本试验三所制备的Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的TEM照片如图4所示，从图4可以看出，Si2N2O晶粒中部存在着对堆积位错。试验四本试验的一种Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的制备方法是按以下方法实现一、称取94g纯度为95%、平均粒径为O. 6 μ m的Si3N4粉体、4g Y2O3粉体和2gAl203粉体，向其中加入30g粒径为100目的(NH4)2HPO4，采用无水乙醇为分散介质进行球磨混料24h，球料质量比I. 5 1，得到浆料；二、将浆料在温度为60°C流动空气条件下烘干，经烘干后的混合粉体过筛，在20MPa的压力下保压90s进行预成型，得到块体材料；三、取出块体材料放入橡胶模具中，抽气并进行封装，在200MPa的压力下保压Imin冷等静压成型，得到生坯；四、将成型后的生坯在空气炉中，于升温速率2V /min升温至500°C煅烧lh，得到多孔结构生坯；五、最后将煅烧后的多孔结构生坯在O. IMPa的N2保护气氛下在热压烧结炉中，于升温速率20°C /min升温至1700°C进行无压烧结2h，得到Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷。本试验步骤四中所得到多孔结构生坯的真实密度为I. 65g/cm3。本试验四中添加的(NH4) 2ΗΡ04经煅烧分解，在生坯中原位形成孔隙，然后(NH4)2HPO4的分解产物在无压烧结过程中可促进Si2N2O相的形成，即通过添加(NH4) ,04就可使Si2N2O相以及材料中孔隙的形成分步进行，无需额外添加SiO2，制备方法简单，且最终产物中无残留Si02。本试验四所制备的(NH4)2HPO4添加量占Si3N4、Y2O3和Al2O3总体积的30vol. %的Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷XRD图如图Id)所示，从图Id)可以看出Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷由a -Si3N4, β-Si3N4和Si2N2O三相组成，其中Si2N2O的含量占总摩尔含量的43. 1% ;烧结线性收缩率为7. 5 %，真实密度为2. 02g/cm3，开气孔率为28. 5 %，抗弯强度为175. 8MPa， 断裂韧性为2. IOMPa · m1/2，在20GHz下的介电常数为4. 61。试验五本试验的一种Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的制备方法是按以下方法实现一、称取94g纯度为95%、平均粒径为O. 6 μ m的Si3N4粉体、4g Y2O3粉体和2gAl203粉体，向其中加入40g粒径为100目的(NH4)2HPO4,采用无水乙醇为分散介质进行球磨混料24h，球料质量比I. 5 1，得到浆料；二、将浆料在温度为60°C流动空气条件下烘干，经烘干后的混合粉体过筛，在20MPa的压力下保压90s进行预成型，得到块体材料；三、取出块体材料放入橡胶模具中，抽气并进行封装，在200MPa的压力下保压Imin冷等静压成型，得到生坯；四、将成型后的生坯在空气炉中，于升温速率2V /min升温至500°C煅烧lh，得到多孔结构生坯；五、最后将煅烧后的多孔结构生坯在O. IMPa的N2保护气氛下在热压烧结炉中，于升温速率20°C /min升温至1700°C进行无压烧结2h，得到Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷。本试验步骤四中所得到多孔结构生坯的真实密度为1.62g/cm3。本试验五中添加的(NH4) 2ΗΡ04经煅烧分解，在生坯中原位形成孔隙，然后(NH4)2HPO4的分解产物在无压烧结过程中可促进Si2N2O相的形成，即通过添加(NH4) ,04就可使Si2N2O相以及材料中孔隙的形成分步进行，无需额外添加SiO2，制备方法简单，且最终产物中无残留Si02。本试验五所制备的(NH4)2HPO4添加量占Si3N4、Y2O3和Al2O3总体积的40vol. %的Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷XRD图如图Ie)所示，从图Ie)可以看出Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷由a -Si3N4, P-Si3N4和Si2N2O三相组成，其中Si2N2O的含量占总摩尔含量的57.6% ;烧结线性收缩率为6. O %，真实密度为I. 84g/cm3，开气孔率为34. 2 %，抗弯强度为132. IMPa,断裂韧性为I. 8IMPa · m1/2，在20GHz下的介电常数为4. 08。通过上述试验可知=(NH4)2HPO4的加入与否决定着最终产物中是否有Si2N2O相的产生。原料中无(NH4)2HPO4加入时，所制备的材料中无Si2N2O相的生成，随着原料中(NH4)2HPO4的加入量增多，反应产物中Si2N2O相的含量也在增多，同时使材料的密度降低，开气孔率升高。因此通过调节原料中(NH4)2HPO4的添加量，可使所制备的Si3N4-Si2N2O多孔 复相陶瓷的密度、开气孔率可控，Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷中Si2N2O相的含量可调。
权利要求
1.一种Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的制备方法，其特征在于Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的制备方法是按以下步骤进行 一、称取Si3N4、Y203、Al2O3 和(NH4)2HPO4,其中 Si3N4 Y2O3 Al2O3 的质量比为(92 95) 4 2，(NH4)2HPO4 占 Si3N4' Y2O3 和 Al2O3 总体积的 10 60vol. %,向 Si3N4' Y2O3 和Al2O3中加入(NH4)2HPO4，采用无水乙醇为分散介质进行球磨混料5 24h，得到浆料； 二、将浆料在温度为40 80°C流动空气条件下烘干，经烘干后的混合粉体过筛，在20 30MPa的压力下保压I 2min进行预成型，得到块体材料； 三、取出块体材料放入橡胶模具中，抽气并进行封装，在100 300MPa的压力下保压I 2min冷等静压成型，得到生坯； 四、将成型后的生坯在空气炉中于500 800°C煅烧I 2h，得到多孔结构生坯； 五、最后将煅烧后的多孔结构生坯在O.I O. 2MPa的N2保护气氛下在热压烧结炉中于1500 1800°C进行无压烧结I 3h，得到Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷。
2.根据权利要求I所述的一种Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的制备方法，其特征在于步骤一中Si3N4粉体为α型，纯度为86 98%，平均粒径为O. 2 O. 8 μ m。
3.根据权利要求I所述的一种Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的制备方法，其特征在于步骤一中(NH4)2HPO4粒径为60 120目。
4.根据权利要求I所述的一种Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的制备方法，其特征在于步骤一中混料时，球磨时间为24h，球料质量比(I I. 5) I。
5.根据权利要求I所述的一种Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的制备方法，其特征在于步骤四中煅烧的升温速率低于2. 5°C /min。
6.根据权利要求I所述的一种Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的制备方法，其特征在于步骤五中烧结的升温速率为10 30°C /min。
全文摘要
一种Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的制备方法，涉及多孔复相陶瓷的制备方法。本发明是要解决现有制备Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的方法存在的制备方法复杂，且最终产物中易残留SiO2的技术问题。本发明的制备方法如下一、制备原料；二、制备块体材料；三、制备生坯；四、制备多孔结构生坯；五、制备Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷。本发明制备的Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的抗弯强度132～267MPa，断裂韧性1.8～4.3MPa·m1/2，实际密度1.8～2.7g/cm3，介电常数4.0～6.7，可作为热防护材料和透波材料用于航空航天、机械工业等领域。
文档编号C04B35/586GK102807389SQ201210315790
公开日2012年12月5日 申请日期2012年8月31日 优先权日2012年8月31日
发明者贾德昌, 王胜金, 杨治华, 段小明, 周玉 申请人:哈尔滨工业大学