专利名称：一种电阻的制备方法
技术领域：
本发明涉及一种电阻的制备方法。
背景技术：
电阻作为一种电气元件，广泛应用于多种电子器件中，其中热敏半导体陶瓷材料的电阻是近年来发展的一个重要方向，而对于目前的半导体陶瓷材料电阻，其制备方法繁琐、制程温度高、制得的电阻性能差。因此，寻找一种工艺简单、成本低廉、制程温度低、性能良好的电阻制备方法成为亟需解决的问题。
发明内容
本发明提供一种电阻的制备方法，电阻材料为氧化钡、氧化铅和氧化钛的混合物，并加入O. 1-0. 3mol%的氧化铌、l_4mol%的二氧化硅、l_5mol%的氧化铝和O. 01-0.1mo 1%的氧化锰，其特征在于，在烧结工艺中，在I个大气压下快速烧结和短暂保温，烧结温度为1280-1340°C，烧结时间为5-15分钟，升温速度为200-500°C /分，降温速度为20_80°C /分。有益效果
本发明制备的电阻经过测试分析，显示电阻性能良好，而且该方法工艺要求简单，制造成本低。
具体实施方式
`下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。实施例1
该电阻材料为氧化钡、氧化铅和氧化钛的混合物，并加入O.1mo 1%的氧化铌、4mol%的二氧化硅、lmol%的氧化铝和O.1mo 1%的氧化锰，在烧结工艺中，在I个大气压下快速烧结和短暂保温，烧结温度为1280°C，烧结时间为15分钟，升温速度为500°C /分，降温速度为800C / 分。实施例2
该电阻材料为氧化钡、氧化铅和氧化钛的混合物，并加入O. 3mol%的氧化铌、lmol%的二氧化硅、5mol%的氧化铝和O. 01mol%的氧化锰，其特征在于，在烧结工艺中，在I个大气压下快速烧结和短暂保温，烧结温度为1280°C，烧结时间为5分钟，升温速度为20(TC /分，降温速度为20V /分。实施例3
该电阻材料为氧化钡、氧化铅和氧化钛的混合物，并加入O. 2mol%的氧化银、2. 5mol%的二氧化硅、3mol%的氧化铝和0. 06mol%的氧化锰，其特征在于，在烧结工艺中，在1个大气压下快速烧结和短暂保温，烧结温度为1300°C，烧结时间为10分钟，升温速度为360°C /分，降温速度为50°C /分。
权利要求
1.一种电阻的制备方法，电阻材料为氧化钡、氧化铅和氧化钛的混合物，并加入0. 1-0. 3mol%的氧化铌、l_4mol%的二氧化硅、l_5mol%的氧化铝和0. 01-0.1mo 1%的氧化锰，其特征在于，在烧结工艺中，在I个大气压下快速烧结和短暂保温，烧结温度为1280-1340°C，烧结时间为5-15分钟，升温速度为200-500°C /分，降温速度为20_80°C /分。
2.如权利要求1所述的制备方法，其中，加入0.2mol%的氧化铌、2. 5mol%的二氧化硅、3mol%的氧化铝和0. 06mol%的氧化锰，其特征在于，在烧结工艺中，在I个大气压下快速烧结和短暂保温，烧结温度为1300°C，烧结时间为10分钟，升温速度为360°C /分，降温速度为50°C /分。
全文摘要
本发明提供一种电阻的制备方法，电阻材料为氧化钡、氧化铅和氧化钛的混合物，并加入0.1-0.3mol%的氧化铌、1-4mol%的二氧化硅、1-5mol%的氧化铝和0.01-0.1mol%的氧化锰，其特征在于，在烧结工艺中，在1个大气压下快速烧结和短暂保温，烧结温度为1280-1340℃，烧结时间为5-15分钟，升温速度为200-500℃/分，降温速度为20-80℃/分。
文档编号C04B35/622GK103058649SQ20121057622
公开日2013年4月24日 申请日期2012年12月27日 优先权日2012年12月27日
发明者李岗, 国欣鑫, 张晓辉 申请人:青岛艾德森能源科技有限公司