专利名称：一种硅棒切片用辅助装置的制作方法
技术领域：
—种硅棒切片用辅助装置技术领域[0001]本实用新型涉及硅棒的领域，尤其是一种硅棒切片用辅助装置。
背景技术：
[0002]单晶硅棒是硅的单晶体，是具有基本完整点阵结构的晶体，不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导体材料。在常温下，除氟化氢以外，很难与其他物质发生反应，在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素，形成P型硅半导体；掺入微量的第VA族元素，形成η 型和P型半导体结合在一起，就可做成太阳能电池，将辐射能转变为电能。在开发能源方面是一种很有前途的材料。另外广泛应用的二极管、三极管、晶闸管和各种集成电路(包括我们计算机内的芯片和CPU)都是用硅做的原材料。[0003]目前在对硅棒进行切割过程中容易造成硅棒切片表面的不平整和崩片的现象产生。发明内容[0004]本实用新型要解决的技术问题是为了克服上述中存在的问题，提供了一种硅棒切片用辅助装置，其设计结构合理并且能够有效地提高硅棒切片的质量和良品率。[0005]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种硅棒切片用辅助装置，包括金属铝板和粘贴在金属铝板上的底座，所述的底座上开设有V型凹槽，V型凹槽的两个斜面形成开口朝上并呈90°夹角，V型凹槽的两个斜面上均粘贴有环氧树脂粘贴层，V型凹槽通过环氧树脂粘贴层粘贴硅棒，硅棒上粘贴有两条相互平行于硅棒轴线的导向条，所述的V 型凹槽的端部设有粘贴有环氧树脂粘贴层的挡板。[0006]进一步地，所述的金属铝板的长度是大于底座的长度。[0007]本实用新型的有益效果是所述的一种硅棒切片用辅助装置，采用V型凹槽来配合硅棒使用，能够有效地提高硅棒在切割过程中的切片的平整度和避免碎片的产生，提高良片率。
[0008]
以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。[0009]图I是本实用新型所述的一种硅棒切片用辅助装置的整体结构示意图。[0010]附图中标记分述如下1、金属铝板，2、底座，21、V型凹槽，3、环氧树脂粘贴层，4、 娃棒，5、导向条,6、挡板。
具体实施方式
[0011]现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图， 仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。[0012]如图I所示的一种硅棒切片用辅助装置，包括金属铝板1，在金属铝板I上粘贴有底座2，金属铝板I的长度大于底座2的长度，在底座2的表面上开设有V型凹槽21，V型凹槽21的两个斜面形成开口朝上并呈90°夹角，V型凹槽21的两个斜面上均粘贴有环氧树脂粘贴层3，V型凹槽21通过环氧树脂粘贴层3粘贴硅棒4，硅棒4上粘贴有两条相互平行于硅棒4轴线的导向条5，V型凹槽21的端部设有粘贴有环氧树脂粘贴层3的挡板6。[0013]本实用新型的一种硅棒切片用辅助装置，将硅棒4放置在底座的V型凹槽21内， 硅棒4的端部顶于V型凹槽21端部的挡板6上，硅棒4还可以通过V型凹槽21上的环氧树脂粘贴层3粘贴紧固，能够在硅棒4进行切割过程中避免滑移现象和提高良品率。[0014]以上述依据本实用新型的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
权利要求1.一种硅棒切片用辅助装置，其特征是包括金属铝板(I)和粘贴在金属铝板(I)上的底座(2)，所述的底座(2)上开设有V型凹槽(21)，V型凹槽(21)的两个斜面形成开口朝上并呈90°夹角，V型凹槽(21)的两个斜面上均粘贴有环氧树脂粘贴层(3)，V型凹槽(21)通过环氧树脂粘贴层(3)粘贴硅棒(4)，硅棒(4)上粘贴有两条相互平行于硅棒(4)轴线的导向条(5)，所述的V型凹槽(21)的端部设有粘贴有环氧树脂粘贴层(3)的挡板(6)。
2.根据权利要求I所述的一种硅棒切片用辅助装置，其特征是所述金属铝板(I)的长度是大于底座(2)的长度。
专利摘要本实用新型涉及一种硅棒切片用辅助装置，包括金属铝板和粘贴在金属铝板上的底座，底座上开设有V型凹槽，V型凹槽的两个斜面形成开口朝上并呈90°夹角，V型凹槽的两个斜面上均粘贴有环氧树脂粘贴层，V型凹槽通过环氧树脂粘贴层粘贴硅棒，硅棒上粘贴有两条相互平行于硅棒轴线的导向条，所述的V型凹槽的端部设有粘贴有环氧树脂粘贴层的挡板。所述的一种硅棒切片用辅助装置，采用V型凹槽来配合硅棒使用，能够有效地提高硅棒在切割过程中的切片的平整度和避免碎片的产生，提高良片率。
文档编号B28D7/00GK202742551SQ20122044165
公开日2013年2月20日 申请日期2012年8月31日 优先权日2012年8月31日
发明者王桂奋, 谢德兵, 王迎春 申请人:金坛正信光伏电子有限公司