一种高导热碳化硅陶瓷材料及其制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种高导热碳化硅陶瓷材料，所述的高导热碳化硅陶瓷材料由以下成分按照重量比组成：碳化硅29～35份、氧化锆11～15份、碳化镁5～11份、二氧化钛6～8份、碳化钨6～12份、氧化锂3～6份。所述的一种高导热碳化硅陶瓷材料的制备方法，包括以下步骤：(1)取碳化硅29～35份、氧化锆11～15份、碳化镁5～11份、二氧化钛6～8份、碳化钨6～12份、氧化锂3～6份，机械粉碎；(2)将机械粉碎后的混合粉末用球磨机进行球磨；(3)用球磨机进行球磨后将混合粉末在模具中进行高温烧结，首先将混合粉末升温，再冷却至室温，制备得到碳化硅陶瓷材料。
【专利说明】一种高导热碳化硅陶瓷材料及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明属于陶瓷领域，涉及一种碳化硅陶瓷材料及其制备方法，具体是涉及一种高导热碳化硅陶瓷材料及其制备方法。
【背景技术】
[0002]碳化硅为用石英砂、煤焦、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅又称碳硅石。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种。可以称为金钢砂或耐火砂。
[0003]高导热陶瓷材料具有非常高的经济价值和应用价值。对于高频、高效的集成电路，减少散热和电力消耗中有较大的作用。另外其还具有良好的耐磨性，可作为耐磨部件得到广泛的应用。
[0004]将碳化硅应用于陶瓷材料中，来提高陶瓷材料的导热性的报道较少，是否可以有效的陶瓷材料的导热性能还有待我们继续进行深入的研究。
【发明内容】
[0005]要解决的技术问题:普通的碳化砖陶瓷材料的导热性能很差，其导热系数只有40ff/m.K至50W/m.K，没有有效的提高碳化陶瓷材料的导热性能，因此需要进一步提高碳化硅陶瓷材料的导热性能。
[0006]技术方案:为了达到上述目的，本发明公开了一种高导热碳化硅陶瓷材料，所述的高导热碳化硅陶瓷材料由以下成分按照重量比组成:
[0007]
【权利要求】
1.一种高导热碳化硅陶瓷材料，其特征在于所述的高导热碳化硅陶瓷材料由以下成分按照重量比组成:碳化硅29 -35份、氧化锆11~15份、碳化镁5~11份、二氧化钛6~8份、碳化钨6~12份、 氧化锂3 ~6份。
2.根据权利要求1所述的一种高导热碳化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于所述的制备方法包括以下步骤: (1)取碳化娃29~35份、氧化错11~15份、碳化镁5~11份、二氧化钛6~8份、碳化鹤6~12份、氧化锂3~6份,将碳化娃、氧化错、碳化镁、二氧化钛、碳化鹤、氧化锂进行机械粉碎，机械粉碎至混合粉末的目数为250目~350目； (2)将机械粉碎后的混合粉末用球磨机进行球磨，球磨机转速为350r/min，时间为4h； (3)用球磨机进行球磨后将混合粉末在模具中进行高温烧结，首先将混合粉末升温至1550°C，升温速率为70°C /min，达到温度后恒温保持3h，再按照相同速率升温至1950°C，保温2h后，将混合的陶瓷材料迅速冷却至室温，制备得到碳化硅陶瓷材料。
3.根据权利要求2所述的一种高导热碳化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于所述的碳化娃为29份。
4.根据权利要求2所述的一种高导热碳化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于所述的碳化鹤为12份。
5.根据权利要求2所述的一种高导热碳化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于所述的氧化锂为3份。
【文档编号】C04B35/565GK104072143SQ201410339137
【公开日】2014年10月1日 申请日期:2014年7月16日 优先权日:2014年7月16日
【发明者】孙道明 申请人:苏州立瓷电子技术有限公司