一种多晶硅碇的截取方法
【专利摘要】本发明涉及一种多晶硅碇切割截取方法，配合控制太阳能电池少子区域的前期控制，在多晶硅锭铸锭开方完毕后，对少子区域进行检测划出截断区域线，采用截断机床进行截断。本方案通过硅片切割机的空间，通过粘接晶棒时控制有效区域，在硅片切割的同时进行少子区域截断，截断完毕的少子区域，通过电炉加温的方式，进行分离。有效的利用了硅片切割机的富余空间，同时切片钢线的刀缝损耗远低于截断机床的锯条，减少了硅料损失及锯条的投入，节约了成本及提高了加工效率，减少了开方截断机床的设备投入及人工。
【专利说明】—种多晶硅碇的截取方法
【技术领域】
[0001]本发明属于太阳能光伏切片加工领域，具体涉及一种硅锭少子区域划线后的截断处理方法，属于太阳能开方领域。
【背景技术】
[0002]随着人类对能源需求的不断加大，太阳能将成为一种新新能源出现在人们的眼前并获得了快速的发展。在传统的太阳能设备材料的生产制造过程中，生产企业对硅材料的使用和需求急剧增长，造成材料消耗量不断增加，从而间接提升了太阳能产业的生产制造成本。而在传统的太阳能硅碇截取的工艺过程中，硅锭截取方法基本是通过金刚石锯条锯断的截断方式，将少子区域与正常区域分开，再对硅碇进行切片加工。而由于锯条加工需要专用机床及人员操作，要保障切割能力，锯条的强度及厚度都必须在1.5_厚度，易造成硅料原材料的浪费和设备投入的浪费，且容易发生切割损坏。因此发明一种能够降低成本、提高效率、减少人员和辅材投入的对硅碇少子区域截取处理的方法，是非常必要的。
【发明内容】
[0003]本发明是针对上述现有硅碇截取方法的不足而提出的一种新型硅碇截取方法，旨在降低硅碇截断过程中硅材料浪费并提高加工效率。具体的技术方案如下:
一种新型硅碇截取方法，包括以下步骤:
(1)采用少子测试寿命仪器对待加工多晶硅碇进行检测，检测完毕后获知并标记多晶娃旋少子区域；
(2)对步骤(I)中检测完的多晶硅碇进行区域配置定位，即将一块或多块多晶硅碇粘接在玻璃板上组成待加工硅碇，使一块或多块多晶硅锭的少子区域位于待加工硅碇两端，待加工硅碇中间部位形成有效区域；
(3)将步骤(2)中粘接完毕的待加工硅锭安装到切片机设备，对待加工硅锭进行钢线线网进行切片处理，切片机设备的钢线线网将待加工硅碇有效切片区域外的无效部分切除，而对待加工娃旋的有效区域进行切片；
(4)待加工硅碇切割完毕后，采用全自动脱胶机进行正常的硅片取出，同时将已切除的无效部分进行电炉分离。
[0004]在上述的硅碇截取方法中，步骤(I)中标记少子区域采用画线的方法进行标记。
[0005]步骤(2)中的待加工硅碇的有效区域长度必须大于等于切片机设备的有效切片长度，能够保证待加工硅碇中的少子区域位于切片机的有效切片区域之外。
[0006]步骤(3)中所述的切片机设备钢线线网中的钢线直径为0.15_，每条钢线直接间距为 0.20mm。
[0007]步骤(3)中所述的切片机设备可以采用型号为MB271、MB264、PV800的切片机。
[0008]有益效果:
1.采用本方法对硅碇进行截取切割，能够有效的节省硅碇切片过程中设备的投入和使用，不再采用额外的例如金刚石锯条等设备，减少生产加工环节，从而减少生产成本。
[0009]2.由于本方法通过切片机的钢线线网对待加工硅碇进行切割截取，而钢线的直径远远小于金刚石锯条等阶段设备的刀锋厚度，能够大大降低硅材料的刀锋切割损耗，节约用料成本。同时，本方法相比原来的技术手段，明显在切割效率和成品率上有大幅的提高。
[0010]3.本方法通过对截取后的多晶硅锭少子部分进行分离，能够有效对废弃硅碇进行回收利用，绿色环保，有利于节约生产加工材料。
【专利附图】
【附图说明】
[0011 ] 图1为多晶娃淀不意图。
[0012]图2为待加工娃旋的不意图。
[0013]图3为待加工硅碇切片示意图。
【具体实施方式】
[0014]为使本发明的方法能够更加的清晰明确和便于应用，下面结合附图对本发明方法进行进一步阐述。
[0015]实施例一:
如图1所示的多晶硅碇，首先通过少子测试寿命仪器检测多晶硅碇101，获得并画线标志少子区域1011。
[0016]如图2所示，将经过检测并标志少子区域的多晶硅碇101、102、103进行区域位置配置定位，将多晶硅碇101粘接在玻璃板104左端，少子区域1011位于端口，多晶硅碇102粘接在玻璃板104右端，少子区域1012位于端口，在多晶硅碇101、102中间配置多晶硅碇103，形成待加硅碇20。工多晶硅碇101和102标记线之间为有效区域。有效区域长度L ^ 890mm。
[0017]如图3所示，将配置定位好的待加工硅碇20安装到切片机设备PV800的切片切割室30中，使用钢线线网301对待加工硅锭20进行切片处理。PV 800的钢线线网301将位于有效切片区域的待加工硅碇20进行切片，而将位于有效切片区域外的无效部分切除。
[0018]切片机设备PV800的钢线线网中的钢线直径为0.15mm，每条钢线直接间距为0.20mm。
[0019]待加工硅碇20切割完毕后，采用全自动脱胶机进行正常的硅片取出，同时将已切除的无效部分进行电炉分离。
[0020]其他实施方式:
按照实施例一种的实施步骤，通过调整有效区域的长度L，能够适用于不同的多晶硅锭切片机，如应用在MB271切片机时，则需要将长度L配置为> 1010mm，如应用在MB264切片机时，则需要将配置L彡820mm。
[0021]经试验证明，与传统金刚石锯条截断方式相比，采用本方法对多晶硅碇进行切割截取，可少采购截断设备20%，人员配备标准可下降20%，节约辅材成本15%，降低硅料损失，及产出硅片，成本降低1%。
【权利要求】
1.一种多晶硅碇切割截取方法，包括以下步骤: (1)采用少子测试寿命仪器对待加工多晶硅碇进行检测，检测完毕后获知并标记多晶娃旋少子区域； (2)对步骤(I)中检测完的多晶硅碇进行区域配置定位，即将一块或多块多晶硅碇粘接在玻璃板上组成待加工硅碇，使一块或多块多晶硅锭的少子区域位于待加工硅碇两端，待加工硅碇中间部位形成有效区域； (3)将步骤(2)中粘接完毕的待加工硅锭安装到切片机设备，对待加工硅锭进行钢线线网进行切片处理，切片机设备的钢线线网将待加工硅碇有效切片区域外的无效部分切除，而对待加工娃旋的有效区域进行切片； (4)待加工硅碇切割完毕后，采用全自动脱胶机进行正常的硅片取出，同时将已切除的无效部分进行电炉分离。
2.如权利要求1所述的硅碇切割截取方法，其特征在于所述步骤(I)中标记少子区域采用画线的方法进行标记。
3.如权利要求1所述的硅碇切割截取方法，其特征在于所述骤(2)中的待加工硅碇的有效区域长度必须大于等于切片机设备的有效切片长度，能够保证待加工硅碇中的少子区域位于切片机的有效切片区域之外。
4.如权利要求1所述的硅碇切割截取方法，其特征在于所述步骤(3)中所述的切片机设备钢线线网中的钢线直径为0.15mm，每条钢线直接间距为0.20mm。
5.如权利要求1所述的硅碇切割截取方法，其特征在于所述步骤(3)中所述的切片机设备可以采用型号为MB271、MB264、PV800的切片机。
【文档编号】B28D5/04GK104441279SQ201410603074
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年10月31日 优先权日:2014年10月31日
【发明者】陆继波, 陈乔玉, 秦太权, 王禄宝 申请人:镇江环太硅科技有限公司