本发明属于半导体三极管加工，尤其涉及一种半导体三极管生产的单晶体切割装置。
背景技术：
1、晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆，在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之ic产品，而在半导体晶圆的加工过程中，需要对晶圆通过切割装置进行切割，多线切割是一种高精度的切割方法。它主要基于研磨原理，通过多根高速运动的切割线来切割半导体晶体。这些切割线通常是高强度的钢丝或金刚线，在电机的驱动下，切割线以极高的速度运动，一般速度在每分钟几百米到数千米之间。同时，在切割线上喷淋含有碳化硅(sic)微粉的切割液。切割液中的磨料在切割线和晶体之间起到研磨的作用，随着切割线的持续运动，晶体被逐渐切割成薄片。
2、然而现有的在对单晶体进行切割的过程中，切割线不能进行调整，导致切割线会存在耷拉或者是发生松动的现象产生，容易导致在对单晶体进行切割的过程中，切割线与晶体之间会发生碰撞，造成晶体的损坏以及破碎，影响到对晶体的切割。
技术实现思路
1、本发明实施例提供一种半导体三极管生产的单晶体切割装置，以解决现有技术中的问题。
2、本发明实施例采用下述技术方案：一种半导体三极管生产的单晶体切割装置，包括安装框，所述安装框的顶部设有带动安装框进行竖直方向移动的切割移动组件，所述安装框内设有对单晶体进行切割的线体切割组件，所述线体切割组件与安装框之间转动连接，所述安装框上设有对线体切割组件进行调整的线体调整组件，所述线体调整组件与安装框之间滑动配合，所述安装框内还设有切割液喷洒组件，所述切割液喷洒组件朝向线体切割组件设置。
3、进一步的，所述切割移动组件包括定位框架、移动油缸和两个滑动杆，所述移动油缸竖直连接在定位框架上，两个所述滑动杆对称设置在安装框的顶部，所述滑动杆与定位框架之间滑动配合，所述移动油缸的伸缩端与安装框之间固定连接。
4、进一步的，所述线体切割组件包括切割线条、第一转动轮、第二转动轮和切割电机，所述第一转动轮和第二转动轮对称转动连接在安装框上，所述切割电机位于安装框的侧壁上且与第一转动轮传动连接，所述切割线条套设在第一转动轮和第二转动轮上。
5、进一步的，所述线体调整组件包括两个滑块和两个调整螺杆，所述安装框的侧壁上设有两个滑槽，两个所述滑块分别设置在两个滑槽内，所述滑块与滑槽之间滑动配合，所述调整螺杆水平转动连接在安装框上且位于滑槽处，所述滑块与调整螺杆之间螺纹连接，所述第二转动轮的两端转动连接在两个滑块上。
6、进一步的，所述切割液喷洒组件包括水平电动滑台，所述水平电动滑台水平设置在安装框内，所述水平电动滑台的移动端上设有安装板。
7、进一步的，所述安装板上设有驱动电机，所述驱动电机的主轴上设有驱动盘，所述安装板上设有转动连接的摆动板，所述摆动板上设有摆动槽，所述驱动盘上设有驱动柱，所述驱动柱与摆动槽之间滑动配合，所述摆动板的底部设有摆动弧形板，所述摆动弧形板上设有若干等间距设置的喷液嘴。
8、进一步的，所述安装框内还设有超声波清洗装置，所述切割线条穿过超声波清洗装置。
9、本发明实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：
10、其一，本发明切割电机工作带动第一转动轮转动从而通过切割线条带动第二转动轮在两个滑块上进行转动，切割线条进行转动就会对单晶体进行切割工作，而在切割时，由于切割线条与单晶体之间会不断地进行摩擦，会导致切割线条的松紧度造成影响，通过同时分别转动两个调整螺杆在安装框上进行转动，就会分别带动两个滑块分别在两个滑槽内进行移动，从而带动第二转动轮的位置进行移动，对切切割线条的张力进行调整，可以确保切割精度，在单晶体切割过程中，切割线条张力对切割精度有着关键的影响，当切割线条张力合适时，切割线条在高速运动过程中能够保持稳定的状态，使得切割过程更加平稳；对于单晶体而言，晶向的准确性对于其电学性能和后续工艺兼容性至关重要，适当的切割线条张力有助于按照正确的晶向进行切割，当张力稳定时，切割线条能够沿着预定的晶向精确地切割单晶体，避免因切割线条偏移而导致晶向偏差。
11、其二，本发明水平电动滑台工作可带动若干喷液嘴的位置进行水平移动，从而可以使得切割液可全面的喷洒至单晶体上，提高切割的全面性，此后驱动电机工作带动驱动盘转动，从而带动驱动盘上的驱动柱进行转动，驱动柱可在摆动板上的摆动槽内进行转动，从而带动摆动板在安装板上产生摆动，摆动板摆动就会带动摆动弧形板上的若干喷液嘴的位置进行摆动，切割液能够以更广泛的角度喷洒到晶体表面，而摆动的喷液嘴可以将切割液均匀地喷洒在整个晶体切割区域，确保切割液中的磨料能够在晶体的各个部分都发挥研磨作用，避免局部缺少切割液而导致切割质量下降；通过喷液嘴的摆动，磨料在晶体表面的分布更加均匀。这就像在粉刷墙壁时，通过摆动喷头可以使涂料中的颜料均匀分布一样；均匀分布的磨料可以使切割线与晶体之间的研磨更加均匀，从而提高切割精度，使切割后的晶体表面平整度更高；摆动的切割液喷洒方式能够将冷却液快速地带到高温区域，防止晶体因过热而产生热应力甚至破裂，同时也有利于保护切割线条，延长其使用寿命。
1.一种半导体三极管生产的单晶体切割装置，其特征在于，包括安装框(1)，所述安装框(1)的顶部设有带动安装框(1)进行竖直方向移动的切割移动组件(2)，所述安装框(1)内设有对单晶体进行切割的线体切割组件(3)，所述线体切割组件(3)与安装框(1)之间转动连接，所述安装框(1)上设有对线体切割组件(3)进行调整的线体调整组件(4)，所述线体调整组件(4)与安装框(1)之间滑动配合，所述安装框(1)内还设有切割液喷洒组件(5)，所述切割液喷洒组件(5)朝向线体切割组件(3)设置。
2.根据权利要求1所述的一种半导体三极管生产的单晶体切割装置，其特征在于：所述切割移动组件(2)包括定位框架(21)、移动油缸(22)和两个滑动杆(23)，所述移动油缸(22)竖直连接在定位框架(21)上，两个所述滑动杆(23)对称设置在安装框(1)的顶部，所述滑动杆(23)与定位框架(21)之间滑动配合，所述移动油缸(22)的伸缩端与安装框(1)之间固定连接。
3.根据权利要求1所述的一种半导体三极管生产的单晶体切割装置，其特征在于：所述线体切割组件(3)包括切割线条(31)、第一转动轮(32)、第二转动轮(33)和切割电机(34)，所述第一转动轮(32)和第二转动轮(33)对称转动连接在安装框(1)上，所述切割电机(34)位于安装框(1)的侧壁上且与第一转动轮(32)传动连接，所述切割线条(31)套设在第一转动轮(32)和第二转动轮(33)上。
4.根据权利要求3所述的一种半导体三极管生产的单晶体切割装置，其特征在于：所述线体调整组件(4)包括两个滑块(41)和两个调整螺杆(42)，所述安装框(1)的侧壁上设有两个滑槽(11)，两个所述滑块(41)分别设置在两个滑槽(11)内，所述滑块(41)与滑槽(11)之间滑动配合，所述调整螺杆(42)水平转动连接在安装框(1)上且位于滑槽(11)处，所述滑块(41)与调整螺杆(42)之间螺纹连接，所述第二转动轮(33)的两端转动连接在两个滑块(41)上。
5.根据权利要求1所述的一种半导体三极管生产的单晶体切割装置，其特征在于：所述切割液喷洒组件(5)包括水平电动滑台(50)，所述水平电动滑台(50)水平设置在安装框(1)内，所述水平电动滑台(50)的移动端上设有安装板(51)。
6.根据权利要求5所述的一种半导体三极管生产的单晶体切割装置，其特征在于：所述安装板(51)上设有驱动电机(52)，所述驱动电机(52)的主轴上设有驱动盘(53)，所述安装板(51)上设有转动连接的摆动板(54)，所述摆动板(54)上设有摆动槽(55)，所述驱动盘(53)上设有驱动柱(56)，所述驱动柱(56)与摆动槽(55)之间滑动配合，所述摆动板(54)的底部设有摆动弧形板(57)，所述摆动弧形板(57)上设有若干等间距设置的喷液嘴(58)。
7.根据权利要求3所述的一种半导体三极管生产的单晶体切割装置，其特征在于：所述安装框(1)内还设有超声波清洗装置(6)，所述切割线条(31)穿过超声波清洗装置(6)。