专利名称：制造金属膜电阻器的方法
技术领域：
本发明总体上涉及一种金属膜电阻器，特别涉及制造这种金属膜电阻器的方法。
金属膜电阻器广泛地用于构成各种电器和测量仪器中的电路。对于这类金属膜电阻器而言，作为精密电阻器的特征，近来已要求这种精密电阻器具有从高电阻至10mΩ的低电阻的宽阻值范围。还要求具有良好的电阻温度系数以及小至±1%的阻值误差。
通常，采用铜-镍合金膜的金属膜电阻器是一种公知的可适用于从高电阻区至低电阻区的应用场合，并具有良好的电阻温度系数的电阻器。此电阻器通常是这样制造的通过在陶瓷材料的绝缘表面上交替地电解淀积铜和镍膜形成叠置的多层，此后在约800℃的高温下对此叠层膜进行热处理，从而形成铜-镍合金膜。
采用蒸汽淀积的镍-铬膜的电阻器是另一种具有非常好的电阻温度系数的超精密金属膜电阻器。此电阻器的电阻温度系数特性小至±10ppm/℃，其阻值误差小至±1%。
然而，上述的前一种铜-镍合金膜电阻器的缺点是为使电化学淀积的多层铜和镍膜转变为匀质合金，要求在约800℃的高温下热处理。另外，其阻值在这种高温下热处理步骤中易改变，而且其制造成本高，因为其制备需要大量电能。再者，所获得的电阻器的电阻温度系数不能令人满意，仅为±250ppm/℃。
采用蒸汽淀积的镍-铬合金膜的后一种金属膜电阻器具有的缺点是由于其镍-铬膜是由蒸汽淀积形成的，此厚膜的构成是不均匀的。因此，在此类电阻器中，只能制造那些具有100Ω至100KΩ的高电阻的电阻器。
因此，本发明的主要目的是要提供一种金属薄膜电阻器，该电阻器具有的电阻值在从高电阻至低电阻的宽范围内，并且还具有良好的电阻温度系数。
本发明的另一目的是要提供一种制造上述的金属膜电阻器的方法。
本发明提供了一种制造金属膜电阻器的方法，此电阻器包括至少一个绝缘衬底、一层在所述绝缘衬底表面上形成的铜-镍合金电阻膜、以及一对与所述电阻膜连接的电极引出端。该方法包括从含有铜盐和镍盐的焦磷酸盐水溶液的电镀液中通过电镀淀积铜-镍合金的工序。
在本发明的一个优选实施例中，淀积铜-镍合金的步骤包括在20-40℃的电镀液温度下，电镀液的PH值为6-8的条件下电解含有0.005-0.030M/L(摩尔/升)约CuSO4·5H2O、0.07-0.30M/L的NiSO4·6H2O和0.20-0.50M/L的K4P2O7的焦磷酸盐水溶液的电镀液，从而淀积成含铜40-65wt(重量)%的铜-镍合金膜。
在上述的制造金属膜电阻器的方法中，淀积铜-镍合金的优选方式是采用铜和镍作为分离的阳极，并且最好在铜阳极和镍阳极之间按预定的恒定比率分配镀敷电流，从而使电镀液中镍离子与一价或二价铜离子的浓度比基本保持恒定。
上述的这种用于制造金属膜电阻器的方法，除了上述步骤之外，还包括在淀积铜-镍合金之前以非电镀方式淀积一个金属底层的步骤，此金属衬层在绝缘衬底上作为铜-镍合金的基底。
在本发明的另一方案中，制造金属膜电阻器的方法还包括在淀积铜-镍合金之前，对绝缘衬底进行激活处理并以非电镀方式淀积一镍底层，此底层在绝缘衬底上作为铜-镍合金的基底。
上述的制造金属膜电阻器的方法还可包括在500℃或更高温度下在氮气氛中对淀积成的铜-镍合金进行热处理的步骤。
本发明的新的特征在所附权利要求中做了具体描述，同时，从结合附图给出的以下详细说明中，可以更好地理解本发明的构成和内容以及其它目的和特征。
图1是一个部分剖开的前视图，它示出根据本发明的一个实施例制造的金属膜电阻器的结构。
图2是一个显示金属膜电阻器结构前视图，是根据本发明的实施例制造的用于测量电阻器的电阻温度系数的电阻器。
图3是一曲线图，它示出在各种PH值的电镀液中获得的电阻器的TCR(电阻温度系数)与镀膜的热处理温度之间的关系。
图4是一曲线图，它示出在不同的PH值的电镀液中获得的电阻器的电阻值与镀膜的热处理温度之间的关系。
图5是一曲线图，它示出本发明的实施例或比较例的电阻器的TCR与镀膜的热处理温度之间的关系。
图6是一曲线图，它示出本发明的实施例或比较例的电阻器的电阻值与镀膜的热处理温度之间的关系。
图7是一曲线图，它示出不同镀敷电流时的镀敷时间与所得到的电阻器的电阻值之间的关系。
图8是一曲线图，它示出不同镀敷电流时的镀敷时间与所得到的镀膜的膜厚之间的关系。
图9是一曲线图，它示出所得的电阻器的阻值与镀敷时间之间的关系。
图10是一曲线图，它示出所得到的电阻器的阻值或TCR与镀敷时间之间的关系。
图11是一曲线图，它示出在所得到的铜-镍合金镀膜中的铜或镍的比例与镀敷时间之间的关系。
图12是一曲线图，它示出镀敷时间与电镀液中的Cu和Ni浓度或所淀积的薄膜中的Cu含量之间的关系。
图13是一曲线图，它示出在氮或氢-氮气氛中热处理得到的电阻器的TCR与热处理温度之间的关系。
图14是一曲线图，它示出在所得到的镀膜中的镍/铜含量比率与镀敷时间之间的关系。
图15是一曲线图，它示出所得到的电阻器的TCR或阻值与镀敷时间之间的关系。
图16是根据本发明的另一实施例制造的金属膜电阻器的侧剖示图。
下面对优选实施例进行详细说明。
电镀液组份上述的焦磷酸盐电镀液能实现厚的铜-镍合金膜淀积且易于获得低电阻值区的电阻器。另外，通过适当地选择镀敷条件，有可能获得具有良好物理特性的合金膜。再者，镀敷工艺具有高的电流效率以及良好的电镀液组份稳定性。还有，在废水处理方面，镀敷工艺是较容易的。
电镀液的PH值电镀液的PH值严重地影响所得到的镀膜的镍含量以及其膜厚。当镀液的PH值增大时，镀膜中的镍含量以及其膜厚增加。镍含量随PH的减小而降低的原因被认为是在镀液中一价或二价铜的稳定性受PH值的影响，因此，在低PH值区，以焦磷酸作为络合剂对镀液中的镍配位是困难的。
此外，由于镍的氢氧化物形成导致的膜厚的增加在高PH值区可观察到，并且，在低PH值区也可观察到由于在镀敷过程中产生氢，电流效率降低以及镀膜对衬底的粘结特性降低。
更详细地讲，当观察扫描电子显微镜(SEM)的显微图时可发现，在PH值为6的镀液中淀积的合金膜具有多个裂纹，而且在用电子能谱(ESCA)作化学分析发现，在镀膜中同时存在氧化镍和金属镍。在PH值为9的镀液中淀积的膜中发现有氢氧化镍和金属镍共存。当在600-800℃的氢气氛中热处理这些膜时，膜中的氧基本消失，膜的电阻温度系数降低。
另一方面，在PH值为7或8的镀液中淀积的膜中，在ESCA上未发现上述的氧化镍和氢氧化镍存在，而且观察到一个近似于金属镍峰的波形。因此，在PH值为7-8的镀液中淀积的膜具有高质量。在PH值为7的镀液中淀积的膜具有约50wt%的镍含量，并呈现最小的电阻温度系数值。即，在PH值为7的镀液中淀积的未进行任何热处理的膜呈现非常好的电阻温度系数为±200ppm/℃或更小;在500℃热处理后为±50ppm/℃或更小;在600℃热处理后基本变为0。
热处理对镀膜进行热处理的气氛可以是氢或惰性气体中的任一种，但氮显然是最经济的热处理的气体。热处理时间在500℃温度下大约为25分钟。热处理温度最好在500-600℃范围内。如果温度超过600℃，则会有金属膜电阻器粘到一起或金属膜扩张或膨胀的危险。
金属膜的成份如上所述，虽然所得到的镀膜中的镍含量受镀液的PH值的影响，但镍含量也会随镀敷步骤的进行而增大。镀膜中的镍含量最好在35wt%至60wt%范围内。为保持镍含量恒定，有益的方式是采用镍板和分离的铜板作为可溶阳极，并将总镀敷电流按恒定比率分为镍阳极电流和铜阳极电流，以使电镀液中的镍/铜浓度比实质上为常数。在这种情况下，由于铜比镍更易于淀积，因此最好使在电镀液中的铜浓度小于镍浓度。并且也最好使镀数电流在镍阳极和铜阳极之间的分配比率与电镀液中的镍/铜摩尔比率相对应，正如在下述的例子中更详细地描述的那样。
在上述方法中，优选的镀敷条件是电流密度0.1-10A/dm2(在桶式镀敷情况下);
0.1-100A/dm2(在板式镀敷情况下)。
当在板状衬底上淀积铜-镍合金膜时，镀敷工艺可在高电流密度下进行，并且以20mm或更小的间隙使衬底板与阳极分开，并以约4m/sec的流速循环电镀溶液。在这种情况下，电流密度可达0.1-100A/dm2。
根据本发明，由焦磷酸盐电镀液电镀淀积的铜-镍合金膜具有45-60wt%的铜含量，且在淀积后，铜和镍在镀膜中立即处于合金态。因此，本发明的方法能提供这样的铜-镍合金膜，即，在未经任何热处理时，其电阻温度系数为±200ppm/℃或更小，在经500-600℃热处理后，其电阻温度系数为±50ppm/℃或更小。
此外，在采用具有下面的例子中所述尺寸的绝缘衬底的情况下，有可能提供小至10mΩ的低电阻区的电阻器以及大至10Ω的高电阻区的电阻器。
从以下的说明书可以清楚地了解，根据本发明，在不对镀膜进行任何热处理或仅在比现有技术中使用的温度低的温度下进行热处理的情况下，提供具有从高电阻至低电阻的宽范围阻值且还具有良好的电阻温度系数的电阻器是可能的。
为进一步描述本发明，参照附图给出了下面的例子及比较例，但这些决不是对发明的限制。
例1预处理对具有3mm直径和11mm长度的1W电阻器型的柱状瓷绝缘体的样品进行预处理，即，蚀刻、激活处理和非电镀镀敷镍-磷合金，此镍-磷合金用作铜-镍合金的基底，预处理在下列条件下进行。
(1)蚀刻氢氟酸150CC/L硝酸50CC/L温度室温时间2分钟(2)激活处理ⅰ)敏化SnCl210g/L
盐酸40CC/L温度室温时间2分钟ⅱ)激活PdCl20.25g/L盐酸2.5CC/L温度室温时间2分钟上述的敏化和激活重复两次。
(3)基底镀敷(或衬底镀数)NiSO4·6H2O 30g/LNaH2PO2·H2O 10g/L柠檬酸钠10g/L(Na3C6H5O7·2H2O)温度85℃时间5分钟镀敷将经上述预处理的1000件样品置于一桶中，并在含有5升下述电镀液成分的电镀液中电解镀敷铜-镍合金膜。条件是电镀液温为30℃，桶的转速为8rpm，阳极为镀铂的钛，镀敷电流为3A，时间为8小时。
电镀液的成份CuSO4·5H2O 0.01mole/LNiSO4·6H2O 0.09mole/L
K4P2O70.30mole/LPH6-9电镀液的PH值的调节是这样实现的为提高PH值，添加氢氧化钾;为降低PH值，添加硫酸。
样品组通过上述镀敷步骤在每一样品上淀积铜-镍合金膜之后，将样品分为下列五组金属膜电阻器，并检测其特性(1)未经热处理的电阻器(2)在200℃在容积比为1∶9的氢和氮的混合气氛中热处理25分钟的电阻器(3)在除温度为400℃外的与(2)相同条件下热处理的电阻器(4)在除温度为600℃外的与(2)相同之条件下热处理的电阻器(5)在除温度为800℃外的与(2)相同之条件下热处理的电阻器金属膜电阻器的结构图1示出了以上述方法获得的金属膜电阻器的结构。在图1中，上述柱状瓷绝缘体1的表面由一薄层2覆盖，薄层2由非电镀淀积的镍膜和在镍膜上淀积的铜-镍合金膜构成。一对端帽3压装在柱状瓷绝缘体1的两端，端帽3由镀有约1μm厚的铜和约2μm厚的焊料的铁质材料制成。并且，一对引线4焊连至端帽3上。
图2示出一个用于测量电阻温度系数(以后称为“TCR”)的样品电阻器，其电阻膜2上刻有一槽5，用以将其阻值增大至约5Ω。在以下的说明中，TCR值是依据25℃和125℃时的阻值导出的。
图3是一曲线图，它示出在上述的不同PH值的电镀液中获得的电阻器的TCR与镀膜的热处理温度之间的关系。图4的曲线示出在上述的不同PH值的电镀液中获得的电阻器的阻值与镀膜的热处理温度之间的关系。
图3清楚地示出，通过将电镀液的PH值选为6-8和镀膜的热处理温度选为约600℃，有可能获得TCR≤±100ppm/℃之特性。尤其是，当电镀液的PH值调节为7时，在600℃或更高热处理温度下可获得TCR≤±10ppm/℃之特性。
采用PH值为6-8的电镀液获得的电阻器具有良好的电阻温度系数。如图4所示，对于在这些条件下获得的电阻器的电阻值而言，在600℃或更高的热处理温度下，那些采用PH值为7-9的电镀液获得的电阻器的阻值仅稍稍改变，而那些采用PH值为6的电镀液获得的电阻器的阻值变化很大。从这些实验结果可以得出这样的结论为获得良好的电阻温度系数和低的阻值的条件之一是电镀液的PH值应为7-8。
比较例比较例用轮流电镀工艺将已经过与例1相似的包括蚀刻、激活处理和基底镀敷的预处理的1000件样品置于含5升下述电镀液成分的电镀液并以8rpm速度转动的桶中。在下列条件下，镀铜和镀镍交替地进行四次。
(1)镀铜电镀液成份CuCN50g/LNaCN10g/LPH12.5电镀液温度60℃
阳极铜板镀敷电流2A时间30分钟(2)镀镍电镀液成分CuSO4·5H2O 280g/LNiCl250g/LPH4电镀液温度50℃阳极镍板镀敷电流2A时间40分钟样品组通过上述镀敷步骤在每一样品上交替淀积铜膜和镍膜之后，将样品分成下列五组金属膜电阻器，并对其特性进行检测(1)未进行热处理的电阻器(2)在200℃在容积比为1∶9的氢和氮的混合气氛中经25分钟热处理的电阻器(3)在除温度为400℃外的与(2)相同条件下热处理的电阻器(4)的除温度为600℃外的与(2)相同条件下热处理的电阻器(5)在除温度为800℃外的与(2)相同条件下热处理的电阻器特性比较图5的曲线示出本发明的实施例的电阻器(在例1中获得的，其中电镀液的PH值选为7)和比较例的电阻器的TCR与镀膜的热处理温度之间的关系。图6的曲线示出例1和比较例的电阻器的阻值与镀膜的热处理温度之间的关系。
如这些曲线清楚地显示的，虽然根据本发明可能获得TCR＝±200ppm/℃或更小之特性，但只有采用800℃的镀膜热处理温度才可获得与比较例相同或相近的特性。此外，若要降低TCR，由比较例获得的电阻器的阻值会因高温热处理而增大。
例2除了电镀液的PH值固定为7，且镀敷电流调节为2-4A外，在与例1相同之条件下，在瓷绝缘体上淀积铜-镍合金膜。在800℃温度下在与例1相同之混合气体气氛中，对这些合金膜热处理25分钟，以获得电阻器。
图7的曲线示出所获得的电阻器的阻值与不同镀敷电流下的镀敷时间之间的关系。图8的曲线示出所获得的镀膜的厚度与不同镀敷电流下的镀敷时间之间的关系。这些曲线清楚地示出，通过延长镀敷时间或加大镀敷电流值，可能获得低的电阻值，并因此增加镀膜厚度。
例3除改变电镀液中的金属浓度外，重复与例1相同的程序。图9示出在具有不同的金属浓度的电镀液中的镀敷时间与所获得的电阻器的阻值之间的关系。在图9中，曲线“a”表示在除了电镀液的PH值固定为7和镀敷电流值固定为4A之外与例1相同之条件下所获得的电阻器的阻值。另一方面，曲线“b”表示采用含有镍盐和铜盐的浓度两倍于“a”之情况的电镀液获得的电阻器的阻值。
例4
除了镀敷电流固定在2.5A之外，在与例2相同之条件下，在瓷绝缘体上淀积铜-镍合金膜。在与例2相同之条件下对这些合金膜进行热处理。
图10的曲线示出所获得的电阻器的阻值或TCR与镀敷时间之间的关系。图11的曲线示出在所得到的铜-镍合金膜中的铜或镍比例与镀敷时间之间的关系。在这种情况下，在计算铜/镍比率时，从总镍含量中除去包含在基底膜中的镍含量(此后的有关程序与此相同)。从这些曲线中可以看出，在铜-镍合金膜中的铜比例为45-65wt%时，可获得具有±100ppm/℃的电阻温度系数的电阻器。
图12示出电镀液中的Cu和Ni浓度或淀积膜中的Cu含量与镀敷时间之间的关系。
从图12中可以发现，在镀敷步骤的开始阶段，得到了具有高的铜含量的镀膜，但镀膜中的铜含量随镀敷工艺的进行而降低，因为铜(一价或二价的)离子浓度随工艺进行而逐渐降低。
图5除了PH值固定为7以及在氢-氮混合气体气氛或如例1中的单一氮气氛中进行随后的25分钟热处理外，在与例1相同之条件下，在瓷绝缘体上淀积铜-镍合金膜。
图13示出所得到的电阻器的TCR与热处理温度之间的关系。从图13中可以看出，采用单一氮气的或含氢的氮气热处理气氛，可获得特性相近的电阻器。进一步还可发现，选择500℃或更高的热处理温度可获得具有±50ppm/℃或更小的TCR的电阻器。
例6在前述例子中，电镀液中的金属浓度随镀敷步骤的进行而变化，因为电镀液不能另外供给铜或镍组份。因此，在所得到的镀膜中的铜/镍比率是变化的，并使具有这种金属膜的电阻器存在其TCR不稳定之缺点。
在本例子中，为克服上述缺点并使电镀液中的金属浓度保持恒定，以分离的镍板和铜板替代镀铂的钛板阳极。
在镀敷步骤中，3A的总镀敷电流分成2.7A和0.3A两部分，并分别分配在镍板和铜板之间，使从这儿流过。这种分配关系中的镀敷电流值比率与电镀液中的镍和铜的摩尔比率是相对应的。除了镀敷电流的分配关系之外，在与例2相同之条件下，以与例2相同之工艺淀积铜-镍合金膜并对淀积膜进行热处理。
图14的曲线示出在得到的镀膜中的镍/铜含量比率与镀敷时间之间的关系。图15的曲线示出所获得的电阻器的TCR或阻值与镀敷时间之间的关系。
从这些曲线图中可以看出，由于采用分离的镍和铜阳极，并且除镀敷步骤的开始阶段外，在所得到的镀膜中的镍/铜含量比率基本是恒定的，即，约保持55∶45之比值，所得到的电阻器的TCR为大约±50ppm/℃或更低。
在对实施例进行的上述说明书，仅描述了柱状电阻器。虽然在图1和2中未示出，但最好至少在金属膜上和通常在端帽对上覆盖一层诸如环氧树脂的树脂类保护膜，以防止可能产生的金属膜氧化。
不需要详细指出的是本发明还可用于任何以金属作为其电阻膜的其它电阻器，例如矩形片状电阻器。在以下的说明中，将描述本发明用于矩形片状电阻器的一个例子。
例7预处理对由氧化铝(Al2O3∶96%，SiO2∶4%)制成的矩形衬底板(64mm×50mm，厚度0.6mm)的样品进行预处理，即，蚀刻、激活处理和在下述条件下非电镀镀敷镍-磷合金作为基底镀敷。为同时制成多个片状电阻器，衬底板具有纵向和横向分割槽。
(1)蚀刻氢氟酸20CC/L硝酸20CC/L温度室温时间5分钟(2)激活处理同例1(3)基底镀敷同例1在具有下述组份的电镀液中，将已经上述预处理的样品上电镀一层铜-镍合金膜，电镀条件是电镀液温度为40℃，电流密度为1A/dm2，时间为1小时。在此镀敷步骤中，样品距离镀铂的钛阳极有4mm的间隙，电镀液以4m/sec的流速循环穿过此间隙。电镀溶液量为20升。
电镀液的成份CuSO4·5H2O 0.01mole/LNiSO4·6H2O 0.09mole/LK4P2O70.30mole/LPH8-9通过上述镀敷步骤在衬底板上淀积铜-镍合金膜之后，在800℃温度下，在由容积比为1∶9的氢和氮气组成的混合气氛中，进行25分钟的热处理。此后，通过激光辐射按公知方法对所得到的膜进行微调，以获得标定电阻值。然后，通过丝网印刷，在镀膜的特定部分(横带形状)上涂覆具有耐湿和耐热特性的环氧树脂膏，并对此树脂在200℃的空气中进行30分钟的热固化。
此后，沿横向分割槽将已镀敷并涂敷了保护树脂的衬底分成多个细长条。每一分成的细长条均包含保护环氧树脂。然后，在横向分割的侧边与所得到的条的横向分隔侧边相接触的镀膜的细长部分、以及与主面相反的一面的细长侧边部分上，利用辊式涂器涂敷由树脂一银粉混合物制成的导电膏构成的一对细长导电膜，并在200℃的空气中对此所涂敷的膏膜加热30分钟固化。
下一步，沿上述的纵向分割槽将细长条分割为多个矩形单片。为保证焊接的可靠性，在单片的已固化的导电膜表面上形成一电镀镍薄膜(厚度约5μm)并在此薄膜上形成一焊料镀膜(厚约5μm)，以完成一矩形片状金属膜电阻器。
图16是按照上述方法制造的电阻器的剖示图。
如图16所示，氧化铝衬底板11的主表面上具有一个起基底作用的由镍-磷合金膜12构成的衬层和一个铜-镍合金膜13。镀膜13的特定部分(横条形状)上覆盖有已固化的环氧树脂保护膜14，用以防止镀膜13可能发生的氧化。在形成保护膜14之后，沿垂直于图16之纸面的垂直平面在各个上述横向分割槽处将衬底板11分成多个细长条。此后，在横向分割的侧边、与所得的条的横向分割侧边相接触的镀膜的细长部分、以及与主面相反的一面的细长侧边部分上，覆盖一对细长的已固化导电膜15。然后，将衬底板11的每个细长条沿平行于图16的纸面的垂直平面切分成多个单片，并在其上形成镀镍膜16和焊料镀膜17，从而完成此电阻器的制造。
按上述方法得到的每一矩形片状电阻器(衬底板的尺寸为4.5×3.2mm)的阻值可通过调节铜-镍合金膜之厚度将电阻值调整于从约10mΩ至约400mΩ之范围，其TCR为±30ppm/℃。
尽管已通过优选实施例对本发明做了描述，但可以理解，这种公开并不能认为是对本发明的限制。在阅读了上述公开说明之后，对于本领域技术人员而言，会毫无疑问地进行各种替换及修改。因此，所附权利要求应视为覆盖了本发明之实质精神和范围内的所有替换及修改。
权利要求
1.一种制造金属膜电阻器的方法，此电阻器包括至少一个绝缘衬底、一层在所述绝缘衬底表面上形成的铜-镍合金电阻膜、以及一对与所述电阻膜接触的端子，所述方法包括在含有铜盐和镍盐的焦磷酸盐水溶液的电镀液中通过电镀淀积所述铜-镍合金的步骤。
2.根据权利要求1的方法，其中所述的淀积铜-镍合金的步骤包括在电镀液温度为20-40℃和PH值为6-8的条件下，电解含0.005-0.030mole/L的硫酸铜、0.07-0.30mole/L的硫酸镍和0.20-0.50mole/L的焦磷酸钾的焦磷酸盐水溶液的电镀液，以便淀积含铜40-65wt%的铜-镍合金。
3.根据权利要求1或2的方法，它进一步包括在所述的淀积铜-镍合金的步骤之前，在所述绝缘衬底上通过非电镀镀敷淀积-金属衬层的步骤，此金属衬层用作所述铜-镍合金的基底。
4.根据权利要求1或2的方法，它进一步包括在所述的淀积铜-镍合金的步骤之前，对所述绝缘衬底进行激活处理的步骤，以及在所述绝缘衬底上通过非电镀镀敷淀积一层镍衬层的步骤，此镍衬层用作所述铜-镍合金的基底。
5.根据权利要求1或2方法，其特征是所述的淀积铜-镍合金的步骤是这样实现的采用分离的铜和镍阳极电解所述焦磷酸盐水溶液的电镀液，镀敷电流以恒定的比例分配于铜阳极和镍阳极之间，从而使所述焦磷酸盐水溶液的电镀液中的镍离子对铜离子的浓度比基本不变。
6.根据权利要求1或2的方法，它进一步包括在500℃或更高温度下在氮气氛中对所述铜镍合金进行热处理的步骤。
7.一种金属膜电阻器，包括至少一个绝缘衬底、一层在所述绝缘衬底上形成的金属电阻膜、以及一对与所述电阻膜接触的端子，其特征是，所述的金属电阻膜是在含铜盐和镍盐的焦磷酸盐水溶液的电镀液中电解沉积形成的铜-镍合金。
8.根据权利要求7的电阻器，其中在所述铜-镍合金中的铜含量为40-65wt%。
全文摘要
一种制造金属膜电阻器的方法，此电阻器包括至少一个绝缘衬底、一层在绝缘衬底表面上形成的铜-镍合金电阻膜以及一对与电阻膜接触的端子，该方法包括在电镀液温度为20—40℃和pH值为6—8的条件下在含铜盐和镍盐的焦磷酸盐水溶液的电镀液中通过电镀淀积铜-镍合金的步骤。
文档编号C04B41/51GK1104801SQ94112778
公开日1995年7月5日 申请日期1994年12月16日 优先权日1993年12月16日
发明者清川肇 申请人:清川电镀工业株式会社