湿陷性地基桩基础减小负摩阻力构造

文档序号:9781899阅读:341来源:国知局
湿陷性地基桩基础减小负摩阻力构造
【技术领域】
[0001]本发明涉及土木工程中的粧基础,特别涉及一种湿陷性黄土地基其他具有湿陷性地地基中粧基础的减小负摩阻力构造。
【背景技术】
[0002]粧基础应用比较广泛,是有效的提高地基承载力和减小地基沉降变形的工程措施。常用的粧型主要有预制钢筋混凝土粧、预应力钢筋混凝土粧、钻(冲)孔灌注粧、人工挖孔灌注粧、钢管粧等。
[0003]粧基础用于湿陷性场地时,粧身穿过湿陷性土层支承于稳定的坚实土层或嵌固于基岩,在湿陷性土层湿陷的情况下,粧基凭靠深部稳固土层仍具有足够的抗压承载力,从而确保粧基础所支撑的上部结构(如建筑承台、桥台等)的稳定,且不产生过大的沉陷与倾斜。
[0004]粧身穿过湿陷性土层时,粧身计算中性点以上的部位承受负摩阻力,导致粧基础锚入稳固土层的深度较深,粧长较长。特别是位于深厚的湿陷性黄土地区的粧基础,受负摩阻力的影响,承受较大的下拉荷载,设计粧长有时需要达到几十米以上,才能满足承载力的要求。

【发明内容】

[0005]本发明所要解决的技术问题是提供一种湿陷性地基粧基础减小负摩阻力构造,以有效减小湿陷性地基粧基础的设计粧长,大幅度节约工程造价。
[0006]本发明解决上述技术问题所采用的技术方案如下:
[0007]本发明的湿陷性地基粧基础减小负摩阻力构造,包括下部穿过湿陷性土层进入稳定土层的粧基础,其特征是:所述湿陷性土层内在粧基础外设置其断面环绕粧基础侧壁的滑动层,该滑动层的长度由湿陷性土层计算中性点至粧基础的粧顶。
[0008]本发明的有益效果是,滑动层将湿陷性土层与粧基础的侧壁隔开,减小或基本消除湿陷性土层作用在粧基础侧壁的负摩阻力,使得湿陷性土层与粧基础在较小的阻力下发生相对位移,从而有效的减小湿陷性土层对粧基础的负摩阻力,减小粧基础承受的下拉荷载,有效的减小粧基础的设计粧长和工程造价。
【附图说明】
[0009]本说明书包括如下两幅附图:
[0010]图1是本发明湿陷性地基粧基础减小负摩阻力构造的立面构造示意图;
[0011]图2是本发明湿陷性地基粧基础减小负摩阻力构造的断面构造示意图
[0012]图中示出构件名称及所对应的标记:粧基础10、滑动层20、湿陷性土层A、稳定土层B、湿陷性土层中性点C。
【具体实施方式】
[0013]下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
[0014]参照图1和图2,本发明的湿陷性地基粧基础减小负摩阻力构造,包括下部穿过湿陷性土层A进入稳定土层B的粧基础10。所述湿陷性土层A内在粧基础10外设置其断面环绕粧基础10侧壁的滑动层20,该滑动层20的长度由湿陷性土层中性点C至粧基础10的粧顶。
[0015]湿陷性土层中性点C指的是湿陷性土层A中对粧基础10产生正侧摩阻力和负摩阻力的分界点。
[0016]滑动层20将湿陷性土层A与粧基础10的侧壁隔开,减小或基本消除湿陷性土层A作用在粧基础10侧壁的负摩阻力,使得湿陷性土层A与粧基础10在较小的阻力下发生相对位移,从而有效的减小湿陷性土层A对粧基础10的负摩阻力,减小粧基础10承受的下拉荷载,有效的减小粧基础1的设计粧长和工程造价。
[0017]参照图1和图2,所述滑动层20环绕粧基础10侧壁一周布置,固定设置在湿陷性土层A内,其内表面与粧基础10侧壁表面紧贴。所述滑动层20—般可采用具有润滑作用的材料制作而成,比如石墨、具有润滑作用的合成材料、具有润滑作用的滑动装置等。
[0018]以上所述只是用图解说明本发明的一些原理,并非是要将本发明局限在所示和所述的具体结构和适用范围内,故凡是所有可能被利用的相应修改以及等同物,均属于本发明申请的专利范围。
【主权项】
1.湿陷性地基粧基础减小负摩阻力构造,包括下部穿过湿陷性土层(A)进入稳定土层(B)的粧基础(10),其特征是:所述湿陷性土层(A)内在粧基础(10)外设置其断面环绕粧基础(10)侧壁的滑动层(20),该滑动层(20)的长度由湿陷性土层计算中性点(C)至粧基础(10)的粧顶。2.如权利要求1所述的湿陷性地基粧基础减小负摩阻力构造,其特征是:所述滑动层(20)固定设置在湿陷性土层(A)内,其内表面与粧基础(10)侧壁表面紧贴。
【专利摘要】湿陷性地基桩基础减小负摩阻力构造,以有效减小湿陷性地基桩基础的设计桩长,大幅度节约工程造价。包括下部穿过湿陷性土层进入稳定土层的桩基础。所述湿陷性土层内在桩基础外设置其断面环绕桩基础侧壁的滑动层,该滑动层的长度由湿陷性土层计算中性点至桩基础的桩顶。
【IPC分类】E02D5/60
【公开号】CN105544532
【申请号】CN201610036637
【发明人】吴沛沛, 丁兆锋, 李安洪, 李楚根, 曾永红, 李井元, 龚建辉, 唐第甲, 李宁, 胡会星, 李晓园
【申请人】中铁二院工程集团有限责任公司
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2016年1月20日
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