专利名称：可提高制造良率的存储卡的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种存储卡的制作方法，尤指一种可提高整体制造良率的存储卡的制作方法。
背景技术：
请参照图4与图5所示，是为一现有的存储卡，如数码相机使用的存储卡的制作方法，存储卡是包含有一电路基板(50)、一封装体(51)与一护板(52)，封装体(51)是通过芯片封装的技术制作形成于电路基板(50)的一侧表面上，其并包含有一个或多个芯片于其中，每一芯片并电气地连结于电路基板(50)。
护板(52)是经由模制形成，其一侧表面并设有一阶级容槽(521)，上述构件于组合成存储卡时，阶级容槽(521)的表面上会预先涂布有一层胶膜，并将具有电路基板(50)与封装体(51)排列、对齐并容置于阶级容槽(521)中，对应叠合后局部热压合成一体。
然而，现有上述的存储卡的制作方法，存在有下列缺点。
由于现有的存储卡的制作方法是使用局部热压合将电路基板(50)、封装体(51)与护板(52)三者热压合成一体，护板(52)的形状因为不规则所以导热效果无法均匀一致，因此，于热压合时作用于胶膜的热能无法均匀一致；同时，现有使用局部热压合的方式虽可使存储卡无需经冷却即可完成存储卡的制作，但由于护板(52)是预先以模制完成，再进行电路基板(50)与封装体(51)的局部热压合。这种分次压合的效果，无法使电路基板(50)、封装体(51)与护板(52)三者间具有良好密合效果，同时，局部热压合容易造成压合不平均的情形，也就是说当存储卡受外力弯折时，电路基板(50)与封装体(51)掉落的可能性将提高。
因此，上述原因会造成存储卡在制作时，不良品的产出，将导致存储卡在制作时整体良率的降低。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种存储卡的制作方法，通过制造流程的改良，可提高存储卡的整体制造良率者。
为达上述目的，本发明包含有(A)提供一电路基板，并于所述电路基板上制作形成一封装体；(B)提供一封装体护环，其中，所述封装体护环具有一大于所述封装体的小孔；(C)提供一基板护环，其中，所述基板护环具有一大于所述电路基板的大孔；(D)提供一平板状的下护板；(E)将所述电路基板、所述封装体护环与所述基板护环依序对应排列叠合于所述下护板的一侧表面，其中，所述电路基板与所述封装体是分别容置于与所述大孔与所述小孔中，并于所述封装体护环、所述基板护环、所述电路基板与所述封装体间相互对应的表面上形成有一胶膜；(F)进行整体热压合，对所述电路基板、所述封装体护环、所述基板护环与所述封装体进行整体同时热压合成一体，其中，所述基板护环与所述电路基板的其中异于所述下护板的相同一侧表面是相互平齐；以及(G)进行热压合后的冷却。
借此，本发明具体达成的功效在于，上述电路基板、封装体护环、基板护环与封装体是通过同时整体热压合成一体，由于各构件间是在同一平整面进行压合，热压合后并进行冷却，因此，压合的密合度较好，同时，本发明的存储卡在制作时，可以减少因热压合后密合度不佳的情形发生，减少不良品的产生，可提高存储卡的制造整体良率。
图1是本发明较佳实施例的流程示意立体图。
图2是本发明较佳实施例的存储卡的剖视图。
图3是本发明较佳实施例的流程图。
图4是现有的的存储卡的制作方法的流程示意立体图。
图5是现有的存储卡制作方法的存储卡剖视图。
符号说明(10)电路基板(11)封装体(12)封装体护环 (121)小孔(13)基板护环(131)大孔(14)下护板 (50)电路基板(51)封装体 (52)护板(521)阶级容槽具体实施方式
请参照图1到图3所示，是为一种存储卡的制作方法，是以数码相机存储卡为较佳的实施例说明，其中，存储卡是包含有一电路基板(10)、一封装体(11)、一封装体护环(12)、一基板护环(13)与一下护板(14)，其中，电路基板(10)与封装体(11)是以芯片封装技术制作而成，封装体护环(12)、基板护环(13)与下护板(14)则以模制而成。
封装体护环(12)的厚度可与封装体(11)相当，并具有一略大于封装体(11)的小孔(121)，以供封装体(11)恰能容置于小孔(121)中。
相同的，基板护环(13)的厚度也可与电路基板(10)相当，并具有一略大于电路基板(10)的大孔(131)，以供电路基板(10)恰能容置于大孔(131)中。
下护板(14)是为平板状片体，可以提供存储卡底部于热压合时，较均匀的热传导效果。
上述电路基板(10)、封装体(11)、封装体护环(12)、基板护环(13)与下护板(14)依序对应排列叠合，并于相互对应的表面上涂布有一层胶膜，其中，电路基板(10)与封装体护环(12)其中相同一侧的表面，即外侧，是呈相互平齐的状态。
当上述各构件对应排列叠合后，施以整体热压合，此时，因所有构件是一起热压合，且由于下护板(14)呈平板状，导热均匀，使热压合后，存储卡的整体密合度能提高，同时，再经冷却处理，以提供压合的密合度较好的存储卡。
上述所揭露的本发明的技术手段，是仅用以说明本发明的较佳实施状态，但不代表本发明的实施态样限于上述所揭露的较佳实施例，对熟悉此项技术的人士，依据本发明做如外型或大小上但实质上却与本发明所揭露的技术手段相同的变更，也不应被排除于本发明权利要求之外。
权利要求
1.一种可提高制造良率的存储卡的制作方法，其特征在于，包含有(A)提供一电路基板，并于所述电路基板上制作形成一封装体；(B)提供一封装体护环，其中，所述封装体护环具有一大于所述封装体的小孔；(C)提供一基板护环，其中，所述基板护环具有一大于所述电路基板的大孔；(D)提供一平板状的下护板；(E)将所述电路基板、所述封装体护环与所述基板护环依序对应排列叠合于所述下护板的一侧表面，其中，所述电路基板与所述封装体是分别容置于与所述大孔与所述小孔中，并于所述封装体护环、所述基板护环、所述电路基板与所述封装体间相互对应的表面上形成有一胶膜；(F)进行整体热压合，对所述电路基板、所述封装体护环、所述基板护环与所述封装体进行整体同时热压合成一体，其中，所述基板护环与所述电路基板的其中异于所述下护板的相同一侧表面是相互平齐；以及(G)进行热压合后的冷却。
全文摘要
一种可提高制造良率的存储卡的制作方法，其是提供一电路基板、一封装体护环、一基板护环与一下护板，并于电路基板上制作形成一封装体，装体护环设有一大于封装体的小孔以及基板护环设有一大于电路基板的大孔后，予以排列叠合，并使封装体容置于小孔中，电路基板容置于大孔中，整体同时进行热压合成一体，再经冷却；借此，由于各构件间是于同一平整面进行压合，热压合后并进行冷却，因此压合的密合度较好，可以减少存储卡因热压合后密合度不佳的情形发生以及不良品的产生，可提高存储卡的整体制造良率。
文档编号B32B37/00GK1838154SQ200510055799
公开日2006年9月27日 申请日期2005年3月23日 优先权日2005年3月23日
发明者林武旭 申请人:韦侨科技股份有限公司