专利名称：一种半透明超洁净防静电屏蔽膜的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及防静电技术领域，特别涉及一种半透明超洁净防静电屏蔽膜。
背景技术：
超洁净防静电屏蔽膜广泛应用于电子半导体行业、国防工业、记录磁盘行业、纤维光学器件制造业、电信无线电通讯业、医药业、汽车制造业等涉及敏感电子元器件加工、包装和封装等领域，用于保护敏感电子元件内部和表面不受微颗粒、湿气、静电释放和电磁干扰等伤害。目前市场上通用的防静电屏蔽膜，在微颗粒控制以及离子含量控制方面技术水平较低或者不作为控制项目，无法满足某些行业中超洁净的要求。·发明内容针对上述现有技术存在的不足，本实用新型的目的是提供一种半透明超洁净防静电屏蔽膜，它具有超高的洁净度，阴离子含量极低，可以有效防止阴离子与水分子结合而产生的具有强烈腐蚀作用的酸性物质，能最大限度的保护电子器件的安全。为了实现上述目的，本实用新型所采用的技术方案是一种半透明超洁净防静电屏蔽膜，包括顺序排列的外表面静电耗散层、聚酯层、金属招层与内表面静电耗散层。进一步地，所述外表面静电耗散层与内表面静电耗散层为具有静电耗散性能的特殊聚乙烯层(PE)。进一步地，所述外表面静电耗散层与内表面静电耗散层的电阻小于1X1011欧姆，金属招层表面电阻小于100欧姆,静电屏蔽小于50V。进一步地，材料厚度为O. 075mm,拉伸强度大于15N (TD&MD)，撕裂强度大于8N(TD&MD)，穿刺强度大于5N。所述外表面静电耗散层与内表面静电耗散层主要作用是阻止屏蔽膜内外表面静电的产生，提供释放外部电荷的途径，同时也能提供薄膜的热封面以及物理性能。所述聚酯层(PET)提供材料的物理性能，所述金属铝(AL)提供法拉第笼原理的静电屏蔽保护。本实用新型的各项性能符合ANSI/ESD S541，MIL-1686A，MIL-PRF_81705Rev D,Type III，GB-13022-91的相关要求。通过特定的抗静电配方，使屏蔽膜洁净度能够满足记录磁盘行业的高标准要求，而且不含氨基化合物、硅油和酸二辛酯(DOP)，IC阴离子含量极低，氟离子(F_)小于O. 001 μ g/cm2，氯离子(CF)小于O. 001 μ g/cm2，亚硝酸根离子(NO2O小于 O. 001 μ g/cm2,溴离子(Br-)小于 O. 001 μ g/cm2，硝酸根离子(NO3O 小于 O. 009 μ g/cm2,磷酸根离子(P0/_)小于O. 001 μ g/cm2，硫酸根离子(S042_)小于O. 001 μ g/cm2,总的阴离子含量小于O. 012 μ g/cm2。与市场上普通的防静电屏蔽膜相比，本实用新型的阴离子含量仅仅为几十分之一，氟离子、氯离子、亚硝酸根离子、溴离子、磷酸根离子、硫酸根离子仅为十分之一，硝酸根离子仅是十四分之一，总的离子含量仅为十一分之一。同时，本实用新型也符合 FTIR、RoHS, REACH、Halogen Free、PFOS, PFOA 和 PVC 等有害物质的限量要求。本实用新型具有超高的洁净度，阴离子含量极低，可以有效防止阴离子与水分子结合而产生的具有强烈腐蚀作用的酸性物质，最大限度的保护电子器件的安全。所具有的物理性能和防静电性能，可以按包装物的要求制作成各种形状及尺寸，并且能够达到抽真空包装的要求。半透明性能可以查看包装内部电子器件的外观状况，并且通过湿度指示卡观察包装袋内的湿度变化情况。本实用新型适用于环境有无尘要求的生产、包装和测试等场合，符合磁头、硬盘等对洁净度有苛刻要求的高科技行业标准。
以下结合附图
和实施例对本实用新型进一步说明。图I是本实用新型的结构示意图；图中1、外表面静电耗散层；2、聚酯层；3、金属铝层；4、内表面静电耗散层。
具体实施方式
下面结合实施例对本实用新型进行详细描述，本部分的描述仅是示范性和解释性的，不应对本实用新型的保护范围有任何的限制作用。实施例，见图I所示本实用新型是一种半透明超洁净防静电屏蔽膜，包括顺序排列的外表面静电耗散层I、聚酯层2、金属铝层3与内表面静电耗散层4。所述外表面静电耗散层I与内表面静电耗散层4为具有静电耗散性能的特殊聚乙烯层(PE)。首先采用常规流延法将聚酯拉伸至所需厚度的薄膜聚酯层2 ;再利用真空镀铝技术在聚酯层2内表面镀上金属铝层3，制成镀铝聚酯，其金属铝层3的厚度为150埃左右；然后采用多层共挤将镀铝聚酯和添加有机高分子导电化合物的特殊聚乙烯等树脂热熔共挤复合。本实用新型加工过程不采用传统的干式复合生产工序，而是先由镀铝聚酯制成支撑层，支撑层的两个表面再与具有防静电的和具有粘合功能的特殊聚乙烯等树脂热熔共挤复合，减少了中间环节，无需熟化工艺和涂布工艺，提高了生产效率，同时，不需要胶水和防静电剂，从而在加工过程不会导致有害化学成分的挥发，使生产过程更符合节能与减少污染物排放的环保要求，有利于生态环境的可持续发展。以上所述仅是本实用新型的较佳实施方式，故凡依本实用新型专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，均包括于本实用新型专利申请范围内。
权利要求1.ー种半透明超洁净防静电屏蔽膜，其特征在于包括顺序排列的外表面静电耗散层(I)、聚酯层(2)、金属铝层(3)与内表面静电耗散层(4)。
2.根据权利要求I所述的ー种半透明超洁净防静电屏蔽膜，其特征在于所述外表面静电耗散层(I)与内表面静电耗散层(4)为具有静电耗散性能的特殊聚こ烯层。
3.根据权利要求I所述的ー种半透明超洁净防静电屏蔽膜，其特征在于所述外表面静电耗散层(I)与内表面静电耗散层(4)的电阻小于IX IO11欧姆；所述金属铝层(3)表面电阻小于100欧姆，静电屏蔽小于50V。
4.根据权利要求I所述的ー种半透明超洁净防静电屏蔽膜，其特征在于厚度为O.075mm,拉伸强度大于15N,撕裂强度大于8N,穿刺强度大于5N。
专利摘要本实用新型涉及防静电技术领域，特别涉及一种半透明超洁净防静电屏蔽膜，包括顺序排列的外表面静电耗散层、聚酯层、金属铝层与内表面静电耗散层，所述外表面静电耗散层与内表面静电耗散层为具有静电耗散性能的特殊聚乙烯层。本实用新型半透明超洁净防静电屏蔽膜，具有超高的洁净度，阴离子含量极低，可以有效防止阴离子与水分子结合而产生的具有强烈腐蚀作用的酸性物质，能最大限度的保护电子器件的安全。
文档编号B32B27/32GK202640916SQ20122018060
公开日2013年1月2日 申请日期2012年4月25日 优先权日2012年4月25日
发明者郭先正 申请人:卫利净化产品(上海)有限公司