专利名称：抗有机物挥发的防静电薄膜及其制备方法和应用的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种抗有机物挥发的防静电薄膜及其制备方法与应用，尤其是涉及一种应用于制造防静电屏蔽袋的抗有机物挥发的防静电薄膜，属于高分子材料技术领域。
背景技术：
随着电子工业的快速发展，电子线路板集成度越来越高，主机板上电子元器件的高密度、布线的紧凑，以及表面贴装式元件的广泛采用，都易导致静电损伤线路板卡。研究表明，出现故障的集成电路，其三分之一是被静电放电击穿的。因此，用防静电薄膜包装电子元器件产品或半成品能够避免静电造成的集成电路损坏。电子行业中常用的防静电屏蔽袋大多是采用二层复合或更高的四层复合结构。防静电屏蔽袋里形成法拉第笼感应罩效应，最大程度保护袋内物品与静电场隔离，防止静电积累，免受静电危害。目前常用的防静电屏蔽袋大多是采用具有聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜/铝箔/聚乙烯薄膜复合结构的薄膜材料制造而成。由于铝箔在与其他薄膜复合时常使用粘合剂，使得上述防静电屏蔽袋在使用过程中，即使温度较低时也可能会挥发出苯、酮、醚、酯、醇、醛等20多种有机物。且聚乙烯薄膜通常含有烃类与芳香类化合物等挥发性有机物，较低温度环境下也会挥发出对电子元器件产品或半成品有影响以及污染环境的有机物，因此不能满足高端的电子元器件产品或半成品对其环境中的有机物挥发含量的严格要求。
发明内容
本发明的目的是为了解决上述技术问题而提供一种抗有机物挥发的防静电薄膜及其制备方法与应用，通过本发明抗有机物挥发的防静电薄膜可制造在电子行业中用于包装电子元器件产品或半成品的防静电屏蔽袋。本发明的技术解决方案如下
一种抗有机物挥发的防静电薄膜，依次包括内层、中层和外层，各层分别由如下质量百分数的原料制成
内层低密度聚乙烯50 % 95 %，高密度聚乙烯5 % 50 % ；
中层低密度聚乙烯50 % 95 %，高密度聚乙烯5 % 50 % ;
外层低密度聚乙烯50 % 95 %，高密度聚乙烯5 % 50 % ;
其中，得到的所述防静电薄膜中所含的苯系化合物< 2ng/cm2，烷烃类化合物< 150ng/
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cm ο本发明另一方面地，还包括一种抗有机物挥发的防静电薄膜的制备方法，将所述低密度聚乙烯和所述高密度聚乙烯按照配比加入多层共挤吹膜机中，经挤出、冷却制得所述抗有机物挥发的防静电薄膜，其挤出过程中，设置内层挤出温度为160°C 200°C，中层挤出温度为160°C 200°C，外层挤出温度为160°C 200°C，模头温度为160°C 200°C。进一步地，上述抗有机物挥发的防静电薄膜的制备方法还包括电晕处理步骤，将所述抗有机物挥发的防静电薄膜的外层表面经电晕处理。
本发明另一方面地，还包括一种屏蔽袋，其通过将所述抗有机物挥发的防静电薄膜经分切、制袋制得。本发明的技术效果主要体现在
①本发明采用苯系化合物含量和烷烃类化合物含量均较低的低密度聚乙烯颗粒为原料，搭配硬挺度较高的高密度聚乙烯颗粒按照本发明所述原料配比制得的防静电薄膜，低温条件也可减少防静电薄膜中的有机化合物挥发，避免对产品和环境的污染。②由于以高密度聚乙烯作为原料之一，使制得的防静电薄膜降低了摩擦系数，不会造成在自动包装作业中开口困难，且有利于避免静电产生。
具体实施例方式下面通过具体实施例对本发明的方法进行说明，所举的实施例仅是对本发明作概括性例示，有助于更好地理解本发明，但并不会限制本发明范围。下述实施例中所述材料，如无特殊说明，均可从商业途径获得。本实施例一种抗有机物挥发的防静电薄膜，依次包括内层、中层和外层复合构成，上述内层、中层和外层分别由如下质量百分数的原料制成内层，低密度聚乙烯50 % 95%，高密度聚乙烯5 % 50 % ;中层，低密度聚乙烯50 % 95 %，高密度聚乙烯5 % 50 % ;外层，低密度聚乙烯50 % 95 %，高密度聚乙烯5 % 50 % ;其中，得到的所述防静电薄膜中所含的苯系化合物< 2ng/cm2,烧烃类化合物< 150ng/cm2。本发明在制备防静电膜之前，对原料低密度聚乙烯中所含的苯系化合物和烷烃类化合物两类杂质的含量进行控制，上述苯系化合物通常包括甲苯、乙苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、异丙苯、苯乙烯等，上述烷烃类化合物通常包括异庚烷、庚烷、辛烷、壬烷、丙酸丁酯、癸烷等。由于采用了上述苯系化合物含量和烷烃类化合物含量均较低的低密度聚乙烯颗粒为原料，并搭配硬挺度较高的高密度聚乙烯按照本发明所述原料配比制得本发明防静电薄膜，使其所含的苯系化合物< 2ng/cm2,烧烃类化合物< 150ng/cm2,低温条件也可减少防静电薄膜的有机化合物挥发，避免对产品和环境的污染。并且，由于以高密度聚乙烯作为原料之一，使制得的防静电薄膜降低了摩擦系数，不会造成在自动包装作业中开口困难，且有利于避免静电产生。制备上述抗有机物挥发的防静电薄膜的方法如下将所述低密度聚乙烯和所述高密度聚乙烯按照内层为低密度聚乙烯50 % 95 %和高密度聚乙烯5 % 50 %，中层为低密度聚乙烯50 % 95 %和高密度聚乙烯5 % 50 %，外层为低密度聚乙烯50 % 95%和高密度聚乙烯5 % 50 %的配比加入多层共挤吹膜机中，经挤出、冷却制得抗有机物挥发的防静电薄膜。在挤出过程中，设置内层挤出温度为160°C 200°C，中层挤出温度为160°C 200°C，外层挤出温度为160°C 200°C，模头温度为160°C 200°C。通过多层共挤吹膜机制得本发明抗有机物挥发的防静电薄膜之后，还可对其外层表面经电晕处理，进一步降低防静电薄膜的摩擦系数，有利于自动包装作业中开口容易且避免静电产生。具体地，还可通过本发明抗有机物挥发的防静电薄膜可采用常规方法，如分切、制袋制得在电子行业中用于包装电子元器件产品或半成品的防静电屏蔽袋。上述实施例对本发明的保护范围不构成任何限制，凡采用等同替换或者等效变换而形成的所有技术方案，均落在本发明要求保护的范围之内。
权利要求
1.一种抗有机物挥发的防静电薄膜，其特征在于依次包括内层、中层和外层，各层分别由如下质量百分数的原料制成 内层低密度聚乙烯50 % 95 %，高密度聚乙烯5 % 50 % ; 中层低密度聚乙烯50 % 95 %，高密度聚乙烯5 % 50 % ; 外层低密度聚乙烯50 % 95 %，高密度聚乙烯5 % 50 % ; 其中，得到的所述防静电薄膜中所含的苯系化合物< 2ng/cm2，烷烃类化合物< 150ng/ cm ο
2.一种如权利要求1所述的抗有机物挥发的防静电薄膜的制备方法，其特征在于将所 述低密度聚乙烯和所述高密度聚乙烯按照配比加入多层共挤吹膜机中，经挤出、冷却制得所述抗有机物挥发的防静电薄膜，其挤出过程中，设置内层挤出温度为160°C 200°C，中层挤出温度为160°C 200°C，外层挤出温度为160°C 200°C，模头温度为160°C 200。。。
3.根据权利要求2所述的抗有机物挥发的防静电薄膜的制备方法，其特征在于还包括电晕处理步骤，将所述抗有机物挥发的防静电薄膜的外层表面经电晕处理。
4.一种屏蔽袋，其通过将权利要求1所述的抗有机物挥发的防静电薄膜经分切、制袋制得。
全文摘要
本发明提供一种抗有机物挥发的防静电薄膜和一种应用其制成的防静电屏蔽袋。所述抗有机物挥发的防静电薄膜，依次包括内层、中层和外层，所述内层包括50﹪～95﹪低密度聚乙烯和5﹪～50﹪高密度聚乙烯，所述中层包括50﹪～95﹪低密度聚乙烯和5﹪～50﹪高密度聚乙烯，所述外层包括50﹪～95﹪低密度聚乙烯和5﹪～50﹪高密度聚乙烯，其中，得到的所述防静电薄膜中所含的苯系化合物＜2ng/cm2，烷烃类化合物＜150ng/cm2。本发明所述防静电薄膜在低温条件也可减少防静电薄膜中的有机化合物挥发，从而避免对产品和环境的污染，且本发明防静电薄膜摩擦系数较低，不会造成在自动包装作业中开口困难，有利于避免静电产生。
文档编号B32B27/06GK103042783SQ2013100043
公开日2013年4月17日 申请日期2013年1月7日 优先权日2013年1月7日
发明者方杰, 裴俊 申请人:苏州天华超净科技股份有限公司