一种阻燃抗静电离型膜的制作方法
【专利摘要】本案涉及一种阻燃抗静电离型膜，以阻燃PET为基材，在所述基材的上表面设有硅油离型层，在所述基材的下表面设有ATO抗静电涂层。本案以特殊的阻燃PET为基材，极大地提高了离型膜的阻燃能力，其阻燃能力达到UL510要求；通过涂布ATO(锑掺杂氧化锡)抗静电涂层，提高了离型膜的表面抗静电性，克服了最常用的聚噻吩抗静电层易氧化失效的缺点，增强了离型膜的防静电能力。
【专利说明】-种阻燃抗静电离型膜
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及一种高分子薄膜，特别是涉及一种用于保护功能薄膜的阻燃抗静 电离型膜。
【背景技术】
[0002] 离型膜，又称剥离膜、硅油膜，其是指表面具有分离性的薄膜，离型膜与特定的材 料在有限的条件下接触后不具有粘性，或轻微的粘性。通常情况下为了增加塑料薄膜的离 型力，会将塑料薄膜做等离子处理，或涂氟处理，或涂硅（silicone)离型剂于薄膜材质的 表层上，如ΡΕΤ、ΡΕ、0ΡΡ等等，让它对于各种不同的有机压感胶（如热融胶、亚克力胶和橡胶 系的压感胶）可以表现出极轻且稳定的离型力。根据不同所需离型膜离型力，隔离产品胶 的粘性不同，离型力相对应调整，使之在剥离时达到极轻且稳定的离型力。
[0003] 离型膜应用面广，其广泛用于电子产品、印刷等行业，它的使用大部分和具有粘性 的产品在一起，特别是胶带产品。离型膜的主要作用是隔离、填充、保护和易于剥离。然而， 离心膜作为各种保护膜或功能薄膜的保护层通常需要长期和反复使用，但由于高分子材料 极易燃烧，尤其是在阴火、明火及带静电的情况下，所以在涂布生产和运输储存过程中防静 电与阻燃非常重要，而目前市场上针对离型膜的抗静电能力进行优化的产品主要采用聚噻 吩抗静电涂层，但此类涂层长期使用后易氧化失效，且不具备良好的阻燃性。 实用新型内容
[0004] 为克服现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种具备抗静电性及阻燃能 力的离型保护膜。
[0005] 为实现上述目的，本实用新型通过以下技术方案实现：
[0006] -种阻燃抗静电离型膜，以阻燃PET为基材，在所述基材的上表面设有硅油离型 层，在所述基材的下表面设有ΑΤ0抗静电涂层。
[0007] 优选的是，所述的阻燃抗静电离型膜，所述基材厚度为100 μ m。
[0008] 优选的是，所述的阻燃抗静电离型膜，所述硅油离型层的厚度为0. 1?0. 3 μ m。
[0009] 优选的是，所述的阻燃抗静电离型膜，所述ΑΤΟ抗静电涂层的厚度为0. 5?Ιμπι。
[0010] 本实用新型的有益效果是：1)以特殊的阻燃PET为基材，极大地提高了离型膜的 阻燃能力，其阻燃能力达到UL510要求；2)通过涂布ΑΤ0(锑掺杂氧化锡）抗静电涂层，提 高了离型膜的表面抗静电性，克服了最常用的聚噻吩抗静电层易氧化失效的缺点，增强了 离型膜的防静电能力。
【专利附图】
【附图说明】
[0011] 图1为本实用新型的一种阻燃抗静电离型膜的结构示意图。
【具体实施方式】
[0012] 下面结合附图对本实用新型做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明 书文字能够据以实施。
[0013] 如图1所示，阻燃抗静电离型膜以阻燃PET为基材2,在基材2的上表面设有硅油 离型层1，在基材2的下表面设有ΑΤ0抗静电涂层3。其中，基材2厚度为ΙΟΟμ--，硅油离型 层1的厚度为〇. 1?〇. 3 μ m，ΑΤ0抗静电涂层3的厚度为0. 5?1 μ m。
[0014] 基材2厚度为100 μ m，若其厚度小于100 μ m，会降低其阻燃性能；若厚度大于 100 μπι，则会增加生产成本。ΑΤ0抗静电涂层3的厚度优选为0.5?Ιμ--，若ΑΤ0抗静电涂 层3的厚度小于0. 5 μ m，则其表面电阻上升2个数量级，抗静电性能受到影响；若ΑΤ0抗静 电涂层3的厚度大于1 μ m，生产成本提高，且透光度明显下降。硅油离型层1的厚度优选 为0. 1?0. 3 μ m，若其厚度小于0. 1 μ m，离型层与PET基膜附着力不够，不耐摩擦；若其厚 度大于0. 3 μ m，则会降低透明度。上述阻燃抗静电离型膜的透光率> 90%，表面电阻< 106 欧，达到永久抗静电效果，阻燃性能达到UL510要求。
[0015] 尽管本实用新型的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中 所列运用，它完全可以被适用于各种适合本实用新型的领域，对于熟悉本领域的人员而言， 可容易地实现另外的修改，因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本实 用新型并不限于特定的细节和这里示出与描述的图例。
【权利要求】
1. 一种阻燃抗静电离型膜，以阻燃PET为基材，其特征在于，在所述基材的上表面设有 硅油离型层，在所述基材的下表面设有ΑΤΟ抗静电涂层。
2. 如权利要求1所述的阻燃抗静电离型膜，其特征在于，所述基材厚度为100 μ m。
3. 如权利要求1所述的阻燃抗静电离型膜，其特征在于，所述硅油离型层的厚度为 0. 1 ?0. 3 μ m。
4. 如权利要求1所述的阻燃抗静电离型膜，其特征在于，所述ΑΤΟ抗静电涂层的厚度为 0· 5 ?1 μ m〇
【文档编号】B32B9/04GK203831865SQ201420268022
【公开日】2014年9月17日 申请日期:2014年5月23日 优先权日:2014年5月23日
【发明者】金闯, 曾金栋 申请人:苏州斯迪克新材料科技股份有限公司