专利名称：选择性发射极电池正电极的印刷方法
技术领域：
本发明涉及太阳能电池生产制造技术领域，更具体地说，涉及一种选择性发射极电池正电极的印刷方法。
背景技术：
太阳能电池作为清洁环保的新能源，其应用范围已越来越普及。然而，太阳能电池的成本比较高，因此限制了太阳能电池的普及。为了降低太阳能的生产成本，就需要不断采用新的技术来提高太阳能电池的转换效率，其中，选择性发射极电池就是一种工艺简单，且能有效提升太阳能电池效率的新工艺。选择性发射极电池的生产工艺为首先去除电池基材的损伤层并进行绒面的制备， 然后通过特殊工艺完成栅线位置深扩散及非栅线区的浅扩散，再对扩散后的电池基材进行表面PSG (磷硅玻璃)的去除及周边p-n结的去除，然后进行钝化减反射层的制备，并对钝化后的基材进行金属化(即背电极，背电场和正电极的印刷烧结)，最后经过分选过程获得符合要求的选择性发射极电池。选择性发射极电池在生产时，金属化工艺中正电极的印刷是关键步骤之一。如果正银栅线(正电极)与深扩散区不能吻合，SE (selective emitter,选择性发射极)的优势就会大大降低。前端进行深扩散掺杂时，使用的中心对位方式来寻找硅片的中心位置，然后将重掺的图案放在硅片的中心。如图I所示，图I为现有技术中重掺方法中各图案的位置示意图。现有技术是采用普通对准方式，即通过高精摄像系统寻找硅片I四个边的位置，然后通过计算，得到硅片中心的位置。这样，在印刷正银2时，两个中心就实现了重合。但是， 高精摄像系统有自身局限性，摄像系统精度较低，如果深扩散窗口窄，很容易使正银栅线偏出深扩散窗口，如果找不到定位图标的位置，就会影响定位，从而影响正银栅线与深扩散区的对准。而且现有技术是采用边缘对准，这就对硅片的尺寸有了较高的要求。如果硅片尺寸不规格的话，两台设备(深扩散区形成设备与正银印刷设备)计算的硅片中心不一致，这样就会导致较大偏差，后果也是容易使正银栅线偏出深扩散窗口，如图I所示，图I为正银图案与硅片的对应图。其中，因为I和2的缺点，就需要使深扩散细栅宽度尽量宽，以满足精度要求。但是这样就会损失一部分电池效率，使成本增加同时，因为每台设备的计算方式问题，如果采用这种方法，就需要深扩散区形成设备与正银印刷设备采用一样的中心计算方式，这样对生产是不利的，会使生产上设备选型受到一定限制。因此，如何实现保证正银栅线和深扩散区的对准，满足精度要求，同时避免对设备选型的限制，降低成本，是目前本领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种选择性发射极电池正电极的印刷方法，以实现保证正银栅线和深扩散区的对准，满足精度要求，同时避免对设备选型的限制，降低成本。为了达到上述目的，本发明提供如下技术方案一种选择性发射极电池正电极的印刷方法，包括以下步骤I)深扩散区图案形成时，在硅片的表面加工不少于三个定位图标，所述定位图标的中心与所述深扩散区图案的中心重合；2)在正银图案印刷时，找出各个所述定位图标的位置，计算得到所述定位图标的中心；3)将所述正银图案的中心与所述定位图标的中心重合定位后进行正银印刷。优选地，在上述选择性发射极电池正电极的印刷方法中，所述定位图标为四个。优选地，在上述选择性发射极电池正电极的印刷方法中，四个所述定位图标分布于所述硅片的对角线上，且所述硅片的每条对角线上设置有两个所述定位图标。优选地，在上述选择性发射极电池正电极的印刷方法中，所述定位图标由丝网印刷或激光打印的方法加工于所述娃片表面。优选地，在上述选择性发射极电池正电极的印刷方法中，所述定位图标为正方形图标、圆形图标或十字形图标。优选地，在上述选择性发射极电池正电极的印刷方法中，在步骤2)中，各个所述定位图标的位置由高精摄像系统获得。本发明提供的选择性发射极电池正电极的印刷方法，包括步骤，在深扩散区图案形成时，在硅片的表面加工不少于三个定位图标，定位图标的中心与深扩散区图案上的中心点重合；在正银图案印刷时，找出各个定位图标的位置，并通过各个定位图标的位置信息计算得出定位图标的中心；将定位图标的中心与正银图案上的中心点重合定位后进行正银印刷。由于定位图标的中心与硅片上的中心点重合，因此定位图标中心的位置即为硅片上中心点的位置，将定位图标的中心与正银图案上的中心点重合，即完成了硅片上的中心点与正银图案的中心点的重合，即完成了深扩散后的硅片与正银图案的重合，二者进行位置确定后即可进行正银印刷。本发明通过在深扩散区图案形成过程中在硅片的表面加工定位图标作为正银印刷时正银图案与硅片的定位基准，通过定位图标的辅助定位作用，使得深扩散区图案和正银印刷图案位置的一致性，保证了正银栅线和深扩散区的对准，满足了精度要求，同时避免了对设备选型的限制，降低了成本。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为现有技术中重掺方法中各图案的位置示意图；图2为本实施例提供的选择性发射极电池正电极的印刷方法的流程图；图3为本实施例提供的选择性发射极电池正电极的印刷方法中各图案的位置示意图。
具体实施方式
本发明公开了一种选择性发射极电池正电极的印刷方法，以实现保证正银栅线和深扩散区的对准，满足精度要求，同时避免对设备选型的限制，降低成本。下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的事实例仅仅是本发明一部分事实例，而不是全部的实施例。基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。如图2和图3所示，图2为本实施例提供的选择性发射极电池正电极的印刷方法的流程图，图3为本实施例提供的选择性发射极电池正电极的印刷方法中各图案的位置示意图。本实施例提供了一种选择性发射极电池正电极的印刷方法，包括步骤，SOl :深扩散区图案形成时，在硅片表面加工不少于三个定位图标；在深扩散区图案形成时，在硅片31的表面加工不少于三个定位图标33，定位图标 33的中心与深扩散区图案的中心重合；现有技术中，当硅片的尺寸不符合规格的要求而出现偏差时，出现了对硅片的中心确定位置与后续加工过程中心位置不对应的情况，通过在硅片的表面确定定位图标33，并通过其上设置的不同定位图标33的中心与硅片31的中心重合，避免了硅片31的外形结构的偏差对硅片31中心位置的确定的影响。S02 :找出定位图标的位置，并计算其中心位置；在正银图案印刷时，找出各个定位图标33的位置，并通过各个定位图标33的位置信息计算得出定位图标33的中心；硅片31上各个定位图标33的位置在正银印刷的过程中一一进行确定后，通过已设定的计算函数，即可获得硅片31的中心位置，得到硅片31的中心与硅片31的形状是否符合规格无关。S03 :将正银图案的中心与定位图标的中心重合后，进行正银印刷；由于步骤S02中已经获得了硅片31的中心，因此将定位图标33的中心与正银图案32的中心重合定位后，即完成了正银图案32与硅片31设定位置重合的目的，然后适当的调节正银图案32与硅片31的相对位置，使正银图案32的边缘与硅片31的边缘一一对应后，此时进行正银印刷，即可将正银图案32按照要求印刷在硅片31的表面上。由于定位图标33的中心与硅片31的中心重合，因此定位图标33中心的位置即为硅片31上的中心位置，将定位图标33的中心与正银图案32上的中心重合后，调节正银图案32的位置使正银图案32的边缘与硅片31的边缘一一对应后，即完成了硅片31上的中心与正银图案32的中心的重合，即完成了深扩散后的硅片31与正银图案32的重合，二者进行位置确定后即可进行正银印刷。本发明通过在深扩散区图案形成过程中在硅片的表面加工定位图标作为正银印刷时正银图案与硅片的定位基准，通过定位图标的辅助定位作用，使得深扩散区图案和正银印刷图案位置的一致性，保证了正银栅线和深扩散区的对准，满足了精度要求，同时避免了对设备选型的限制，降低了成本。为了进一步优化上述技术方案，本实施例提供的选择性发射极电池正电极的印刷方法中，所述定位图标33为四个。深扩散区图案形成过程中，在硅片31表面加工定位图案 33的目的为迅速准确的对硅片31的中心实现位置的确定。而定位图标33设置为四个时， 利于其在硅片表面位置的分布，同时易于实现对其位置确定后其中心位置的计算。具体的，四个定位图标分布于硅片31的对角线上，且硅片31的每条对角线上设置有两个定位图标。 则同一对角线上的两个定位图标的连线与硅片的相应的对角线重合，两条连线的交点为硅片的中心。优选地，同一对角线上的两个定位图标设置于硅片31中心的两端，则四个定位图标依次相连后形成类似于矩形结构的图形，当硅片31上的四个定位图标的位置确定后， 确定定位图标中心计算方法较为简单，硅片31的中心易于确定，得到的定位图标的中心即为深扩散区图案形成后硅片31的中心位置，以该中心位置为正银印刷的中心位置进行正银印刷工作。为了进一步优化上述技术方案，本实施例提供的选择性发射极电池正电极的印刷方法中，定位图标33由丝网印刷或激光打印的方法加工于娃片31的表面。对娃片31表面进行深扩散后硅片31表面形成深扩散区图案，为了使确定硅片中心的定位图标33实现高精定位的同时，不会影响深扩散的扩散质量，同时能够实现准确识别的目的，使用丝网印刷或者激光的方法，使定位图标33在深扩散区图案形成的过程中即可加工于硅片31的表面， 不会影响深扩散的质量，且易于深扩散后定位图标33的找出。为了进一步优化上述技术方案，本实施例提供的选择性发射极电池正电极的印刷方法中，定位图标33为正方形图标、圆形图标或十字形图标。定位图标33的作用为在深扩散区图案形成和正银印刷时确定硅片31的中心和实现二者中心位置的重合。由于硅片31 表面已形成了正银栅格的图案，因此定位图标33的图案在区别于正银栅格的同时，应该使的其定位易于实现，避免正银栅格对定位图案识别过程中的干扰。定位图标33采用正方形图标、圆形图标或十字形图标时，上述几种结构有别于正银栅格的图案结构，避免了在定位图案33确认时硅片晶界干扰的情况。本发明提供的定位图标的为用于确定硅片的中心的特殊标记，本发明不限于本实施例提供的几种图案形状，还可以包括能够与正银栅格进行区分的其他图案，都可以完成对硅片进行中心定位的目的。本实施例提供的选择性发射极电池正电极的印刷方法，在步骤2)中，定位图案33 位置的确定由高精摄像系统获得。由于设计定位图案33的目的在于准确的获得硅片的中心位置，以避免由于定位图案33位置的误差导致正银图案32与硅片31对应位置不准确的情况，因此，定位图标33位置的获得的准确性将直接影响正银印刷的质量。本实施例采用高精对准方式，摄像系统精度高，同时，定位图标33设计为利于高精摄像系统辨认的特殊图形，出错的几率低，保证了正银印刷的印刷质量。因此，深扩散时，深扩散栅线的宽度只需要较窄的宽度，就能够满足其与正银栅线的吻合要求，能够有效发挥选择性发射极电池的优势。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。 对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
权利要求
1.一种选择性发射极电池正电极的印刷方法，其特征在于，包括以下步骤1)深扩散区图案形成时，在硅片的表面加工不少于三个定位图标，所述定位图标的中心与所述深扩散区图案的中心重合；2)在正银图案印刷时，找出各个所述定位图标的位置，计算得到所述定位图标的中心；3)将所述正银图案的中心与所述定位图标的中心重合定位后进行正银印刷。
2.根据权利要求I所述的选择性发射极电池正电极的印刷方法，其特征在于，所述定位图标为四个。
3.根据权利要求2所述的选择性发射极电池正电极的印刷方法，其特征在于，四个所述定位图标分布于所述硅片的对角线上，且所述硅片的每条对角线上设置有两个所述定位图标。
4.根据权利要求I所述的选择性发射极电池正电极的印刷方法，其特征在于，所述定位图标由丝网印刷或激光打印的方法加工于所述硅片表面。
5.根据权利要求I所述的选择性发射极电池正电极的印刷方法，其特征在于，所述定位图标为正方形图标、圆形图标或十字形图标。
6.根据权利要求I所述的选择性发射极电池正电极的印刷方法，其特征在于，在步骤 2)中，各个所述定位图标的位置由高精摄像系统获得。
全文摘要
本发明提供了一种选择性发射极电池正电极的印刷方法，包括以下步骤，在深扩散区图案形成时，在硅片的表面加工不少于三个定位图标，定位图标的中心与深扩散区图案上的中心点重合；在正银图案印刷时，找出各个定位图标的位置，计算得出定位图标的中心；将定位图标的中心与正银图案上的中心点重合定位后进行正银印刷。由于定位图标的中心与硅片上的中心点重合，将定位图标的中心与正银图案上的中心点重合，即完成了深扩散后的硅片与正银图案的重合，即可进行正银印刷。通过在硅片的表面加工定位图标作为正银图案与硅片的定位基准，使得深扩散区图案和正银印刷图案位置一致，满足了精度要求，同时避免了对设备选型的限制，降低了成本。
文档编号B41M3/00GK102602183SQ2012100570
公开日2012年7月25日 申请日期2012年3月6日 优先权日2012年3月6日
发明者史金超, 张红妹, 王静, 贾财良, 马桂艳, 马红娜 申请人:英利能源(中国)有限公司