专利名称：检查阵列基板的方法
技术领域：
本发明涉及检查阵列基板的方法。
(2)背景技术液晶显示器被用于不同的组件，诸如笔记本个人电脑(笔记本PC)的显示单元，移动电话的显示单元和电视接收机的显示单元。因而，取决于液晶显示器的使用，存在着对各种大小的液晶显示器的需求，诸如12英寸和15英寸显示器。这类液晶显示器包括阵列基板，阵列基板具有显示区域和围绕显示区域的非显示区域，还包括排列成与阵列基板相对的对置基板以及在阵列基板和对置基板之间保持的液晶层。
在阵列基板的显示区域中，以矩阵方式形成多条扫描线和多条信号线，而像素形成在扫描线和信号线的交叉点处。每一像素至少包括一个开关元件和连接到开关元件的像素电极。在非显示区域中，布置了驱动像素的扫描线驱动电路和信号线驱动电路。通过在阵列基板上设置驱动电路，能够形成薄的液晶显示器。多个用于输入/输出信号的端子设置在如上所述形成的阵列基板的一面上。这些端子被连接到扫描线驱动电路和信号线驱动电路。
阵列基板要经过检测步骤以便检测制造过程中的缺陷。在检测步骤中，信号被输入到设置在阵列基板一面上的端子及从设置在阵列基板一面上的端子输出，从而进行检查。
第11-271177号日本专利申请公开说明书、第2000-3142号日本专利申请公开说明书和5,268,638号美国专利说明书揭示了与检查方法和检查装置有关的技术。
第11-271177号日本专利申请公开说明书揭示了一种技术，该技术在检查非晶型LCD(液晶显示器)基板的点缺陷检查工艺方面具有特色。
该技术利用了以下现象。使DC组件的直射光入射在LCD基板的整个表面上，非晶硅膜感测光并变成导电的。通过检测存储在存储电容中的电荷泄漏量，可确定缺陷的条件。第2000-3142号日本专利申请公开说明书的技术利用了这样的现象，即在将电子束照射在像素电极上时，发出的电子束与施加到薄膜晶体管的电压成比例。5,268,638号美国专利说明书也利用了在将电子束施加到像素电极时发出的二次电子。
(3)发明内容在形成不同尺寸的液晶显示器时，包括于这些液晶显示器中的阵列基板具有不同的尺寸。在设置于不同尺寸阵列基板上的多个端子的布置方面没有一致性。因而，在要检查不同尺寸的阵列基板时，不可能使用相同的检查装置。特别是，使用以相同间距排列的探针难以检查不同的阵列基板。
液晶显示器的产品价格深受制造设备成本的影响。在制造设备中，检查装装置是不可缺少的。不用说，检查装置影响产品价格。
考虑到上述问题已经做出了本发明，本发明的一个目的是提供一种阵列基板的检查方法，它能够降低检查装置的成本。此外，该检查方法能够减少需要对检查装置做出设计改变和修正的场合的数量，并能够抑制液晶显示器产品成本的上升。
根据本发明的一个方面，提供了一种检查阵列基板的方法，所述阵列基板包括具有用于供电且在其末端有第一阵列的第一焊盘和待检查的第一电极的第一阵列基板，以及具有用于电力供给用且在其末端有不同于第一阵列的第二阵列的第二焊盘和待检查的第二电极的第二阵列基板，电力从所述第一焊盘和所述第二焊盘供给所述第一电极和所述第二电极，电子束被施加给所述第一电极和所述第二电极，并且基于与从所述第一电极和所述第二电极发射的二次电子有关的信息来进行与所述第一电极和所述第二电极有关的检查，所述方法包括将第一焊盘连接到具有按预定排列设置的端子的检查焊盘，使具有对应于所述预定排列的排列的探针与端子相接触，并将电力供给第一电极，从而进行与第一阵列基板的第一电极有关的检查；以及将第二焊盘连接到具有按预定排列设置的端子的检查焊盘，在不改变其排列的情况下，使探针与端子相接触，并将电力供给第二电极，从而进行与第二阵列基板的第二电极有关的检查。
根据本发明的另一个方面，提供了一种检查阵列基板的方法，阵列基板中的每一个包括多条扫描线和多条信号线设置在其上以相互交叉的基板、形成在基板上设置在扫描线和信号线的交叉点附近并包括开关元件和辅助电容器的像素部分以及设置成向扫描线和信号线供给或输出信号的常规焊盘组，所述方法包括即使在不同种类的阵列基板的情况下，在阵列基板上预先形成包括排列图案对应于指定检查装置探针组的排列图案的端子的检查焊盘组，并将常规焊盘组相关联的端子经由布线导线连接到各所述检查焊盘组的端子；以及在检查时，在不改变检查装置探针组的排列图案的情况下，使所述探针组与不同种类阵列基板的检查焊盘组的端子相接触，从而进行检查。
(4)
图1是说明本发明作为前提的技术的视图，即，示出非晶硅型阵列基板的基本结构的说明图；图2是说明本发明作为前提的技术的视图；即，示出多晶硅型阵列基板的主要结构的说明图；图3是根据本发明一个实施例的液晶显示屏的示意横截面图；图4是液晶显示屏的一部分的透视图；图5是示出在母基板上排列阵列基板的示例的说明图；图6是示意性地示出了根据本发明实施例的阵列基板；图7是以放大比例示出图6中示出的阵列基板像素区域的一部分的示意平面图；图8是包括图7中示出的阵列基板的液晶显示屏的示意横截面图；图9是说明根据本发明实施例的电子束检测仪的基本结构和操作的视图；
图10是示出根据本发明第一实施例的阵列基板的主要部分的说明图；图11A示意性地示出了图10中示出的检查焊盘阵列的一部分的结构；图11B示意性地示出了图10中示出的检查焊盘阵列的另一部分的结构；以及图12是示出根据本发明第二实施例的阵列基板的主要部分的说明图。
(5)具体实施方式
现在将参照附图来详细描述根据本发明实施例的阵列基板的检查方法。
首先描述本发明的作为前提的技术。如图1和图2所示，阵列基板分为两种类型非晶硅型阵列基板和多晶硅型阵列基板。采用XGA(扩展图形阵列)作为例子，非晶硅型阵列基板包括像素区域30、包括大约3000个用于连接外部电路的端子的焊盘组PDa。另一方面，除了像素区域30之外，多晶硅型阵列基板包括用于驱动所有XY坐标像素的扫描线驱动电路40和信号线驱动电路50。这些电路由薄膜晶体管(TFT)组成。由于只需要为输入到扫描线驱动电路40和信号线驱动电路50配备焊盘组PDp的端子，这些端子的数量约为300个。
在制造过程中，阵列基板需要产品检查。用于检查像素区域30状况的检测仪的示例包括电检测仪和电子束检测仪(在下文中称为“EB检测仪”)。在使用电检测仪的检查中，电荷存储在像素部分的辅助电容器中，而所存储的电荷由探头读出。在使用EB检测仪的检查过程中，电荷存储在像素部分的辅助电容器中，电子束被施加给像素部分，并检测发出的二次电子。
在使用电检测仪检查非晶硅型阵列基板的情况下，需要大约3000根探针用于检查。由于探针非常昂贵，成本将非常高。在使用电检测仪检查多晶硅型阵列基板的情况下，需要大约300根探针用于检查。尽管所需的探针数量较低，该检查不得不经由扫描线驱动电路40和信号线驱动电路50来执行，且检查质量将变差。此外，用于检查的信号处理变得复杂。
另一方面，在使用EB检测仪检查非晶硅型阵列基板的情况下，电荷经由焊盘组PDp从共用探针存储在像素部分的辅助电容器中，并由此来执行使用EB检测仪的检查。在使用EB检测仪检查多晶硅型阵列基板的情况下，电荷经由扫描线驱动电路40和信号线驱动电路50存储在像素部分的辅助电容器中。但是，由于焊盘组PDp包括用于不同信号的各种类型的端子，不可能使用共用的探针容易地存储电荷，如同非晶硅型阵列基板的情形。
已经描述了使用电检测仪和EB检测仪检查非晶硅型阵列基板和多晶硅型阵列基板的四个例子。接下来，将给出使用EB检测仪检查多晶硅型阵列基板的方法的例子。
参照图3和图4描述包括多晶硅型阵列基板的液晶显示屏。多晶硅型阵列基板在以下的描述中被称为“阵列基板101”。如图3和图4中所示，液晶显示屏包括阵列基板101、排列成与上述阵列基板相对且其间具有预定间隙的对置基板102、在这两块基板之间保持的液晶层103。通过用作衬垫的柱状衬垫127在阵列基板101和对基板102之间设有预定间隙。阵列基板的边缘部分用密封构件160相互结合在一起。在密封构件的一部分形成的液晶入口161用密封剂162密封。
参照图5，将详细描述阵列基板101。图5示出了比那些阵列基板具有更大尺寸的基板(“母基板”)100，在图5示出的例子中，使用了母基板100并形成四块阵列基板101。通常，在形成阵列基板101时，使用母基板100。作为示例描述了一块阵列基板101的结构。阵列基板101包括主区域和子区域，如同将在后面详细描述的那样，主区域和子区域构成了本发明的特征。
如图6所示，在阵列基板101上多个像素电极P以矩阵形式排列在像素区域30中。除像素电极P之外，阵列基板101包括沿像素电极P诸行布置的多条扫描线Y1，Y2，...(下文中统统由“Y”来表示)以及沿像素电极P诸列布置的多条信号线X1，X2，...(下文中统统由“X”来表示)。此外，阵列基板101包括靠近扫描线Y和信号线X之间的交叉点排列的开关元件TFT SW、驱动扫描线的扫描线驱动电路40以及驱动信号线的信号线驱动电路50。
在经由相关联的扫描线Y被驱动时，各TFT SW将来自相关联的信号线X的信号电压施加给相关联的像素电极P。扫描线驱动电路40和信号线驱动电路50接近阵列基板101的末端，并被布置在像素区域30的外部区域上。扫描线驱动电路40和信号线驱动电路50由使用多晶硅半导体膜的TFT、像TFT SW所组成。
多个阵列基板101排列在母基板100上的切除线一侧。每个阵列基板部分101包括连接到扫描线驱动电路40和信号线驱动电路50的常规焊盘组阵列PDp。常规焊盘组PDp用来输入不同的信号，并且还输入/输出检查信号。通过沿着它们的边沿e(图5)来切割母基板100，阵列基板部分101被分开和切断。
参考图7和图8，通过采用图6中示出的像素区域30的一部分作为示例将给出进一步的描述。图7是平面图，而图8是横截面图。阵列基板101包括由透明的绝缘基板(玻璃)构成的基板111(图8)。在像素区域30中，多条信号线X和多条扫描线Y以矩阵形式排列在基板111上。在信号线和扫描线之间的各交叉点处设有TFT SW(见图7中被圆包围的部分171)。
TFT SW包括具有由多晶硅构成的源/漏区域112a和112b的半导体膜112及栅极电极115b，栅极电极是扫描线Y的延伸。
此外，多条条形辅助电容线116形成在基板111上，条形辅助电容线116构成辅助电容元件131，并且辅助电容线116以与扫描线Y相平行方向延伸。在这些部分中，形成相关联的像素电极P。(见图7中由圆包围的部分172和图8。)更具体地说，在基板111上，形成了半导体膜112和辅助电容下部电极113，并且还在包括这些半导体膜和辅助电容下部电极的基板上形成了栅极绝缘膜114。如同半导体膜112，辅助电容下部电极113由多晶硅构成。在栅极绝缘膜114上，设置了扫描线Y、栅极电极115b和辅助电容线116。辅助电容线116和辅助电容下部电极113经由栅极绝缘膜114被设置成彼此相对。层间绝缘膜117形成在包括了扫描线Y、栅极电极115b和辅助电容线116的栅极绝缘膜114上。
接触电极121和信号线X形成在层间绝缘膜117上。接触电极121经由接触孔连接到半导体膜112的源/漏区域112a和像素电极P。信号线X经由接触孔连接到半导体膜112的源/漏区域112b。
保护绝缘膜122形成在接触电极121、信号线X和层间绝缘膜117的上面。此外，在保护绝缘膜122上，条形绿色层124G、条形红色层124R和条形蓝色层124B以并列形式交替排列，从而形成滤色膜。
由ITO(氧化铟锡)等的透明导电膜构成的像素电极P形成在色彩层124G、124R和124B上。各像素电极P经由在色彩层和保护绝缘膜122中形成的接触孔125被连接到接触电极121。像素电极P的外围部分覆盖在辅助电容线116和信号线X上。连接到像素电极P的辅助电容元件131起到用于存储电荷的辅助电容的作用。
柱形衬垫127(见图7)形成在色彩层124R、124G上。虽然未示出所有的柱形衬垫，多个柱形衬垫127以所需的密度形成在相应的色彩层上。取向膜128形成在色彩层124G、124R和124B以及像素电极P上。对置基板102包括如透明绝缘基板的基板151。由诸如ITO的透明材料所制成的对置电极152和取向膜153依次形成在基板151上。
参考图9，将说明与使用EB检测仪的阵列基板101的检查方法有关的主要事件。在基板上形成像素电极P后并且在沿着边沿e从母基板100切除阵列基板101之前执行检查。连接到信号发生器和信号分析器302的多个探针与关联的焊盘201、202连接。从信号发生器和信号分析器302输出的驱动信号经探针和焊盘201、202被供给像素部分203。在驱动信号供给到像素部分203后，从电子束源301发射的电子束EB被施加到像素部分。通过该应用，发射出代表像素部分203电压的二次电子SE，并且由电子检测仪DE检测该二次电子SE。二次电子SE与发射电子SE的位置处的电压成正比。在检查步骤中，阵列基板101的像素部分203被来自信号发生器和信号分析器302的驱动信号电扫描。该扫描与电子束EB在阵列基板101表面上的扫描同步进行，它由箭头a表示。由电子检测仪DE所检测到的二次电子的信息被发送给信号发生器和信号分析器302，以便分析像素部分203。此外，发送到信号发生器和信号分析器302的二次电子的信息反映了各个像素部分对供给各个像素部分203的TFT的端子的驱动信号的性能。从而，有可能检查在各个像素部分203的像素电极P处的电压。换言之，如果像素部分203有缺陷，该缺陷能够被EB检测仪检测到。
图10是一部分阵列基板101的放大图，并示出了设置在该部分阵列基板101中的常规焊盘组阵列PDp的示例。阵列基板101包括阵列基板主区域101a和位于阵列基板主区域101a外面的阵列基板子区域101b。在检查后，阵列基板子区域101b例如通过沿着切除线e2画出切割线而被去除。
在阵列基板主区域101a中的常规焊盘组阵列PDp经由布线导线被连接到扫描线驱动电路40和信号线驱动电路50。扫描线驱动电路40和信号线驱动电路50位于图中的较下侧，但是其描述在此省略。作为常规焊盘组，常规焊盘组的阵列PDp的端子被分类成两个控制焊盘组CTL1和CTL2，以及四个视频焊盘组Video1、Video2、Video3和Video4。
时钟信号、起始脉冲信号、高电平电源和低电平电源被输入到控制焊盘组CTL1和CTL2。视频信号被输入到视频焊盘组Video1、Video2、Video3和Video4。以XGA(扩展图形阵列)作为例子，控制焊盘组CTL1和CTL2各自端子的数量是26个。视频焊盘组Video1、Video2、Video3和Video4各自端子的数量是50个。
另一方面，在阵列基板子区域101b的边缘部分上设置了检查焊盘组的阵列PD(在下文中称为“检查焊盘组阵列”)。检查焊盘组阵列PD经由布线导线连接到常规焊盘组阵列PDp。
检查焊盘组阵列PD的结构在本发明中是重要的。如同常规焊盘组阵列，作为检查焊盘组，检查焊盘组阵列PD包括两个子控制焊盘组sCTL1和sCTL2以及四个子视频焊盘组sVideo1、sVideo2、sVideo3和sVideo4。各控制焊盘组CTL1、CTL2的宽度W1a为5.0mm。各视频焊盘组Video1、Video2、Video3和Video4的宽度W1b是34.888mm。
焊盘组的诸间距如同下述。子控制焊盘组sCLT1与子视频焊盘组sVideo1之间的间距W2a以及子控制焊盘组sCLT2与子视频焊盘组sVideo4之间的间距W2a为15.747mm。子视频焊盘组sVideo1与子视频焊盘组sVideo2之间的间距W2b以及子视频焊盘组sVideo3与子视频焊盘组sVideo4之间的间距W2b为32.612mm。子视频焊盘组sVideo2与子视频焊盘组sVideo3之间的间距W2c是36.33mm。用这种方式，用预定的间距来设置检查焊盘组。
如同控制焊盘组CTL1、CTL2，各子控制焊盘组sCTL1和sCTL2的端子的数量是26个。如同视频焊盘组Video1、Video2、Video3和Video4，各子视频焊盘组sVideo1、sVideo2、sVideo3和sVideo4的数量是50个。构成这些检查焊盘组的端子以预定图案排列。
如图11A和图11B所示，根据预定的图案确定子控制焊盘组CTL1的端子c1到c26之间的间距。根据构成探针组的诸端子的间距来设计端子c1和c2之间的间距w3a、端子c2和c3之间的间距w3b以及端子c3和c4之间的间距w3c。类似地，根据预定的图案确定子视频焊盘组sVideo1的端子V1到V50的间距。根据构成探针组的端子的间距确定端子V1和V2之间的间距w4a、端子V2和V3之间的间距w4b以及端子V3和V4之间的间距w4c。
上面已经描述了检查焊盘组阵列PD的结构的示例。若检查焊盘组的间距和各检查焊盘组的端子的间距被设定在预定值，并且根据检查阵列基板101的指定检查装置的探针组的间距被设定在各探针组的探针的间距，应当就可以了。
在采用EB检测仪检查具有上述结构的阵列基板101时，探针被连接到检查焊盘组阵列PD的端子。经由探针在像素电极P和辅助电容元件131中累积电荷。在电荷被累积之后，将电子束施加到各个像素部分203，并检测从各个像素部分发射的二次电子。因此，检查各个像素部分203是否包含缺陷。更具体地说，将电子束施加到充电的像素电极P上，检测并分析从像素电极发射的二次电子。从而，检查像素电极是否正常存储了电荷。关于这方面，检查涉及与像素电极有关的检查，它不仅检查像素电极P本身的缺陷，而且检查连接到像素电极的TFT SW的缺陷以及包括像素电极的辅助电容元件131的缺陷。
根据按本实施例的阵列基板检查方法，经由预先根据探针的排列所设计的检查焊盘组阵列PD检查阵列基板101。因此，即使在要检查不同种类的液晶显示器的情况下，阵列基板101的检查焊盘组阵列PD的排列也根据探针的排列来预先设计。从而，可使用对各个种类共用的探针来执行检查。即使在阵列基板主区域101a中的常规焊盘组阵列PDp的排列改变的情况下，检查焊盘组阵列PD的排列仍被强制形成为符合检查装置的探针的排列。通过设计检查装置的探针与阵列基板之间的组合，不必使用对于各种类的不同探针。因此，能够用共用探针检查例如用于12英寸器件的阵列基板和用于15英寸的器件基板。从而，能够降低用于检查装置的成本，并能够进行高质量检查。
从而，可增强检查装置的灵活性，减少必须对检查装置做出改变和修正的场合的数量，并能够抑制显示屏成本的上升。此外，不用说，能够阻止液晶显示器的缺陷产品的外流。
图12示出了根据本发明另一实施例的阵列基板的检查方法。图12用放大比例示出了一部分阵列基板以及在该部分中设置的常规焊盘组阵列PDp和检查焊盘阵列PDsc的示例。在检查之后，通过沿着切除线e2例如画出切割线切断阵列基板子区域101b。
通过预先在阵列基板子区域101b中排列多个端子形成检查焊盘组。作为常规焊盘组，常规焊盘组阵列PDp包括两个控制焊盘组CTL1和CTL2以及四个视频焊盘组Video1、Video2、Video3和Video4。检查焊盘组PDsc的端子数量大于常规焊盘组阵列PDp的端子数量。
描述了检查焊盘阵列PDsc与常规焊盘组阵列PDp之间的连接关系。常规焊盘组阵列PDp诸端子中的每一个被连接到检查焊盘阵列PDsc的诸端子中的任意一个。具体地，当常规焊盘组阵列PDp诸端子中的每一个要被连接到检查焊盘阵列PDsc的端子时，常规焊盘组阵列PDp诸端子中的每一个被连接到根据指定检查装置的探针所排列的检查焊盘阵列PDsc的端子。
具体地，连接常规焊盘组阵列PDp端子的检查焊盘阵列PDsc的端子的排列图案与指定检查装置的探针排列图案相同。
因而，即使在检查带有不同常规焊盘组阵列PDp的排列图案的阵列基板的情况下，与检查装置的探针相接触的检查焊盘阵列PDsc的端子总是与探针的图案一致。因此，不必使用用于不同种类基板的不同探针组。同时，不是所有检查焊盘阵列PDsc的端子都连接到常规焊盘组阵列PDp的端子。
在根据采用上述结构的本实施例的阵列基板检查方法中，通过根据探针组排列预先设计的检查焊盘阵列PDsc检查阵列基板101。常规焊盘组阵列包括多个常规焊盘组，并且常规焊盘组的端子被连接到设计成与探针组的探针排列一致的检查焊盘阵列PDsc的端子。因此，即使在要检查不同种类的液晶显示器的情况下，通过根据探针的排列预先设计阵列基板101的检查焊盘阵列PDsc的端子排列，可使共用探针组用于各个种类。
本发明不限于上述实施例，在不背离本发明精神的情况下，可做出各种修改。例如，上述阵列基板101包括扫描线驱动电路40和信号线驱动电路50。但是，有可能检查不包括这些驱动电路的阵列基板。在要检查阵列基板时，在该检查中使用的检查装置不限于EB检测仪，它可以是电检测仪。
工业适用性本发明能够提供阵列基板的检查方法，该方法能够降低检查装置的成本。此外，还有可能减少需要对检查装置做出设计改变或修正的场合的数量，并能够抑制液晶显示器的产品成本上升。
权利要求
1.一种检查阵列基板的方法，所述阵列基板包括在其末端具有用于向第一阵列供电的第一焊盘和待检查的第一电极的第一阵列基板，以及具有在其末端用于向不同于所述第一阵列的第二阵列供电的第二焊盘和待检查的第二电极的第二阵列基板，电力从所述第一焊盘和所述第二焊盘供给所述第一电极和所述第二电极，电子束被施加给所述第一电极和所述第二电极，并且基于与从所述第一电极和所述第二电极发射的二次电子有关的信息来进行与所述第一电极和所述第二电极有关的检查，所述方法包括将所述第一焊盘连接到具有按预定排列设置的端子的检查焊盘，使具有对应于所述预定排列的排列的探针与所述端子相接触，并将电力供给所述第一电极，从而进行与所述第一阵列基板的所述第一电极有关的检查；以及将所述第二焊盘连接到具有按预定排列设置的端子的检查焊盘，在不改变其排列的情况下，使探针与所述端子相接触，并将电力供给所述第二电极，从而进行与所述第二阵列基板的所述第二电极有关的检查。
2.一种检查阵列基板的方法，所述阵列基板中的每一个包括在其上设置了多条扫描线和多条信号线以相互交叉的基板、形成在所述基板上设置在所述扫描线和所述信号线的交叉点附近并包括开关元件和辅助电容器的像素部分、以及设置成向所述扫描线和所述信号线供给或输出信号的常规焊盘组，所述方法包括即使在不同种类的阵列基板的情况下，在阵列基板上预先形成包括排列图案对应于指定检查装置探针组的排列图案的端子的检查焊盘组，并将所述常规焊盘组相关联的端子经由布线导线连接到各所述检查焊盘组的端子；以及在检查时，在不改变检查装置探针组的排列图案的情况下，使所述探针组与不同种类阵列基板的检查焊盘组的端子相接触，从而进行检查。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述检查装置包括多个探针组，以及提供了多个检查焊盘组，并且多个所述检查焊盘组的间距和构成各所述检查焊盘组的多个端子的间距等于所述检查装置的多个探针组的间距和构成各所述探针组的多个探针的间距。
4.一种用于检查阵列基板的方法，所述阵列基板中的每一个包括在其上设置多条扫描线和多条信号线以相互交叉的基板、形成在所述基板上设置在所述扫描线和所述信号线的交叉点附近并包括开关元件和辅助电容器的像素部分、以及设置成向所述扫描线和所述信号线供给或输出信号的常规焊盘组，所述方法包括即使在不同种类的阵列基板的情况下，在阵列基板上预先形成包括多个端子的检查焊盘阵列，并将各所述常规焊盘组的阵列的端子根据指定检查装置探针组的排列连接到所述检查焊盘阵列的端子；以及在检查时，在不改变检查装置探针组的排列图案的情况下，使所述探针组与不同种类阵列基板的检查焊盘阵列的端子相接触，从而进行检查。
全文摘要
一种阵列板设有多条扫描线和多条信号线在其上交叉的板、在交叉部分的附近形成在板上并包括开关元件和辅助电容器的像素部分以及与扫描线和信号线相连接并根据检查设备的探针排列而排列的多个检查焊盘行。通过将探针与检查焊盘行相连接，在各像素部分的辅助电容器中累积电荷后，检查该阵列板的情况。
文档编号G09F9/30GK1926463SQ20058000
公开日2007年3月7日 申请日期2005年2月22日 优先权日2004年3月3日
发明者山本光浩, 宫武正树 申请人:东芝松下显示技术有限公司