专利名称：：伽马参考电压生成装置的制作方法
技术领域：
：本发明涉及伽马参考电压生成装置，尤其是涉及无需采用电阻串来生成伽马参考电压的伽马参考电压生成装置。
背景技术：
：由于液晶显示器(LCD)具有体积薄、重量轻与低电磁辐射的优点，近年来逐渐被广泛地使用。现有的液晶显示器由背光模组、液晶面板和液晶显示器驱动装置构成。用于驱动液晶显示器的液晶显示器驱动装置包括背光模组驱动器(BLUController)、时序控制器(TimingController)、栅驱动器(GataDrivers)、伽马电压生成装置及数据驱动器(DataDrivers)等构成。液晶面板上具有多个以矩阵形式排列的像素(pixel)。每一个像素由彩膜基板、阵列基板以及彩膜基板与阵列基板之间的液晶层所组成。多个液晶分子充填在彩膜基板与阵列基板之间的空腔中，形成液晶层。而彩膜基板与阵列基板分别具有电极，当分别在彩膜基板与阵列基板的电极施加电压，使彩膜基板与阵列基板间具有所加电压时，液晶层中的液晶分子的排列方式会随着所加电压的大小而改变。而液晶分子的排列方式会影响光线穿透像素的比率，称之光透射率(lighttransmissivity)0光透射率的大小决定了像素的亮度。光透射率越大，像素的亮度就越大。所以，可借助控制彩膜基板与阵列基板的所加电压大小，使液晶屏幕上不同的像素具有不同的亮度。图1为像素的彩膜基板与阵列基板间的所加电压与光透射率的伽马曲线关系图。像素的彩膜基板与阵列基板间的所加电压与光透射率并非成线性关系，而是如图1所示的伽马曲线关系。故称像素的彩膜基板与阵列基板间的所加电压为伽马电压veM(即驱动电压)。此外，像素的光透射率仅与伽马电压的大小有关，而与伽马电压的极性无关。因此，伽马曲线由以纵座标为中心，左右对称的正极性伽马曲线102以及负极性的伽马曲线104所组成。如果对某一像素分别输入两个大小相同但极性不同的伽马电压，则该像素会具有相同的光透射率。如果持续地供给每个像素同一极性的伽马电压，会造成像素液晶分子的损坏。因此，可借助交互地改变像素的伽马电压的极性来保护液晶分子。一般输入液晶显示器的像素数据为二进制的数字数据。由于伽马电压与像素的光透射率呈非线性的伽马曲线关系，因此，液晶显示器需要特殊的电路装置，用于依据伽马曲线关系，将数字格式的像素数据转换成输出相对应驱动电压到阵列基板，使得像素数据的值与像素的光透射率呈线性比例关系。上述的操作被称为伽马校正(伽马correction)，用于提高液晶屏幕的显像品质。图2为伽马校正原理的示意图。在执行伽马校正时，首先选取多个像素数据作为参考像素数据。在图2中，以像素数据00、01、02、03及04作为参考像素数据。依据伽马曲线，每个参考像素数据会分别对应一个正极性伽马参考电压以及一个负极性伽马参考电压。以参考像素数据DO为例，其分别对应一正极性伽马参考电压VO以及一负极性伽马参考电压V9。同理，5个参考像素数据DO、DUD2、D3及D4分别对应到5个正极性伽马参考电压V0、V1、V2、V3、与V4以及5个负极性伽马参考电压V9、V8、V7、V6、％V5，如图2所示。由前文所述，一般像素数据(DATA)为8bit的二进制数据，共可表示256个灰度级。在进行伽马校正时，就以参考像素数据与伽马参考电压的对应关系为准，利用内插法求得其他所有像素数据分别对应的驱动电压，即伽马电压。其中，每一个像素数据都会分别对应一个正极性伽马驱动电压以及一个负极性伽马驱动电压。需注意的是，所选取的参考像素数据个数越多，进行伽马校正时，每个像素数据所对应的驱动电压就越准确，一般选取8个参考像素数据来执行伽马校正。依据伽马曲线，8个参考像素数据分别对应8个正极性伽马参考电压以及8个负极性伽马参考电压。负责执行伽马校正操作的数据驱动器即以这16个伽马参考电压为准来进行伽马校正。图3为传统伽马校正装置的示意图。如图3所示，伽马校正装置由数据驱动器302与伽马参考电压生成装置301连接而成。伽马参考电压生成装置301具有一个由17个电阻rlrl7串联而成的电阻串。该电阻串的首尾两个节点分别与电压源303连接。借助适当地控制每个电阻的电阻值，使得电阻串的每一个节点分别输出参考电压Vr，其中包括8个正极性伽马参考电压Vr(+)以及8个负极性伽马参考电压Vr(-)。每个伽马参考电压Vr分别经过缓冲器BUF输出至数据驱动器302中。数据驱动器302以所述参考电压Vr为准，使用内插法对每个像素数据分别进行伽马校正，输出相对应的伽马电压VeM。伽马参考电压Vr取接地电压(GND)到液晶驱动电压(AVDD)之间的值。由于，传统伽马参考电压生成装置利用电阻分压的原理输出一组伽马参考电压Vr来供数据驱动器进行伽马校正，因此不得不增加电路板的大小来设置这些电阻串，使得电路板体积大，不适于轻薄化发展的趋势。
发明内容本发明的目的是提供一种伽马参考电压生成装置，能够减少驱动电路板的大小。为实现上述目的，本发明提供了一种伽马参考电压生成装置，其包括存储模块，用于存储与伽马参考电压一一对应的多个M比特数据；差分信号生成模块，用于读取所述多个M比特数据，并根据所述多个M比特数据生成差分信号，所述差分信号由所述M比特数据及(M+1)比特的识别码交替而成；伽马解码模块，用于根据所述识别码解码所述差分信号，生成多个解码后的M比特数据；数模转换模块，用于将所述多个解码后的M比特数据转换为伽马参考电压。本发明通过存储模块预先存储与伽马参考电压对应的数据，通过数模转换模块将数据信号转换生成模拟的伽马参考电压，省去了现有技术的复杂的电阻串及电容设计，减少了电路板的面积，并且生成的伽马参考电压比现有技术更加稳定，准确，可控性增强。图1为像素的彩膜基板与阵列基板的所加电压与光透射率的伽马曲线关系图；图2为伽马校正原理的示意图；图3为传统伽马校正装置的示意图4为本发明的伽马参考电压生成装置的结构示意图；图5为本发明的差分信号的示意图。具体实施方式下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。图4为本发明的伽马参考电压生成装置的结构示意图。如图4所示，本发明的伽马参考电压生成装置401包括存储模块4010、差分信号生成模块4011、以及伽马解码模块4012以及数模转换模块4013，用于向数据驱动器402输出多个伽马参考电压Vr。存储模块4010用于存储与伽马参考电压一一对应的多个M比特数据。存储模块4010可以采用ROM或寄存器，可外设或设置于时序控制器内(未图示)。每个数据以查找表(lookuptable)的形式储存在存储模块4010中的每个伽马地址(GMAaddress)内。本实施例中，例如需要生成14个伽马参考电压Vr时，需要在存储模块4010中存储14个数据，这些数据通过预设的算法可以与伽马参考电压Vr—一对应。下面就以14个伽马参考电压Vr为例进行实施例的描述。存储模块4010内的每个伽马地址存储有8比特(bit)的2进制数据。一般像素数据Pd为8bit的二进制数据，共可表示256个灰度级，因此驱动电压VeM也需要256个。通常，ROM中用16进制来存储数据。本发明的存储模块4010也可以存储两位的16进制数据，这时，存储模块4010还可以包括第一转换器，将两位的16进制数据转换为8比特数据。例如，预先校正的伽马参考电压Vr如下表一所示。其中Vr1-7为低电平Vr(_)，Vr7-14为高电平Vr(+)。Vr1=0.34VVr2=1.18V~~Vr3=2.16VVr4=3.42V~~~Vr5=4.56V~~Vr6=5.64V~~Vr7=6.25V~Vr8=7.82VVr9=8.86VVr10=9.36VVr11=10.32VVr12=11.39VVr13=12.78VVr14=13.49V则，存储模块的内部伽马地址的设置可以如下述表二所示。GMAl=22GMA2=12GMA3=10GMA4=2AGMA5=38GMA6=40GMA7=19GMA8=52GMA9=56GMAlO=24GMAll=20GMA12=27GMA13=4EGMA14=31如表二所示，GMAl内存储有16进制的“22”，16进制的“22”转换得到的8比特2进制数据为“00100010”，转换为10进制为“34”。图5为本发明的差分信号的示意图。请一并参阅图4及图5。差分信号生成模块4011，根据时序控制器的时序信号clk，读取存储模块4010内的多个M比特数据，并根据多个M比特数据生成差分信号DS。差分信号DS可以由M比特数据及(M+1)比特的识别码交替而成。M为8比特时，生成的差分信号为8比特的数据和9比特的识别码交替形成的信号。识别码可以是由9个“0”构成的9比特空白信号(BLANK)，用于与8比特的数据区分。差分信号可以具有100mV-400mV的幅度，基准电压可以为0.8-1.5V。伽马解码模块4012，用于根据识别码解码差分信号DS，生成多个解码后的M比特数据。图4所示，采用了多个伽马解码模块4012进行解码。例如生成14个伽马参考电压Vr时，设置14个伽马解码模块4012。时序控制器的时序信号CLK控制差分信号DS依次输入各个伽马解码模块4012内。每个伽马解码模块4012得到差分信号DS后，各自识别出相应的M比特数据。例如图4中最下面的伽马解码模块4012最先得到差分信号DS，经解码识别出GMA1，并输出GMAl的数据传输至数模转换模块4013。数模转换模块4013，用于将多个解码后的M比特数据转换为伽马参考电压Vr。数模转换模块4013可包括第二转换器及生成单元。第二转换器用于将解码后的M比特数据转换为数模转换器的可识别的10进制数据。生成单元用于生成与10数据信号对应的伽马参考电压。例如，伽马解码模块4012识别出了差分信号DS中的GMAl“00100010”，并将其传输至数模转换模块4013，第二转换器将“00100010”转换为10进制的“34”，生成单元将通过数据“34”生成模拟信号“0.34V”，并通过缓冲器(BUF)输出至数据驱动器402。本发明通过存储模块预先存储与伽马参考电压对应的数据，通过数模转换模块将数据信号转换生成模拟的伽马参考电压，省去了现有技术的复杂的电阻串及电容设计，减少了电路板的面积，并且生成的伽马参考电压比现有技术更加稳定，准确，可控性增强。最后应说明的是以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其进行限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解其依然可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而这些修改或者等同替换亦不能使修改后的技术方案脱离本发明技术方案的精神和范围。权利要求一种伽马参考电压生成装置，其特征在于，包括存储模块，用于存储与伽马参考电压一一对应的多个M比特数据；差分信号生成模块，用于读取所述多个M比特数据，并根据所述多个M比特数据生成差分信号，所述差分信号由所述M比特数据及(M+1)比特的识别码交替而成；伽马解码模块，用于根据所述识别码解码所述差分信号，生成多个解码后的M比特数据；数模转换模块，用于将所述多个解码后的M比特数据转换为伽马参考电压。2.根据权利要求1所述的伽马参考电压生成装置，其特征在于所述M为8。3.根据权利要求1所述的伽马参考电压生成装置，其特征在于所述存储模块，包括存储单元，存储单元存储多个两位的16进制数据；第一转换器，用于将所述16进制数据转换为8比特的数据。4.根据权利要求1所述的伽马参考电压生成装置，其特征在于，所述数模转换模块，包括第二转换器，用于将所述解码后的M比特数据转换为数模转换器可识别的10进制数据；生成单元，用于生成与10进制数据对应的伽马参考电压。全文摘要本发明公开了一种伽马参考电压生成装置，其包括存储模块，用于存储与伽马参考电压一一对应的多个M比特数据；差分信号生成模块，用于读取所述多个M比特数据，并根据所述多个M比特数据生成差分信号，所述差分信号由M比特数据及(M+1)比特的识别码交替而成；伽马解码模块，用于根据所述识别码解码差分信号，生成多个解码后的M比特数据；数模转换模块，用于将所述多个解码后的M比特数据转换为伽马参考电压。本发明省去了现有技术的伽马参考电压生成装置复杂的电阻串及电容设计，减少了电路板的面积。文档编号G09G3/36GK101847358SQ20091008100公开日2010年9月29日申请日期2009年3月27日优先权日2009年3月27日发明者金炯旲申请人:北京京东方光电科技有限公司