专利名称：能够在低功率部分显示模式中运行的显示设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种能够在低功率部分显示模式中运行的显示设备，例如
LCD类型的显示设备。显示设备包括显示单元，其包括底部141;透明 的顶部M;用于J^板的密封框，其限定包含其光学属性在电场存在时改 变的物质的封闭空腔；以及被排列成行和列的电极矩阵。所述行可放置在 所述中的 一个的第 一 内表面上，而所述列可放置在另 一个基板的第二 内表面上，以在所述行和列之间定义所述设备的像素。所述设备还包括用 于在显示单元上显示信息的行和列控制电路。在完全显示模式下，通过连 续地复用所述行，在几个电压电平上对所有的行和列寻址。
背景技术：
在无源矩阵LCD显示设备中，显示单元的行和列通过传统的控制或 驱动电路控制。行的数量通常少于列的数量。每一列的像素通过逐行复用 一个接一个地进行寻址。像素在两个刷新操作之间关闭。通常，当显示设 备的尺寸大时，使用有源矩阵LCD显示设备。
对于具有大尺寸的显示单元的显示设备，为了降低设备在部分显示模 式中的电力消耗，可设想配置该显示设备以使其在部分显示模式中仅使用 单元的活动部分。在这方面可引用欧洲专利申请NO, 0811866，其公开一 种驱动显示设备以降低其电力消耗的方法。为此，矩阵的非活动的行和列 的部分被置于规定的电压。然而，活动部分的行和列以传统的方式，特别 地通过复用，连续地被寻址，用于数据的显示。
欧洲专利申请NO. 0811866所 >开的该方案的一个缺点是在完全显 示模式中或在部分显示模式中，必须使用几个电压电平来显示数据。这些不同的电压电平必须通过至少一个电压升压电路获得。这意味着即使在部 分显示模式中，电力消耗也不能被充分地降低，因为必须在不同的电压电 平上执行逐行复用。
代替复用行，在Messrs T.J. Scheffer和B. Clifton在SID 1992中发表 的题为"Active Addressing Method of High-Constrast Video-Rate STN Displays (高对比度视频码率STN显示的主动寻址方法)"的文章中乂>开 了一种寻址方法。所公开的方法的目的是克服连接到显示设备的问题，其 总是更快。原理是将正交函数应用于行，并根据将要由像素显示的值和在 行上的值，计算在列上的值。然而，该文章没有公开本发明所述的使显示 设备能够以低功率运行的装置。
欧洲专利申请0617397公开了一种大尺寸的液晶显示i殳备。几个行驱 动电路用根据Walsh函数确定的电压分别且同时驱动该显示设备的几行。 然而，对于在从完全显示模式到可使用主动寻址技术的部分显示模式的过 渡中电力消耗的降低没有进行任何说明。
发明内容
因此，本发明的目的是通过提供一种显示设备克服本领域现有技术的 上迷缺点，其中，该显示设备能够用低电压行和列寻址在部分显示模式中 运行，以降低所迷i殳备在部分显示模式中的电力消耗。
因此，本发明涉及前述的显示设备，其包括在独立权利要求1中限定 的特征。
显示设备的特定实施例在从属权利要求2至10中进行了限定。 根据本发明的显示设备的一个优点在于在部分显示才莫式中，显示设 备使用所有行的主动寻址，因此，所有行都是活动的，并且没有一个接一 个地进行复用。行控制信号和根据行控制信号获得的列控制信号仅有两个 电压电平。第一电压电平对应于例如零电压，由逻辑状态0定义。第二电 压电平对应于小于显示设备的阈值电压的两倍的电压，由逻辑状态1定义。 因此，电压升压电路对于主动行寻址并不是必需的。因此，这使显示设备的电力消耗能够在部分显示模式中得到极大地降低，这意味着设备可适用 于便携式对象，诸如由小尺寸电池供电的电子腕表。
有利地，由于显示单元行的主动寻址，其中某些行在部分模式中被短 路以形成至少一个行組，因此，连续电压分量被彻底地去除。控制信号的 生成也简单。这与传统的通过复用的寻址不同，其中行寻址周期的连续性 必须每隔一个周期用相同的相反极性的脉冲周期交替，以去除连续电压分 量。然而，显示设备可以被切换以在完全显示模式中或在部分显示模式中 运行。
在部分显示模式中，为了定义至少一行字符的活动显示区域，某些列 也可被短路以形成至少一个列组。因此，使用这样形成的行组和列组，可 在在该部分显示模式中降低工作频率。
有利地，显示设备在低功率部分模式中的主动寻址可基于具体在题为
"Some New addressing techniques for RMS responding Matrix ( RMS响 应矩阵的一些新寻址技术)，，的文章中公开的寻址方法，该文章选自卡纳 塔卡邦(Karnataka)班加罗尔省(Bangalore)的印度科学院电子商务工 程系的M.T.N. Ruckmongathan在1988年所著的论文。为此，将要被主动 寻址的行的数量N必须被减小，以使显示设备仍然有足够的对比度，其中， 一个被寻址的行包括至少一个被短路的行组。该数量N必须是奇数，可包 含在3至11之间。
因此，上述文章的方法源自主动寻址。为此，^使用两个前面所述的电 压电平，对N个行选择N比特的字，其包括所连接或结合的行的组。N比 特字在由时钟脉冲定义的每个时间周期T改变，以在一个完整的周期中形 成正交函数。因此，在每个连续的主动寻址周期中，N比特二进制字的所 有组合必须纟皮选择。对于每个长度为2^T的周期，肯定有2N个组合。
有利地，在N个行的同时寻址中的二进制字的连续性可用于确定列控 制信号。为此，每列中的二进制数据字逐比特地与每个连续的行寻址二进 制字进行比较。该比较由例如异或(XOR)门的数字比较器执行。对每个 二进制行寻址字的不同的数量进行计数，并与阈值进行比较。如果从所有
6的比较中得到的数量小于N/2，则应用于列的电压电平对应于第一电压电 平，即逻辑状态0。然而，如果从比较中得到的数量大于N/2，则应用于列 的电压电平对应于第二电压电平，即逻辑状态1。因此，对于每个二进制 行字的2 个组合，对每个连续的周期定义列控制信号。
在以下根据附图所示的至少一个非限制性例子的描述中，显示设备的 目的、优点和特征将变得更加清楚，其中
图1示出根据本发明的显示设备的显示单元的简化顶视图，其示出活 动区域以及被短路的行和列；
图2简化地示出根据本发明的显示设备的电子元件的流程图3示出用于根据本发明的显示设备的主动寻址的行控制信号生成器 的一个实施例；
图4简化地示出在根据本发明的显示设备的部分显示模式中，在每个 主动寻址周期中获得的行和列控制信号以及从一个像素中得到的极化信
号；
图5简化地示出在根据本发明的显示设备的传统完全显示模式中，用 于一个行和一个列的控制信号曲线以及所得到的某个所选择的像素的极化 电压信号；
图6示出用于在根据本发明的显示设备的完全显示模式中提供各种电 压电平的电阻分压器组件。
具体实施例方式
在下面的描述中，本领域的普通技术人员所熟知的显示设备的所有单 元仅以简化的方式叙述。主要说明在手表中使用的液晶显示设备，尽管该 设备在部分显示才莫式中的配置可适用于任何其它类型的显示设备。
图1示出液晶类型的显示设备的显示单元l的顶视图。图1中未示出， 显示单元1由透明或不透明的底部基板、透明的顶部基板和密封这些^i41以限定封闭空腔的框组成。其光学属性在电场存在时改变的物质净皮放置在 封闭空腔内。
在该实施例中，显示单元1还包括用于定义显示单元像素的电极矩阵。 矩阵的行被排列在一个基^反的内表面上，而矩阵的列被排列在另 一个M 的内表面上，并与行相对且垂直于行。像素的物质晶体的取向通过在与行 相对的一个列之间施加的电位差获得，该电位差高于显示单元阈值电压。
在该实施例中，对于显示设备完全显示模式，显示单元1包括N，行(诸 如31行)和M，列(诸如101列)。这定义了大型显示单元的N， x M，个 像素。当显示设备被配置在部分显示模式中时，若干行以及若干列通过短 路而连接或结合。
如图1所示，有第一短路行组LO、第二短路行组L8、第一短路列组 C0和第二短路列组C68。这些行组和列组定义显示单元的非活动区域，而 其它的行Ll至L7和其它的列Cl至C67定义显示i殳备的活动区域。活动 区域在部分显示模式中必须能够显示至少一行字符。
应当指出，在显示设备的部分显示模式中，仅用两个电压电平对行和 行組进行主动寻址。第一电压电平可以是零电压，其对应于逻辑状态0。 第二电压电平Vs可以是比液晶显示单元的阈值电压Vth高的电压，其对 应于逻辑状态1。在该部分模式中，所有的行-故同时寻址，而不像在完全 模式中那样净皮复用。两个行組LO和L8的每一个可,皮当作用于主动寻址的 活动区域的另一个L1至L7，因为在该部分才莫式中，活动区域的行和两个 行組同时由各自的控制信号寻址。
适合于在低功率部分模式中的显示设备的寻址方法具体在题为"Some New addressing techniques for RMS responding Matrix ( RMS响应矩阵的 一些新寻址技术)，，的论文中描述，其选自卡纳塔卡邦(Karnataka)班 加罗尔省(Bangalore)的印度科学院电子商务工程系的M.T.N. Ruckmongathan在1988年所著的论文。对于与该主动寻址方法有关的更 多信息，读者可以主要参考该文章的第3章的3.1至3.18页。
使用该主动寻址方法，在部分模式下，将被寻址的行和行組的数量不得不减小。该数量等于N,其中N是整数，例如在3至11之间，例如等 于9，如同图1所示出的标记L0至L8。才艮据所描述的主动寻址原理，在 理论上，数量N必须是奇数。因此，只有第一和第二电压电平必须被生成。 优选地，零电压用于第一电压电平，值大于显示单元阈值电压的电压Vs 用于第二电压电平。
当行和行组的数量N等于9时，用于定义逻辑状态1的电压的值是 1.659Vth，其中Vth是液晶单元的阈值电压。通过比较，在标准的复用方 法中，在行的数量等于9时，将要生成的电压的数量至少是3，或者甚至 更高，而定义逻辑状态1的电压等于3,45Vth。如果行的数量相对于传统 的复用寻址技术减少，则这有利于使用主动寻址技术。
应当指出，应用于行和列的控制信号进行交替，以获得用于显示数据 的每个像素的交替极化电压。如果只在行和列之间施加固定的电压以定义 像素的状态，则可能发生电化学反应，其往往缩短显示单元的寿命。
使用交替电压，在每个周期中必须考虑足够的均方根电压RMS，这在 现有技术中是众所周知的。该RMS值必须能够用低的极化电压定义像素 的OFF状态或用比显示单元的阈值电压Vth高的足够的极化电压定义像 素的ON状态。由于该平均RMS电压，假设在每个周期上进行均方根以 定义每个像素的极化电压，则可以容忍误差。
驱动电压频率必须是至少30Hz以防止显示器闪烁。由于耦合，太高 的频率导致松弛效应，其导致显示器中不规则的残余对比度。最高频率极 限是大约200Hz。电流消耗通常与驱动频率成正比。
为了理解显示设备的部分显示模式中的主动寻址，必须说明用于生成 定义列控制信号的每一个活动列电压。首先，如前面所述，只有两个定义 逻辑状态0和1的电压电平。在部分模式中使用数字寻址技术，其是与传 统的基于逐行寻址的矩阵显示设备的寻址完全不同的方法。
N个行或行组L0至L8全部通过该主动寻址方法同时寻址。因此，如 下面参照图3和4更简单地说明的，用于列或列组C0至C68的控制信号 根据行的N个控制信号和用于显示数据的每个列的像素状态的N比特二进
9制数据字而确定。
N个行控制信号包括一 系列N比特行选择二进制字，其根据由时钟信 号CLK执行的计时操作，在每个时间周期T改变。在每个连续的周期中 的所有二进制行字的组合必须根据通过行信号生成器获得的伪随机原则来
选择。对于数量为N的行和行组，在每个长度tc等于2^T的周期中必须 有2 个不同的二进制字。
将要在列中显示的数据是N比特数据字，其中每个数据具有用于OFF 像素的值0或用于ON像素的值1。行选择电压被选择为对于逻辑状态0 是0，对于逻辑状态l是Vs。在每个时间周期T中，使用例如异或(XOR) 门的数字比较器对二进制数据和行选择字逐比特地进行比较。通过对输出 等于1的异或门的数量进行计数，确定这两个二进制字之间的对准错误的 数量i。对于每个周期T,通过多数判决法决定每列的电压Vc，以获取每 个列控制信号。如果数量i小于N/2，则列电压为0，如果数量i大于N/2， 则列电压为Vs。为了防止i等于N/2，行的数量必须是奇数。
与显示单元的响应时间相比，二进制字每次改变的时间周期T应当小， 以确保显示器的正确的RMS行为。等于2、T的一个周期的长度也应当小， 以防止显示器的闪烁。
经过像素的平均RMS电压值与2N个二进制选择字被选择用于寻址显 示器的序列无关。这使在选择适合于显示器特征的序列时可以完全自由。
根据本发明的显示设备包括在图2中示意性示出的各种电子元件。显 示设备包括可以是具有无源电极矩阵的液晶单元(LCD)的显示单元l, 以及用于显示单元矩阵的行和列的控制电路。所述控制电路可被配置成使 得显示设备处于完全显示模式或部分显示模式中。
控制电路包括部分显示模式行信号生成器2、部分显示模式列信号生 成器3、用于将要显示的数据的存储器4和在完全显示模式中用于显示单 元的驱动单元6。控制电路还包括用于向行信号生成器2、列信号生成器3 和驱动单元6提供时钟信号CLK的时钟信号生成器5。时钟信号CLK被 定义为使得显示单元在每个显示周期tc中的刷新频率接近于75Hz或更小。如果用于主动寻址的行的数量减少，则这可使刷新频率能够降低。
在传统的完全显示模式中，选择信号PAR_OFF被提供给驱动单元6 以使其开启，而反向的选择信号PAR—ON被提供给行和列信号生成器2 和3以使其不活动。在该完全^f莫式中，驱动单元必须以传统的方式经由行 控制信号ML通过复用而对行寻址，并通过列控制信号MC对列寻址。控 制信号在若干电压电平上定义，例如，必须提供5个电压电平。
在部分显示模式中，执行主动寻址技术。为此，选择信号PAR一ON被 提供给行和列控制信号生成器2和3以使其活动，而反向的选择信号 PAR—OFF使得驱动单元6不活动。行控制信号生成器2是在部分显示模 式中主动寻址的基础。生成器2对显示单元1同时生成行L0至L8的N个 行控制信号，其连续地包括不同的N比特二进制字，而这些二进制字从一 个周期到另一个周期是不同的，如上所述。这些行控制信号也被提供给列 控制信号生成器3，用于确定列控制信号。存储器4，例如非易失性存储器， 向每个列提供二进制数据字。这些二进制数据字一个接一个地与二进制行 字进行比较，以确定提供给显示单元1用于在活动区域中显示数据的列控 制信号C0至C68。
伪随机数字生成器可用作用于主动行寻址的行信号生成器。例如，对 于行和行组的数量N等于9时， 一个可能的实施例如图3所示。
在图3中，生成器包括移位寄存器IO,用于存储N比特二进制字，在 该实施例中例如是9比特字。根据对寄存器计时的时钟信号CLK，进行比 特移位。在每次时钟到达CLK时，将1比特数据d引入寄存器。该数据d 可以是用于零电压的逻辑状态O，或者是用于电压Vs的逻辑状态l，该电 压Vs高于显示单元阚值电压，例如，电压Vs等于1.6外Vth。在部分显示 模式中的主动行寻址操作中，时钟信号CLK的两个上升沿之间的时间是 每个二进制字的时间周期T。
生成器还包括NOR类型逻辑门11，用于对来自移位寄存器的二进制 字的头8个比特的输出进行反加法。它还包括第一异或门l2,用于对移位 寄存器的第5个和第9个比特进行加法，并在第5个和第9个比特相同时提供等于0的结果，或在第5个和第9个比特不同时提供等于1的结果。 最后，生成器包括第二异或门13，用于将NOR门11的输出状态和第一异 或门12的输出状态相加，以提供数据d。该数据d在输入比特相同时具有 值0，在输入比特不同时具有值1。因此，生成器能够提供行控制信号L0 至L8，其由一系列二进制字组成，以在一个完整的主动寻址周期上覆盖所 有可能的二进制字组合。所有的行控制信号都是正交函数。
为了更清楚地理解如何确定列的控制信号以及如何利用主动行寻址选 择像素的极化电压，现在对图4的曲线进行说明。为了简化起见，只考虑 显示单元的三个行Ll至L3用于主动寻址以及四个列Cl至C4。图4示出 用于显示数据的像素的预期状态。白色的像素定义OFF像素，而黑色的像 素定义ON像素。
所选择的像素是位于列C3和行L3上的像素。该所选择的像素的极化 电压Vp3的曲线如图4的最后一个曲线所示，作为从来自行控制信号L3 的电压VL3减去来自列控制信号C3的电压VC3的结果。
在一个行寻址周期tC上，三个行Vu、 VL2、 VL3定义8个连续的二进
制字，这些二进制字都不相同，并代表从000到111的所有二进制字組合。 每个二进制字的长度等于T，它的2W倍小于每个周期的长度tc。因此，对 于N等于3时，有8种可能的二进制行字组合。
因此，根据列C3的二进制字与行的每个二进制字的比较，获得列C3 的控制信号Vc3。如以简化的方式所示的，列3包括第一OFF像素和随后 的两个ON像素，其给出二进制数据字110。通过利用异或门在列C3的二 进制数据字和每个二进制行字之间逐比特地进行比较，获得控制信号VC3。 为此，必须考虑如下事实只有当在三个异或门的输出端的1的数量大于 0的数量时，才能获得控制信号VC3中表示状态1的电压Vs。相反，只有 当在三个异或门的输出端的0的数量大于1的数量时，才能获得控制信号 VC3中表示状态0的零电压。
图5简要地示出在显示设备处于完全显示模式时所选择的像素的行 Vu和列VC3的控制信号以及所产生的极化电压的曲线。为简化起见，显
12示单元仅用4行Ll至L4和4列Cl至C4表示，其中，ON像素是黑色的 像素，OFF像素是白色的像素。所选择的像素在行L3和列C3上，并且 是ON像素。
在完全显示;f莫式中，通过复用对行进行寻址，以在每个周期T逐个地 选捧行。在传统的复用寻址中，这些长度为tc的行寻址周期的系列通常必 须每隔一个周期用具有相反极性的相同的脉冲周期交替，以除去连续电压 分量。然而，由于我们希望对于行和列控制信号Vu和Vo仅用高于O的 电压工作，因此，必须在笫一周期中增加恒定电压F,并在第一周期之后 的第二周期中增加电压S。这些周期交替地重复。
用于生成控制信号的不同的电压由在图6中示出的电阻分压器元件以 简化的方式表示。几个电阻串接在位于未示出的电压升压电路的输出端的 正电压端子VoD和接地端子之间。如果显示单元包括例如31行，则正电 压V冊具有超过显示单元的阈值电压的5倍的值。
在该电阻分压器中提供的5个电阻中，4个电阻R可以具有相同的值， 而一个中间电阻可具有更低或更高的值。可提供跟踪放大器20至24或开
关，其被设置在两个电阻的每个连接节点和正端子VuD处。这些放大器可 被分别控制成活动或非活动，以提供用于生成不同的控制信号的大于0的 5个电压电平中的一个。
第一电压电平F可以在i文大器24的输出端提供。第二电压电平2F可 在放大器23的输出端提供。第三电压电平S-F可在放大器22的输出端提 供。笫四电压电平S可在放大器21的输出端提供。最后，放大器20提供 正电压VoD，其对应于电压S+F。优选地，为了确定电压S和F,必须考 虑在ON像素和OFF像素之间提供最大对比度的最佳比率。当S/F = Nfl-5 时，该最佳比率变为最大值，其中N是行的数量。
如图5所示，所选择的像素是在行L3和列C3上的像素。为了简化， 假定仅示出4行，每个周期tc执行4行复用操作。每个所选择的行的长度 具有值T。具有所要求的不同电压电平的行控制信号Vu和列控制信号VC3 被示出。最后，通过从行控制信号Vu中减去列控制信号Vc3获得所选择的像素的极化电压vP3。应当指出，每隔一个周期，极化信号具有在o左
右的相反极性。因此，在每个周期上的平均电压Vrms足以使所逸捧的像
素成为ON^(象素。
如上所述，显示设备因此可被配置在完全显示模式中或者在低功率部 分显示模式中。假设显示设备可在显示单元的受限的活动区域上显示至少 一行字符，则主要使用部分显示模式。在部分模式中，由于主动行寻址技 术，显示设备的功率消耗与完全显示模式相比得到极大地降低。
根据刚才已经给出的说明，本领域的普通技术人员在不脱离权利要求 所限定的本发明的范围的情况下，可以设计显示设备的几种变形。可以设 想将该主动寻址技术用于任何类型的显示设备，无论该i殳备是无源矩阵还 是有源矩阵。显示单元a可以是刚性或柔性的。可以i殳想在显示单元上 不同于中央部分的其它位置具有所配置的显示i殳备的活动区域，并移动该 可编程的活动区域。
权利要求
1.一种显示设备，包括显示单元(1)，其包括底部基板；透明的顶部基板；密封所述基板以限定封闭空腔的框，在所述空腔中具有其光学属性在电场存在时改变的物质；以及电极矩阵，其在所述空腔内排列成行(L0至L8)和列(C0至C68)以定义显示单元像素；所述设备还包括用于所述行和列的控制电路(2，3，4，5，6)，用于在所述显示单元上显示数据，在完全显示模式中，通过连续地逐行复用而在几个电压电平上对所有的行和列进行寻址；其特征在于，在低功率部分显示模式中，至少一个行组(L0，L8)被连接，以便由来自矩阵控制电路的同一个行控制信号控制；所述显示单元的活动区域的行(L1至L7)与所述行组在两个电压电平上通过主动寻址技术同时进行寻址，其中第一电压电平定义逻辑电平0，第二电压电平定义逻辑电平1，所述第二电压电平大于所述显示设备的阈值电压，但小于所述阈值电压的两倍。
2. 根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，在部分显示模式中， 至少一个列組(C0， C68)被连接，以便由来自所述控制电路的同一个列 控制信号控制；所述活动区域和所述列組的列控制信号分别根据N个行控 制信号在一个完整周期中与表示每一列的像素的状态的N比特二进制数据 字的比较而确定。
3. 根据权利要求l所述的显示设备，其特征在于，所述行抝改置在所 述M中的一个141的第一内表面上；所述列^t故置在另一个14i的第二内表面上，并排列成与所述行垂直，以定义无源矩阵显示单元的像素；所 述显示单元包括N，行和M，列，其中对于所述显示设备的所述完全显示才莫 式，行的数量N，小于列的数量M，，并且N，大于ll，而M，大于69。
4. 根据权利要求2所述的显示设备，其特征在于，在部分显示模式中 被主动寻址的行和行組的数量是包含在3和11之间的整数N。
5. 根据权利要求4所述的显示设备，其特征在于，所述数量N是奇数。
6. 根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，在部分显示模式中，行和行组的数量N同时由N个行控制信号控制，所述N个行控制信号包 括一系列N比特二进制行选择字，其在每个所确定的时间周期T都改变， 以致所有的二进制行字组合，即2 个不同的二进制字，在每个长度为2N 'T 的连续周期中出现。
7. 根据权利要求1或6所述的显示设备，其特征在于，在部分显示模 式中，形成两个相邻的行组(L0， L8)，并且活动区域的行(Ll至L7) 被排列在两个相连的行组之间。
8. 根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，在部分显示模式中， 形成两个相邻的列组(C0， C68)，并且活动区域的列(C1至C67)被排 列在两个相连的列组之间。
9. 根据权利要求1或6所述的显示设备，其特征在于，在低功率部分 显示模式中，N个行控制信号由行控制信号生成器(2)同时生成，并通过 由时钟信号生成器(5)提供的时钟信号(CLK)计时。
10. 根据权利要求9所述的显示设备，其特征在于，所述行控制信号 生成器包括用于存储N比特二进制字并提供N个行控制信号的移位寄存 器(10);用于将前N-l个比特相加并提供反向信号的NOR逻辑门(11); 用于将N个不同比特中的两个比特相加的第一异或逻辑门(12);以及用 于将NOR门的输出和异或门的输出相加以向所述移位寄存器提供将要在 每个时钟信号插入的数据的第二异或逻辑门(13)。
全文摘要
能够在低功率部分显示模式中运行的显示设备，包括显示单元(1)，其包括在封闭空腔中的液晶和被排列成行(L0至L8)和列(C0至C68)的电极矩阵。这些行和列定义显示单元像素。显示设备包括用于行和列的控制电路，用于在显示单元上显示数据。在完全显示模式中，通过连续地逐行复用而在几个电压电平上对所有的行和列寻址。在低功率部分显示模式中，两个相邻的行组(L0，L8)被结合，以致其每一个由来自控制电路的各自的行控制信号控制。N个行(L1至L7)和组行(L0，L8)在两个电压电平上以主动的方式同时寻址。N个行控制信号包括一系列N比特二进制行字，其在每个所确定的时间周期T都改变，以致2<sup>N</sup>个二进制行字的组合出现在每个长度为2<sup>N</sup>·T的连续周期内。这些N个行控制信号与二进制列数据字进行比较以确定列控制信号。
文档编号G09G3/36GK101540156SQ20091012659
公开日2009年9月23日 申请日期2009年3月16日 优先权日2008年3月17日
发明者A·蒙西尔德, J·格鲁普, J-C·马丁 申请人:斯沃奇集团研究和开发有限公司