一种可编程伽玛校正缓冲电路芯片及产生伽马电压的方法
【专利摘要】本发明提供一种可编程伽玛校正缓冲电路芯片及产生伽马电压的方法，其中，可编程伽玛校正缓冲电路芯片包括运算放大器OP，所述运算放大器的同相输入端通过第一电阻R1与基准电压输入端相连，所述运算放大器的反相输入端通过参考电阻Rf与输出端相连，所述运算放大器的反相输入端对地并联有n个第二电阻Rs，n为将所述可编程伽玛校正缓冲电路芯片产生的基准电压Vref进行等分的数量，所述基准电压Vref作为每一等份的基准电位差，所述每一第二电阻Rs均串联有一个开关S。本发明实施例通过对可编程伽玛校正缓冲电路芯片的构造进行改进，无需采用MOS管，减小了芯片体积，节省了成本。
【专利说明】—种可编程伽玛校正缓冲电路芯片及产生伽马电压的方法【技术领域】
[0001]本发明涉及图像显示领域，尤其涉及一种可编程伽玛校正缓冲电路芯片及产生伽马电压的方法。
【背景技术】
[0002]TFT-LCD驱动原理中数据驱动电路(Data Driver)通过伽马(gamma)电压作为基准产生实现gamma 2.2的校正。可编程伽玛校正缓冲电路芯片(P_Gamma IC)则是通过数位逻辑电路(Digital Logic Circuit)经数模转换 DAC (Digital-to-Analogue Conversion)后，产生各ga_a电压的集成芯片。
[0003]现有的P_Gamma IC都是将模拟基准电压Vref (reference voltage)通过数位逻辑电路细分为2s等分(S为数模转换位数)，再经DAC模块中的场效应管(M0S管)进行选择对应的通道，最后经过电压跟随器(OP)得到对应的模拟电压(Analog voltage)，产生模拟电压可所需的ga_a电压。在这种情况下，共需SX 2s个MOS管。图1所示为3_bit DAC模块电路，从图中可以看出，一共有24 (3X8)个MOS管。对于更高位数，例如10-bit，则需要10240 (10X1024)个MOS管。由于MOS管数量的多少将直接影响到IC的体积大小和成本高低,过多的MOS管无疑大大增加了 IC的体积和成本。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题在于，提供一种有效减小体积、降低成本的可编程伽玛校正缓冲电路芯片 及产生伽马电压的方法。
[0005]为了解决上述技术问题，本发明提供一种可编程伽玛校正缓冲电路芯片，包括运算放大器0P，所述运算放大器的同相输入端通过第一电阻Rl与基准电压输入端相连，所述运算放大器的反相输入端通过参考电阻Rf与输出端相连，所述运算放大器的反相输入端对地并联有η个第二电阻Rs，η为将所述可编程伽玛校正缓冲电路芯片产生的基准电压Vref进行等分的数量，所述基准电压Vref作为每一等份的基准电位差，所述每一第二电阻Rs均串联有一个开关S。
[0006]其中，所述第二电阻Rs的阻值与参考电阻Rf的阻值相同。
[0007]其中，所述第二电阻Rs、参考电阻Rf以及第一电阻Rl三者的阻值均相同。
[0008]本发明还提供一种产生伽马电压的方法，包括:
步骤Si，提供一种可编程伽玛校正缓冲电路芯片，其中，所述可编程伽玛校正缓冲电路芯片包括运算放大器0P，所述运算放大器的同相输入端通过第一电阻Rl与基准电压输入端相连，所述运算放大器的反相输入端通过参考电阻Rf与输出端相连，所述运算放大器的反相输入端对地并联有η个第二电阻Rs，η为将所述可编程伽玛校正缓冲电路芯片产生的基准电压Vref进行等分的数量，所述基准电压Vref作为每一等份的基准电位差，所述每一第二电阻Rs均串联有一个开关S ；
步骤S2，从可编程伽玛校正缓冲电路芯片的寄存器获得m值，控制m个开关S闭合；步骤S3,计算得到输出电压Vout。
[0009]其中，所述步骤S3中，所述输出电压Vout根据m值，所述第二电阻Rs的阻值以及参考电阻Rf的阻值计算得到。
[0010]其中，m是大于I且小于等于η的整数。
[0011]其中，所述第二电阻Rs的阻值与参考电阻Rf的阻值相同。
[0012]其中，所述第二电阻Rs、参考电阻Rf以及第一电阻Rl三者的阻值均相同。
[0013]本发明实施例通过对可编程伽玛校正缓冲电路芯片的构造进行改进，将其产生的基准电压作为所划分的每一等份的电位差，取代了 DAC模块，无需采用MOS管，减小了芯片体积，节省了成本。
【专利附图】
【附图说明】
[0014]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0015]图1是现有数模转换模块电路示意图。
[0016]图2是本发明实施例一一种可编程伽玛校正缓冲电路芯片的电气原理示意图。
[0017]图3是本发明实施例二一种产生伽马电压的方法的流程示意图。
【具体实施方式】
[0018]请参照图2所示，本发明实施例一提供一种可编程伽玛校正缓冲电路芯片，包括运算放大器OP (Operat1nal amplifier),该运算放大器的同相输入端通过第一电阻Rl与基准电压输入端相连，该运算放大器的反相输入端通过参考电阻Rf与输出端相连，该运算放大器的反相输入端对地(GND)并联有η个第二电阻Rs，η为将可编程伽玛校正缓冲电路芯片产生的基准电压Vref进行等分的数量，基准电压Vref作为每一等份(step)的基准电位差，每一第二电阻Rs均串联有一个开关S。
[0019]由于OP具有极高的开环增益，在负反馈下，其输入信号处在很小的范围内，相差很小，近似相等(仅存在毫伏级的差异)，相当于把那同相输入端与反相输入端短接，但实际又没短接，即虚短。另外，OP输入电阻很大，流入OP的同相输入端和反相输入端中的电流十分微小，往往可以忽略，相当于OP的输入端开路，但实际并非开路，即虚断。利用OP的虚短原理可知，OP同相输入端电压与反相输入端电压均为基准电压Vref ;利用OP的虚断原理可知，从η个第二电阻Rs (这些第二电阻Rs的阻值均相同)与开关组成的并联电路流出的电流，与流经参考电阻Rf的电流相同，因此，即有下述公式:
【权利要求】
1.一种可编程伽玛校正缓冲电路芯片，其特征在于，包括运算放大器0P，所述运算放大器的同相输入端通过第一电阻Rl与基准电压输入端相连，所述运算放大器的反相输入端通过参考电阻Rf与输出端相连，所述运算放大器的反相输入端对地并联有η个第二电阻Rs, η为将所述可编程伽玛校正缓冲电路芯片产生的基准电压Vref进行等分的数量，所述基准电压Vref作为每一等份的基准电位差，所述每一第二电阻Rs均串联有一个开关S。
2.根据权利要求1所述的可编程伽玛校正缓冲电路芯片，其特征在于，所述第二电阻Rs的阻值与参考电阻Rf的阻值相同。
3.根据权利要求2所述的可编程伽玛校正缓冲电路芯片，其特征在于，所述第二电阻Rs、参考电阻Rf以及第一电阻Rl三者的阻值均相同。
4.一种产生伽马电压的方法,包括: 步骤SI，提供一种可编程伽玛校正缓冲电路芯片，其中，所述可编程伽玛校正缓冲电路芯片包括运算放大器0P，所述运算放大器的同相输入端通过第一电阻Rl与基准电压输入端相连，所述运算放大器的反相输入端通过参考电阻Rf与输出端相连，所述运算放大器的反相输入端对地并联有η个第二电阻Rs，η为将所述可编程伽玛校正缓冲电路芯片产生的基准电压Vref进行等分的数量，所述基准电压Vref作为每一等份的基准电位差，所述每一第二电阻Rs均串联有一个开关S ； 步骤S2，从可编程伽玛校正缓冲电路芯片的寄存器获得m值，控制m个开关S闭合； 步骤S3,计算得到输出电压Vout。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述输出电压Vout根据m值，所述第二电阻Rs的阻值以及参考电阻Rf的阻值计算得到。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，m是大于I且小于等于η的整数。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二电阻Rs的阻值与参考电阻Rf的阻值相同。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二电阻Rs、参考电阻Rf以及第一电阻Rl三者的阻值均相同。
【文档编号】G09G3/36GK104021771SQ201410269184
【公开日】2014年9月3日 申请日期:2014年6月17日 优先权日:2014年6月17日
【发明者】曾德康, 郭东胜 申请人:深圳市华星光电技术有限公司