图象显示装置的制作方法

专利名称：图象显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及具有成矩阵状的显示用象素的图象显示装置。
作为平面显示器的代表之一的有源矩阵型液晶显示装置是公知的。如图22所示，在上述有源矩阵型液晶显示装置中，将由象素电容73和薄膜晶体管开关元件(以下称为“TFT”)74构成的象素75按图23所示排列成矩阵状而形成为象素阵列70，并把这个用作为显示电极基板。所说象素电容73由液晶电容71及辅助电容72所组成，所说TFT74由非晶体硅所组成。
可以将上述象素75形成在玻璃板等透光型的绝缘基板上，如图22所示，在该绝缘基板上还同时形成有同TFT74相连并且用于驱动象素75的数据信号线76和扫描信号线77等配线。另外，这些象素75分别配置在由相邻的各数据信号线76和相邻的各扫描信号线77所包围的位置上。
由于这种液晶显示装置的图象质量高且对作为显示用电极基板使用的绝缘基板面积大小的限制少，并且反射型、透过型都可适用，所以被广泛采用。
然而液晶显示装置必需把用于将数据信号和扫描信号供给具有开关元件的象素的驱动电路同显示用电极基板相连接。
作为驱动电路同显示用电极基板的连接方法，具有采用在聚酰亚胺树脂薄膜基体等上形成若干个铜薄膜线的连接薄膜的薄膜载体方法和在显示用电极基板上实际安装直接驱动电路的COG(Chip On Glass)方法等。
与此相对应，近年来正在开发使电路元件的实际安装效率提高的驱动器单片技术，这种技术是在显示电极基板上的开关元件形成时一体形成驱动电路和开关元件。
但是，在利用把一般地用于开关元件的非晶体硅薄膜作为半导体层的非晶体硅的TFT中其驱动力不足，而难于实现驱动器单片技术。
因此人们正在开发利用把驱动能力高的多晶硅薄膜作为半导体层的多晶硅的TFT的驱动器单片技术。
下面详细说明一般的驱动器单片型有源矩阵图象显示装置。
如图24所示，利用由多晶硅构成的TFT的MOS(金属氧化物半导体)的晶体管的结构如下首先在绝缘基板81上形成由多晶硅构成的半导体层82，接着在形成栅极绝缘膜83和栅极84后，在半导体层82上形成源极85和漏极86，然后在层间绝缘膜87和金属配线层88、89被形成后，形成保护膜90。
上述栅极84同上述扫描信号线77相连，源极85同数据信号线76相连接，漏极86同液晶电容71和辅助电容72相连接。液晶电容71和辅助电容72的相反侧的端子同公共电极相连接。
上述各数据信号线76分别同供给显示用数据的数据信号线驱动电路78相连接，各扫描信号线77分别同供给扫描信号的扫描信号线驱动电路79相连接。而上述数据信号线驱动电路78和扫描信号线驱动电路79同将定时信号送到这些信号线中的定时控制器80相连接。
上述定时控制器80如图23所示，在各象素75上产生应显示数据的电压以及用于确定进行显示时的位置的水平、垂直同步信号等，控制器80还根据这些信号通过数据信号线驱动电路78对一个水平期间份的显示用数据进行脉冲调制，通过定时控制器80产生的传送信号将这个脉冲调制信号输出到上述数据信号线76中。
如图22所示，在扫描信号77处在有源状态下扫描信号线驱动电路79通过TFT74将输送到数据信号线76上的显示用数据写入液晶电容71中。通过写入电容71中的电荷维持液晶层的透射率或反射率调制的显示。如果显示用数据的垂直频率为60HZ，则在隔行析象方式中用1/30秒而在非隔行析象方式中用1/60秒完成一个画面的显示即一帧。
在液晶电容71上存在同该电容71并联的比较高的电阻成分的同时，在截止状态的TFT74上也存在电阻成分。因此，存储的电荷通过这些电阻成分而漏掉，按照下一个帧在显示用数据被写入之前，在这个象素75上象素电极的电位发生变化。此外，为实现驱动器单片技术在把必不可少的多晶硅的TFT用作为开关元件的情况下，由于该晶体管的截止特性同非晶体硅的TFT相比是较劣的，所以将进一步引起显示质量的恶化。因此，为了使上述不良状态减少，作为惯例设置具有同液晶电容并联的容量比较大的辅助电容72。
可是，对于上述已有的液晶显示装置，为实现驱动器单片技术在把必不可少的多晶硅的TFT74用作为开关元件的情况下，由于这个多晶硅的TFT74的截止特性同非晶体硅的TFF74相比是较劣的，而使显示电位衰减，从而存在不能充分保持写入在象素75上的显示用数据即显示质量变劣的问题。
此外，为了减少上述的不良状态，虽然可以采取设置具有同液晶电容71并联的容量比较大的辅助电容72这个对策，但是由于这个辅助电容72的存在而使图象75的数值孔径降低。
下面参照图25和26详细说明数值孔径降低的情况。
在本说明书中的“场”和“帧”的定义如下即帧是指由象素显示装置显示的单一完成了的图象，而场是指“帧”的构成要素即图象。
因为在液晶显示装置所代表的配置成矩阵状象素的图象显示装置中有源矩阵驱动方式是公知的，所以在此就有源矩阵型液晶显示装置进行说明。
首先说明图象显示部分的构成。在图25中有若干条数据信号线104和若干条扫描信号线105，数据信号线同若干条扫描线成交叉状态，在由相邻的两条数据信号线同两条扫描线所包围的部分上配置成矩阵形的象素106，每个象素由作为有源元件的TFT(薄膜晶体管)等的晶体管TR、液晶电容Cp和相应必要的辅助电容Cs所构成。在同图中，通过晶体管TR的漏极其源极同数据信号线104、液晶电容CP和辅助电容Cs的一个电极相连接，晶体管TR的栅极同扫描信号线105相连接，液晶电容CP的另一个电极(公共电极)同公共电源相连，辅助电容Cs的另一个电极(公共电极)同公共电源线或前段的扫描信号线相连接(在图25中同公共电极相连接)。此外，数据信号线104同数据驱动器102相连接，扫描信号线105同扫描驱动器103相连接。
在同图中，定时控制部件101产生在各象素106上应显示的显示用数据电压以及用于确定显示时的位置的水平和垂直同步信号等，以这些信号为基准产生确定数据驱动器102(也称源极驱动器)和扫描驱动器103(也称栅极驱动器)的驱动定时的定时信号(起动脉冲、时钟等)。在对这些信号进行脉冲调制的同时，在数据驱动器102中也对一个水平扫描期间的显示用数据进行脉冲调制，再通过由定时控制部件101产生的传送信号将脉冲调制的上述信号输出到数据信号线104上。扫描驱动器103把指定由数据信号线104上输出的显示用的存储象素的扫描信号输出到扫描信号线105上，当扫描信号线105处在有源状态时，通过晶体管TR将数据信号线104上传送的显示用数据写入液晶电容Cp上。
虽然利用写入到液晶电容Cp上的电荷通过调制液晶层的透射率或反射率可以维持显示，但由于实际上液晶电容Cp上有比较高的电阻，且存在同电容成分并联的电阻成分(漏电阻)或元件、晶体管TR的截止电阻，所以积存的电荷经过这个电阻漏出，在直到下一个场中将数据写入这个象素上的时间内使象素电极的电压衰减，从而使显示质量变低。因此，为了减小该漏电流引起的象素电极的电压变动要设置一个同液晶电容Cp相并联的辅助电容Cs。
图26表示了具有辅助电容Cs情况下的象素的构成图(辅助电容Cs同前段的扫描信号线相连接)。在同图中，104是数据信号线，105是扫描信号线，107是TFT，108是象素部分(开口部分)。扫描信号线同象素的重叠部分113形成辅助电容Cs，只是配置有辅助电容的区域份数值孔径下降。
另外，如果在液晶层中只沿一定方向加电场则使液晶电容Cp的质量降低，即使液晶显著恶化，为了防止这个问题的出现，必须进行交流驱动。虽然在这个交流驱动中具有每隔一个场使极生颠倒的场颠倒以及每隔一个水平行而颠倒的1H行颠倒，但是把前者和后者合在一起的“场+1H行颠倒驱动”作为惯例。
另外，如图27所示，由于TFT(薄膜晶体管)TR的栅极一源极之间存在寄生电容Cgs，而在象素电极中按象素电容(液晶电容Cp和辅助电容Cs之和)和寄生电容Cgs的电容量的比例来产生电压偏移。当这个电压偏移使输送到数据信号线上的显示用数据和电压为V、且使扫描信号线的电压振幅为Vo时，则写入在象素中的电压将产生变成(V-△V)等的不合适电压[在此，△V＝Vo·Cgs/(Cp＋Cs＋Cgs)]。这也是引起闪变发生的原因之一。
由于一般地用于上述有源矩阵驱动方式的液晶显示装置的TN型液晶可以高速运行，所以有人提出一种采用数据保持率低的(漏电电阻小的)液晶通过象素内的缓冲电路维持该液晶的数据保持率的场顺序扫描方式的液晶显示装置。
在此，所谓场顺序扫描方式是利用将二色以上的色按时间分割显示而进行利用人眼的残留象效应的时间持续的加法混色的彩色技术，如图28中的时序图所示，将显示用的数据用很短的时间τ传送到图象显示单元中，且用残留时间(TR、TG、TB)进行显示。
作为场顺序扫描方式中的象素电路即使如图25所示的构成也可以工作，但是作为其它的象素电路的构成，在日本专利公开公报特开平4-310925中提出了二种方式的方案。
其中的第一种方案是采用包括图29所示的象素电路的保持电容Ch和缓冲电路109的构成，并如图28所示在很短的传送时间内将显示用数据传送到象素显示单元中且在残留时间(TR、TG、TB)内进行显示的方法。这个缓冲电路109的高输入阻抗通过保持电容Ch有效地保持传送的显示用数据，这样在下一个显示用数据传送之前、即保持期间TR、TG、TB期间内可以维持在液晶电容Cp上的电荷。
其中的第二种方案具有图30所示的象素电路的构成。即设置有缓冲电路110和保持电容Cha、Chb，其中保持电容Cha、Chb的构成如下在显示保持在保持电容Cha、Chb一方的电压期间将电荷储存在保持电容Cha、Chb的另一方。因此，为了可以交替地进行显示用数据向保持电容Cha、Chb的传送以及向液晶电容Cp上的写入，如图31所示的时序图那样使传送时间τ增加1/3场。
但是，对于上述已有技术，虽然为了保持显示用数据必须有辅助电容Cs，但是由于辅助电容Cs的存在又使数值孔径降低。可是如果采用简单废除辅助电容Cs的象素电路构成的已有驱动方法，不仅成为产生闪变的原因，还将引起显示用数据保持率下降、且显示质量低下等问题。在图32中示出了具有辅助电容Cs时同不具有Cs时的某个象素的显示用数据的保持率。而在图29和图30中所示的电路构成的情况下，会引起随着象素单元的元件数的增加而使象素尺寸扩大(妨碍高精密化)和成晶率的下降。
此外，如图27所示，在将TFT(薄膜晶体管)用作为有源矩阵驱动方式中的有源元件的情况下，象素电极的电压偏移按照这个寄生电容Cgs同象素电容间的电容值比例而产生，由此引起显示用数据不能正确写入这个问题。这还是闪变产生的一个原因。
本发明的目的是提供一种图象显示装置，即使在把多晶硅TFT用作为开关元件的情况下，该显示装置也能实现驱动器单片技术，同时弥补多晶硅TFT的截止特性的不足提高象素的数值孔径并可以确保良好的显示质量。
为了达到上述目的，本发明的图象显示装置包括配置成矩阵状的并且具有用于保持显示数据的辅助电容的同时显示该显示数据的象素单元，上述辅助电容的一帧份的显示用数据的保持率不足99％(也包含设有辅助电容的场合)。
根据上述结构，本发明可以容易构造为废除连接在已有公共电极或前段扫描信号线上的辅助电容，这样可显著提高数值孔径。另外，即使没有废除上述辅助电容，也可通过减小辅助电容Cs的值来提高数值孔径。还可以进一步改善显示用数据保持率。在进行场顺序扫描方式的情况下，由于没有必要利用已有那样复杂的电路构成，所以缩小了象素电路的规模(象素尺寸缩小)、提高了成品率并可实现高精密化。
另外，不仅在使辅助电容变小的情况下，而且在形成数据驱动器中的脉冲调制电路、保持电路等以及象素单元的各种电路的晶体管截止电流大的情况下，或者在所谓脉冲调制电容器、数据保持电容器、其它电容器的并联电阻成分小的情况下可以抑制所产生的数据变动。
另外，在把TFT用作为有源元件的情况下，还可以抑制由按照这个栅极—源极间的寄生电容Cgs同象素电容的电容值比例而产生的象素电极的电压偏移引起的闪变。
为了达到上述目的，本发明的另一个图象显示装置在同一基板上形成了作为用于驱动象素的开关元件而排列在各象素上的MOS晶体管、通过上述数据信号线和扫描信号线把基于显示用数据的驱动信号传送到上述MOS晶体管上的驱动电路以及按照一帧单位把用于输出给上述驱动电路的显示用数据存储起来的并且设置在象素外面的存储装置。
根据上述构成，在同一基板上形成有驱动象素的MOS晶体管、传送驱动信号的驱动电路、以及按照一帧单位存储显示用数据的存储装置。由此，可以提高实装效率并实现低成本化。
上述存储装置被划分为至少二个可区分的存储装置，它最好包括把向上述显示用数据中的新的一帧份的一个区份存储装置的存储和把已存储在另一区分存储装置中的一帧份的显示用数据读出到上述驱动电路交替进行切换的切换装置；在把来自上述一个区分存储装置的显示用数据的新的一帧存储期间，通过把已存储在另一区分存储装置中的一帧份的显示用数据向上述驱动电路进行二次以上的读出，而将同一显示用数据在同一象素上反复写入两次以上的反复写入装置。
在这种情况中，新的一帧份的显示用数据通过切换装置至少存储在二个可区分的存储装置中的任意一个之中。而且，在向一个区分存储装置进行存储期间，通过上述切换装置把已存储在另一区分存储装置中的一帧份的显示用数据进行向驱动电路的读出。而且切换装置交替地进行切换向至少两个可区分的存储装置的存储和读出。因此可以同时进行显示数据的存储和向各驱动装置的读出。
在把已存储在一个或另一个可区分的存储装置中的一帧份的显示用数据读出到上述驱动电路上时，在通过一个区分存储装置使显示用数据的新的一帧存储期间，反复写入装置通过把已存储在另一区分存储装置中的一帧份的显示用数据向上述驱动电路进行两次以上的读出而使同一显示用数据在同一象素上写入两次以上。
其结果是，由于在把新的一帧的显示用数据存储期间内使同一显示用数据反复写入同一象素上，所以缩短了象素所要求的数据保持时间并提高了保持率。因此，在把多晶硅TFT用作为开关元件的情况下，可以弥补多晶硅TFT的截止特性的不足、并确保良好的显示质量。
此外，可以去掉各象素的辅助电容或者减小这个辅助电容的电容值。因此，可以提高象素的数值孔径，并且使象素电路规模缩小，进而可以提高产品合格率并实现高精密化。
如果将上述存储装置制成DRAM结构、SRAM结构、或EEPROM结构，则可以活用现有的DRAM、SRAM或EEPROM技术。
如果采用把一般用作为开关元件的非晶体硅薄膜作为半导体层的非晶体硅TFT，则驱动能力不足，难以实现驱动器单片技术。然而，在把多晶硅薄膜作为半导体层而形成MOS晶体管的情况下，驱动能力变高了。此外，通过采用多晶硅薄膜同样也可以在单片上形成构成存储装置和驱动电路的各元件。
而且，因为存储装置按每隔帧周期以下的时间来更换写入数据，所以在采用漏电流大的多晶硅TFT的存储器的情况下，为了防止由漏电流引起的数据消失，没有必要按通常的DRAM进行的更新操作。另外，通过把来自上述区分存储装置中显示用数据多次写入各象素上，可以充分地弥补采用多晶硅薄膜的MOS晶体管的截止特性的不足。
另外，在基板上形成的MOS晶体管、构成驱动电路和存储装置的元件最好是在处理温度600℃以下形成。因此，可以使用廉价的低融点玻璃基板，从而使装置大型化、低成本化成为可能。
本发明的其它目的、特征及优点通过以下的描述可以十分清楚。另外，本发明的效果可以通过下面参照附图的说明清楚地了解。


图1是表示本发明驱动方式中的扫描驱动器的输出波形和显示电压的波形图。
图2是说明本发明的一实施例的方框图。
图3是表示实施本发明情况下的显示用数据保持率的说明图。
图4是采用场顺序扫描方式实施本发明的情况下的一实施例的方框图。
图5是采用场顺序扫描方式实施本发明的情况下的时序图。
图6是采用场顺序扫描方式实施本发明的情况下的另一时序图。
图7是说明本发明的另一实施例的方框图。
图8是说明图7的功能的时序图。
图9是表示本发明的象素电路构成例子的说明图。
图10是表示本发明的又一象素电路构成例子的说明图。
图11是表示本发明的一实施例中的液晶显示装置构成的方框图。
图12是表示上述液晶显示装置的象素的结构图。
图13是表示上述液晶显示装置的第一帧存储器及第二帧存储器的结构图。
图14是上述的第一帧存储器和第二场存储器的等效电路图。
图15是表示上述液晶显示装置的驱动动作的时序图。
图16是表示上述液晶显示装置中的象素电极电位的衰减变化的曲线。
图17是表示上述液晶显示装置中的改型实施例的结构的方框图。
图18(a)-(d)是表示上述液晶显示装置中的板性颠倒电路动作的说明图，其中图18(a)是表示帧颠倒，图18(b)是表示帧1H颠倒，图18(c)是表示帧+1V颠倒，图18(d)是表示帧+1点颠倒。
图19是表示本发明的另一实施例中的液晶显示装置的第一帧存储器和第二帧存储器结构的等效电路图。
图20是表示上述液晶显示装置的第一帧存储器和第二帧存储器的结构图。
图21是表示本发明的另一实施例中的液晶显示装置的第一帧存储器和第二帧存储器的等效电路图。
图22是表示已有技术中的实施例的液晶显示装置的象素结构的方框图。
图23是表示上述液晶装置构成的方框图。
图24是表示上述液晶显示装置的象素的结构图。
图25是表示已有技术中的其他实施例的液晶显示装置的象素电路结构的说明图。
图26是表示已有技术中的象素电路主要部分的构造的说明图。
图27是表示已有技术中的象素电路的动作的说明图。
图28是说明已有技术中的场顺序扫描方式的时序图。
图29是表示已有技术中的另一象素电路构成实施例的说明图。
图30是表示已有技术中的又一个象素电路构成的说明图。
图31是说明已有技术中的场顺序扫描方式的另一例子的时序图。
图32是辅助电容Cs存在或不存在场合下的显示用数据保持率的说明图。
图33是已有技术中的驱动方法的扫描驱动器输出的波形图。
下面详细描述本发明的图象显示装置。
首先并不是对通过各象素的辅助电容来保持显示用数据的例子、而是就利用在象素之外对应各象素设置的存储器来保持显示用数据的例子进行说明。
(实施例1)本实施例中，在黑白显示(单色显示)的情况下对在一帧期间内将多个显示用数据写入到象素单元中的情况进行说明。
图2(X×Y矩阵情况下)示出了关于实施本发明驱动法的外围电路构成和象素电路构成的例子。在图2中，114是定时控制电路，111是A/D转换器，112是场存储器，113是场存储器，115是D/A转换器，116极性颠倒电路，102是数据驱动器，103是扫描驱动器，117是显示用象素阵列(X×Y矩阵)。作为象素电路构成的例子，把由图25中构成的辅助电容Cs值选取为显示用数据保持率不足99％的值，或者采用去掉辅助电容Cs的构成。另外，场存储器112和场存储器113是每隔一个场交替进行写入和读出的装置。
下面说明其操作，首先将显示用数据输入到A/D转换器111中，为了存储在场存储器中从模拟信号转换为数字信号后，将转换后的信号按一帧期间份存储在场存储器112中。
与此同时，通过由定时控制电路114产生的定时信号在一帧期间内从已把一帧期间前的显示用数据按一帧期间份存储在场存储器113中，将该存储的数据在16.67/n(毫秒)内(在帧频为60HZ的情况下，以下相同)按串行进行n次一场份的所有显示用数据的读出。从场存储器113中读出的显示用数据径D/A转换器115由数字信号转换成模拟信号，接着通过由定时控制电路114产生的极性颠倒信号极性颠倒电路116使显示用数据的极性颠倒(1H行颠倒、1场颠倒或场+1H行颠倒)后，输入到数据驱动器102中，通过将这个数据输出到数据驱动器的脉冲调制数据信号线中而将此写入所定的各象素中。
这时与图34所示的已有技术中的一般扫描法的一例相对，如图1所示，写入的定时为同来自场存储器113的n次一场期间份的显示用数据读出相一致的定时(在16.67/n[毫秒]内可以输出Y根扫描信号的定时)且使扫描驱动器103工作，这样在各个扫描信号的脉冲幅度内在能进行X个(一水平行象素数)显示用数据的脉冲调制及写入的频率下也使数据驱动器102工作。即在某一象素中的一帧期间内使同一显示用数据写入n次。图3表示了在进行以上动作的情况下某个象素中的显示用数据保持率的曲线。如果设通常工作的情况为f(Hz)时、并设数据读出次数为n次，则这时的数据驱动器102和扫描驱动器103的工作频率(时钟，起动脉冲等)为n*f(Hz)。
如上所述，在一帧期间内，通过采用将对应于各个象素的显示用数据写入所定象素上n次的驱动方法，在选用辅助电容Cs的值变为显示用数据保持率不足99％的那个值时的象素电路构成或完全去除辅助电容Cs情况下的象素电路构成中，不仅使数值孔径提高还由于实现了高显示用数据保持率和象素电路规模的缩小(象素尺寸的缩小)而可以提高成品率和实现高精密化。
如上所述，为了对各象素在一帧期间内进行多次写入，希望象素内的开关元件(晶体管TR)的驱动能力大一些，载流子迁移率μ至少为5cm2/Vsec以上的元件，例如最好是采用多晶硅TFT等。
此处显示用数据保持率的99％这个数值内根据如下在已有技术的驱动方法中，为了在整个一帧期间内稳定地显示相当于自然图象显示的实用电平的64谐波的显示用数据，应该包括余量且必须达到99％以上的数据保持率。
在以上的说明中，虽然原信号是写入到邻近TV信号那样的隔行信号的二水平行(也称扫描线)上的非隔行扫描，但是电路的构成不限于此，原信号即使是隔行信号、在一帧期间内显示两场图象信号的场合下，也可以适用这一点是不言而喻的。可是，在这种场合下，周围电路的构成复杂化、或者存储器的容量增加是当然的。另外，在采用滤色器的二色以上的空间加法混色的情况下，电路构成相应于色数目而增加这一点是显然的。
(实施例2)下面就场顺序扫描方式中的彩色化的第一实施例进行说明。
作为象素电路的构成，例如在图25的构成中辅助电容Cs的值选取为显示用数据保持率成为不足99％那样的值或者完全去除辅助电容Cs。驱动电路的基本构成例子如图4(X×Y矩阵的场合)所示，将场存储器112/113的内部划分为分别存储一帧期间份的红画面显示用数据、绿画面显示用数据、蓝画面显示用数据的块118-123，或者具有产生分别读出在定时控制电路114中的红、绿、蓝画面用显示数据的定时信号的功能的构成。
下面说明其操作。将场输入顺序显示用数据输入到A/D转换器111(显示用数据在场顺序显示用RGB(红绿兰)信号的情况下由一个A/D转换器组成，而在一般的RGB信号的情况下由三A/D转换器组成)，为了存储到场存储器中而将模拟信号转换为数字信号后，将转换后的信号通过场存储器112分别存储在一帧期间份的红、绿和蓝画面用显示数据的红数据存储单元118、绿数据存储单元119和蓝数据存储单元120中。与此同时从在一帧期间份内已把一帧前的红、绿和蓝画面显示用数据分别存储在红数据存储单元121、绿数据存储单元119和蓝数据存储单元123中的场存储器113中，将该存储的数据利用由定时控制电路114产生的读出信号在一帧期间(16.7毫秒)内按一定顺序串行行n次一帧期间份的红、绿、蓝画面显示用数据的读出。也就是说，如图5所示，将红、绿、蓝画面显示用数据三个设为1组，在一帧期间内进行n组的读出(无论按什么顺序读都可以)。接着利用D/A转换器115将从场存储器113中读出的显示用数据从数字信号转换成模拟信号后，通过定时控制电路114产生的极性颠倒信号极性颠倒电路116将显示用数据的极性颠倒(1H行颠倒，1场颠倒或场+1H行颠倒等)后，输入到数据驱动器102中，通过将这个信号输出到数据驱动器102中的脉冲调制数据信号线中而将此写入所定的各象素上。
如图5所示，这时写入的定时为同从场存储器113中读出n次的一帧期间份的显示用数据相一致的定时(在16.67/n毫秒内可以输出Y根扫描信号的定时)并使扫描驱动器动作，这样在各个扫描信号脉冲幅度内在能进行X个(一个水平行象素数)显示用数据的脉冲调制及写入的频率下也使数据驱动器102动作。
通过以上的操作，由于色的时间混色周期变高，所以对人的视觉灵敏度感觉不出不谐调。在日本公开特许公报的特开平4-310925中不是由示出在为了提高显示用数据的保持率而提出的图29和图30中的象素电路构成，而是由可以获得高数据孔径的1个晶体管构成，通过高显示用数据保持率的实现和象素电路规模的缩小(象素尺寸的缩小)而使成品率提高，并可以实现高精密化。
(实施例3)下面就同样的顺序扫描方式中的彩色化的第二实施例进行说明。
象素电路构成和驱动电路构成与实施例2相同，其操作如下通过使由图4中的定时控制电路114产生的读出信号的定时变化，例如如图6所示，将一帧期间三等分，在第一个1/3期间内读出红画面用数据n次并写入所定的象素中，在第二个1/3期间内读出绿画面用数据n次并写入所定的象素中，在最后一个1/3期间内读出蓝色显示用数据n次并写入所定的象素中(不限于此，也可以采用其它的任何显示用数据的组合)。通过以上的电路构成和驱动方法，利用可以获得高数值孔径的一个晶体管结构，使显示用数据保持率提高并使象素电路规膜缩小(象素尺寸缩小)，从而可以使成品率提高并可实现高精密化。
(实施例4)此外，在图7所示的系统构成例中，也可按照与此对应的图8的时序图来动作，在一个垂直扫描期间内可以将对应的各个象素的显示用数据写入所定象素中n次。
首先，就其构成进行说明。在图7(X×Y矩阵场合下)中，114作为定时控制电路、124作为第一扫描驱动器、125作为第二扫描驱动器(扫描驱动器只具有水平扫描根数的数目，在这种情况下必需Y个扫描驱动器)。n根扫描信号线分别同各个扫描驱动器相连，X根数据信号线同数据驱动器102相连。以如图7所示的形式在扫描信号线、数据信号线的交叉点上形成象素电路126。在象素电路中，使n个脉冲调制用元件TRS同数据信号线和脉冲调制信号线的交叉点相连接，在其输出端分别连接一个脉冲调制电容Ch，并通过作为开关元件的TR最后同1个象素电容Cp相连接。
下面根据图8所示的时序图说明其操作。数据驱动器在由定时控制电路114产生的脉冲调制信号的一个脉冲幅值内把一水平扫描期间份的显示用数据输出到数据信号线上，并依次将Y根显示用数据输出到数据信号线上。即在图8中，在A期间内对1场份的显示用数据进行脉冲调制并输出。接着根据脉冲调制1-Y并经过TRS使数据信号线上的显示用数据按每个水平行依次写入脉冲调制电容Ch上，并根据图8中所示的顺序1-1、2-1、…Y-1(在图中的A期间)，1-2、2-2、…Y-2(在图中的B期间)，1-n、2-n、…Y-n(图中N期间)所形成的顺序对扫描信号线进行扫描，从而在一帧期间内从脉冲调制电容Ch中将显示用数据写入象素电容中。
通过以上进行的操作可以使数据驱动器102的脉冲调制次数在一次就结束，这样不仅减轻了数据驱动器102的负担还没有使显示用数据保持率下降，这样可以使辅助电容Cs减少或者去除这个电容。
(实施例5)
按目前这个象素电路的构成虽然作为例子在图25的构成中辅助电容Cs的值选取为使显示用数据保持率成为99％以下的那样值或完全去除辅助电容量Cs，但是作为用于抑制开关元件的寄生电容Cgs(Ggd)的影响的象素电路构成例子如图9和图10所示。
在图9中，将辅助电容Cs从图25中的象素电路构成中完全去掉，而增加了MOSFET即TR2、扫描信号线2。使TR2的漏极、源极同象素电极相连接，栅极同扫描信号线相连。另外，Ggs1是TR1的栅极同源极间的寄生电容，Cgs2是TR2的栅极同源极间的寄生电容，Cgd2是棚极同漏极间的寄生电容。TR2是组成“Cgs2＋Cgd2＝CgS1”的晶体管尺寸。
在扫描信号线1上加上与各个象素对应的通常扫描信号，在扫描信号线2上加上与其反相位的波形。由此，使由电容Cgs1和象素电容Cp产生的象素电极的电压偏移方向同由Cgs2、Cgd2产生的象素电极的电压偏移方向各自不同而互相抵消，从而可以抑制由此引起的影响。
而在图10中，从图25中的象素电路构成中完全去除了辅助电容Cs而增加了MOSFET即TR2、扫描信号线2。作为由TR1、TR2形成模拟开关的互补型结构，制成使TR1的棚极同源极间的寄生电容即Cgs1与TR2的栅极同源极间的电容Cgs2的静电电容值相等的晶体管尺寸。
在扫描信号线1上加上同各个象素对应的通常扫描信号、在扫描信号2上加上与其反相位的波形这样可以获得与图9所示的象素电路同样的效果。
在已有技术中，辅助电容Cs是连接在公共电极或前段的扫描信号线上，而本发明可以去除这个电容Cs，从而使结构简单易行，并提高了数值孔径。另外，即使最终没有达到去除这个辅助电容Cs的目的，还可以通过减小辅助电容Cs的值来提高数值孔径，这样仍可以进一步改善显示用数据的保持率。即使在进行场顺序扫描方式的情况下，也没有必要制成象图29和图30中所示的那样复杂的电路结构，从而使象素电路规模缩小(象素尺寸缩小)、成品率提高并实现高精密化。
如果进一步说明，不限于使辅助电容Cs减少的情况，还可以在形成数据驱动器的脉冲调制电路、保持电路等象素单元的各种电路的晶体管截止电流大的情况下或者所谓脉冲调制电容、数据保持电容、其它电容的并联电阻成分小的情况下来抑制所产生的数据变动。
此外，在把TET(薄膜晶体管)用作为开关元件的情况下，使根据这个TFT的栅极同源极间或同漏极间的寄生电容Cgd、Cgs与象素电容的电容值的比例而产生的象素电极的电压相互抵消，这样可以抑制由此引起的闪变等。
如上所述，在分别制成通过在象素外面配置存储器而形成存储器的基板和形成象素阵列的基板的情况下，虽然具有上述很多优点，但是这个连接是比较复杂的，应考虑到对图象显示装置的实装效率的提高这个驱动器单片技术优点的损害。为此下面就克服这个缺点的例子进行详细说明。
(实施例6)下面根据图11至图17说明一个实施例。
作为本实施例的图象显示装置，例如液晶显示装置适合用在有源矩阵型的液晶显示装置中，如图11所示，这个图象显示装置具有将很多象素1配置m×n矩阵状的象素阵列2。
如图12所示，上述的象素1是由含有液晶电容61及辅助电容62的象素电容63和多晶硅组成的MOS(金属氧化物半导体)晶体管64所组成的。
象素1形成在下述的玻璃基板等透光型的绝缘基板5上，在这个绝缘基板5上同时形成了同MOS晶体管64相连接并且用于驱动象素1的数据信号线66和扫描信号线67。然后，在相邻的各数据信号线66和相邻的各扫描信号线67所包围的位置上分别设置了各象素1。
如图11所示，上述各数据信号线66和各扫描信号线67在分别同作为沿着各象素阵列2的横方向在上述绝缘基板5上一体形成的驱动电路的扫描信号线驱动电路21和数据信号线驱动电路22相连接的同时，将下述的第一帧存储器24和第二帧存储器25也合起来而形成在这个绝缘基板5上。因此，在同图中的同一绝缘基板5上形成了用点划线表示的各象素1的MOS晶体管64、扫描信号线驱动电路21和数据信号线驱动电路22、第一帧存储器24和第二帧存储器25，从而使电路元件的实装效率提高的驱动器单片技术达到适用的目的。下面顺序说明它们的构造。
上述的扫描信号线驱动电路21和数据信号线驱动电路22同作为反复写入装置的定时控制器23相连接。另外，数据信号线驱动电路22经过作为存储装置的第一帧存储器24或第二帧存储器25同显示用数据相连，来自作为切换装置的上述定时控制器23的切换信号分别输入到上述第一帧存储器24和第二帧存储器25中。
上述定时控制器23产生在各象素1上的显示用全部数据的电压和用于确定进行显示时的位置的水平/垂直的同步信号，根据这些信号通过数据信号线驱动电路22对一水平期间份的显示用数据进行脉冲调制。接着，定时控制器23借助定时控制器23产生的传送信号将脉冲调制的上述信号输出到数据信号线66上上述的第一帧存储器24和第二帧存储器25每隔一帧即在帧频为60HZ的情况下、每隔16.67毫秒交替进行写入和读出。所谓一帧是用象素阵列2全体来显示完成的一个图象。
另外在本实施例中，作为上述存储装置及一个区分存储装置的第一帧存储器24以及作为存储装置和另一个区分存储装置的第二帧存储器25虽然总共划分为二个存储器，但是并不限于此，也可以划分为二个以上的存储器。
然而在本实施例中，如图13所示，构成第一帧存储器24和第二帧存储器25的存储器单元同上述象素1一样具有与设有开关元件和电容器的DRAM一样的构造。另外，在第一帧存储器24或第二帧存储器25中的存储容量应按满足下述条件的方式来构成。
存储容量≥象素数×色数×灰度数式中，色数对彩色为3、对黑白为1；而灰度数对于256灰度为8、对于64灰度为6、对于8灰度为3。
在形成上述第一帧存储器24和第二帧存储器25的情况下，首先在绝缘基板5上形成由多晶硅组成的半导体层8和由多晶硅半导体组成的第一电容电极9，并在这些部件上面形成栅极绝缘膜10。然后在半导体层8的栅极绝缘膜10上面形成栅极11，而在第一电容电极9的栅极绝缘膜10上面形成第二电容电极12。
接着在上述半导体层8上形成源极13和漏极14。在形成绝缘膜层15之后，再形成作为位线的金属配线16、连接漏极14和第二电容电极12的金属配线层17和连接中间电位即HVCC端子和第一电容电极9的金属配线18，最后形成保护膜19。
上述结构的等效电路如图14所示，将由半导体层8等形成的开关元件即存储用MOS晶体管4以及由第一电容电极9和第二电容电极12组成的数据保持电容3一体化而形成一个存储单元，并且具有与DRAM(动态随机存储器)相同的构造。
上述存储用MOS晶体管4上的金属配线6同位线7连接，上述栅极11同字线6连接。另外，存储用MOS晶体管4的漏极14同作为数据保持电容3的上述第一帧存储器24或第二帧存储器25相连接。
将所定的电压加到字线6上之后，存储用晶体管4便导通，供给位线7的显示用数据存储在数据保持电容3中。对于读出也同样，它是将所定电压加在字线6上使存储用MOS晶体管4导通，通过位线7读出存储在数据保持电容3中的显示用数据。因而，本实施例的液晶显示装置的动作同DRAM相同。虽然通常的DRAM需要外部更新电路，但是在本实施例的驱动方法中，如后所述，通过使用第一帧存储器24和第二帧存储器25，每隔1帧期间的1/Z、即在帧频为60Hz的情况下每隔16.67×1/Z(毫秒)读出显示用数据并再写入，因此可以不需要这个更新电路。
此外，在本实施例中，由于绝缘基板5采用廉价的低融点玻璃基板，所以可以在600℃以下的处理温度下形成上述象素1的MOS晶体管64、第一帧存储器24、第二帧存储器25、扫描信号线驱动电路21和数据信号线驱动电路22。
现在说明具有上述构成的液晶显示装置的动作。
如图15所示，在初始状态to，通过由上述定时控制器23产生的切换信号对第一帧存储器24进行写入，并将第二帧存储器25设为进行读出的模式。但是可以在第二帧存储器25中存入一帧前的显示用数据。
在这种状态下，第一帧存储器24在一帧期间内写入并存储当前帧的显示用数据。
第二帧存储器25与这个操作平行进行，将已存储的一帧前的显示用数据在1帧期间内反复读出Z次(Z是大于2的整数)。如图11所示，这个被读出的1帧前的显示用数据被输入到数据信号线驱动电路22中，并借助来自定时控制器23的定时信号进行脉冲调制而输出到数据信号线66中。与此同时借助来自定时控制器23的定时信号从扫描信号线驱动电路21中也将扫描信号输出并将显示用数据写入所定的象素1中。
也就是说，定时控制器23对应于第二帧存储器25的读出速度，在一帧期间(在帧频为60Hz的场合下，为16.67/Z(毫秒))以内按照可以输出n根份的扫描信号那样的定时使扫描信号线驱动电路21动作，同时在各个扫描信号的脉冲内在能进m个显示用数据的脉冲调制和写入那样的频率下也使数据信号驱动电路22动作。其结果是使数据信号线驱动电路22和扫描信号线驱动电路21的动作频率变为在一帧期间内对各象素1进行一次显示用数据写入的情况下的动作频率的Z倍。
如上所述，在本实施例的液晶显示装置中，驱动象素1的MOS晶体管64、传送驱动信号的扫描信号线驱动电路21和数据信号线驱动电路22以及按照一帧单位存储显示用数据的第一帧存储器24和第二帧存储器25形成在同一绝缘基板5上。因此可以实现实装效率高和低成本。
另外，由于这些部件全在同一绝缘基板5上形成，所以只需在已有的工艺中增加数据保持电容3的制造工艺或者按照同辅助电容62同样的工艺在单片上利用可形成的第一帧存储器24和第二帧存储器25，因此进一步提高了实装效率和实现低成本化。
另外，在本实施例的液晶显示装置中，可以通过定时控制器23将新的一帧份的显示用数据存储在第一帧存储器24或第二帧存储器25两个中的任意一个中。例如在向第一帧存储器24内进行存储的期间内，通过上述定时控制器23把在第二帧存储器25中已存储的一帧份的显示用数据进行向扫描信号线驱动电路21和数据信号线驱动电路22的读出。定时控制器23交替切换而进行对上述两个的第一帧存储器24和第二帧存储器25的存储和读出。因此可以同时进行显示数据的存储和向各驱动电路21、22的读出。
在把第二帧存储器25中已存储的一帧份的显示用数据向扫描信号线驱动电路21和数据信号线驱动电路22读出时，定时控制器23在使第一帧存储器24存储显示用数据新的一帧期间，通过把第二帧存储器25中已存储的一帧份的显示用数据向扫描信号线驱动电路21和数据信号线驱动电路22进行Z次(Z＞2)读出，这样在一帧期间内可将同一显示用数据在同一象素中写入Z次(Z＞2)。
由于在新的一帧的显示用数据存储期间使同一显示用数据在同一象素上反复写入，所以其结果是使象素1所要求的数据保持时间缩短、且保持率提高。也就是说，如图16所示，虽然象素电容63的电位随时间而衰减，但是由于在这个电位衰减到必要电位前的时间To内再次提高电位，因而可以确保连续显示的必要电位。因此，即使在把多晶硅TFT用作为开关元件的情况下，也可以弥补多晶硅TFT的截止特性的不足并确保良好的显示质量。
此外，可以去掉各象素1的辅助电容62或者使辅助电容62的电容值减少。由此可以使象素的数值孔径提高，并且使象素电路规模缩小，进而提高产品的合格率并实现高精密化。
本实施例液晶显示装置的第一帧存储器24和第二帧存储器25具有与DRAM相同的构造，所以可以活用目前的DRAM技术。
还可以通过制成DRAM结构来使第一帧存储器24和第二帧存储器25所占的面积减小。
在使用把一般用作为开关元件的非晶硅薄膜作为半导体层的非晶硅TFT中，由于其驱动能力不足，所以难以实现驱动器单片技术。
然而在本实施例中，由于MOS晶体管是把多晶硅作为半导体层8而形成的，所以可以产生比从前使用的非晶硅更大的载流子迁移率，这样提高了驱动能力；通过同样采用多晶硅薄膜使构成第一帧存储器24、第二帧存储器25、扫描信号线驱动电路21和数据信号线驱动电路22的各元件可以形成在单片上。
特别是从第一帧存储器24和第二帧存储器25中把显示用数据多次写入象素1中，这样可以充分弥补利用多晶硅薄膜的MOS晶体管64的截止特性的不足。
此外，由于可以在处理温度600℃以下形成在绝缘基板5上形成的MOS晶体管64、数据信号线驱动电路22、扫描信号线驱动电路21、构成第一帧存储器24和第二帧存储器25的元件，所以可使用廉价的低融点的玻璃基板，由此可以使装置大型化和低成本化。
当然，本发明不受上述实施例的限制，在本发明的范围内可以进行各种变更。例如在上述实施例中，虽然数据信号线驱动电路22是作为数字信号输入用的，但是并不受此特别限制，例如也可以作为模拟信号输入用。
也就是说，在数据信号线驱动电路22用于模拟信号输入的情况下，如图17所示，将把模拟显示用数据转换成数字信号的A/D转换器31配置在第一帧存储器24和第二帧存储器25的输入前面，同时将D/A转换器32和极性颠倒电路33串联连接在第一帧存储器24和第二帧存储器25同数据信号线驱动电路22之间。上述D/A转换器32是把数字信号变换成原来的模拟显示用数据的器件。此外，如图18(a)-(d)所示，只要极性颠倒电路33在象素阵列2中的各象素1的液晶上仅在同一方向上加电场，则将使液晶的寿命变短，所以每隔一帧将进行帧颠倒、颠+1水平行颠倒、帧+1垂直行颠倒或帧+点颠倒等。这个颠倒驱动在数字信号输入的情况下是必要的。因此，在模拟显示用数据中也可以显示图象。
此外，上述第一帧存储器24和第二帧存储器25并不限于上述的构成，可以采用任何有源元件，例如也可以采用MIM(金属—绝缘体—金属)元件。此外，对于第一电容电极9和第二电容电极12的构成最好是采用已有工艺中的导电材料，但是即使采用其它材料，为获得所期望的电容也可是任何构成材料。
(实施例7)下面根据图19和图20说明本发明的其它实施例。为了简代说明，具有与上述实施例6的图面中示出的部件相同功能的部件用同一符号代表并省略其说明。
本实施例的液晶显示装置中的帧存储器如图19所示，构成上述第一帧存储器24和第二帧存储器25的各存储单元由多晶硅的存储晶体管41构成。
在形成由上述多晶硅的存储晶体管41组成的第一帧存储器24和第二帧存储器25时，如图20所示，首先在绝缘基板5上形成由多晶硅构成的半导体层8，在半导体层8上沉积第一栅极绝缘膜10a和浮动栅极42。在上述半导体层8上注入n型杂质。接着在半导体层8上形成源极13和漏极14。然后沉积第二栅极绝缘膜10b，在这个第二栅极绝缘膜10b上再形成栅极11。在形成层间绝缘膜15之后，形成由上述位线7组成的金属配线16以及为和漏极14接地的金属配线44。最后形成保护膜19。另外上述栅极11同字线6相连。这个构造与EEPROM的构造相同。
下面说明上述存储单元的操作原理。
作为初始状态使浮动栅极42处于没有电荷的状态。首先在栅极11上加入比晶体管的阈值电压稍高的电压，这样源极13和漏极14之间便会有电流流动。然后在通过热电子注入等方式将电子注入到浮动栅极42上的情况下，如果在棚极11上一加入脉冲电压，则由于浮动栅极电荷脉冲电压互相抵消，但通过加入更大的脉冲电压可以在沟道上感应出电子，由此在源极13和漏极14之间有电流流动。如上所述，在将电子注入浮动栅极42中的情况下，为使该晶体管导通，必须在栅极11上加入比电源电压高一些的电压，即在通常的栅极电压下可以没有电流流动。也就是说，利用浮动栅极42中的电荷有无可以存储“0”、“1”。由此可以使第一帧存储器24和第二帧存储器25接通/切断。
如上所述，本实施例的液晶显示装置的第一帧存储器24和第二帧存储器25与EEPROM(电可擦可编程序只读存储器)的构造相同。因此可以活用目前的EEPROM技术，在实施例6中说明的1帧期间内反复进行写入的这个驱动法也可以适用。另外，通过将第一帧存储器24和第二帧存储器25制成EEPROM结构，虽然要花费写入和消去时间，但是可以提高存储器的保持能力并且使面积缩小。
另外，本实施例中的第一帧存储器24和第二帧存储器25不一定限于上述的构成，例如只要具有设置浮动栅极42，通过该浮动栅极42中的电荷有无来存储“0”、“1”的功能的任何结构都可以。
(实施例8)下面根据图21说明本发明的另一实施倒。为了简化说明，具有与在上述实施例6和实施例7的图中所示的部件相同功能的部件用同一符号代表，并省略其说明。
如图21所示，本实施例的液晶显示装置中的帧存储器的第一帧存储器24和第二帧存储器25的存储单元由开关元件即两个选择用MOS晶体管51、52以及连接在这两个选择用MOS晶体管51、52之间的第一反相器53和第二反相器54构成。
上述的第一反相器53和第二反相器54由使第一反相器53的输出同第二反相器54的输入相连并使第二反相器54的输出同第一反相器53的输入相连接的触发器构成。
上述选择用MOS晶体管51、52的其它电极分别同位线7a和位线7b相连，栅极分别同字线6相连接。因此这个第一帧存储器24和第二帧存储器25具有与SRAM(静态随机存储器)相同的结构。
下面说明上述存储单元的操作原理。
首先在选择用MOS晶体管51、52处于导通状态时，例如在位线7a上供给“1”，而在位线7b上供给“0”，则A点上的“1”、B点上的“0”被写入触发器中，即使选择用晶体管51、52变为截止状态，A点上的“1”、B点上的“0”将被继续保持。而在MOS晶体管51、52再次变为导通状态时，便可以读出在位线7a上的“1”和在位线7b上的“0”。
如上所述，在本实施例的液晶显示装置中，第一帧存储器24和第二帧存储器25具有与SRAM相同的构成。因此，可以活用目前的SRAM技术，并可以适用在实施例1中说明的一帧期间内进行反复写入的驱动法。此外，通过将第一帧存储器24和第二帧存储器25制成SRAM结构，可以提高存储器的保持能力。
如上所述，按照本发明的实施例6至实施例8的构成，通过应用驱动器单片技术可以在形成MOS晶体管和驱动电路的同时，形成存储装置。其结果是可以提高实装效率并降低成本。
此外，可以去掉各象素的辅助电容或使该辅助电容的电容值减小。由此，可以提高象素的数值孔径并缩小象素电路规模，进而可以提高产品合格率并实现高精密化。
另外，在存储新的一帧显示用数据期间，由于把同一显示用数据反复写入同一象素中，所以缩短了象素所要求的数据保持时间，并提高了保持率。因此，即使在把多晶TFT用作为开关元件的情况下，也可以弥补多晶硅TFT的截止特性的不足并确保良好的显示质量。
另外，可以活用目前的DRAM、SRAM或EEPROM技术。
由于MOS晶体管把驱动能力高的多晶硅薄膜作为半导体层，所以可以把存储装置和驱动电路以及开关元件形成在单片上。
特别是通过从区分存储器中多次将显示用数据写入各象素中，这样可以充分弥补采用多晶硅薄膜的MOS晶体管的截止特性的不足。
此外，由于各构成元件在处理温度600℃以下形成，所以可以使用廉价的低融点玻璃基板。结果是使装置大型化、低成本化。
在本发明的详细说明中形成的具体实施方式
或实施例彻底公开了本发明的技术内容，但并不应狭义地解释为只限于这些具体例子，在本发明的实质内容和下面记载的权利要求书的范围内，可以做出种种变更和改型。
权利要求
1. 一种图象显示装置，它包括配置成矩阵状的并且具有用于保持显示数据的辅助电容的同时显示该显示数据的象素单元，上述辅助电容的一帧份的显示用数据的保持率不足99％。
2. 如权利要求1所述的图象显示装置，它还包括在按照一帧单位存储的同时，分别存储上述显示用数据的相邻帧的第一和第二存储装置；每隔一帧在上述第一存储装置和第二存储装置之间交替切换一帧份的显示用数据的存储地址的切换装置；在上述第一和第二存储装置中，在对其中一个存储装置进行存储的过程中，按照来自另一个存储装置中一帧份的显示数据对上述象素单元进行多次输出的方式来进行控制的控制装置。
3. 如权利要求2所述的图象显示装置，上述象素单元含有有源元件，该有源元件的载流子迁移率至少为5cm2/Vsec。
4. 如权利要求2所述的图象显示装置，上述第一和第二存储装置分别具有存储各帧的红画面显示用数据、绿画面显示用数据和蓝画面显示用数据的区域，并通过场顺序扫描进行彩色显示。
5. 如权利要求1所述的图象显示装置，它还包括在按照一帧单位存储的同时，分别存储上述显示用数据相邻的帧并且分别具有存储各帧的红画面显示用数据、绿画面显示用数据和蓝画面显示用数据的区域的第一和第二存储装置；每隔一帧在上述第一存储装置和第二存储装置之间交替切换一帧份的显示用数据的存储地址的切换装置；在上述第一和第二存储装置中，在对其中的一个存储装置进行存储的过程中，在将一帧期间三等分的各个1/3期间内按照来自另一个存储装置中红画面显示用数据、绿画面显示用数据和蓝画面显示用数据对上述象素单元只进行所定次数输出的方式来进行控制的控制装置；由此通过场顺序扫描进行彩色显示。
6. 一种不含有辅助电容的有源矩阵型图象显示装置，它包括设置在由相邻的数据信号线和相邻的扫描信号线所包围的区域上的象素；使源极连接在象素电极上且将扫描信号加在栅极上的并且使漏极连接在数据信号线上而进行上述象素的开关的第一有源元件；将漏极和源极连接在该象素电极上并且把同上述扫描信号反相位的信号加在栅极上的第二有源元件；如果把Cgs1设为第一有源元件的栅极与源极间的寄生电容、把Cgs2设为第二有源元件的栅极与源极间的寄生电容、把Cgd2设为第二有源元件的栅极与漏极间的寄生电容；则上述第二有源元件具有满足Cgs2＋Cgd2＝Cgs1的尺寸。
7. 一种不含有辅助电容的有源矩阵型图象显示装置，它包括设置在由相邻的数据信号线和相邻的扫描信号线所包围的区域上的象素；使源极连接在象素电极上且将扫描信号加在栅极上的并且使漏极连接在数据信号线上的第一有源元件；使源极连接在上述象素电极上且使漏极连接在数据信号线上的并且把同上述扫描信号反相位的信号加在栅极上的第二有源元件；上述第一和第二有源元件具有互补型的关系，如果分别把Cgs1设为第一有源元件的栅极与源极间的寄生电容、把Cgs2设为第二有源元件的栅极与源极间的寄生电容，则它们之间具有满足Cgs2＝Cgs1的尺寸。
8. 一种图象显示装置，它设有多根数据信号线以及与这些数据信号线相交叉的多根扫描信号线，所说图象显示装置由把用于根据显示用数据来显示图象的各象素分别配置在由相邻的各数据信号线和相邻的各扫描信号线所包围的位置上的象素阵列所构成，其特征在于，在同一基板上形成了作为用于驱动上述象素的开关元件而排列在各象素上的MOS晶体管、通过上述数据信号线和扫描信号线把基于显示用数据的驱动信号传送到上述MOS晶体管上的驱动电路以及按照一帧单位把用于输出给上述驱动电路的显示用数据存储起来并且设置在象素外面的存储装置。
9. 如权利要求8所述的图象显示装置，上述存储装置至少具有二个可区分的存储装置，所说图象显示装置还包括把向上述显示用数据中的新的一帧份的一个区分存储装置的存储和把已存储在另一区分存储装置中的一帧份的显示用数据读向上述驱动电路交替进行切换的切换装置；在把来自上述一个区分存储装置的显示用数据的新的一帧存储期间，通过把已存储在另一区分存储装置中的一帧份的显示用数据向上述驱动电路进行二次以上的读出，而将同一显示用数据在同一象素上反复写入二次以上的反复写入装置。
10. 如权利要求8所述的图象显示装置，上述存储装置具有DRAM结构、SRAM结构或EEPROM结构。
11. 如权利要求9所述的图象显示装置，上述存储装置具有DRAM结构、SRAM结构或EEPROM结构。
12. 如权利要求8所述的图象显示装置，上述MOS晶体管以及构成上述驱动电路和存储装置的各元件把多晶硅薄膜作为半导体而形成。
13. 如权利要求8所述的图象显示装置，上述基板由具有电气绝缘性的玻璃基板所构成，在600℃以下的处理温度下把上述MOS晶体管以及构成上述驱动电路和存储装置的各元件形成在所说基板上。
全文摘要
一种图象显示装置，在同一基板上形成了作为用于驱动象素的开关元件而排列在各象素上的MOS晶体管、通过数据信号线和扫描信号线把基于显示用数据的驱动信号传送到MOS晶体管上的扫描信号线驱动电路和数据信号线驱动电路、以及按照一帧单位把用于输出给数据信号地址驱动电路的显示用数据存储起来并且设置在象素外面的第一帧存储器和第二帧存储器。因此通过应用驱动器可以提高实装效率并实现低成本化。
文档编号G09G3/36GK1115066SQ9412044
公开日1996年1月17日 申请日期1994年12月28日 优先权日1993年12月28日
发明者白木一郎, 松浦学, 久保田靖, 米田裕, 山元良高 申请人:夏普公司