一种半导体液晶芯片的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体芯片设计，尤其涉及硅基液晶元件的设计。
【背景技术】
[0002]具有硅基液晶结构的微型显示器件，在许多微型显示领域的应用越来越普遍，t匕如，大屏幕电视、计算机监控器、投影机等。微型显示器件通常具有半导体衬底以及位于半导体衬底上的液晶，穿过液晶的光由适当的光学系统放大，以将在液晶上形成的图像显示给肉眼。
[0003]一般而言，生成良好的微型显示图像的最主要因素是对比度、亮度和分辨率。分辨率可由图像内的像素数目确定。目前有限定用于各种电子用途的多种分辨率标准。例如，常规的高清电视(HDTV)屏幕在水平和垂直方向上的扫描线分别为1920和1080。通常，较高的分辨率可以产生较好的图像质量。亮度是指图像的背光发光。对于给定的对比度和分辨率而言，可以通过提高图像亮度来提高图像的清晰度。对比度或对比率是指可产生的最亮的白色和可产生的最暗的黑色之间的发光度之比。对比率是所感知的图像质量的决定性因素:如果图像有高的对比率，观察人员就会判断该图像比具有较低对比率的图像清晰，尽管该较低对比率的图像具有相当高的分辨率。
[0004]因此，改善器件的图像质量的一种方法可以是提高分辨率，即提高用于在液晶上显示图像的像素数目。一般而言，当分辨率提高时，每个像素的尺寸会减小，从而提高两个相邻像素以及器件芯片中的电路元件之间的空间接近度。空间接近度的提高可能会导致由元件之间串音或电路元件之间的耦合效应滋生的电噪声。通常，常规的非半导体芯片不采用高压信号，这样电噪声较小。然而，典型的微型显示器件芯片可要求高压信号以在液晶中形成图像。当高压信号穿过电路元件传输时，电串音或耦合效应可能达到很高的水平。因此，这种方法的主要技术挑战在于如何抑制电串音和/或耦合效应。
[0005]出于上述原因，往往希望设计一种降低的电噪声的电路。而且，由于商业显示器像素存储容量的快速发展并因此而导致每个像素尺寸可大大减小，所以抑制电噪声将成为芯片布局的迫切需要。
【发明内容】
[0006]本发明提供一种芯片，这种芯片设计用于抑制芯片的电子元件之间的串音以及进入芯片的漫射光滋生的电噪声。这种芯片包括多个多晶层和金属层，这些多晶层和金属层设置在硅衬底上并构造成减少噪声，其中，在这些层之间插入衬层。一种硅基液晶芯片包括:硅衬底，所述硅衬底具有在所述硅衬底上形成的存储单元阵列；第一多晶硅层，所述第一多晶硅层设置在硅衬底上，且形成平行延伸并穿越存储单元的字线；金属层，所述金属层设置在所述第一多晶硅层上，且形成平行延伸并穿越存储单元的位线，位线与字线相互正交；以及第二多晶硅层，所述第二多晶硅层设置在所述第一多晶硅层与金属层之间，且在位线和字线的交叉点之间具有屏蔽部分，这样，屏蔽部分就降低字线与位线之间的串音。多晶硅层设置在第二多晶硅层上，且包括设置在第一电容器极板上的多个第二电容器极板，第一和第二电容器极板形成存储单元的电容存储器节点；第一金属层，所述第一金属层设置在第三多晶硅层上，且形成多条平行延伸并穿越存储单元的位线，位线与字线相互正交，第一金属层包括多个节点屏蔽以及耦合到第二多晶硅层和N活性区的多个第一连接节点，每个节点屏蔽围绕在一个第一连接节点周围，以降低位线与电容存储器节点之间的串音，第一金属层还包括用于降低位线之间的串音的多个位线屏蔽；第三多晶硅层包括位于位线和字线的交叉点之间的屏蔽部分，从而降低位线和字线之间的串音；第二金属层，所述第二金属层用于阻挡进入存储单元的漫射光，且包括多个第二连接节点，将每个第二连接节点耦合到一个第一连接节点；以及第三金属层，所述第三金属层用于向位于存储单元上的液晶加载电压，从而在液晶中形成图像，第三金属层包括多个触点，这些触点用于将第三金属层连接到第二连接节点。
【具体实施方式】
[0007]步骤如下:入射光132a可以穿过玻璃部分中的各层以及液晶。液晶的一部分可以位于像素区上方，像素区包括像素阵列，优选地，该像素阵列包括1920X1080个像素，并在ITO层和像素区之间存在电压差的条件下形成图像。入射光132a可以穿过该图像，然后从硅片的顶部表面反射并再次穿过该图像。然后，载有该图像信息的光132b可再次穿过玻璃部分并离开纳米芯片。CNT对应部分或CNT支柱凹入部分可以通过连接机构电连接到ITO电压(VIT。)垫片126a和126n，Vit。垫片126a和126η可以连接到能够提供电压VIT。的电源。每个CNT支柱都是良好的电导体，且可以形成从Vit。垫片126a和126η至ITO层的电连接的一部分。Vit。可用于控制加载到ITO层的电压,从而控制加载到液晶顶部表面的电压。
【主权项】
1.一种半导体液晶芯片,其特征在于,包括:娃衬底，第一多晶娃层，第一金属层，以及第二多晶??圭层，第二多晶??圭层。2.如权利要求1所述的半导体液晶芯片，其特征在于，每个所述存储单元包括形成于所述硅衬底上的N活性区和P活性区。3.如权利要求2所述的半导体液晶芯片，其特征在于，所述第一金属层包括多个节点屏蔽和多个第一连接节点，所述第一连接节点分别耦合到所述第三多晶硅层和所述N活性区。4.如权利要求2所述的半导体液晶芯片，其特征在于，所述N活性区耦合到一条所述位线。5.如权利要求1所述的半导体液晶芯片，其特征在于，所述第一金属层包括多个位线屏蔽，每个所述位线屏蔽设置在相邻的两条所述位线之间，并因此而降低所述两条所述位线之间的串音。6.如权利要求5所述的半导体液晶芯片，其特征在于，每个所述存储单元包括N活性区和P活性区，所述P活性区耦合到一个所述位线屏蔽。7.如权利要求3所述的半导体液晶芯片，其特征在于，还包括第二金属层，所述第二金属层用于阻挡进入所述存储单元的漫射光。
【专利摘要】一种半导体液晶芯片，该液晶芯片设计用于抑制芯片的电子元件之间的串音以及进入芯片的漫射光产生的电噪声。芯片包括硅衬底，硅衬底具有在硅衬底上形成的存储单元阵列。芯片包括形成字线的第一多晶硅层和形成位线的金属层，其中，位线与字线相互正交。芯片还包括由第二和第三多晶硅层形成的电容存储器。第二多晶层设置在第一多晶硅层上，且在衬底没有被字线覆盖的区域上。金属层包括屏蔽，这种屏蔽用于减小相邻的位线之间以及位线与电容存储器之间的串音。
【IPC分类】H01L23/522, G09G3/36
【公开号】CN105206231
【申请号】CN201410288527
【发明人】沈攀攀
【申请人】沈攀攀
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2014年6月24日