多电压产生电路及液晶显示装置的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种多电压产生电路，包括：电压输入端，用于输入电压信号；电压输出端，用于输出公共电压；公共电压产生电路，连接在该电压输入端和该电压输出端之间，用于形成第一公共电压或第二公共电压；控制端，与该公共电压产生电路连接，用于控制该电压输出端输出该第一公共电压或该第二公共电压；其中，当该控制端输入低电平信号时，该公共电压产生电路形成第一公共电压，该电压输出端输出第一公共电压；当该控制端输入高电平信号时，该公共电压产生电路形成第二公共电压，该电压输出端输出第二公共电压。本发明还提供一种液晶显示装置，通过该控制端输入不同的电压信号实现两组公共电压的输出，并且通过可变电阻分别调节各自的公共电压。
【专利说明】
多电压产生电路及液晶显示装置
技术领域
[0001]本发明属于集成电路技术领域，更具体地，涉及一种多电压产生电路及液晶显示
目.0
【背景技术】
[0002]在液晶显示装置(LiquidCrystal Display，LCD)中，为了完成数据扫描，需要薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)轮流开启/关闭。当TFT开启时，数据通过源极驱动器加载到显示电极，显示电极和公共电极间的电压差再作用于液晶实现显示，因此需要控制LCD的开启电压、关闭电压，以及加到公共电极上的电压。
[0003 ] 现在的LCD面板驱动中一般使用两组Ga_a电压，一组VCOM电压。
[0004]现在对画面质量的需求越来越高，对其他的模式也同样有需求，这个时候一组VCOM就很难满足所有画面的需求，特别是对于现行方案中VCOM只是按照2D模式0-255灰阶下的flicker画面来调整的，很难满足包括3D模式在内等模式或画面的需求。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于提供一种多电压产生电路及液晶显示装置。
[0006]根据本发明的一方面，提供一种多电压产生电路，包括:电压输入端，用于输入电压信号；电压输出端，用于输出公共电压;公共电压产生电路，连接在电压输入端和电压输出端之间，用于形成第一公共电压或第二公共电压;控制端，与所述公共电压产生电路连接，用于控制所述电压输出端输出第一公共电压或第二公共电压;其中，当控制端输入低电平信号时，所述公共电压产生电路形成第一公共电压，电压输出端输出第一公共电压；当控制端输入高电平信号时，所述公共电压产生电路形成第二公共电压，电压输出端输出第二公共电压。
[0007]优选地，所述公共电压产生电路包括第一可调电阻、第二可调电阻、第三电阻、第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第三场效应晶体管、第一二极管和第二二极管，其中，第一可调电阻连接在电压输入端和接地端之间；第一场效应晶体管的源极与第一可调电阻的调节端连接，漏极通过第二二极管与电压输出端连接，栅极与第二场效应晶体管的漏极连接;第二场效应晶体管的源极与电压输入端连接，漏极通过第二可调电阻与接地端连接，栅极与第三场效应晶体管的漏极相连;第三场效应晶体管的源极与接地端连接，漏极通过第三电阻与电压输入端连接，栅极与控制端连接;第一二极管连接在第二可调电阻的调节端和电压输出端之间。
[0008]优选地，第一场效应晶体管和第二场效应晶体管为P沟道增强型MOS管。
[0009]优选地，第三场效应晶体管为N沟道增强型MOS管。
[0010]优选地，第一公共电压的大小随着第一可调电阻的调节端的移动而改变。
[0011]优选地，第二公共电压的大小随着第二可调电阻的调节端的移动而改变。
[0012]根据本发明的另一方面，提供一种液晶显示装置，包括数据驱动电路、多个像素电极、多列数据线、公共电极及多电压产生电路，所述数据驱动电路通过多列数据线施加数据电压在多个像素电极上，所述多电压产生电路施加公共电压在所述公共电极上，其中，所述多电压产生电路包括:电压输入端，用于输入电压信号；电压输出端，用于输出公共电压;公共电压产生电路，连接在电压输入端和电压输出端之间，用于形成第一公共电压或第二公共电压;控制端，与所述多电压产生电路连接，用于控制所述电压输出端输出第一公共电压或第二公共电压;其中，当控制端输入低电平信号时，所述公共电压产生电路形成第一公共电压，电压输出端输出第一公共电压；当控制端输入高电平信号时，所述公共电压产生电路形成第二公共电压，电压输出端输出第二公共电压。
[0013]优选地，所述公共电压产生电路包括第一可调电阻、第二可调电阻、第三电阻、第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第三场效应晶体管、第一二极管和第二二极管，其中，第一可调电阻连接在电压输入端和接地端之间；第一场效应晶体管的源极与第一可调电阻的调节端连接，漏极通过第二二极管与电压输出端连接，栅极与第二场效应晶体管的漏极连接;第二场效应晶体管的源极与电压输入端连接，漏极通过第二可调电阻与接地端连接，栅极与第三场效应晶体管的漏极相连;第三场效应晶体管的源极与接地端连接，漏极通过第三电阻与电压输入端连接，栅极与控制端连接;第一二极管连接在第二可调电阻的调节端和电压输出端之间。
[0014]优选地，第一场效应晶体管和第二场效应晶体管为P沟道增强型MOS管;第三场效应晶体管为N沟道增强型MOS管。
[0015]优选地，第一公共电压的大小随着第一可调电阻的调节端的移动而改变;第二公共电压的大小随着第二可调电阻的调节端的移动而改变。
[0016]本发明提供的多电压产生电路及液晶显示装置，通过控制端输入不同的电压信号实现两组公共电压的输出，并且通过可变电阻分别调节各自的公共电压。
【附图说明】
[0017]通过以下参照附图对本发明实施例的描述，本发明的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中:
[0018]图1示出了根据本发明实施例提供的液晶显示装置的电路结构示意图；
[0019]图2示出了根据本发明实施例提供的多电压产生电路的一种具体电路结构示意图。
【具体实施方式】
[0020]以下将参照附图更详细地描述本发明的各种实施例。在各个附图中，相同的元件采用相同或类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。
[0021]本发明可以各种形式呈现，以下将描述其中一些示例。
[0022]图1示出了根据本发明实施例提供的液晶显示装置的电路结构示意图。如图1所示，所示液晶显示装置包括控制电路11、扫描驱动电路12、数据驱动电路13、多电压产生电路14、多行相互平行的扫描线15、多列相互平行并分别与该扫描线15绝缘相交的数据线16、多个邻近该扫描线15与该数据线16交叉处的薄膜晶体管17、多个像素电极18、与多个像素电极18相对设置的公共电极19及夹在像素电极18和公共电极19之间的液晶分子(图中未示出)。
[0023]控制电路11驱动所述扫描驱动电路12、所述数据驱动电路13以及多电压产生电路14工作。所述扫描驱动电路12用于驱动多行扫描线15，数据驱动电路14用于驱动多列数据线16，所述多电压产生电路14用于驱动公共电极19。每一薄膜晶体管17的栅极连接至一扫描线，每一薄膜晶体管17的源极连接至一数据线16，每一薄膜晶体管17的漏极连接至一像素电极18。
[0024]当该液晶显示器10正常工作时，该控制电路11接收外界的信号，并发出控制信号控制该扫描驱动电路12、该数据驱动电路13及该多电压产生电路14。在该控制信号控制下，该扫描驱动电路12输出扫描电压并通过该多行扫描线15加载在相应的薄膜晶体管17的栅极上，将相应的薄膜晶体管17打开，该数据驱动电路13输出数据电压并通过该多列数据线16加载在相应的薄膜晶体管17的源极上，如果此时该薄膜晶体管17处于打开状态，则该数据电压传送至该薄膜晶体管17的漏极并加载在该像素电极18上。该多电压产生电路14同时产生一公共电压并加载在该公共电极19上，由此在该像素电极18与该公共电极19间会产生一电场以控制液晶分子的转动，从而实现图像显示。
[0025]图2示出了根据本发明实施例提供的多电压产生电路的一种具体电路结构示意图。如图2所示，所述多电压产生电路14，包括电压输入端Vin、电压输出端Vout、公共电压产生电路141以及控制端Control。
[0026]其中，电压输入端Vin，用于输入电压信号；电压输出端Vout，用于输出公共电压；公共电压产生电路141，连接在电压输入端Vin和电压输出端Vout之间，用于形成第一公共电压Vcoml或第二公共电压Vcom2;控制端Control，与所述公共电压产生电路141连接，用于控制所述电压输出端Vout输出第一公共电压Vcoml或第二公共电压Vcom2。
[0027]在本实施例中，公共电压产生电路141包括第一可调电阻R1、第二可调电阻R2、第三电阻R3、第一场效应晶体管Ql、第二场效应晶体管Q2、第三场效应晶体管Q3、第一二极管Dl和第二二极管D2。
[0028]其中，第一可调电阻Rl连接在电压输入端Vin和接地端GND之间。
[0029]第一场效应晶体管Ql的源极S与第一可调电阻Rl的调节端连接，漏极D通过第二二极管D2与电压输出端Vout连接，栅极G与第二场效应晶体管Q2的漏极D连接。
[0030]第二场效应晶体管Q2的源极S与电压输入端Vin连接，漏极D通过第二可调电阻R2与接地端GND连接，栅极G与第三场效应晶体管Q3的漏极D相连。
[0031]第三场效应晶体管Q3的源极S与接地端GND连接，漏极D通过第三电阻R3与电压输入端Vin连接，栅极G与控制端Control连接。
[0032]第一二极管Dl连接在第二可调电阻R2的调节端和电压输出端Vout之间。
[0033]在本实施例中，第一场效应晶体管Ql和第二场效应晶体管Q2为P沟道增强型晶体管(PM0S晶体管)，第三场效应晶体管Q3为N沟道增强型晶体管(NM0S晶体管)。
[0034]对于PMOS晶体管，具有开启电压UGS(th)，其中，UGS(th)〈0。当UGS〈UGS(th)时，PMOS晶体管处于导通状态；当UGS>UGS(th)时，PMOS晶体管处于截止状态。
[0035]对于NMOS晶体管，具有开启电压UGS(th)，其中，UGS(th)>0。当UGS>UGS(th)时，NMOS晶体管处于导通状态；当UGS〈UGS(th)时，NMOS晶体管处于截止状态。
[0036]在本实施例中，当控制端Control输入低电平信号时，如输入OV的电压，第三场效应晶体管Q3的栅极与源极之间的电压UGS〈UGS(th)，此时第三场效应晶体管Q3关闭；导致第二场效应晶体管Q2的栅极与输入电压端Vin连接，为高电平，第二场效应晶体管Q2的栅极与源极之间的电压UGs>UGs(th)，此时第二场效应晶体管Q2关闭；导致第一场效应晶体管Ql的栅极与接地端GND连接，为低电平，第一场效应晶体管Ql的栅极与源极之间的电压UGS〈UGS(th)，此时第一场效应晶体管Ql打开，等效为第一可变电阻Rl连接在电压输入端Vin和接地端GND之间，第一可变电阻Rl的调节端通过第二二极管D2与输出端Vout连接。此时所述公共电压产生电路141形成第一公共电压Vcoml，电压输出端Vout输出第一公共电压Vcoml。其中，第一公共电压Vcoml的大小随着第一可调电阻Rl的调节端的移动而改变。
[0037]当控制端Control输入高电平信号时，如输入3.3V电压，第三场效应晶体管Q3的栅极与源极之间的电压UGs>UGs(th)，此时第三场效应晶体管Q3打开;导致第二场效应晶体管Q2的栅极与接地端GND连接，为低电平，第二场效应晶体管Q2的栅极与源极之间的电压UGS〈Ucs(th)，此时第二场效应晶体管Q2打开;导致第一场效应晶体管Ql的栅极与电压输入端Vin连接，为高电平，第一场效应晶体管Ql的栅极与源极之间的电压UGS>UGS(th)，此时第一场效应晶体管Ql关闭，等效为第二可变电阻R2连接在电压输入端Vin和接地端GND之间，第二可变电阻R2的调节端通过第一二极管Dl与输出端Vout连接。所述公共电压产生电路141形成第二公共电压Vcom2，电压输出端Vout输出第二公共电压Vcom2。其中，第二公共电压Vcom2的大小随着第二可调电阻R2的调节端的移动而改变。
[0038]本发明提供的多电压产生电路及液晶显示装置，通过控制端输入不同的电压信号实现两组公共电压的输出，并且通过可变电阻分别调节各自的公共电压。
[0039]依照本发明的实施例如上文所述，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。
【主权项】
1.一种多电压产生电路，其特征在于，包括: 电压输入端，用于输入电压信号； 电压输出端，用于输出公共电压； 公共电压产生电路，连接在所述电压输入端和所述电压输出端之间，用于形成第一公共电压或第二公共电压； 控制端，与所述公共电压产生电路连接，用于控制所述电压输出端输出所述第一公共电压或所述第二公共电压； 其中，当所述控制端输入低电平信号时，所述公共电压产生电路形成第一公共电压，所述电压输出端输出第一公共电压； 当所述控制端输入高电平信号时，所述公共电压产生电路形成第二公共电压，所述电压输出端输出第二公共电压。2.根据权利要求1所述的多电压产生电路，其特征在于，所述公共电压产生电路包括第一可调电阻、第二可调电阻、第三电阻、第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第三场效应晶体管、第一二极管和第二二极管， 其中，所述第一可调电阻连接在所述电压输入端和接地端之间； 所述第一场效应晶体管的源极与所述第一可调电阻的调节端连接，漏极通过所述第二二极管与所述电压输出端连接，栅极与所述第二场效应晶体管的漏极连接； 所述第二场效应晶体管的源极与所述电压输入端连接，漏极通过所述第二可调电阻与接地端连接，栅极与所述第三场效应晶体管的漏极相连； 所述第三场效应晶体管的源极与接地端连接，漏极通过所述第三电阻与所述电压输入端连接，栅极与所述控制端连接； 所述第一二极管连接在所述第二可调电阻的调节端和所述电压输出端之间。3.根据权利要求2所述的多电压产生电路，其特征在于，第一场效应晶体管和第二场效应晶体管为P沟道增强型MOS管。4.根据权利要求3所述的多电压产生电路，其特征在于，第三场效应晶体管为N沟道增强型MOS管。5.根据权利要求4所述的多电压产生电路，其特征在于，所述第一公共电压的大小随着所述第一可调电阻的调节端的移动而改变。6.根据权利要求5所述的多电压产生电路，其特征在于，所述第二公共电压的大小随着所述第二可调电阻的调节端的移动而改变。7.—种液晶显示装置，其特征在于，包括数据驱动电路、多个像素电极、多列数据线、公共电极及多电压产生电路，所述数据驱动电路通过所述多列数据线施加数据电压在所述多个像素电极上，所述多电压产生电路施加公共电压在所述公共电极上， 其中，所述多电压产生电路包括: 电压输入端，用于输入电压信号； 电压输出端，用于输出公共电压； 公共电压产生电路，连接在所述电压输入端和所述电压输出端之间，用于形成第一公共电压或第二公共电压； 控制端，与所述多电压产生电路连接，用于控制所述电压输出端输出所述第一公共电压或所述第二公共电压； 当所述控制端输入低电平信号时，所述公共电压产生电路形成所述第一公共电压，所述电压输出端输出所述第一公共电压；当所述控制端输入高电平信号时，所述公共电压产生电路形成所述第二公共电压，所述电压输出端输出所述第二公共电压。8.根据权利要求7所述的液晶显示装置，其特征在于，所述公共电压产生电路包括第一可调电阻、第二可调电阻、第三电阻、第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第三场效应晶体管、第一二极管和第二二极管， 其中，所述第一可调电阻连接在所述电压输入端和接地端之间； 所述第一场效应晶体管的源极与所述第一可调电阻的调节端连接，漏极通过所述第二二极管与所述电压输出端连接，栅极与所述第二场效应晶体管的漏极连接； 所述第二场效应晶体管的源极与所述电压输入端连接，漏极通过所述第二可调电阻与接地端连接，栅极与所述第三场效应晶体管的漏极相连； 所述第三场效应晶体管的源极与接地端连接，漏极通过所述第三电阻与所述电压输入端连接，栅极与所述控制端连接； 所述第一二极管连接在所述第二可调电阻的调节端和所述电压输出端之间。9.根据权利要求8所述的液晶显示装置，其特征在于，第一场效应晶体管和第二场效应晶体管为P沟道增强型MOS管;第三场效应晶体管为N沟道增强型MOS管。10.根据权利要求9所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第一公共电压的大小随着所述第一可调电阻的调节端的移动而改变;所述第二公共电压的大小随着所述第二可调电阻的调节端的移动而改变。
【文档编号】G09G3/36GK106057158SQ201610623710
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年8月2日
【发明人】张大雷, 阮永鑫, 刘洪海, 穆兰
【申请人】昆山龙腾光电有限公司