一种新型反光膜及其制备方法

文档序号:2817798阅读:389来源:国知局
专利名称:一种新型反光膜及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种薄膜及其制备方法,具体来说是一种反光膜及其制备方法。
背景技术
目前,用于太阳能反光材料的一般是在玻璃基体上镀铝膜、银膜,也有在涤纶上面镀铝薄膜再加上保护薄膜的反光材料。它们的主要缺点是酎磨性能较差,寿命短。现在利用CVD法制备ZrN、TiN等工艺,其主要缺点是其沉积温度高,工艺参数复杂且不易重复。

发明内容
为了解决现有反光材料及其制备方法中存在的以上所述的缺点,本发明的目的是提供一种新型反光膜及其制备方法,具体的,所述的新型反光膜材料是氮化锆,所述的反光膜制备方法是用磁控溅射的方法,在所述的磁控溅射方法中反应气体采用氮气,靶材料是锆,基体的加热温度在200℃-450℃之间,所述的基体为陶瓷,在所述的基体上施加负50V-负300V的偏压。进一步的,所述的基体为玻璃,所述的基体为合金材料,所述的基体为高分子材料,所述的高分子材料耐温300℃。
本发明所述新型材料的有益效果是本发明提出这种新型的反光材料具有工艺简单,成本低廉,物理性能及化学性能稳定,机械性能良好以及镜反射率高,寿命长等特点。用它作太阳能聚光装置的反光面,如太阳灶,太阳炉,聚光的光电池的反光面等室外使用的装置,其使用寿命比现有的可提高一倍至数倍。
具体实施例方式一种新型反光膜及其制备方法,具体的,所述的新型反光膜材料是氮化锆,所述的反光膜制备方法是用磁控溅射的方法,在所述的磁控溅射方法中反应气体采用氮气,靶材料是锆,基体的加热温度在200℃-450℃之间,所述的基体为陶瓷,在所述的基体上施加负50V-负300V的偏压。进一步的,所述的基体为玻璃,所述的基体为合金材料,所述的基体为高分子材料,所述的高分子材料耐温300℃。
权利要求
1.一种新型反光膜及其制备方法,其特征在于所述的新型反光膜材料是氮化锆,所述的反光膜制备方法是用磁控溅射的方法,在所述的磁控溅射方法中反应气体采用氮气,靶材料是锆,基体的加热温度在200℃-450℃之间,所述的基体为陶瓷,在所述的基体上施加负50V-负300V的偏压。
2.根据权利要求1所述的一种新型反光膜及其制备方法,其特征在于所述的基体为玻璃。
3.根据权利要求1所述的一种新型反光膜及其制备方法,其特征在于所述的基体为合金材料。
4.根据权利要求1所述的一种新型反光膜及其制备方法,其特征在于所述的基体为高分子材料,所述的高分子材料耐温300℃。
全文摘要
本发明提供了一种在不锈钢、碳钢、合金、玻璃、陶瓷及高分子材料涂层上用磁控溅射方法制备太阳能反光膜及制备技术。在膜生成的磁控溅射过程中通过对基体如偏压来提高膜的反光率,改善表面状况,本发明提出这种新型的反光材料具有工艺简单,成本低廉,物理性能及化学性能稳定,机械性能良好以及镜反射率高,寿命长等特点。用它作太阳能聚光装置的反光面,如太阳灶,太阳炉,聚光的光电池的反光面等室外使用的装置,其使用寿命比现有的可提高一倍至数倍。
文档编号G02B1/10GK1506697SQ0215492
公开日2004年6月23日 申请日期2002年12月11日 优先权日2002年12月11日
发明者吴贺然 申请人:上海纯青实业有限公司
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