专利名称：反射式液晶背板的结构与制作方法
技术领域：
本发明有关一种制作反射式液晶背板的方法，特别是有关于一种制作相容于高压混合模式的反射式液晶背板的结构与方法，且可以应用于多媒体投影器上。
(2)背景技术反射式液晶(LCOS，liquid crystal on silicon)的互补式金属氧化物半导体(CMOS，complementary metal oxide semiconductor)背板(back plane)为微显示幕(micro-display)的重要元件之一。
一般的互补式金属氧化物半导体背板元件的建构多以低压的互补式金属氧化物半导体晶体管搭配氧化电容层(oxide capacitor layer)来制造。在传统低压操作的元件中，以氧化层做为电容层，由于氧化层所能够承受的操作电压范围较低，所以可以适用于氧化层的操作电压范围受到限制，一般来说操作电压大多低于5伏特。若将操作电压提高，为了使氧化层可以承受高的电压，则必需增加电容层的面积，使得电容层可以承受所增加的电压。但是，增加氧化层的面积会造成整个积体电路的面积增加，并不能符合积体电路在高密度整合时，元件结构缩小的目的。此外，若是提高操作电压，传统的氧化层无法承受过大的电压，在经过多次的电压操作的后，由于氧化层的介电常数低且及耦合率(coupling ratio)低，使得氧化层结构容易崩溃(breakdown)而发生漏电流的问题，使得整个集成电路元件的可靠度降低。
(3)发明内容本发明提出以高压元件应用在半导体底材上，使得反射式液晶背板可以获得更大的操作电压，并且可再配合能承受高电压的电容层，使其产生大的电容操作范围。因此，可以在单位面积下，有更佳的对比效果及色阶输出。
本发明的主要目的是将高压元件应用在传统的低电压操作的半导体底材中，以提供更大的电压及电容操作范围。
本发明的次一目的，是利用内多晶硅介电层(IPD，Inter-poly dielectric layer)结构做为电容层，并相容于一高压互补式金属氧化物半导体(HV CMOS，highvoltage complementary metal oxide semiconductor)制程，且搭配一镜面层以形成一反射式液晶的互补式金属氧化物半导体背板结构。
本发明的再一目的是提供一高压元件驱动一高压电容层，以得到大的输出操作电压以及大的电容操作范围。
本发明的又一目的是增加输出至镜面层的操作电压，使得在每单位面积下，可以得到最佳的影像对比及色阶输出。
根据本发明反射式液晶背板的结构包括位于半导体底材上的高压互补式金属氧化物半导体晶体管(HV CMOS，high voltage complementary metal oxidesemiconductor transistor)及高压电容层(high voltage capacitor layer)，在此，高压电容层可以位于隔离元件上，其位于隔离元件上的优点是在达到一定的电容量时，可以节省集成电路的面积。接着，在高压互补式金属氧化物半导体晶体管与高压电容层的上方有一内介电层，在内介电层内有多个接触窗，这些接触窗做为高压互补式金属氧化物半导体晶体管及高压电容层与在内介电层上方的多层金属内连线之间电性连接的用。在此，多层金属内连线结构至少包括三层金属层，其中顶层金属层是为具有高反射特性的镜面层，可经由高压互补式金属氧化物半导体晶体管产生大的电压以驱动高压电容层，使得输出于镜面层的操作电压范围更大，此外，由于高压电容层的耦合率高，可以承受较大的电压，使得其电容操作范围增加。
根据本发明形成反射式液晶结构的方法，在具有隔离元件的半导体底材上分别形成高压互补式金属氧化物半导体晶体管及高压电容层，在高压互补式金属氧化物半导体晶体管及电容层上沉积一内介电层，接着，在内介电层内形成接触窗，然后，在内介电层上方利用传统的内连线结构技术形成多层金属内连线结构，使得多层金属内连线可以藉由接触窗与高压互补式金属氧化物半导体晶体管及高压电容之间电性连接。其中，多层金属内连线结构中的顶层金属层的部份为具有高反射特性的金属铝，是做为镜面层。
其它的目地、优点及本发明较突出的特征将由以下所表示的图示与本发明所揭示的实施例详细的描述中看得更清楚。
(4)
图1为使用根据本发明所揭露的技术，高压元件应用于等效电路的示意图；图2是根据本发明所揭露的技术，在一半导体底材上高压元件的截面示意图；图3是根据本发明所揭露的技术，在底材上依序形成一二氧化硅层、一氮化层、一N井区及一P井区时的各步骤结构示意图；图4是根据本发明所揭露的技术，在半导体底材上形成场氧区的示意图；图5是根据本发明所揭露的技术，在半导体底材上形成第一电极板与内多晶硅介电层的各步骤的示意图；图6是根据本发明所揭露的技术，在半导体底材上形成一第二电极板及一闸极各步骤的示意图；图7是根据本发明所揭露的技术，在图6的结构上方形成高压互补式金属氧化物化半导体晶体管结构的各步骤的示意图；图8是根据本发明所揭露的技术，在图7的结构上方形成内介电层与多个接触窗的各步骤的示意图；及图9是根据本发明所揭露的技术，在图8的结构上方形成一至少三层的多层金属内连线结构的示意图。
(5)具体实施方式
本发明的一些实施例将予以详细描述如下。然而，除了详细描述外，本发明还可以广泛地在其他的实施例施行，且本发明的范围不受其限定，而是以权利要求所限定的范围为准。
根据本发明的一个最佳实施例，是将高压元件，如高压互补式金属氧化物半导体晶体管(HV CMOS transistor，high voltage complementary metaloxide semiconductor transistor)及高压电容(HV capacitor，high voltagecapacitor)应用于半导体底材上，使得高压互补式金属氧化物半导体晶体管可以在提供高范围的操作电压下驱动可以承受高压的电容层，其中高压电容层的耦合率较传统的氧化电容层高，故所承受的电压范围较大。因此，使得输出至镜面层(mirror layer)的操作电压范围增加，并且可以增加电容层的电容操作范围。藉由高压元件可以承受高操作电压的优点是将传统中只能承受低操作电压的氧化电容层(oxide capacitor layer)改变成可以贮存电荷并且可以承受高操作电压内多晶硅介电层，使得电容量的操作范围增加。因此，此种高压元件可以在单位面积下，由于操作电压的范围增加，且在高电容量的条件下，有更佳的对比效果及更广泛的色阶输出范围。
图1是表示一等效电路的示意图。根据本发明的最佳实施例，在一半导体底材(未在此图中表示)上方分别具有一高压互补式金属氧化物半导体晶体管10、一高压电容20、一输出端30及一镜面层结构(未在此图中表示)。其中，高压电容20与高压互补式金属氧化物半导体晶体管的集电极10b电性连接，输出端30与高压互补式金属氧化物半导体晶体管10的集电极10b电性连接。其镜面层输出的操作电压大小则是由高压金属氧化物半导体晶体管10所控制。在本发明的最佳实施例中，高压互补式金属氧化物半导体晶体管的操作电压大于3.3伏特，甚至于可以提高至12或是18伏特以上。
在图2中是说明在一半导体底材50上方各个元件之间的相互关系。在具有隔离结构60的半导体底材50上方分别具有一高压互补式金属氧化物半导体晶体管结构及一高压电容结构，且高压金属氧化物半导体晶体管与高压电容层之间相互电性分离。在本发明的最佳实施例中，高压互补式金属氧化物半导体晶体管结构包括一基极100并位于半导体底材50上方及具有第二导电性的发射极(source)120与第二导电性的集电极(drain)122分别位于该半导体底材50内，其中该第一导电性与第二导电性的电性相反，且高压互补式金属氧化物半导体晶体管的发射极120与集电极122分别位于浓度相对于发射极120与集电极122低的具有该第二导电性的两个井区110。
接着，同样的参考图2，在本发明的最佳实施例中，高压电容层可以位于半导体底材上，也可以位于隔离元件上方，在本发明的实施例中，高压电容层是位于隔离元件上，其优点是，可以节省集成电路的面积。其高压电容层的结构包括位于隔离元件60上的第一电极板(first electrode plate)70及第二电极板(second electrode plate)90，在第一电极板70与第二电极板90之间有一内多晶硅介电层(IPD，mixed mode inter-poly dielectric)80，接着，在高压互补式金属氧化物半导体晶体管及高压电容层的上方有一内介电层(ILD，inter-layer dielectric layer)130，在内介电层130内有多个接触窗(contact)140，接触窗140是做为连接高压互补式金属氧化物半导体晶体管及电容结构与位于内介电层130上层的多层金属内连线结构。在此，接触窗140至少连接至位于高压互补式金属氧化物半导体晶体管的集电极122与发射极120上方，使得集电极122与发射极120两者之间可以电性连接。
同样地，为了使得电容结构与位于内介电层130上层的多层金属内连线结构两者之间可以电性连接，电容结构中的混合模式内多晶硅介电层80与第二电极板90的宽度窄于第一电极板70，使得接触窗140可以连接第一电极板70。此外，在多层金属内连线结构内的结构包括内金属介电层(IMD，inter-metal dielectric layer)160，在内金属介电层160内具有多个接触窗140，做为连接第二层金属层170、第三层金属层180。由于顶层金属层是具有高反射特性，因此，可以做为镜面层(mirror layer)，藉由此镜面层可以防止光源散射(light scattering)所造成的的损失。
接着，图3至图9是根据本发明的最佳实施例，形成反射式液晶背板结构的各步骤的示意图。在图3，将做为垫氧化层(pad oxide layer)56的二氧化硅以热氧化法(thermal oxidation)形成在半导体底材50上方。接着，以垫氧化层56做为罩幕，以离子植入的方式在底材内形成N井区(Nwellregion)52。接着，利用传统的化学气相沉积法(LPCVD，low pressure chemicalvapor deposition method)的方式将氮化硅层(SiN，silicon nitride)58沉积在垫氧化层56上方。接着，在氮化硅层58上方形成一光阻层(未在图中表示)，利用此光阻层做为罩幕，在半导体底材50上定义一主动区域(activeregion)(未在图中表示)，再利用蚀刻的方式依序去除部份的氮化硅层58及垫氧化层56。接着，再利用离子植入的方式在半导体底材50内形成P井区54且与N井区52的电性相反且相邻。
然后，参考图4，再利用热氧化法在半导体底材50上方形成厚度约为4500埃(？，angstrom)的场氧区(field oxide region)60做为隔离结构(isolationstructure)，隔离结构60可以是沟渠隔离结构(trench isolationstructure)，在本发明的实施中则是以场氧区做为隔离结构60。
参考图5，沉积一多晶硅于半导体底材50上方，经蚀刻多晶硅，在场氧区上形成做为电容层的第一电极板(first electrode plate)70。接着，在第一电极板70上方，以多晶硅氧化(poly oxidation)的方式形成内多晶介电层(IPD，inter-poly dielectric)80中的第一氧化层80a，然后再沉积一氮化硅层80b位于第一氧化层80a上方，再利用氮化硅层氧化的方式形成第二氧化层80c位于氮化硅层80b的上方，以形成做为电容的介电层的第一氧化层/氮化硅层/第二氧化硅层并位于第一电极板70及半导体底材50上方。利用蚀刻步骤将半导体底材50上部份的混合模式内多晶硅层80及多晶硅蚀刻除去，留下在场氧区60上的部份的多晶硅及部份的混合模式内多晶硅介电层80。
接着，参考图6，利用热氧化法于半导体底材50上方，形成高压栅氧化层(HV GOX，high voltage gate oxide)，但并未形成在混合模式内多晶硅介电层80上方。然后再沉积第一多晶硅层于该栅氧化层62及混合模式内多晶硅介电层80上方，然后蚀刻第一多晶硅层使得在半导体底材50上方形成一基极(gate)100及在混合模式内多晶硅介电层80上方形成一第二电极板(second electrode plate)90。在本发明的实施例中，为了要达到节省面积的效果，并且可以在单位面积的电容层，高操作电压范围及最佳的电容范围，将电容结构形成于场氧区60上方。在本发明的最佳实施例中，内多晶硅介电层80与第二电极板90的宽度窄于第一电极板70，使得在后续所形成的接触窗140(在图8表示)可以形成在第一电极板70上方，并且可以藉由接触窗140与上层的多层金属内连线结构电性连接。接着，利用离子植入步骤，半导体底材50内形成两个具有第二导电性的N-梯度区(N-grade region)110，且分别位于基极100的两侧。
接着，参考图7，在基极100的侧壁上形成间隙壁102，并且利用掺杂步骤在半导体底材50内形成具有第二导电性的发射极120与具有第二导电性的集电极122，且发射极120与集电极122分别位于图7中所形成的梯度区110内，使得基极100、发射极120与集电极122形成具有操作电压的高压互补式金属氧化物半导体晶体管，且高压互补式金属氧化物半导体晶体管邻接于隔离元件60，其中发射极120与集电极122的浓度比两个梯度区110的浓度高。
接着，参考图8，在高压互补式金属氧化物半导体晶体管、隔离元件60及电容结构上形成一内介电层(ILD，inter-layer dielectri clayer)130。接着，在内介电层130的上方沉积一导体层(未在图中表示)。然后，在导体层上方沉积具有介层洞图形的光阻层，经由蚀刻步骤在内介电层130内形成介层洞，然后将金属层沉积并填满介层洞，并且利用化学机械研磨的方式，将导体层上多余的金属层去除，使得在内介电层内形成接触窗140(contact)。
接着，参考图9，利用传统的方式在导体层上方形成多层金属内连线结构(multi-interconnect structure)，在本发明的实施例中，多层金属内连线结构至少有三层金属层150、170及180，并位于导体层的上方。顶层金属层180包括一金属铝180a及位于金属铝层上方的一光反射加强层180b，其中，金属铝层具有高反射特性，使得金属铝层180a可以做为镜面层，故可以藉由平坦的镜面层的表面防止由于扫描所造成的光散失。
根据以上的描述可以得要下列的优点第一、根据上述图2的结构中可以得知，藉由高压互补式金属氧化物半导体晶体管，在高操作电压的条件下，驱动高压电容结构，且由于高压电容结构可以承受高电压操作容量，且有大的电容操作范围，使得输出至镜面层的电压范围增加。对于在单位面积、高操作电压输出范围及大的电容操作范围，可以增加反射式液晶的对比效果及增加色阶输出的范围。因此，可以改善传统的低压互补式金属氧化物半导体因操作电压范围小，使得输出的色阶受到限制的问题。
第二、根据图3至图5形成反射式液晶的步骤得知，利用可以贮存电荷的内多晶硅介电层结构(氮化/氧化/氮化层)取代传统的氧化层做为电容层，可以提高电容结构的电容量此外，将电容结构形成于隔离元件上可以节省集成电路的面积。因此，可以改善传统使用氧化层做为电容层时，需要增加氧化层的面积才可以提高电容量的缺点。
第三，根据图6至图9，在高压互补式金属氧化物半导体晶体管的制程中，搭配具有高反射特性的镜面层，建构反射式液晶的互补式金属氧化物半导体背板，使得施加一高操作电压于高压金属氧化物半导体晶体管时，将高操作电压传送通过集电极至高压电容层，使得在单位面积下，由于电压操作范围提高，使得镜面层所输出的对比效果及输出的色阶范围大幅的增加。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并非用以限定本发明的申请专利范围；凡其它未脱离本发明所揭示的精神下所完成的等效改变或替换，均应包括在下述的权利要求所限定的范围内。
权利要求
1.一种反射式液晶结构，其特征在于，包括一高压金属氧化物半导体晶体管；一高压电容，该高压电容与该高压金属氧化物半导体晶体管的一集电极相互电性耦合；一输出端，该输出端与该高压金属氧化物半导体晶体管的该集电极相互电性耦合；及一镜面层，该镜面层与该输出端电性耦接。
2.如权利要求1所述的反射式液晶结构，其特征在于，所述高压电容为一栅氧化电容。
3.如权利要求1所述的反射式液晶结构，其特征在于，所述高压电容为一内多晶硅介电层。
4.如权利要求3所述的反射式液晶结构，其特征在于，所述内多晶硅介电层的结构为一氧化层/氮化层/氧化层。
5.一种反射式液晶结构，其特征在于，包括一具有一第一导电性的一半导体底材；一互补式金属氧化物半导体晶体管位于该半导体底材上；一电容结构位于该半导体底材上且与该互补式金属氧化物半导体晶体管相互分离；一金属内连线结构位于该互补式金属氧化物半导体晶体管及该电容结构上方，且使得该互补式金属氧化物半导体晶体管及该电容结构相互电性耦接；及一镜面层为该金属内连线结构的一顶层金属层，并与该金属内连线结构电性耦接。
6.如权利要求5所述的反射式液晶结构，其特征在于，所述互补式金属氧化物半导体晶体管为一高压互补式金属氧化物半导体晶体管。
7.如权利要求6所述的反射式液晶结构，其特征在于，所述高压互补式金属氧化物半导体晶体管具有一栅极结构位于该半导体底材上，及一具有一第二导电性的一发射极与一集电极位于该半导体底材内，该第二导电性与该第一导电性的电性相反，其中该发射极与该集电极分别位于浓度相对于该发射极与该集电极低的具有该第二导电性的两个井区。
8.如权利要求5所述的反射式液晶结构，其特征在于，所述电容结构位于一隔离元件上，其中该隔离元件位于该半导体底材上。
9.如权利要求8所述的反射式液晶结构，其特征在于，还包括该隔离元件邻接该互补式金属氧化物半导体晶体管。
10.如权利要求5所述的反射式液晶结构，其特征在于，所述电容结构为一高压电容。
11.如权利要求10所述的反射式液晶结构，其特征在于，所述高压电容为一栅氧化电容层。
12.如权利要求10所述的反射式液晶结构，其特征在于，所述高压电容为一内多晶硅介电层。
13.如权利要求12所述的反射式液晶结构，其特征在于，所述内多晶硅介电层为一氧化层/氮化层/氧化层。
14.一种混合模式反射式液晶结构，其特征在于，包括一具有一第一导电性的一半导体底材；一互补式金属氧化物半导体晶体管具有一栅极结构位于该半导体底材上，及一具有一第二导电性的发射极与一集电极位于该半导体底材内，该第二导电性与该第一导电性相反，其中该发射极与该集电极分别位于浓度相对于该发射极与该集电极低的具有该第二导电性的两个井区；一隔离元件位于该半导体底材上且邻接于该互补式金氧化半导体电晶体；一电容结构位于该隔离元件上；一内多晶硅介电层位于该互补式金属氧化物半导体晶体管及该电容结构上；多个接触窗位于该内介电层内，且电性耦接于该互补式金属氧化物半导体晶体管的该集电极及该发射极上方，使得该集电极与该发射极相互电性耦接及位于该电容结构上；及一多层金内连线与该互补式金属氧化物半导体晶体管及该电容结构相互电性耦接，其中该多层金属内连线结构位于该内介电层上。
15.如权利要求14所述的混合模式反射式液晶结构，其特征在于，所述隔离结构包括场氧区。
16.如权利要求14所述的混合模式反射式液晶结构，其特征在于，所述电容结构为一高压电容结构。
17.如权利要求14所述的混合模式反射式液晶结构，其特征在于，所述电容结构包括一第一电极板。
18.如权利要求17所述的混合模式反射式液晶结构，还包括一内多晶硅介电层位于该第一电极板上。
19.如权利要求18所述的混合模式反射式液晶结构，其特征在于，所述内多晶硅介电层为一氧化层/氮化层/氧化层结构。
20.如权利要求18所述的混合模式反射式液晶结构，其特征在于，还包括一第二电极板位于该内多晶硅介电层上。
21.如权利要求20所述的混合模式反射式液晶结构，其特征在于，所述电容结构的该第二电极板的宽度窄于该第一电极板。
22.如权利要求18所述的混合模式反射式液晶结构，其特征在于，还包括该电容结构的该内多晶硅介电层的宽度窄于该第一电极板。
23.如权利要求14所述的混合模式反射式液晶结构，其特征在于，所述多层金属内连线结构的一顶层金属层为一金属铝反射层。
24.如权利要求23所述的混合模式反射式液晶结构，其特征在于，还包括一光反射加强层位于该金属铝反射层上。
25.一种形成混合模式反射式液晶背板元件的方法，其特征在于，该方法包括提供具有一第一导电性的一半导体底材；形成一隔离元件位于该半导体底材上方；形成一电容的一第一电极板位于该隔离元件上方；依序形成一第一氧化硅层位于该第一电极板上方、一氮化硅层位于该第一氧化硅层上方及一第二氧化硅层位于该氮化硅层上方；形成一栅氧化层位于该半导体底材上方，除了该第二氧化硅层、该氮化层、该第一氧化硅层及该第一电极板的外；沉积一多晶硅层位于该栅氧化层及该第二氧化硅层上方；蚀刻该多晶硅层以形成一栅极位于该栅氧化硅层上方及一第二电极板位于该第二氧化硅层上方；形成两个具有一第二导电性的井区位于该半导体底材内，该两个井区分别位于该栅极的两侧，其特征在于，该第二导电性与该第一导电性相反；形成一具有该第二导电性的一发射极及一具有一第二导电性的一集电极分别位于该两个井区内，使得该发射极、该集电极及该栅极形成一互补式金属氧化物半导体晶体管，且该互补式金属氧化物半导体晶体管邻接于该隔离元件，其特征在于，该发射极与该集电极的浓度较该两个井区高；形成一内介电层位于该半导体底材、该互补式金属氧化物半导体晶体管、该隔离元件及该电容上方；形成多个接触窗于该内介电层内，并以电性地耦连接于该互补式金属氧化物半导体晶体管的该发射极、该集电极、该栅极及该电容的该第一电极板与该第二电极板；及形成一导体层位于该内介电层上方。
26.如权利要求25所述的形成混合模式反射式液晶背板元件的方法，其特征在于，所述隔离元件为一场氧区。
27.如权利要求26所述的形成混合模式反射式液晶背板元件的方法，其特征在于，所述形成该场氧区的方法包括一热氧化法。
28.如权利要求25所述的形成混合模式反射式液晶背板元件的方法，其特征在于，所述操作电压大于3.3伏特。
29.如权利要求25所述的形成混合模式反射式液晶背板元件的方法，其特征在于，还包括形成一多层金属内连线结构位于该导体层上方。
30.如权利要求29所述的形成混合模式反射式液晶背板元件的方法，其特征在于，所述多层金属内连线结构的一顶层金属层为一镜面层。
31.一种形成混合模式反射式液晶背板元件的方法，其特征在于，该方法包括提供具有一第一导电性的一半导体底材；形成一隔离元件于该半导体底材上方；形成一电容的一第一电极板位于该隔离元件上方；依序形成一第一氧化硅层在该第一电极板上方、一氮化硅层位于该第一氧化硅层上方及一第二氧化硅层位于该氮化硅层上方；形成一栅氧化层在该半导体底材上方；沉积一多晶硅层在该半导体底材上方及在该第二氧化硅层上方；蚀刻该多晶硅层、该第二氧化层、该氮化层及该第一氧化层以形成一栅极位于该半导体底材上及一第二电极板位于该第二氧化硅层上方，其中该第二电极板、该第二氧化硅层、该氮化硅层及该第一氧化硅层的宽度较该第一电极板窄；执行一离子植入步骤以形成两个具有一第二导电性的井区于该半导体底材内，该两个井区分别位于该栅极的两侧，其中该第二导电性与该第一导电性相反；离子植入一具有该第二导电性的一发射极及一具有一第二导电性的一集电极于该半导体底材内，且分别位于该两个井区内，使得该发射极、该集电极及该栅极形成一操作电压的互补式金氧晶体管，且该互补式金氧化晶体管邻接于该隔离元件，其中该发射极与该集电极的浓度较该两个井区高；沉积一内介电层位于该半导体底材、该互补式金属氧化物半导体晶体管、该隔离元件及该电容上方；形成多个接触窗位于该内介电层内以电性地耦接于该互补式金属氧化物半导体晶体管的该发射极、该集电极、该栅极及该电容的该第一电极板与该第二电极板，其中多个接触窗位于该第一电极板上方；形成一导体层位于该内介电层上方；及形成一多层金属内连线结构位于该导体层上方。
32.如权利要求31所述的形成混合模式反射式液晶背板元件的方法，其特征在于，所述操作电压大于3.3伏特。
33.如权利要求31所述的形成混合模式反射式液晶背板元件的方法，其特征在于，所述多层金属内连线结构的一顶层金属层为一镜面层。
34.如权利要求33所述的形成混合模式反射式液晶背板元件的方法，其特征在于，所述顶层金属层为一金属铝层。
35.如权利要求34所述的形成混合模式反射式液晶背板元件的方法，还包括一光反射加强层位于该金属铝层上方。
全文摘要
本发明是提供制作一种反射式液晶(LCOS，Liquid Crystal on Silicon)背板的结构与方法。在本发明中是利用高压元件，例如，高压互补式金属氧化物半导体晶体管(high voltage metal oxide semiconductor transistor)及电容层应用于半导体底材上。此外，由于高压电容层具有高介电常数及高耦合率(coupling ratio)可以承受较高的操作电压，使得操作电容范围可以提升。再则，当操作电压范围增加时，高压互补式金属氧化物半导体晶体管搭配具有高反射特性的镜面层(mirror layer)，使得反射式液晶背板元件可以得到较佳的对比效果及色阶输出范围。
文档编号G02F1/1362GK1435718SQ02156110
公开日2003年8月13日 申请日期2002年12月2日 优先权日2002年1月30日
发明者陈荣庆, 杨恩旭, 蔡元礼, 黄清俊, 杨胜雄 申请人:联华电子股份有限公司