专利名称：半反射半穿透液晶显示器的制作方法
技术领域：
本发明涉及半反射半穿透液晶显示器技术，特别有关于一种利用一硅层作为穿透区域的穿透电极层的半反射半穿透液晶显示器。
背景技术：
一般的穿透式(transmissive)液晶显示器在室外及强光下，影像会因为对比降低很多而不易观察，相比之下，反射式(reflective)液晶显示器乃是依赖外来光源来达到显示效果，因此在户外及强光下反而会呈现出更佳的效果及对比，且可减少消耗大量功率的背光源使用时机，所以极适合用于可携式产品。不过，反射式液晶显示器较难在高分辨率下达到高对比及高彩色品质的影像，尤其是全彩化的要求。当环境光源不足时，反射式液晶显示器的对比与亮度大受折扣，因此若能配合辅助背光源的穿透式技术来制作半反射半穿透(transflective)液晶显示器，其可同时具有穿透式与反射式的优点，且适用于非晶硅的薄膜晶体管(a-Si TFT)或低温多晶硅的薄膜晶体管(lowtemperature polysilicon TFT)等主动驱动技术，因此目前低耗电IA信息产品大都采用这类的半反射半穿透液晶显示器面板。
目前的半反射半穿透液晶显示器，例如半反射半穿透的TFT-LCD，其薄膜晶体管是制作成为一种底部栅极(bottom gate)结构，且穿透电极是选用一种铟锡氧化物(ITO)材质，因此在制程上需利用多道光罩(mask)来进行多次微影制程(photolithography process)，如此会产生低产量、高成本等问题。美国专利第6,195,140号揭露一种半反射半穿透液晶显示器技术，利用ITO材质制作一穿透电极层以及一电容上电极板。图1A显示现有技术半反射半穿透液晶显示器的剖面示意图，图1B显示现有技术半反射半穿透液晶显示器的TFT基板的平面示意图，其中图1A的穿透电极与反射电极的配置相对应于图1B的切线I-I”。
如图1A所示，一半反射半穿透的TFT-LCD元件10包含有一下玻璃基板12、一上玻璃基板14以及一液晶层16，其中下玻璃基板12是用来作为一TFT基板12，而上玻璃基板14是用来作为一彩色滤光片(color filter，CF)基板，且其内侧表面上包含有一共通电极层36。如图1B所示，TFT基板12上包含有多个阵列的画素区域，系由多条横向延伸的扫描电极线18以及多条纵向延伸的数据电极线26所交叉构成的矩形区域。每个画素区域内包含有一TFT元件20、一电容器30、一穿透区域T以及一反射区域R。
上述电极结构的制作方法请参阅图1A与图1B，先于下玻璃基板12上形成一第一金属层，再以微影蚀刻方式将第一金属层定义成为扫描电极线18、一储存电容板18a以及一栅极层18b的图案，然后于第一金属层上覆盖一栅极绝缘层19。接着，于TFT元件20的区域内制作一岛状结构，包含有一半导体硅层21、一通道保护层22、一漏极电极层23a以及一源极电极层23b。后续，利用沉积、微影与蚀刻制程形成一第一IT0层24以及一第二金属层25，将第一ITO层24以及一第二金属层25的堆栈结构定义成为数据电极线26的图案。同时，一部份的第一ITO层24a覆盖于储存电容板18a的上方区域，用以当作一电容上电极板24a，而且一端的第一ITO层24b以及第二金属层25b系形成于源极电极23b上，用以当作一连接电极28。而后，形成一绝缘层29，并于绝缘层29中制作一介层窗33，再于绝缘层29上依序形成一第二ITO层32以及一第三金属层34。如此一来，画素区域内的第三金属层34与第二ITO层32成为一画素电极P，其中第三金属层34与第二ITO层3 2的堆栈区域成为一反射区域R的反射电极，而第二ITO层32的暴露区域成为一穿透区域T的穿透电极。此外，画素电极P可经由介层窗33而与下方的电容器30形成电性连接，而电容器30可经由连接电极33而与源极电极23b形成电性连接。
但是，上述的电极结构及其制作方法，是将TFT组件20制作成为一种底部栅极(bottom gate)结构，再分别制作电容器30以及画素电极P，因此需要耗费多道光罩以及多次微影制程来定义第一ITO层24以及第二ITO层32的图案，如此会产生低产量、高成本等问题。
除此之外，美国专利第6,330,100号揭露一种半反射半穿透液晶显示器技术，直接将反射电极层制作于下玻璃基板上，再依序进行彩色滤光片以及穿透电极层的制程，则利用反射电极层的开口设计可以控制反射区域以及穿透区域的面积。图2显示现有的另一半反射半穿透液晶显示器的剖面示意图。
如图2所示，一半反射半穿透的LCD元件40包含有一下玻璃基板42、一上玻璃基板44以及一液晶层46。下玻璃基板42的内侧表面上依序制作有一不透光金属层48、一彩色滤光层50以及一透光金属层52。上玻璃基板44的内侧表面上制作有一共通电极层54。不透光金属层48内包含有多个开口49，则不透光金属层48以及透光金属层52的重迭区域成为一反射电极区域，而未与不透光金属层48重迭的透光金属层52成为一穿透电极区域。此种技术系以ITO材质制作穿透电极，因此仍需要耗费一道光罩以及微影制程来定义ITO材质层的图案。
发明内容
本发明提供一种半反射半穿透液晶显示器，系利用一硅层作为穿透区域的穿透电极层，以减少制程步骤。
为达成上述目的，本发明提供的半反射半穿透液晶显示器，包括一下玻璃基板以及一上玻璃基板；一液晶层；多条扫描电极线以及多条数据电极线，形成于该下玻璃基板上，且交叉构成多个画素区域；
一薄膜晶体管元件，形成于该下玻璃基板的画素区域内，且包含有一栅极层、一源极扩散区以及一漏极扩散区；一穿透电极层，形成于该下玻璃基板的画素区域内；以及一反射电极层，形成于该下玻璃基板的画素区域内的该穿透电极层上方的一部份区域；其中，该反射电极层以及该穿透电极层的重迭区域成为一反射区域，且未被该反射电层覆盖的该穿透电极层成为一穿透区域；其中，该穿透电极层系由一硅层所构成。
图1A显示现有半反射半穿透液晶显示器的剖面示意图。
图1B显示现有半反射半穿透液晶显示器的TFT基板的平面示意图。
图2显示现有另一半反射半穿透液晶显示器的剖面示意图。
图3A显示本发明第一实施例的半反射半穿透液晶显示器的剖面示意图。
图3B显示本发明第一实施例的半反射半穿透液晶显示器的TFT基板的平面示意图。
图4显示本发明第二实施例的半反射半穿透液晶显示器的剖面示意图。
图5A显示本发明第三实施例的第一种半反射半穿透液晶显示器的剖面示意图。
图5B显示本发明第三实施例的第二种半反射半穿透液晶显示器的剖面示意图。
图6A显示本发明第四实施例的第一种半反射半穿透液晶显示器的剖面示意图。
图6B显示本发明第四实施例的第二种半反射半穿透液晶显示器的剖面示意图。
图7A显示本发明第五实施例的半反射半穿透液晶显示器的剖面示意图。
图7B显示本发明第五实施例的半反射半穿透液晶显示器的TFT基板的平面示意图。
图8显示本发明第六实施例的半反射半穿透液晶显示器的剖面示意图。
图9A显示本发明第七实施例的第一种半反射半穿透液晶显示器的剖面示意图。
图9B显示本发明第七实施例的第二种半反射半穿透液晶显示器的剖面示意图。
图10A显示本发明第八实施例的第一种半反射半穿透液晶显示器的剖面示意图。
图10B显示本发明第八实施例的第二种半反射半穿透液晶显示器的剖面示意图。
图11A显示本发明第九实施例的第一种穿透电极层的平面示意图。
图11B显示本发明第九实施例的第二种穿透电极层的平面示意图。
具体实施例方式
本发明涉及一种半反射半穿透的液晶显示器，例如一半反射半穿透的TFT-LCD元件，其薄膜晶体管是制作成为一种顶部栅极(top gate)结构，且其穿透电极是选用一种硅层，例如多晶硅(poly silicon)材质或非晶质硅(amorphous silicon)材质，且此硅层可为有包含掺质或无包含掺质。而且，此硅层可同时作为薄膜晶体管的一有效层，例如一源极扩散区域，则穿透电极可直接连接至薄膜晶体管的有效层。本发明采用一半导体硅层制作穿透电极以及薄膜晶体管的有效层，可以取代现有技术中的穿透电极的ITO层的制作，且可减少一道穿透电极的制程步骤。下面特举较佳实施例，并配合所附图，作详细说明如下第一实施例
图3A显示本发明第一实施例的半反射半穿透液晶显示器的剖面示意图，图3B显示本发明第一实施例的半反射半穿透液晶显示器的TFT基板的平面示意图，其中图3A的穿透电极与反射电极的配置系相对应于图3B的切线II-II”。
如图3A所示，一半反射半穿透的TFT-LCD元件60包含有一下玻璃基板62、一上玻璃基板64以及一液晶层66，其中下玻璃基板62是用来作为一TFT基板62，而上玻璃基板64是用来作为一彩色滤光片(color filter，CF)基板。上玻璃基板64的外侧表面设置有一第一相位延迟板67a以及一第一偏光板68a，且内侧表面上制作有一彩色滤光层65以及一共通电极层69。下玻璃基板62的外侧表面设置有一第二相位延迟板67b以及一第二偏光板68b，且内侧表面上制作有一TFT组件、一穿透电极层78a以及一反射电极层88。
如图3B所示，TFT基板62上包含有多个阵列的画素区域P，是由多条横向延伸的扫描电极线72以及多条纵向延伸的数据电极线74所交叉构成的矩形区域。每个画素区域P内包含有一TFT元件76、一穿透区域T以及一反射区域R。
上述电极结构的制作方法请参阅图3A与图3B。首先，于下玻璃基板62上形成一硅层78，再以微影蚀刻方式将硅层78定义成为一矩形区域。较佳者为，硅层78为多晶硅(poly silicon)材质或非晶质硅(amorphous silicon)材质，其矩形区域相对应画素区域P的范围。然后，于下玻璃基板62上依序形成一第一绝缘层80I以及一第一导电层，再利用微影蚀刻方式将第一导电层定义成为扫描电极线72以及一栅极层72a的图案，其中栅极层72a系为扫描电极线72的垂直凸出区域，且邻近于扫描电极线72与数据电极线74的交叉区域。较佳者为，第一绝缘层80I为一氧化硅层、一氮化硅层或两者合成的多层结构，第一导电层为一导电金属层(例如铝层)或一多晶硅层。
随后，利用栅极层72a作为一罩幕并进行一离子布植制程，以使栅极层72a区域以外的硅层78成为一离子掺杂的半导体硅层，则栅极层72a两侧的离子掺杂的半导体硅层分别作为一源极扩散区域78s以及一漏极扩散区域78d，而位于栅极层78a下方的硅层78的未掺杂区成为一信道区域78c，至于TFT元件76的区域以外的离子掺杂的半导体硅层系用作为一穿透电极层78a。
接着，于下玻璃基板62上形成一第二绝缘层80II，较佳者为一氧化硅层、一氮化硅层或两者合成的多层结构。而后，利用沉积、微影与蚀刻方式形成两个第一接触插塞82，其乃分别贯穿栅极层72a两侧的第二绝缘层80II与第一绝缘层80I，而连接至源极扩散区域78s以及漏极扩散区域78d。
接下来，于第二绝缘层80II上形成一第二导电层，再利用微影蚀刻方式将第二导电层定义成为数据电极线74、一源极电极层74s以及一漏极电极层74d的图案。漏极电极层74d系为数据电极线74的横向凸出的延伸区域，且可经由第一接触插塞82而与漏极扩散区域78d形成电性连接。源极电极层74s系与漏极电极层74d间隔一距离，且可经由第一接触插塞82而与源极扩散区域78s形成电性连接。
跟着，于下玻璃基板62上形成一绝缘平坦层84，再利用沉积、微影与蚀刻方式形成一第二接触插塞86，其乃贯穿绝缘平坦层84而连接至源极电极层74s。而后，于绝缘平坦层84上形成一第三导电层，再以微影蚀刻方法将第三导电层定义成为一反射电极层88的图案。后续，藉由微影蚀刻方法去除一部份的绝缘平坦层84、第二绝缘层80II以及第一绝缘层80I，可暴露一部份的穿透电极层78a。如此一来，穿透电极层78a的暴露区域成为一穿透区域T，而反射电极层86的图案成为一反射区域R。
较佳者为，绝缘平坦层84为一氧化硅层、一氮化硅层、一有机绝缘层或一光阻层；第三导电层为一不透明的金属反射层，例如铝金属层或银金属层。另外，为了增加反射区域R的光学效果，可以在反射区的绝缘平坦层84进行适当的表面处理程序，例如曝光、显影、蚀刻、热处理或固化等等，使绝缘平坦层84或反射电极层88的表面轮廓呈现波浪状起伏，此乃为一种设计选择，本发明不加以限制。
由上述的半反射半穿透液晶显示器及其制作方法可知，本发明利用硅层78制作穿透电极层78a、源极扩散区域78s以及漏极扩散区域78d，可省略习知ITO层的沉积、微影、蚀刻步骤，因此可改善产量、制程成本等问题。
第二实施例图4显示本发明第二实施例的半反射半穿透液晶显示器的剖面示意图。本发明第二实施例的半反射半穿透的TFT-LCD元件90系依据第一实施例的半反射半穿透的TFT-LCD元件60的设计，相同之处于此省略叙述。不同之处在于，第一实施例的反射电极层88可经由第二接触插塞86而与源极电极层74s形成电连接，而第二实施例省略第二接触插塞86的制作，并改良反射电极层88的图案以形成一延伸部88a，以使反射电极层88的延伸部88a可经由绝缘平坦层84的侧壁延伸直至电连接穿透电极层78a。也因此，在制作程序上须先藉由微影蚀刻方法去除一部份的绝缘平坦层84、第二绝缘层80II以及第一绝缘层80I，以定义穿透电极层78a的暴露区域为一穿透区域T，而后再进行反射电极层88的沉积、微影与蚀刻制程，则反射电极层88的延伸部88a图案可覆盖于绝缘平坦层88的顶面与侧壁上，进而连接至穿透电极层78a的表面。
第三实施例图5A显示本发明第三实施例的第一种半反射半穿透液晶显示器的剖面示意图。本发明第三实施例提出的第一种TFT-LCD元件92I是依据图3A所示的半反射半穿透的TFT-LCD元件60的设计，相同之处于此省略叙述。不同之处在于，第一实施例的穿透电极层78a是与源极扩散区域78s连接，且源极扩散区域78s可经由第一接触插塞82、源极电极层74s以及第二接触插塞86而与反射电极层88形成电连接，相比之下，第三实施例的第一种TFT-LCD元件92I是隔开穿透电极78a与TFT元件76的有效层，且另制作一贯穿第二绝缘层80II与第一绝缘层80I的第三接触插塞94，则穿透电极层78a可经由第三接触插塞94、源极电极层74s以及第二接触插塞86而与反射电极层88形成电连接。
也因此，在制作程序上有下列改变第一，硅层78的图案分隔成一有效层区域以及一画素电极区域，其中有效层区域位于TFT元件76的区域内用以制作源极扩散区域78s、漏极扩散区域78d以及信道区域78c，而画素电极区域是用作为穿透电极层78a；其次，于制作第二接触插塞82时可同时制作第三接触插塞94，且后续制作的源极电极层74s同时接触第一接触插塞82以及第三接触插塞94。
图5B显示本发明第三实施例的第二种半反射半穿透液晶显示器的剖面示意图。本发明第三实施例提出的第二种TFT-LCD元件92II是依据图4所示的半反射半穿透的TFT-LCD元件90的设计，相同之处于此省略叙述。不同之处在于，第二实施例的穿透电极层78a是直接连接源极扩散区域78s以及反射电极层88，且源极扩散区域78s可经由第一接触插塞82与源极电极层74s形成电连接，相比之下，第三实施例的第二种TFT-LCD元件92II是隔开穿透电极78a与TFT元件76的有效层，且另制作一贯穿第二绝缘层80II与第一绝缘层80I的第三接触插塞94，则穿透电极层78a可经由第三接触插塞94而与源极电极层74s形成电连接。至于制作程序上的改变，包含硅层78的图案以及第三接触插塞94制作，则如同上述。
第四实施例图6A显示本发明第四实施例的第一种半反射半穿透液晶显示器的剖面示意图。本发明第四实施例提出的第一种TFT-LCD元件96I是依据图5A所示的半反射半穿透的TFT-LCD元件92I的设计，相同之处于此省略叙述。不同之处在于，第三实施例的TFT-LCD元件92I中，穿透电极层78a可经由第三接触插塞94、源极电极层74s以及第二接触插塞86而与反射电极层88形成电连接，相比之下，第四实施例的TFT-LCD元件96I是省略第三接触插塞94的制作，并且制作源极电极层74s的延伸部74s”，可以延伸至第二绝缘层80II的侧壁直至连接穿透电极层78a的表面。则穿透电极层78a可经由源极电极层74s的延伸部74s”以及第二接触插塞86而与反射电极层88形成电连接。
也因此，在制作程序上有下列改变。第一，硅层78的图案是分隔成一有效层区域以及一画素电极区域，其中有效层区域位于TFT元件76的区域内以制作源极扩散区域78s、漏极扩散区域78d以及信道区域78c，而画素电极区域是用作为穿透电极层78a。第二，省略第三接触插塞94的制作。第三，于制作第二电层之前，先将第一绝缘层80I以及第二绝缘层80II定义成为一岛状结构，而后制作的源极电极层74s的延伸部74s”需延伸至第一绝缘层80I以及第二绝缘层80II的例壁，则可与穿透电极层78a形成电性连接。
图6B显示本发明第四实施例的第二种半反射半穿透液晶显示器的剖面示意图。本发明第三实施例提出的第二种TFT-LCD元件96II是依据图5B所示的半反射半穿透的TFT-LCD元件92II的设计，相同之处于此省略叙述。不同之处在于，第三实施例的第二种TFT-LCD元件92II隔开穿透电极78a与TFT元件76的有效层，且穿透电极层78a可经由第三接触插塞94而与源极电极层74s形成电连接，且反射电极层88可直接连接至穿透电极层78a，相比之下，第四实施例的TFT-LCD元件96II是省略第三接触插塞94的制作，并且制作源极电极层74s的延伸部74s”以连接至穿透电极层78a的表面，则穿透电极层78a可经由源极电极层74s的延伸部74s”而与反射电极层88形成电连接。至于制作程序上的改变，包含硅层7 8的图案、省略以及第三接触插塞94的制作以及源极电极层74s的延伸部74s”的制作，则如同上述。
第五实施例图7A显示本发明第五实施例的半反射半穿透液晶显示器的剖面示意图，图7B显示本发明第五实施例的半反射半穿透液晶显示器的TFT基板的平面示意图，其中图7A的穿透电极与反射电极的配置是相对应于图7B的切线III-III”。
本发明第五实施例的半反射半穿透的TFT-LCD元件98是依据第一实施例的半反射半穿透的TFT-LCD元件60(如图3A所示)的设计，相同之处于此省略叙述。不同之处在于，TFT-LCD元件98另包含有一储存电极板100，与栅极层72a制作于同一平面上，且邻近于TFT元件62的区域内，则储存电极板100与下方的穿透电极层78a的重迭区域可成为一电容器。也因此在制作程序的变化是，将第一导电层定义成为扫描电极线72以与栅极层72a的图案同时，亦将第一导电层定义成为储存电极板100的图案。
第六实施例图8显示本发明第六实施例的半反射半穿透液晶显示器的剖面示意图。本发明第六实施例的半反射半穿透的TFT-LCD元件102是依据第二实施例的半反射半穿透的TFT-LCD元件90(如图4所示)的设计，相同之处于此省略叙述。不同之处在于，TFT-LCD元件102另包含有一储存电极板100，与栅极层72a制作于同一平面上，且邻近于TFT元件62的区域内，则储存电极板100与下方的穿透电极层78a的重迭区域可成为一电容器。也因此在制作程序的变化是，将第一导电层定义成为扫描电极线72以与栅极层72a的图案同时，亦将第一导电层定义成为储存电极板100的图案。
第七实施例图9A显示本发明第七实施例的第一种半反射半穿透液晶显示器的剖面示意图，图9B显示本发明第七实施例的第二种半反射半穿透液晶显示器的剖面示意图。
第一种半反射半穿透的TFT-LCD元件104I是依据第三实施例的半反射半穿透的TFT-LCD元件92I(如图5A所示)的设计，相同之处于此省略叙述。第二种半反射半穿透的TFT-LCD元件104II是依据第三实施例的半反射半穿透的TFT-LCD元件92II(如图5B所示)的设计，相同之处于此省略叙述。不同之处在于，TFT-LCD元件104I、104II另包含有一储存电极板100，与栅极层72a制作于同一平面上，且邻近于TFT元件62的区域内，则储存电极板100与下方的穿透电极层78a的重迭区域可成为一电容器。也因此在制作程序的变化是，将第一导电层定义成为扫描电极线72以与栅极层72a的图案同时，亦将第一导电层定义成为储存电极板100的图案。
第八实施例
图10A显示本发明第八实施例的第一种半反射半穿透液晶显示器的剖面示意图，图10B显示本发明第八实施例的第二种半反射半穿透液晶显示器的剖面示意图。
第一种半反射半穿透的TFT-LCD元件106I是依据第四实施例的半反射半穿透的TFT-LCD元件96I(如图6A所示)的设计，相同之处于此省略叙述。第二种半反射半穿透的TFT-LCD元件106II是依据第四实施例的半反射半穿透的TFT-LCD元件96II(如图6B所示)的设计，相同之处于此省略叙述。不同之处在于，硅层78的图案分隔成一有效层区域、一画素电极区域以及一电极板区域，其中有效层区域位于TFT元件76的区域内以制作源极扩散区域78s、漏极扩散区域78d以及信道区域78c，而画素电极区域是用作为穿透电极层78a，至于电极板区域是邻近于TFT元件76以作为一下电极板78b。而且，TFT-LCD元件106I、106II另包含有一储存电极板100，与栅极层72a制作于同一平面上，且邻近于TFT元件62的区域内，则储存电极板100与下方的下电极板78b的重迭区域可成为一电容器。
第九实施例本发明第九实施例是将穿透电极层78a制作成梳子状或栅栏状，可以提高穿透区域T的穿透电极层78a的透光率。图11A显示本发明第九实施例的第一种穿透电极层的平面示意图，图11B显示本发明第九实施例的第二种穿透电极层的平面示意图。
如图11A所示，于定义硅层78的图案时，将穿透电极层78a制作成梳子状，并使每个条状的穿透电极层78a之间保持电性连接，于此种设计下，穿透电极层78a并没有直接与反射电极层88连接，故可应用于前述的图3A、5A、6A、7A、9A、10A所示的结构中。
如图11B所示，于定义硅层78的图案时，将穿透电极层78a制作成多个分隔的条状，于此种设计下，穿透电极层78a必须直接与反射电极层88连接，故可应用于前述的图4、5B、6B、7B、8、9B、10B所示的结构中。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求书所界定者为准。
权利要求
1.一种半反射半穿透液晶显示器，其特征在于包括一下玻璃基板以及一上玻璃基板；一液晶层；多条扫描电极线以及多条数据电极线，形成于该下玻璃基板上，且交叉构成多个画素区域；一薄膜晶体管元件，形成于该下玻璃基板的画素区域内，且包含有一栅极层、一源极扩散区以及一漏极扩散区；一穿透电极层，形成于该下玻璃基板的画素区域内；以及一反射电极层，形成于该下玻璃基板的画素区域内的该穿透电极层上方的一部份区域；其中，该反射电极层以及该穿透电极层的重迭区域成为一反射区域，且未被该反射电层覆盖的该穿透电极层成为一穿透区域；其中，该穿透电极层系由一硅层所构成。
2.如权利要求1所述的半反射半穿透液晶显示器，其特征在于所述硅层为一多晶硅层、一非晶质硅层、一离子掺杂的硅层或一非离子掺杂的硅层；于该穿透区域内的该穿透电极层为一矩形图案、一梳子状图案或多条分隔的条状；以及该反射电极层的表面呈现波浪轮廓。
3.如权利要求1所述的半反射半穿透液晶显示器，其特征在于另包括有一第一绝缘层，形成于该硅层上；一第二绝缘层，形成于该第一绝缘层上，且覆盖该栅极层；一漏极电极层，形成于该第二绝缘层上，且位于该漏极扩散区域的上方，其中该漏极电极层为该数据电极线的延伸部；一源极电极层，形成于该第二绝缘层上，且位于该源极扩散区域的上方；一第一接触插塞，贯穿该第二绝缘层以及该第一绝缘层，以使该源极电极层与该源极扩散区域形成电性连接；以及一绝缘平坦层，形成于该第二绝缘层上，且覆盖该漏极电极层以及该源极电极层；其中，该第一绝缘层、该第二绝缘层以及该绝缘平坦层暴露该穿透区域内的该穿透电极层；其中，该反射电极层形成于该绝缘平坦层的表面上。
4.如权利要求3所述的半反射半穿透液晶显示器，其特征在于另包括有一第二接触插塞，贯穿该绝缘平坦层，以使该源极电极层与该反射电极层形成电性连接；其中，该源极扩散区域与该穿透电极层连接，则该反射电极层可经由该第二接触插塞、该源极电极层、该第一接触插塞以及该源极扩散区域而与该穿透电极层形成电性连接。
5.如权利要求3所述的半反射半穿透液晶显示器，其特征在于包括有一反射电极层的延伸部，自该反射电极层延伸覆盖该绝缘平坦层的侧壁直至与该穿透电极层形成电性连接；其中，该源极扩散区域与该穿透电极层连接，则该源极电极层可经由该第一接触插塞、该源极扩散区域、该穿透电极层而与该反射电极层形成电性连接。
6.如权利要求3所述的半反射半穿透液晶显示器，其特征在于另包括有一第二接触插塞，贯穿该绝缘平坦层，以使该源极电极层与该反射电极层形成电性连接；以及一第三接触插塞，贯穿该第二绝缘层以及该第一绝缘层绝缘平坦层，以使该源极电极层与该穿透电极层形成电性连接；其中，该源极扩散区域与该穿透电极层分隔，则该反射电极层可经由该第二接触插塞、该源极电极层以及该第三接触插塞而与该穿透电极层形成电性连接。
7.如权利要求3所述的半反射半穿透液晶显示器，其特征在于另包含有一反射电极层的延伸部，自该反射电极层延伸覆盖该绝缘平坦层的侧壁直至与该穿透电极层形成电性连接；一第三接触插塞，贯穿该第二绝缘层以及该第一绝缘层绝缘平坦层，以使该源极电极层与该穿透电极层形成电性连接；其中，该源极扩散区域与该穿透电极层分隔，则该源极电极层可经由该第三接触插塞、该穿透电极层而与该反射电极层形成电性连接。
8.如权利要求3所述的半反射半穿透液晶显示器，其特征在于另包括有一第二接触插塞，贯穿该绝缘平坦层，以使该源极电极层与该反射电极层形成电性连接；以及一源极电极层的延伸部，自该源极电极层延伸覆盖该第二绝缘层的侧壁直至与该穿透电极层形成电性连接；其中，该源极扩散区域与该穿透电极层分隔，则该反射电极层可经由该第二接触插塞、该源极电极层的延伸部而与该穿透电极层形成电性连接。
9.如权利要求3所述的半反射半穿透液晶显示器，其特征在于另包括有一源极电极层的延伸部，自该源极电极层延伸覆盖该第二绝缘层的侧壁直至与该穿透电极层形成电性连接；以及一反射电极层的延伸部，自该反射电极层延伸覆盖该绝缘平坦层的侧壁，直至与该源极电极层的延伸部形成电性连接；其中，该源极扩散区域与该穿透电极层分隔，则该反射电极层的延伸部可经由该源极电极层的延伸部而与该穿透电极层形成电性连接。
10.如权利要求3所述的半反射半穿透液晶显示器，其特征在于另包括有一储存电极板，形成于该第一绝缘层与该第二绝缘层之间，且邻近于该薄膜晶体管元件；其中，该储存电极板与该栅极层制作于同一平面上，则该储存电极板与下方的该穿透电极层的重迭区域可成为一电容器。
全文摘要
一种半反射半穿透液晶显示器，其画素区域内包含有一薄膜晶体管(TFT)元件、一穿透电极层以及一反射电极层，其中该反射电极层以及该穿透电极层的重迭区域成为一反射区域，且未被该反射电层覆盖的该穿透电极层成为一穿透区域。而且，该穿透电极层、薄膜晶体管(TFT)元件的源极扩散区以及漏极扩散区系由同一硅层所构成。
文档编号G02F1/1333GK1680848SQ20041003111
公开日2005年10月12日 申请日期2004年4月6日 优先权日2004年4月6日
发明者温志坚, 丁岱良, 林国隆, 何玄政, 吴逸蔚 申请人:统宝光电股份有限公司