专利名称：相对于支撑台定位基片的方法与设备的制作方法
技术领域：
本申请一般关于基片处理，尤其关于相对于支撑台定位基片。
背景技术：
在平板显示器的制造过程中，玻璃基片可被放置在支撑台(support stage)上，以进行处理和/或测试。典型的基片处理可包括光刻、沉积、蚀刻、退火等，典型的基片测试可包括检验在基片上形成的薄膜晶体管的工作状态，电子束检查(e-beam inspection)，探伤(defect detection)等。
为了准确识别用于进行处理和/或测试的装置和/或基片的位置，和/或为了减少器件/位置的搜索时间，应该确定基片相对于支撑台的位置。因此，需要一种能快速、精确定位基片相对于支撑台位置的改进的方法和设备。
发明内容
在本发明第一方式中，提供一种基片定位系统(substrate positioning system)，其适于相对于一个基片的支撑台调整所述基片的位置。所述基片定位系统包括多个在支撑台周围的间隔开设置的推块(pusher)。每个推块均适于(1)设置一个回缩位置以使所述基片被装载在所述支撑台上或从其上卸载下来；(2)向支撑在所述台上的所述基片的一个边缘延伸；(3)接触所述基片的所述边缘；以及(4)持续延伸以使所述基片沿着所述台并相对于所述台移动，直到所述基片相对于所述台被校准(例如，直到所述基片相对于所述台与一个位置和/或方向已知的X-Y坐标系找正(align with))。
在本发明的第二个方式中，提供一个推动装置，该推动装置包括一个推块，其适于(1)向支撑在一个台上的基片的一个边缘延伸；(2)当所述基片支撑在所述台上时，接触所述基片的所述边缘；以及(3)持续延伸以使所述基片相对于所述台向一个或多个挡块(stop)移动，直到所述基片接触所述一个或多个挡块。
在本发明的第三个方式中，提供一种相对于支撑基片的一个台调整所述基片位置的方法。所述方法包括以下步骤(1)在一个台周围间隔开设置多个推块和挡块，所述台适于支撑基片；(2)使每个推块向所述基片的一个边缘延伸；(3)使每个推块与所述基片的所述边缘接触；以及(4)使每个推块持续延伸以使所述基片相对于所述台向一个或多个所述挡块移动，直到所述基片接触所述一个或多个挡块。本发明也提供了许多其它方式，比如与本发明这些或其它方式相应的方法和设备。
通过下面对示例性实施例的详细描述、所附权利要求以及附图，本发明的其它特征和方式将更为清楚。
图1A是根据本发明临近一个支撑台的基片定位系统的一个示例性实施例的示意性俯视图。
图1B是图1A的所述基片定位系统的示意性俯视图，其中所述基片定位系统的结构是使每一个推块都与一个基片的边缘接触。
图1C是图1A的所述基片定位系统的示意性俯视图，说明所述基片定位系统的结构，其中一个支撑在支撑台上的基片已经被所述基片定位系统相对于所述支撑台校准。
图2是根据本发明的一个推动装置(pushing device)的示例性实施例的侧视图。
图3是根据本发明的一个止动装置(stopping device)的示例性实施例的侧视图。
图4是一个流程图，说明当支撑台支撑基片时，相对于所述支撑台的预定坐标系校准所述基片的过程。
图5A是图1A-1C所述的所述基片定位系统的示意性俯视图，其中所述基片与所述支撑台未找正。
图5B是图5A的所述基片定位系统的示意性俯视图，其中所述基片定位系统的结构是使每一个推块接触所述基片的所述边缘。
图5C是图5A的所述基片定位系统的示意性俯视图，说明所述基片定位系统的结构，其中支撑在所述支撑台上的所述基片已经相对于所述支撑台校准。
图6是根据本发明的一个作为选择的推动装置的侧视图。
具体实施例方式
用于玻璃基片生产的传统制造方法可以生产尺寸不同的基片，该玻璃基片例如用于平板显示器和其它应用。例如，具有标称宽度和长度为1米×1.2米的玻璃基片每侧可有+/-0.5mm或更大的偏差(variation)。
玻璃基片尺寸的这种偏差在器件处理和/或测试中可能产生问题。例如，在掩模对齐(mask alignment)过程中，光刻系统(lithographic system)可能依赖一个或多个电子束搜索位于基片表面上的注册号(registration mark)。当基片上期望电子束在其内进行扫描的表面区域被最小化时，电子束会发挥最大功效，所述扫描例如是为了查找其中的特定注册号。然而，基片尺寸如上文所述的偏差往往会增加电子束必须在其内扫描以便定位注册号的面积。电子束扫描面积的任何增加均可能增加查找注册号所需的时间。由于在基片表面上的掩模印刷必须被延迟，直至建立合适的对齐状态，因此较长的扫描时间会直接影响光刻处理的效率。而且，较长的电子束扫描时间会由于电子束扫描过程中出现的过量电荷积累而损坏形成于基片上的器件(device)。
在本发明第一方式中，此处所公开的方法和设备适于使放置于支撑台上的基片相对于该支撑台进行定位和/或定向调整(adjustment)，该支撑台可以是检测台或其它类型的基片处理台。优选，根据本发明第一方式进行的基片定位和/或定向会使相对于支撑台的已知位置和方向对基片至少进行粗对准(rough alignment)。在一特定实施例中，尽管基片尺寸有偏差，但这种粗对准可以进行，从而在光刻处理过程中减少和/或最小化电子束的扫描面积和/或扫描时间。如下文进一步描述的，这种基片对准(substrate alignment)操作可以快速完成，并且成本也不高，并可以与其它基片处理步骤一起采用和/或在器件测试过程中采用。
图1A是根据本发明的一种基片定位系统101的一个示例性实施例的示意性俯视图。所述基片定位系统101临近一个支撑台103设置，所述支撑台支撑具有一个边缘107的一个基片105。如图1A所示，所述基片定位系统101包括多个推块109和间隔开设置在所述支撑台103周围的挡块111。每个推块109适于设置一个回缩位置(retracted position)113，这样所述基片105就可以通过多种装载/移出装置的一种(未示出)，方便地装载在所述支撑台103上或从其上卸载下来，比如通过人工操作者，或者通过机器人用末端执行器把所述基片105相对于所述支撑台103降低和/或升高。
所述基片定位系统101适于使每个推块109从其回缩位置113向所述基片105延伸，与所述基片105的所述边缘107接触，并且将一个推力(未示出)施加到所述基片105的所述边缘107上。尤其是，当所述基片支撑在所述支撑台103上时，所述基片定位系统101可以用多个推块109将所述基片105相对于(例如将所述基片105滑动到顶上)所述支撑台103移动。例如，所述基片定位系统101可以至少部分地通过所述推块109引起的所述基片105的上述运动，调整所述基片105相对于所述支撑台103的位置和/或方向。这样的调整可以校准所述基片105相对于所述支撑台103的所述位置和所述方向，这样，在调整之后，所述基片105的所述边缘107将相对于所述支撑台103与一个预定的位置和方向已知的X-Y坐标系115对准(例如一个第一垂直定位基准平面(datumplane)117(显示了轮廓线)，以及一个基本上垂直于所述第一垂直定位基准平面117的第二垂直定位基准平面119(也显示了轮廓线))。
如图1A所示，所述基片定位系统101的所述挡块111占据了相对于所述支撑台的预定位置和/或方向，以便于共同确定一个与所述支撑台103的所述预定的X-Y坐标系115找正的基片边缘阱(substrate edge trap)121。优选，所述基片边缘阱121按照基片的一个边缘(例如所述基片105的所述边缘107)的形式成型以装载在所述支撑台103上。
图1B是图1A的所述基片定位系统101的示例性实施例的示意性俯视图，其中每一个推块109都与所述基片105的所述边缘107接触。在该实施例中显示，每个推块109适于在所述支撑台103的方向上沿着通常的直线路径(未示出)从与所述推块109相结合的所述回缩位置113延伸，并且与所述基片105的所述边缘107的一部分相接触。非直线延伸路径也可以使用。
图1C是图1A的所述基片定位系统101的示例性实施例的示意性俯视图，其中仍然被所述支撑台103支撑的所述基片105已经被所述基片定位系统101校准到所述支撑台107上，这样所述基片105的所述边缘107就相对于所述支撑台103的所述预定的X-Y坐标系115(图1A)找正。如上面简要描述，所述基片定位系统101可以使用所述推块109的推力来调整所述基片105相对于所述支撑台103的位置。例如，所述基片定位系统101可以将所述基片105从图1A的位置移动到图的位置。在所述基片105的图1C的位置中，所述基片105的所述边缘107的两侧面与所述预定的X-Y坐标系115(图1A)的所述第一垂直定位基准平面117(图1A)和所述第二垂直定位基准平面找正(图1A)。在本发明的至少一个实施例中，一旦所述基片105与所述挡块111平齐(flushagainst)时(图1C)，基片定位系统101就引导每个推块109停止向所述基片105的所述边缘107施加推力(未示出)。此外，因此每个推块109都可以被引导以从所述基片105和所述支撑台103回缩到与所述推块109相关联的所述回缩位置113，如图1A所示。
图2是根据本发明的一个示例性推动装置123的侧视图，该推动装置可以包括图1A-图1C所示的所述基片定位系统101的所述推块109。所述推动装置123适于使所述推块109向所述基片105和/或所述支撑台103移动，并且将所述基片105相对于所述支撑台103移动。(如图2所示，为了减少在此运动期间，所述支撑台103刮伤所述基片，所述支撑台103可以涂敷上低摩擦涂层125，诸如特氟隆(例如聚四氟乙烯)或其它类似材料。)所述推动装置123也适于使所述推块109从所述基片105和/或所述支撑台103移走，例如当一个基片被装载在所述支撑台103上或从其上被卸载的时候。
所述基片定位系统101的每个推块109包括一个主体127，它在至少一个实施例中可以是刚性的以利于对所述基片105的位置和方向进行精确调整。每个推块109的所述主体127还可以包括适于与一基片的所述边缘(例如所述基片105的所述边缘107)接触的一个推动表面。在本发明的一个或更多实施例中，每个推块109的所述主体127的所述推动表面129可以包括一低摩擦涂层131(例如特氟隆或类似物)。用所述基片定位系统101定位期间，当一基片必须滑靠在一推块109上时，类似这样的低摩擦涂层就可能是有益的。
除了所述推块109，所述推动装置123还包括图2中的与推块109连接(例如在所述基片105的所述边缘107的高处)的推块支撑件(pusher support)133。在所述推动装置123的其它实施例中(未示出)，所述推块109和所述推块支撑件133是一个组合件中不可分离的部分，但是，是一元式结构的一个单件的可分离的特征。
所述推动装置123还包括(1)一个偏压装置(biasing device)135，适于与所述推块支撑133相接触和/或结合，并且向所述推块支撑133施加一偏压力(以箭头135a表示)；(2)一个抗偏压装置(bias-defeating device)137，适于与所述推块支撑133接触和/或连接，并且把一个回缩力(由箭头137a代表)施加到所述推块支撑133上；(3)一个公共框架(common frame)139，所述偏压装置135和抗偏压装置137安装在其上，并且依靠在其上，所述偏压装置135和抗偏压装置137适于在产生并施加上述各自的偏压力和回缩力(retracting force)期间压缩。
在图2中描述的所述推动装置123的示例性实施例中，所述偏压装置135包括一个盘簧(coil spring)141。本领域技术人员也可以发现所述偏压装置135的其它多个实施例。例如，所述偏压装置135可以包括一个气筒、一个贝式垫圈(Belleville washer)、一个板簧，等等。
在至少一个实施例中，所述抗偏压装置137包括一个风箱(be11ows)143。作为选择，所述抗偏压装置137可以包括一个电动机驱动丝杠(lead screw)或类似装置。
如图2所示，所示公共框架139可以适于限制所述推块109的运动，以防止所述推块109(和/或所述推块支撑件133)和所述支撑台103之间的碰撞。例如，所述公共框架139可以包括一个挡块145，它适于与所述推块支撑件133接触，并且一旦发生接触时，防止所述推块支撑件133不再向所述支撑台103进一步移动。
工作中，所述推动装置123触发所述抗偏压装置137，以开始向所述推块支撑件133施加一回缩力，例如，假设所述推块支撑件133在图2中的所述支撑台103附近的一个延伸后的位置(未示出)(图2中所述推块支撑件133运动范围的这个最左边的限制在下面进一步讨论)。所述回缩力必须变得比所述偏压装置135的偏压力大，因为所述推动装置123的全部的原动力使所述推块109开始移离所述支撑台103和/或所述基片105。当所述推块109离开所述支撑台103时，所述偏压装置135变得越来越扁。
所述抗偏压装置137的行为可以是这样，即使得所述推块109可以从所述支撑台103处相对快速地移开，这依赖于所述回缩力相对于所述偏压力的大小。依赖于所述偏压装置135的特性，当所述偏压装置135变得越来越扁时，所述偏压装置产生的偏压力增大。如上所述在所述抗偏压装置137包括所述风箱143的情况下，所述风箱143能够很快充气以使所述风箱143迅速膨胀，以将所述推块109移离所述支撑台103。
所述推块109可以移离所述支撑台103，直到所述推块109和/或所述推块支撑件133到达一个运动限度(limit of motion)(例如图1A所示的所述推块109的回缩位置)。这个限度可以用很多不同的方法建立。例如，所述推块支撑件133可以与所述公共框架139接触，或者所述盘簧141可以到达完全压缩状态，这阻止了所述推块支撑件133的进一步运动。本领域技术人员可以找到建立这样的一个限度的其它方法。
当由所述抗偏压装置137产生的所述回缩力比由所述偏压装置135产生的偏压力弱时，发生所述推块109向所述支撑台103的运动。首选所述推块109向所述支撑台103的可控运动，因为与所述基片105的所述边缘107接触是优选建立在所述推块109以相对较低的速度运动的情况下(例如为了防止所述推块109和所述基片105的所述边缘107之间，或者挡块111和所述基片105的所述边缘107之间的破坏性碰撞)。
所述推块109的这样的可控运动可以实现，例如，通过逐渐减小所述抗偏压装置137的回缩力，以便于所述推块109开始离开所述回缩位置113，并且向所述支撑台103和/或所述基片105以相对较低的速度移动。例如，如上所述在所述抗偏压装置137包括所述风箱143的情况下，所述风箱143能够逐渐放气以使由所述风箱143产生的回缩力的慢慢变小，并且在彻底放气后，由所述偏压装置135产生的偏压力将占据优势，并使所述推块109向所述支撑台103移动。当所述偏压装置135包括所述盘簧141的时候，随着所述推块109开始离开其回缩位置，所述偏压力将达到其峰值，并且之后，随着所述盘簧141松弛，偏压力将减弱(例如在所述盘簧141的不断放气对所述偏压力随着所述盘簧的解压，从而保持优势而言是必需的)。
所述推块109可以向所述支撑台103的方向移动，直到所述推块109在此方向到达一个运动限度。这个限度可以通过由所述推块109施加在所述基片105的所述边缘107上的推力来建立，所述推块109受到一个或多个所述挡块111施加到所述基片105的所述边缘107上的一个大小相等且方向反向的力的完全抵抗(图1A)。如果缺乏来自所述挡块111的这样的抵抗，所述推块109的所述运动限度可以通过所述推块支撑件133直接与所述推动装置123的所述挡块145接触来建立。所述移动限度还可以通过所述抗偏压装置137到达完全压缩状态以防止所述推块支撑件133的进一步移动而确立。其它建立限度的方法也可以使用，像下面所述通过传感器(图6)和一个控制器(图6)的使用。
图3是根据本发明的示例性止动装置(stopping device)147的示意性侧视图，该止动装置可以包括图1A-1C所示的基片定位系统101的所述挡块111。所述止动装置147适于将所述挡块111设置在所述基片105的所述边缘107的高度，适于将所述挡块111限定在一个方向上，该方向适于使所述挡块111与所述基片的所述边缘107之间接触，并且支持(brace)所述挡块111(例如当与所述推块109相关的推力通过所述基片105传输到所述挡块111上的情形)以使所述挡块111相对于所述支撑台103保持预定的X-Y位置。所述基片定位系统101包括多个所述止动装置147，每个止动装置147对应于挡块111中的一个(图1A)。
如图3所述，所述基片定位系统101的每个挡块111包括一个主体149，主体可以具有适于与一基片的所述边缘(例如所述基片105的所述边缘107)接触的一个止动表面(stopping surface)151。在本发明的一个或更多的实施例中，每个挡块111的所述主体149的所述止动表面151可以包括一个低摩擦涂层153(例如特氟纶或类似物)。用所述基片定位系统101(下面描述)定位期间，如果一基片必须滑靠在一挡块111上，那么像这样的低摩擦涂层就具有优势。
在一些此类实施例中，所述挡块111的所述止动表面151可以是曲面。在另一些实施例中，所述挡块111的所述止动表面151可以基本上是平面。也可以用其它结构。
所述止动装置147还包括一个挡块支撑155，所述挡块111与其连接(例如在所述基片105的所述边缘107的高度)。所述挡块支撑155可以固附在一个基座157上并且从那向上延伸，所述支撑台103被固附在所述基座上。作为选择，所述挡块支撑155可以与所述支撑台103连接。优选，所述挡块支撑155处于一个相对于所述支撑台103基本不变的的X-Y位置(例如与图1A所述X-Y坐标系115相一致或定义该坐标系)。
在操作的一个优选模式中，所述挡块111适于防止所述基片105相对于所述支撑台103做超过由所述挡块111所确定的限度的任何进一步移动(例如当所述基片105的所述边缘107直接与所述挡块111的所述主体149的所述止动表面151接触时)。所述止动装置147适于支持所述挡块111抵抗所述推块109的推力，以基本防止所述挡块111因为所述推力而发生移动。
图4是一个流程图，说明当所述支撑台支撑所述基片时，将一个基片相对于一个支撑台的预定坐标系校准的过程。参考图4，也参考图1A-1C、图2和图3，过程400从步骤401开始。在步骤402中，假设所述推块109处于它们的回缩位置113，所述基片105被装载在所述支撑台103上(图1A)。步骤402可以通过任何合适的装置或工序完成，例如通过一个或更多的人工操作者或者通过装备了一个末端执行器的机器人的干预(intervention)，这样所述基片105就在相对于所述支撑台103的一个合适的位置处被放置在所述支撑台103上面，例如在使所述基片定位系统101能随后相对于所述支撑台103调整所述基片105的所述位置和/或所述方向的一个位置。
在步骤403中，每个推块109必要的时候向所述基片105的所述边缘107延伸，以同所述基片105的所述边缘107获得接触。在所述步骤403的一个实施例中，每个推动装置123(图2)使由所述偏压装置135产生的所述偏压力135a比任何由所述抗偏压装置137(图2)产生的回缩力137a更占据优势。例如，在所述风箱143内的压力可以减小以减小所述回缩力，否则回缩力会把每个推块109维持在所述回缩位置113。通过这种方式，每个推块109将向所述基片105的所述边缘107移动。
在步骤404中，所述基片定位系统101的每个推块109与所述基片105的所述边缘107接触。所述推块109不需要与所述基片105的所述边缘107同时接触，例如正像每个推块109不论延伸与所述基片105的所述边缘107的部分获得接触所需要的多长距离，所述基片105位于那个推块109的路径上。
在过程400的一个实施例中，一旦在一个特定推块109和所述基片105的所述边缘107之间获得接触(步骤404)，在所述基片105和所述支撑台103之间的任何随后的移动期间，那个推块109保持同所述基片105的所述边缘107的基本持续的接触。在所述过程400的另一个实施例中，一旦在一个特定推块109和所述基片105的所述边缘107之间获得接触(步骤404)，在所述基片105和所述支撑台103之间的移动期间，那个推块109和所述基片105的所述边缘107之间随后的可能中断接触。
在步骤405中每个推块109在必要时不断地延伸，以使所述基片105相对于所述支撑台103的位置，相对于所述支撑台103的所述预定X-Y坐标系校准。例如，每个所述基片定位系统101的推动装置123可以使其相应的推块109延伸，直到与所述推块109相对的所述基片105的所述边缘107与所述挡块111相接触和/或压靠在所述挡块111上，在所述基片105在所述支撑台103上定位过程中，所述推块109向所述挡块移动。在所述过程400的此类的一个实施例中，在所述推动装置123使所述推块109停止延伸时，所述基片105会嵌在(trap)所述推块109同所述基片定位系统101的一个或多个挡块111之间或被“夹住(grip)”。
在步骤406中，所述过程400结束。尽管上面没有描述，在所述过程400的结束处，一个或更多的推块109或所有的推块109可以分别回缩到它们各自的回缩位置113，以准备随后从所述支撑台103卸载所述基片105。作为选择，由一个或更多的所述推块109在所述基片105的所述边缘107上产生的推力可以持续，例如为了保证在随后的处理步骤期间，将所述基片相对于所述支撑台103的正确定位，这些随后的处理步骤包括，如电子束搜索，或常规探伤。过程400的步骤401-406中的一步或多步可以通过一个控制器(未示出)来实现，该控制器是可以操作的，以控制每一个推块109的位置(例如通过控制到/来自每个推动装置123的所述风箱143的气流)。此外，所述步骤401-406中的一步或多步可以作为存储在一个合适的计算机可读介质中的一个或多个计算机程序产品(例如一个载波信号、硬盘、随机存取存储器，等等)来实施。
图5A是图1A-1C的所述基片定位系统101的示意性俯视图，其中基片105a在装载到所述支撑台103上以后，未与所述支撑台103对准。参考图5A，尽管相对于所述支撑台103，所述基片105a未对准定向，所述基片定位系统101仍然可以校正所述基片105a相对于所述支撑台103的所述位置和/或方向，以使所述基片105a的所述边缘107与所述预定X-Y坐标系115找正(图1A)。
图5B是图5A的所述基片定位系统101的示意性俯视图，其中每个推块109与所述基片105a的所述边缘107接触。在图5A所示的基片定位系统101的所述示例性实施例中，每个所述推块109的方向相对于某一方向固定，在这个方向上所述推块109与所述推块109相关的所述回缩位置113延伸。同样的，至少在每个推块109和所述基片105a的所述边缘107之间的最初接触被在所述推块109和由所述推块109接触的所述基片105a的所述边缘107之间部分的未对准特征化(每个推块109相对于所述推块延伸的一个方向上的定向不需要固定)。
图5C是图5A的基片定位系统101的示意性俯视图，其中仍然被所述支撑台103支撑的所述基片105a已经通过所述基片定位系统101相对于所述支撑台103校准，这样所述基片105a的所述边缘107就与所述支撑台103的所述预定X-Y坐标系(图1A)找正。参考图5C，如图5A-5B所示的所述基片105a的相对于所述支撑台103的未对准的特征得到修正。图5A-5C中阐释的所述基片定位系统101的示例性实施例允许每个推块109与所述基片105a的所述边缘107之间的滑动线性传递，并且允许每个挡块与所述基片105a的所述边缘107之间的滑动传递(例如滑动线性传递)，以调整所述基片105a的所有方向(例如使所述基片105a的所述边缘107相对于所述支撑台103的所述预定X-Y坐标系115(图1A)找正)。
在图5A-5C所示的所述基片定位系统101的示例性实施例中，每个推块109可以承受一个单独的并且唯一的偏压力，并且适于在延伸的不同方向上延伸，必要时也通过不同的延伸距离，这样具有不同尺寸和/或比例以及具有相对于所述支撑台103的不同的初始方向角度的基片就能够相对于所述支撑台103的所述预定X-Y坐标系115(图1A)校准以获得基本相同的精确角度。
图6是根据本发明的一个作为选择的推动装置123a的示意性侧视图。图6的所述推动装置123a与图2的所述推动装置123相似。例如，所述推动装置123a包括一个推块109，一个推块支撑件133，一个偏压装置135，一个抗偏压装置137，以及一个公共框架139，图2的所述推动装置123也是这样。然而所述推动装置123a还包括一个导轴159，它适于旋转(例如在所述公共框架139中的轴承(未示出)内部)，并且在所述推块支撑件133相对于所述公共框架139移动的时候，支撑并引导所述推块支撑件133。也可以提供一个传感器161，例如与所述公共框架139连接，并且适于对应所述导轴159的旋转速度和/或转动位置产生一个信号和/或多个信号。图6的示例性实施例还包括一个控制器163，它适于接收来自所述传感器161的信号并基于该信号确定所述推块109相对于所述支撑台103的位置。
在图6的实施例中，所述偏压装置135和所述抗偏压装置137同所述导轴共轴，以使所述推块支撑件133相对于所述公共框架139平滑移动，和/或消除在所述推动装置123a中的至少一种扭矩来源。所述导轴159可以包括例如一个丝杠或类似物。
前面描述所公开的仅仅是本发明的示例性实施例；显然，对本领域的普通技术人员而言，任何对本发明的上述公开的设备和方法的改造和修改都包括在本发明的范围内。例如，当本发明已经主要描述了关于如何调整玻璃基片相对于支撑台的位置，应该明白本发明可以用于调整其它类型的基片的位置。
因此，虽然本发明联系示例性实施例进行了公开，但应该明白其它实施例也可能落入本发明的精神和范围内，本发明的精神和范围由所附的权利要求书限定。
权利要求
1.一种基片定位系统，其适于相对于一个台，调整一个基片的一个边缘的位置，所述台支撑所述基片，所述基片定位系统包括多个推动装置和挡块，所述多个推动装置和挡块在一个适于支撑基片的台的周围间隔开设置，其中每个挡块相对于所述台占据一个固定位置，并且每个推动装置包括一个可移动的推块，所述推块适于向由所述台支撑的所述基片的一个边缘延伸；当所述基片支撑在所述台上时，接触所述基片的所述边缘；以及持续延伸以使所述基片相对于所述台向一个或多个挡块移动，直到所述基片接触所述一个或多个挡块。
2.如权利要求1所述的基片定位系统，其中每个推动装置适于使所述推动装置的所述推块向支撑在所述台上的所述基片的所述边缘延伸；使所述推动装置的所述推块在所述基片支撑在所述台上时，接触所述基片的所述边缘；以及使所述推动装置的所述推块持续延伸，以使所述基片相对于所述台向一个或多个挡块移动，直到所述基片接触所述一个或多个挡块。
3.如权利要求2所述的基片定位系统，其中每个推动装置的所述推块还适于从所述基片的所述边缘回缩；以及每个推动装置还适于使所述推动装置的所述推块从所述基片的所述边缘回缩。
4.如权利要求1所述的基片定位系统，还包括一个与每个推动装置耦合的控制器，并且适于使每个推动装置的所述推块向支撑在所述台上的所述基片的所述边缘延伸；使每个推动装置的所述推块在所述基片支撑在所述台上时，接触所述基片的所述边缘；以及使每个推动装置的所述推块持续延伸，以使所述基片相对于所述台向一个或多个挡块移动，直到所述基片接触所述一个或多个挡块。
5.如权利要求1所述的基片定位系统，其中每个推块还适于沿一直线路径，向所述基片的所述边缘延伸。
6.如权利要求5所述的基片定位系统，其中所述多个推动装置位于一个包含所述推块的所述直线路径的公共平面上。
7.如权利要求6所述的基片定位系统，其中所述多个推动装置包括一个第一推动装置，其这样定位，即使所述第一推动装置的所述推块在第一方向上延伸；以及一个第二推动装置，其这样定位，即使所述第二推动装置的所述推块在一个基本上垂直于所述第一方向的第二方向上延伸。
8.如权利要求1所述的基片定位系统，其中每个推动装置还包括一个偏压装置，其与所述推动装置的所述推块连接，并适于将所述推块向所述基片的所述边缘移动。
9.如权利要求8所述的基片定位系统，其中所述偏压装置包括一弹簧。
10.如权利要求8所述的基片定位系统，其中每个推动装置还包括一个回缩装置，它与所述推动装置的所述推块连接，并适于抵抗所述偏压装置以将所述推块从所述基片的所述边缘移走。
11.一种推动装置，包括一推块，该推块适于向支撑在所述台上的所述基片的一个边缘延伸；当所述基片支撑在所述台上时，接触所述基片的所述边缘；以及持续延伸以使所述基片相对于所述台向一个或多个挡块移动，直到所述基片接触所述一个或多个挡块。
12.如权利要求11所述的推动装置，还包括一个偏压装置，其适于向所述推块施加一偏压力；以及一个抗偏压装置，其适于向所述推块施加一回缩力，以抵抗所述偏压装置的所述偏压力。
13.如权利要求12所述的推动装置，还包括与所述偏压装置和所述抗偏压装置连接的一个公共框架。
14.如权利要求13所述的推动装置，其中所述公共框架适于限制所述推块的运动，以防止所述推块和所述台之间的碰撞。
15.如权利要求12所述的推动装置，还包括与所述推块连接的一个推块支撑件。
16.如权利要求15所述的推动装置，还包括适于支撑并引导所述推块支撑件的一根导轴。
17.如权利要求16所述的推动装置，还包括一个传感器，其适于对应于所述导轴的旋转速度和所述导轴的转动位置中的至少之一，产生一个信号。
18.如权利要求17所述的推动装置，还包括一个控制器，其适于接收来自所述传感器的信号；以及基于所述信号，相对于所述台，确定所述推动装置的位置。
19.一种止动装置，包括一个挡块，其适于防止基片相对于支撑台移动；以及一止动装置，其与所述挡块连接，并适于支持所述挡块抵抗施加到所述基片的一个边缘上的推力，以基本上防止所述挡块由于所述推力而产生的运动。
20.如权利要求19所述的止动装置，其中所述止动装置还适于将所述挡块设置在基片的一个边缘的高度；以及支持所述挡块以使所述挡块相对于所述台保持一个预定的X-Y位置。
21.一种相对于一个支撑基片的台，调整所述基片的位置的方法，所述方法包括在一个台的周围间隔开设置多个推块和挡块，该台适于支撑一个基片；使每个推块向所述基片的一个边缘延伸；使每个推块接触所述基片的所述边缘；使每个推块持续延伸，以使所述基片相对于所述台，向一个或多个挡块移动，直到所述基片接触所述一个或多个挡块。
22.如权利要求21所述的方法，其中使每个推块向所述基片的一个边缘延伸包括使施加在每个推块上的偏压力大于施加在每个推块上的回缩力。
23.如权利要求21所述的方法，其中使每一个推块持续延伸，以使所述基片相对于所述台向一个或多个挡块移动，直到所述基片与所述一个或多个挡块接触包括使所述基片相对于所述台的位置相对于所述台的一个X-Y坐标系校准。
24.如权利要求21所述的方法，还包括使所述多个推块中的一个或多个回缩。
25.如权利要求21所述的方法，还包括把一基片装载到所述台上。
26.如权利要求25所述的方法，其中所述基片与所述台未找正。
27.如权利要求26所述的方法，还包括允许每个推块和所述基片的所述边缘之间的滑动传递；以及允许每个挡块和所述基片的所述边缘之间的滑动传递。
28.一种计算机程序产品，包括一计算机可读介质，所述计算机可读介质具有计算机程序代码，所述计算机程序代码适于使多个推块向基片的一个边缘延伸，其中所述多个推块和多个挡块间隔开设置在一个台的周围，该台适于支撑所述基片；使每个推块向所述基片的所述边缘延伸；使每个推块接触所述基片的所述边缘；使每个推块持续延伸以使所述基片相对于所述台向一个或多个挡块移动，直到所述基片接触所述一个或多个挡块。
29.如权利要求28所述的计算机程序产品，其中所述计算机程序代码还适于通过减小所述回缩力而使施加在每个推块上的偏压力大于施加在每个推块上的回缩力。
30.如权利要求29所述的计算机程序产品，其中所述计算机程序代码还适于使所述基片相对于所述台的位置相对于所述台的一个X-Y坐标系校准。
31.如权利要求29所述的计算机程序产品，其中所述计算机程序代码还适于通过增大所述回缩力而使多个推块中的一个或多个回缩。
全文摘要
在本发明的第一个方式中，一个基片定位系统包括在支撑基片的一个台的周围间隔开设置的多个推块；每个推块适于设置一个回缩位置以使所述基片被装载在所述台上或从其上卸载；向支撑在所述台上的所述基片的一个边缘延伸；接触所述基片的所述边缘；并且持续延伸以使所述基片相对于所述台移动，直到所述基片相对于所述台校准。本发明还提供了许多其它方式。
文档编号G03F7/20GK1536640SQ200410031369
公开日2004年10月13日 申请日期2004年2月20日 优先权日2003年2月20日
发明者S·栗太, E·贝尔, S 栗太 申请人:应用材料有限公司