专利名称：制造具有图案化间隔体的液晶显示器用滤色器基板的方法
技术领域：
本发明涉及制造用于液晶显示(LCD)器件的滤色器基板的方法，更具体地，涉及制造具有图案化间隔体(patterned spacer)的滤色器基板的方法。
背景技术：
通常，液晶显示(LCD)器件利用了液晶分子的光学各向异性和偏振特性。液晶分子由于其长且薄的形状而具有明确的取向。可以通过对液晶分子施加电场来控制液晶分子的取向。液晶分子的取向根据所施加电场的强度而变化。经过液晶材料的入射光由于液晶分子的取向而被折射。由此，可以控制入射光的强度并可以显示图像。
在通常使用的各种类型的LCD器件中，有源矩阵LCD(AM-LCD)器件由于其高分辨率以及对于运动图像的优良显示而得到了发展。在有源矩阵LCD(AM-LCD)器件中，将薄膜晶体管(TFT)和连接到这些TFT的像素电极设置成矩阵结构。
LCD器件包括上基板和下基板，以及插入其间的液晶层。通常将上基板和下基板分别称为滤色器基板和阵列基板。在上基板上形成公共电极和滤色器层。在下基板上形成TFT和像素电极。在上基板和下基板的其中之一的周围设置密封图案，用于使上基板和下基板互相接合。
在形成公共电极、滤色器层、TFT和像素电极之后，对LCD器件进行在上基板和下基板之间形成液晶层的液晶单元处理。液晶单元处理可以分为形成配向层以对液晶分子进行配向的工艺、形成单元间隙(cellgap)的工艺、将滤色器基板和阵列基板连接在一起的工艺、将经过连接的滤色器基板和阵列基板切割成多个单元的工艺、以及注入液晶分子的工艺。由此，利用液晶单元处理制造了液晶显示板。
图1是现有技术的液晶显示器件的透视图。参照图1，液晶显示器件1包括互相面对设置的第一基板10和第二基板60。液晶层80插入第一基板10和第二基板60之间。随后在第二基板60的内表面上形成滤色器层65和公共电极70。通过公共电极70对液晶分子80施加电场。虽然未示出，但是滤色器层65包括用于只通过特定波长光的红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器，以及黑底。黑底设置在滤色器的边缘区域(boundary region)，并遮蔽其中无法控制液晶层80的配向的区域，使之不受光照射。例如，在第一基板10的背面安装诸如背光单元的附加光源(未示出)。
在第一基板10的内表面上以矩阵阵列形式形成多个选通线15和多个数据线20。在选通线15和数据线20的交叉部分设置多个TFT“Tr”，并且在由选通线15和数据线20的交叉所限定的像素区P处设置连接到TFT'的像素电极30，TFT“Tr”是开关装置。
虽然未示出，但是LCD器件1需要多个内间隔体来保持由液晶层80的厚度所限定的单元间隙。但是，由于多个球间隔体随机分布在第一基板10和第二基板60之间，所以配向层的质量由于球间隔体的移动而下降。此外，由于球间隔体附近的液晶分子之间的吸附力，在球间隔体附近的区域中可能发生漏光。而且，在大尺寸的LCD器件中可能不能获得均匀的单元间隙。此外，由于球间隔体是弹性的，并且不会保持在固定位置，所以当触摸LCD器件1时可能出现严重的波纹现象(ripplephenomenon)。因此，当使用球间隔体来保持均匀单元间隔时，LCD器件1中不能获得优良的显示质量。
与此相反，由于图案化间隔体形成在非像素区中，所以使用图案化间隔体可以很容易地获得均匀的单元间隔，由此防止漏光并提高对比度。此外，由于可以精确控制图案化间隔体，所以图案化间隔体可以应用于要形成小单元间隔的LCD器件。此外，由于图案化间隔体是固定的，所以它们可以容易地应用于大尺寸的LCD器件，并且可以防止当触摸LCD器件时出现波纹现象。由于在例如IPS型LCD器件中从滤色器基板中省略了公共电极的情况下，可以将图案化间隔体直接形成在外覆层(overcoat layer)上，所以提高了图案化间隔体的可靠性。
图2是表示根据现有技术的具有图案化间隔体的LCD器件的示意平面图。图3是沿图2的线III-III的示意性剖视图。参照图2，沿第一方向在第一基板10(图1中所示)上形成多个选通线15。多个选通线15包括栅极13。沿与选通线15交叉的第二方向形成数据线20，以限定像素区P。薄膜晶体管TFT“Tr”连接到选通线15和数据线20。
参照图3，在栅极13上形成栅绝缘层17。随后通过在栅极13之上的栅绝缘层17上淀积有源层19a和欧姆接触层19b来形成半导体层19。在半导体层19上形成源极23和漏极25，在源极23和漏极25之间具有间隙，从而，形成露出有源层19a的沟道“ch”。TFT“Tr”包括栅极13、半导体层19以及源极23和漏极25。
此外，在TFT“Tr”上形成钝化层27，并在钝化层27上形成像素电极30。钝化层27具有露出漏极25的表面区域的多个漏接触孔24，并且像素电极30使漏极25的表面区域通过多个漏接触孔24与像素区P相接触。
在第二基板60的内表面上形成滤色器层65和黑底62。黑底62包括与像素区P对应的多个开口部分63。在滤色器层65和黑底62上形成公共电极70。具体地，滤色器层65包括红色滤色器65a、绿色滤色器65b和蓝色滤色器65c。各个像素区P包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中的一个。黑底62位于像素区P的边缘区域。虽然未示出，但是红色滤色器65a、绿色滤色器65b和蓝色滤色器65c分别位于开口部分63中。
为了提高图像质量，如图3所示，红色滤色器65a、绿色滤色器65b和蓝色滤色器65c可以与邻接部分的黑底62的边缘交叠。虽然未示出，但是分别在像素电极30和公共电极70上形成第一和第二配向层，以使得在第一配向层和第二配向层之间形成液晶层80。
同时，在第一基板10和第二基板60之间形成图案化间隔体85以保持由液晶层80的厚度所限定的单元间隙。优选的，图案化间隔体85以相同间隔相互隔开。例如，图案化间隔体85位于像素区P的周围区域中。如图3所示，图案化间隔体85可以位于与选通线15的多个部分对应的多个区域中。
图案化间隔体85可以形成在第一基板10上或第二基板60上。但是，由于具有滤色器层65的第二基板60比包括阵列元件层(未示出)的第一基板10具有更好的平坦性和更简单的结构，所以通常在具有滤色器层65的第二基板60上形成图案化间隔体85以使其位置稳固。
图4A到4G是示出了根据现有技术的具有图案化间隔体的用于LCD器件的滤色器基板的制造工艺的示意性剖视图。参照图4A，通过在包括图2所示的多个像素区P的第二基板60上涂布(或淀积)阻光材料来形成黑底62。黑底62位于像素区P的边缘，以防止漏光，并遮蔽TFT“Tr”(图2中所示)使之不受入射光照射。
通过光刻工艺(photolithography process)形成黑底62，该工艺可包括曝光步骤和显影步骤，并且可以使用光刻胶以及具有透射部分和遮蔽部分的掩模。当黑底62是由光敏材料制成时，光刻工艺中不需要光刻胶。但是，当黑底62是由含铬(Cr)的金属作为基本材料制成时，光刻工艺中需要光刻胶。黑底62包括分别露出第二基板60的多个部分的第一到第三开口63a、63b和63c。第一到第三开口63a、63b和63c中的每一个对应于各个像素区P。
参照图4B，通过在包括黑底62的第二基板60的整个表面上旋涂(spin coating)或条涂(bar coating)红色抗蚀材料来形成红色抗蚀层64。随后，在第二基板60上方设置具有透射部分tp1和遮蔽部分sp1的掩模90。然后，由紫外(UV)光通过掩模90对第二基板60的红色抗蚀层64进行曝光。例如，红色抗蚀层64可以为负型材料(negative type material)，从而抗蚀层64的被曝光部分被构图成所需的图案。因而，掩模90的透射部分tp1对应于将形成红色滤色器的第一开口部分63a。
参照图4C，图4B所示的红色抗蚀层64的经曝光的部分已被构图成红色滤色器65a。虽然未示出，但是红色滤色器65a是通过在曝光步骤之后顺序进行显影和硬化(curing)而形成的。红色滤色器65a形成在黑底62的第一开口部分63a中。此外，如图4C所示，红色滤色器65a与相邻的黑底62的边缘交叠。
参照图4D，通过构图形成绿色子滤色器65b和蓝色子滤色器65c。构图包括在具有红色滤色器65a的第二基板60上分别对绿色抗蚀材料和蓝色抗蚀材料依次进行涂布、曝光和显影。绿色滤色器65b和蓝色滤色器65c分别位于第二开口部分63b和第三开口部分63c中。红色、绿色和蓝色滤色器65a、65b和65c构成滤色器层65。
参照图4E，在第二基板60上的滤色器层65和黑底62的整个表面上形成公共电极70。公共电极70例如由诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)和铟锡锌氧化物(ITZO)之一的透明导电材料制成。
虽然未示出，但当在第一基板(或阵列基板)10上形成图3所示的公共电极70和像素电极30时，从第二基板(或滤色器基板)60中省去公共电极70。虽然未示出，但是可以在滤色器层65和公共电极70之间形成外覆层，以提高第二基板60的平坦性。通常，当黑底62由有机材料制成时，在第二基板60上形成外覆层。
参照图4F，通过在第二基板60上方的公共电极70上涂布光敏有机材料来形成间隔体材料层84。光敏有机材料包括无色透明材料。在具有间隔体材料层84的第二基板60上方布置包括遮蔽部分sp2和透射部分tp2的掩模93。掩模93的透射部分tp2位于遮蔽部分sp2的边缘区域。由紫外光通过掩模93对第二基板60的间隔体材料层84进行曝光。间隔体材料层84例如是具有与滤色器层65相同曝光特性的负型材料。
参照图4G，在显影工艺之后，与如图4F所示的掩模93的透射部分tp2对应的间隔体材料层84的经曝光的部分保留了下来。图4F所示的间隔体材料层84的所述剩余部分用作图案化间隔体85。如图4G所示，图案化间隔体85位于与黑底62对应的部分。
根据现有技术的LCD器件的滤色器基板的制造方法需要至少五个掩模工艺或光刻工艺来形成黑底、红色，绿色和蓝色滤色器层、以及图案化间隔体。在这些掩模工艺中，用于这些掩模工艺的掩模非常昂贵。此外，由于掩模工艺的数目与掩模数成正比，所以大量掩模工艺增加了滤色器基板的制造成本。
发明内容
因此，本发明旨在提供一种具有图案化间隔体的LCD器件，其基本上克服了由于现有技术的局限性和不足所引起的一个或多个问题。
本发明的一个目的是提供一种制造具有图案化间隔体的用于LCD器件的滤色器基板，减少所使用的掩模的数目。
为了实现这些和其它优点，并根据本发明的目的，如具体实施和广泛说明的，一种制造包括在第一基板与第二基板之间的液晶层的液晶显示器件的方法包括在该两个基板之一的面向所述所述液晶层的表面上附接一转印膜(transfer film)，该转印膜包括与所述表面接触的转印材料层；将转印材料层的多个部分转印到所述表面上；以及去除除了所述转印材料层的被转印部分之外的所述转印膜，以形成图案化间隔体。
应当理解，以上总体说明和下面的详细说明都是示例性和解释性的，并且旨在提供对于权利要求所述的本发明的进一步解释。
所包括的附图用于提供对本发明的进一步理解，将附图并入本说明书并构成其一部分，
了本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。图中图1是现有技术的液晶显示器件的透视图；图2是表示根据现有技术的具有图案化间隔体的LCD器件的示意性平面图；图3是沿图2的III-III线的示意性剖视图；图4A到4G是表示根据现有技术的具有图案化间隔体的用于LCD器件的滤色器基板的制造工艺的示意性剖视图；图5A是表示根据本发明一个实施例的在LCD器件的基板上形成黑底层并对其进行曝光的示例性工艺的剖视图；图5B是根据本发明一个实施例的LCD器件的基板上的示例性黑底图案化层的剖视图；图5C是根据本发明一个实施例的在LCD器件的基板上形成红色层并对其进行曝光的示例处理的剖视图；图5D是根据本发明一个实施例的LCD器件的基板上的示例性红色滤色器图案的剖视图；图5E是根据本发明一个实施例的LCD器件的基板上的示例性绿色和蓝色滤色器图案的剖视图；图5F是根据本发明一个实施例的LCD器件的基板上的示例性外覆层的剖视图；图5G是表示根据本发明一个实施例的用于在LCD器件的基板上形成转印膜的示例工艺的剖视图；图5H是表示根据本发明一个实施例的用于在LCD器件的基板上照射激光的示例处理的剖视图；图5I是表示根据本发明一个实施例的用于在LCD器件的基板上形成图案化间隔体的示例处理的剖视图；图6是根据本发明一个实施例的示例转印膜的剖视图；图7A是表示根据现有技术的在基板上制造图案化间隔体的方法的示意性流程图；图7B是表示根据图5A到5I所示的本发明的实施例的在基板上制造图案化间隔体的示例方法的示意性流程图；图8A是根据本发明另一实施例的包括公共电极的示例性滤色器基板的剖视图；图8B是根据本发明另一实施例的包括公共电极的示例性滤色器基板(不包括外覆层)的剖视图。
具体实施例方式
下面详细说明本发明的所示实施例，其示例在附图中示出。
图5A是表示根据本发明一个实施例的在LCD器件的基板上形成黑底层并对其进行曝光的示例性工艺的剖视图。参照图5A，通过在包括多个像素区P的基板110上涂布光敏材料来形成黑底材料层112。光敏材料具有阻光特性。例如，光敏材料可以包括黑色树脂。在本发明的一个实施例中，光敏材料包括正型材料(positive type material)，通过显影工艺去除其被曝光的部分。
随后，在包括黑底材料层112的基板110上方布置掩模170。掩模170包括透射部分TP1和透射部分TP1的边缘处的遮蔽部分SP1。具体地，使掩模170与基板110隔开，并且掩模170的透射部分TP1对应于基板110的像素区P。
然后，紫外(UV)光通过掩模170照射在基板110上。因而，只有黑底材料层112的与掩模170的透射部分TP1对应的多个部分被曝光。当黑底材料层112包括作为基本材料的铬(Cr)材料时，在形成黑底材料层112之后并在基板110上照射UV光之前形成光刻胶。由于铬(Cr)材料缺乏光敏性，所以需要光刻胶层。
图5B是根据本发明一个实施例的LCD器件的基板上的示例性黑底图案化层的剖视图。参照图5B，通过进行UV曝光之后进行显影工艺来去除图5A所示的黑底材料层112的经曝光的部分。由此，将图5A所示的黑底材料层112构图成黑底115。
黑底115形成在像素区P的边缘区域，并且包括与像素区P对应的第一到第三开口部分113a、113b和113c。第一到第三开口部分113a、113b和113c分别对应于随后形成的红色、绿色和蓝色滤色器。
在本发明的另一实施例中，可以通过负型材料而不是正型材料来形成黑底115。虽然图中未示出，但是当形成负型黑底时，相对于正型掩模而言，透射部分和遮蔽部分交换了它们各自的位置。因此，与负型材料配合的掩模包括与像素区P对应的遮蔽部分以及在遮蔽部分的边缘区域中的透射部分。
图5C是根据本发明一个实施例的在LCD器件的基板上形成红色层并对其进行曝光的示例处理的剖视图。参照图5C，通过在包括黑底115的基板110的整个表面涂布红色抗蚀材料来形成红色抗蚀层117。具有透射部分TP2和屏蔽部分SP2的掩模173布置在包括红色抗蚀层117的基板110上方。因此，通过掩模173，红色抗蚀层117的对应于掩模173的透射部分TP2的部分曝露在UV光下。
如图5C所示，掩模173与基板110隔开。掩模173的透射部分TP2对应于黑底115的第一开口部分113a。掩模173的遮蔽部分SP2位于透射部分TP2的周围。掩模173的透射部分TP2可以与黑底115的边缘交叠，以提高图像质量。
图5D是根据本发明一个实施例在LCD器件的基板上的示例性红色滤色器图案的剖视图。参照图5D，通过显影工艺将图5C所示的红色抗蚀层117的经曝光的部分构图成红色滤色器120a。红色滤色器120a形成在黑底115的第一开口部分113a中。此外，如图5D所示，红色滤色器120a与相邻黑底115的边缘交叠。虽然未示出，但是可以在包括黑底115的基板110上形成多于一个的红色滤色器120a，并且相邻红色滤色器120a(未示出)相互隔开。此外，可以将红色滤色器120a形成为在像素区P中的岛状图案结构。另选地，可以将红色滤色器120a形成为带状图案，以使得同一方向上的滤色器层形成一个单体。
图5E是根据本发明的一个实施例的LCD器件的基板上的示例性绿色滤色器图案和蓝色滤色器图案的剖视图。参照图5E，通过构图工艺形成绿色和蓝色滤色器120b和120c，该工艺包括在具有红色滤色器120a的基板110上分别涂布绿色和蓝色抗蚀剂材料，随后对绿色和蓝色抗蚀剂材料进行曝光和显影。所得绿色和蓝色滤色器120b和120c分别位于第二开口部分113b和第三开口部分113c中。这些红色、绿色和蓝色滤色器120a、120b和120c分别构成滤色器层120。
图5F是根据本发明一个实施例的LCD器件的基板上的示例性外覆层的剖视图。参照图5F，可以通过在基板110上的滤色器层120以及黑底115的多个部分的整个表面上涂布有机材料来形成外覆层125。外覆层125面对液晶层(未示出)。有机材料可以包括无色透明树脂。当使用了外覆层125时，提高了具有滤色器层120和黑底115的基板110的平坦性。是否将外覆层125涂布在滤色器基板上由黑底115的材料类型决定。例如，当使用包括碳(C)的有机材料形成黑底115时，外覆层125优选地可以形成在滤色器层120上。但是，当使用具有作为基本材料的铬(Cr)的材料形成黑底115时，可以从滤色器基板中省去外覆层125。
图5G是表示根据本发明一个实施例的用于在LCD器件的基板上形成转印膜的示例工艺的剖视图。参照图5G，制备转印膜150。转印膜150包括支撑层150a、转换层150b和转印层150c。转换层150b将光能转换成热。以使转印层150c接触外覆层125的表面的方式，使转印膜150附接到基板110的外覆层125的表面上。
图6是根据本发明一个实施例的示例性转印膜的剖视图。参照图5G和图6，支撑层150a包括高透明材料，其可以为诸如聚合物材料的无色透明材料。支撑层150a支撑转换层150b，并将所照射的激光透射到转换层150b。
转换层150b将光能转换成热。为此，转换层150b可以包括具有强的热转换能力的材料。例如，转换层150b可以包括碳黑、诸如铝(Al)的金属材料、有机化合物、金属氧化物材料、或者前述材料的混合。
转印层150c包括具有苯并环丁烯(benzocyclobutene，BCB)、光丙稀(photo acryl)、全氟环丁烯(PFCB)中的一种的无色透明材料。转印层150c可以被转换层150b产生的热量所固定。此外，转印层150c的厚度范围为2到8μm，其对应于滤色器基板和阵列基板之间所要保持的均匀单元间隙。由此，转印层150c的厚度范围对应于LCD器件的所期望的单元间隙。
图5H是表示根据本发明一个实施例的用于在LCD器件的基板上照射激光的示例工艺的剖视图。参照图5H，将激光头180设置为面对基板110上方的转印膜150的支撑层150a。激光头180与包括转印膜150的基板110隔开。激光头180通过进行诸如往复运动的直线回行运动(rectilinear return movement)将激光照射在转印膜150的支撑层150a上。
由转印膜150的支撑层150a的被照射部分吸收来自激光的能量，并且由转印膜150的转换层150b将其转换成热量。将转换层150b中产生的热量提供给转印层150c。因此，转印层150c的与部分SA对应的部分硬化，并由转换层150b提供的热量固定在外覆层125上。
可以通过连接到激光头180的计算机(未示出)自动控制UV光的照射。该计算机可以控制激光头180的运动速度以及UV光的照射位置。该计算机还可以打开和关闭激光。
在本发明的一个实施例中，使用紫外光通过掩模对转印膜的表面进行曝光。在这种情况下，该掩模包括透射部分和遮蔽部分。透射部分对应于黑底的一部分。
图5I是表示根据本发明一个实施例的用于在LCD器件的基板上形成图案化间隔体的示例工艺的剖视图。如以上参照图5H的说明，将与激光照射的部分SA对应的转印层150c的硬化部分固定在基板110上的外覆层125上。去除转印膜150(在图5H中示出)的除了转印层150c(在图5H中示出)的硬化部分之外的部分。剩下的转印层150c的固化部分在基板110上的外覆层125上形成图案化间隔体160。
当采用具有大直径的激光束，或者具有大直径光束的其它适当光源时，可以在曝光或照射步骤中使用掩模。
图7A是表示根据现有技术的在基板上制造图案化间隔体的方法的示意性流程图。如图7A所示，在现有技术中，图案化间隔体的形成包括涂布图案化间隔体材料、通过具有透射部分和遮蔽部分的掩模对图案化间隔体进行曝光、以及对经曝光的间隔体材料进行显影以构图成图案化间隔体。由此，通过包括涂布、曝光和显影步骤的掩模工艺形成了现有技术的图案化间隔体。
图7B是表示根据图5A到5I所示的本发明的实施例的在基板上制造图案化间隔体的示例方法的示意性流程图。与现有技术相比，在本发明的实施例中，形成图案化间隔体的工艺由相对简单的工艺来实现，该工艺包括将转印膜附接在基板上、将激光照射在一部分转印膜上、去除转印膜的未照射部分以保留转印膜的固定部分作为图案化间隔体。由此，根据本发明一个实施例的制造图案化间隔体的方法可以只需要现有技术所需工艺时间的大约三分之一(1/3)，因而减少了制造时间并提高了生产率。
图8A是根据本发明另一实施例的包括公共电极的示例性滤色器基板的剖视图。参照图8A，滤色器基板210包括形成在外覆层225与图案化间隔体260之间的公共电极240。
公共电极可以由诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)和铟锡锌氧化物(ITZO)之一的透明导电材料制成。
图8B是根据本发明另一实施例的包括公共电极的示例性滤色器基板(不包括外覆层)的剖视图。由于可以采用上述参照图5A到5I的步骤，所以省略重复性的说明。此外，参照图8B，在包括红色、绿色和蓝色滤色器320a、320b和320c的滤色器层320与图案化间隔体360(也如图5I所示)之间形成公共电极340。
根据本发明的实施例，制造用于LCD器件的滤色器基板的示例性工艺仅需要四个掩模工艺形成黑底的一个掩模工艺，以及分别形成红色、绿色和蓝色滤色器的三个掩模工艺。可以通过对转印膜的经曝光的部分进行转印工艺来形成图案化间隔体，而不需进行额外的掩模工艺，或者至少不用进行掩模工艺中通常包含的显影工艺。因此，可以减小掩模工艺的数目和制造成本。
对于本领域技术人员，很显然，可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，对本发明的制造具有图案化间隔体的液晶显示器件用滤色器基板的实施例进行各种修改和变化。由此，本发明旨在覆盖落入所附权利要求及其等同范围内的本发明的变化和修改。
本发明请求2004年4月30日提交的韩国专利申请No.2004-30591的优先权，在此通过引用并入其全文。
权利要求
1.一种制造液晶显示器件的方法，该液晶显示器件包括第一基板与第二基板之间的液晶层，所述方法包括将转印膜附接在所述两个基板之一的表面上，所述转印膜包括接触所述表面的转印材料层；将所述转印材料层的多个部分转印到所述表面上；以及去除除了被转印的所述转印材料层的所述多个部分之外的转印膜，以形成图案化间隔体。
2.根据权利要求1所述的方法，其中转印所述转印材料层的所述多个部分包括将所述转印材料层的所述多个部分固定在作为所述两个基板之一的所述基板的所述表面上。
3.根据权利要求1所述的方法，其中转印所述转印材料层的所述多个部分包括将热量施加到所述转印材料层的所述多个部分。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述图案化间隔体对应于被转印的所述转印材料层的所述多个部分。
5.根据权利要求1所述的方法，包括为所述转印膜提供转换层，该转换层用于将光转换成热，并用于将所转换来的热施加到所述转印材料层；以及为所述转印膜提供支撑层，以支撑所述转换层。
6.根据权利要求5所述的方法，还包括通过具有透射部分和遮蔽部分的掩模，使用紫外光对所述转印膜的表面进行曝光。
7.根据权利要求5所述的方法，还包括将激光照射在所述转印膜的一部分上，以形成所述图案化间隔体。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述激光照射在所述转印膜的与黑底的一部分对应的部分上。
9.根据权利要求7所述的方法，其中所述激光的照射包括通过激光头进行直线往复运动。
10.根据权利要求6所述的方法，其中所述掩模的透射部分对应于黑底的一部分。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述转印材料层的厚度对应于所述液晶显示器件的单元间隙。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述转印材料层的厚度在约2μm到8μm的范围之内。
13.根据权利要求1所述的方法，还包括在附接所述转印膜之前形成外覆层以改善所述基板的平坦化，所述转印膜直接接触所述外覆层的表面。
14.根据权利要求1所述的方法，还包括在附接所述转印膜之前在所述基板上形成公共电极，所述转印膜直接接触所述公共电极的表面。
15.根据权利要求1所述的方法，其中所述转印材料层包括无色透明材料。
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述无色透明材料包括苯并环丁烯(BCB)、光丙稀、全氟环丁烯(PFCB)中的一种。
17.一种使用权利要求1所述的方法制造的液晶显示器件，所述液晶显示器件包括位于所述第一基板和第二基板之一的周边的密封图案，用于使所述第一基板和第二基板互相接合。
全文摘要
制造具有图案化间隔体的液晶显示器用滤色器基板的方法。一种制造液晶显示器件的方法，该液晶显示器件包括第一基板和第二基板之间的液晶层，该方法包括将转印膜附接在该两个基板之一的表面上，该表面面对所述液晶层，所述转印膜包括接触该表面的转印材料层；将该转印材料层的多个部分转印到该表面上；以及去除除了该转印材料层的经转印的部分之外的转印膜以形成图案化间隔体。
文档编号G02F1/133GK1693946SQ20041010139
公开日2005年11月9日 申请日期2004年12月17日 优先权日2004年4月30日
发明者柳尚澈 申请人:Lg.菲利浦Lcd株式会社