专利名称：光刻装置、照明系统和用于旋转强度分布的光学元件的制作方法
技术领域：
本发明总体涉及光刻装置、在该光刻装置中使用的照明系统和用于控制辐射束的光学元件。
背景技术：
光刻装置是一种在基底的目标部分上提供所需图案的机器，该所需图案包括特征、结构或线条图案。例如，在诸如集成电路(IC)的微结构器件的制造中可以使用光刻装置。在该情况下，可以使用被称作掩模或标线片的构图器件以产生与IC的单层相应的电路图案，且可以将该图案成像到具有辐射敏感材料(光致抗蚀剂)的基底(例如，硅晶片)上的目标部分上(例如，包括一个或几个管芯的一部分)。通常，一个基底包含依次曝光的相邻目标部分的网络。已知的光刻装置包括所谓的步进器和所谓的扫描器，在该步进器中，通过一次曝光目标部分上的整个图案照射每个目标部分；在该扫描器中，通过用投射束在特定方向上(“扫描”方向)扫描图案来照射每个目标部分，同时在该方向上或反方向上同步扫描基底。
微结构器件的通用结构通常称为“曼哈顿结构”，由于它们的特征在于该结构的取向、线条图案或特征在主要的两个垂直方向上类似于城市街道的图案。在通用结构的布图设计中，这两个方向与基底(管芯)上的矩形目标曝光区域的各边界段保持平行。按照习惯，水平结构在X方向上延伸，而垂直结构在Y方向上延伸。将目标部分的宽度限定为X方向上矩形区域的尺寸，并将目标部分的高度限定为Y方向上矩形区域的尺寸。在光刻扫描器中，非扫描方向通常指X方向，而扫描方向指Y方向。
微结构布图设计中近来的发展是使用不按X或Y方向严格取向的特征，即线条可以在相对于X方向成0和90度之间任何角度的方向上延伸。例如，可以通过使用相对于X或Y轴20到30度之间的角度优化DRAM隔离结构的成像。例如优化过的成像包括增大的工艺范围或增大的聚焦深度。
已知，可以通过用包括辐射射线的投射束以基本垂直于该结构方向的方向照射掩模来优化具有一定取向的结构的成像。在诸如掩模平面的区域平面中投射束的角强度分布与光瞳平面中的空间强度分布(后文一般称为“光瞳形状”或仅为“光瞳”)相应。例如，可以通过使用具有相关光瞳形状的投射束优化水平结构的成像，该光瞳形状具有在Y方向上与光轴分离的两个高强度区域。后一种光瞳形状在下文中称为双极。相应的照明模式称为双极照明，在该具体情况下称为双极Y照明。类似地，可以通过双极Y照明优化与X轴成角度α的结构的成像，在该双极Y照明中光瞳旋转相同角度α。通常，当通过使用特定的光瞳形状优化一定结构的成像时，那么为了保持相同的成像性能，如果该结构围绕一个轴旋转，则光瞳形状也应该以相等的量围绕相同的轴旋转。在本技术领域，积分器下游的照明系统的光瞳平面也被称为傅立叶变换平面。
通用的光刻装置包括照明系统、期望的空间强度分布和在掩模级期望的角强度分布，该照明系统用于提供具有期望尺寸辐射的受调节的投射束。照明系统包括积分器以便提高涉及到在束截面上的空间和角度强度变化的投射束均匀性。积分器的原理是基于从第一源产生多个第二辐射源或虚拟的第二源，使得发源于这些第二源的束在中间场平面处重叠并最终达到平均。该平均效应称为光积分或光混合。
一种积分器基于多重反射，在下文中称为反射积分器，例如其体现为由石英或氟化钙(CaF2)构成的晶体棒或者为表面由反射材料构成的中空波导。这种积分器通常具有矩形(或正方形)截面和平行的侧面。通过入射辐射束的多次内部反射(在棒型积分器中)或通过多次镜面反射(在中空波导型积分器中)形成多个第二光源。积分器的每个反射表面在理想情况下是提供100％的反射，但是实际上由于残留的表面缺陷或吸收而使每次反射后反射束的强度降低。
具有矩形截面的反射积分器的固有性质在于使射出积分器的束的角强度分布关于积分器的侧表面对称，即，进入积分器的束的光瞳形状可以是任何形状，但由于在反射积分器中混合了已经进行了许多次均匀或不均匀反射的辐射束，因此射出积分器的束的光瞳形状关于两个垂直轴镜像对称，该垂直轴平行于反射积分器矩形截面的各个边界段，这些轴通常在X和Y方向上定向。
当需要对在不同于X和/或Y方向的方向上延伸的结构优化成像时，包括反射型积分器(棒或中空波导)的通用光刻装置出现问题。对这些其它方向来说，不关于X和Y轴镜像对称的投射束光瞳形状将是最佳的。这种光瞳形状也被称为旋转的镜像对称光瞳形状，或简称为旋转的光瞳形状。构造并配置具有反射积分器的通用光刻装置，使其能够提供镜像对称的光瞳形状，例如环形的、双极-X、双极-Y、四极的、六极的、八极的。然而，这些系统不能提供非镜像对称的光瞳形状，例如单极的、旋转双极的、三极的、旋转四极的。
发明内容
本发明的实施例使具有反射型积分器的光刻装置能够以较小的辐射投射束的强度损失优化在不同于X和/或Y方向的方向上延伸的结构的成像。
根据本发明实施例通过一种光刻装置实现这个和其它方面，该光刻装置包括用于提供受调节的辐射束的照明系统，该照明系统包括反射型积分器(棒或波导)和光学元件，构造并配置该光学元件以便重新分布辐射束的强度分布。在优选实施例中，该重新分布近似为强度分布围绕光刻装置的光轴在5和85度之间的角上旋转。将上下文中的旋转定义为强度重新分布，使得强度分布的每个小部分在随距光轴的距离线性增大的距离上重新分配，并使得光轴和强度分布的每个部分之间的距离为常数。可选择地，可以这样定义旋转，强度分布的基本部分作为一个整体在随距光轴的距离线性增大的距离上重新分配，并使得光轴和强度分布的每个基本部分之间的距离为常数。
反射积分器具有矩形截面，其出口尺寸决定X和Y方向上矩形照明区域的大小。由于积分器中的多重反射，积分器下游的辐射束的光瞳形状(或角强度分布)关于这些X和Y轴镜像对称。在根据本发明的光刻装置的一个实施例中，光学元件重新分布，优选为旋转，从而使积分器下游的光瞳平面处的空间强度分布脱离与区域取向(X和Y轴)与光瞳镜像对称轴之间的固定关系。其具有的直接优点在于现在可以在掩模级提供具有非镜像对称的光瞳形状或角强度分布的受调节的辐射投射束。
在本发明的另一实施例中，光学元件包括至少一对反射表面，构造并配置该反射表面以便重新分配辐射束的部分强度分布。该对反射表面中的第一反射表面向该对反射表面中的第二反射表面引导引入的部分束的辐射射线，该第二反射表面随后在向外的方向上引导这些辐射射线。如果光轴与部分强度分布之间的距离在光学元件之前和之后相等，则该对反射表面可以提供部分强度分布的旋转。
根据所使用的具体波长，反射表面可以具体为涂敷有多个反射层的镜面。可选择地，反射表面可以具体为透射元件的表面，例如石英或氟化钙，该反射是全内反射，或者通过在透射元件表面上设置金属性层或多个层产生反射。本发明的一个重要优点在于借助于反射对强度分布进行重新分布或旋转，从而与通过大幅降低束强度的阻挡部分强度分布来产生非镜像对称的强度分布相比，只是较少地减小了辐射强度。较高的束强度促进了生产量(每小时处理的晶片数)，其对于光刻装置的所有性能来说是个重要的指标。
在根据本发明的光学元件的实施例中，每对反射表面是平面的且彼此平行，使得相应的引入或射出的辐射射线具有相同的方向。其优点在于，即使重新分布了空间强度分布(例如，围绕光轴旋转)，也不会由光学元件改变角强度分布。
在另一实施例中，光学元件包括两对反射表面，用于在照明系统的光瞳平面中旋转强度分布，强度分布包括轴外的高强度区域(极)，例如在双极X或双极Y照明模式中。每对反射表面旋转强度分布的每个极，且其具体为一对有涂层的镜面。本实施例能够使光刻装置和照明系统提供受调节的辐射投射束，该辐射具有相对X和Y轴在5和85度之间任一角度上旋转的双极光瞳形状，从而优化在除了X和/或Y以外的其他方向上延伸的结构的成像，并且投射的辐射束的强度损耗较小。
本发明的又一实施例是具有有光学元件的光刻装置，该光学元件包括基本覆盖整个光瞳平面的多对反射表面，以便可以基本上重新分布所有任意强度分布，优选为旋转。多对反射表面可以具体为多个放射状延伸并倾斜的镜面叶片(blade)，该叶片在两面上都涂有反射涂层。通过倾斜每对镜面叶片中的至少一个，可以使照明系统焦平面中相应强度分布的中心重合。在再一实施例中，使成对的反射表面彼此平行，镜面叶片的厚度可以按照距光轴的距离的函数和围绕光轴的角度的函数而变化。例如，该实施例能够旋转四极或六极光瞳平面。
虽然可以以本文为具体参考在IC的制造中使用光刻装置，但应当理解在此所述的光刻装置可以有其它应用，例如集成光学系统的制造、用于磁畴存储器的导航和检测模式、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头，等等。熟练的技术人员将理解，在这些可选应用的范围中，在此使用的任何术语“晶片”或“管芯”与“基底”或“目标部分”同义。在例如跟踪(一种通常将光致抗蚀剂层施加到基底并显影曝光过的光致抗蚀剂的方法)、计量或检测方法中，这里引用的基底可以在曝光之前或之后接受处理。在可以的情况下，这里的公开内容也可应用于这样的基底加工工具或其他的基底加工工具。而且，可以不止一次地处理基底，例如为了制造多层IC，因此，在此使用的术语基底还可以指已经包含多个处理层的基底。
在此使用的术语“辐射”和“束”包括所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如，具有365、248、193、157或126nm波长)和远紫外(EUV)辐射(例如，具有5-20nm范围内的波长)，以及粒子束，例如离子束或电子束。
在此使用的术语“构图器件”应当广泛地解释为可以用于在投射束的截面中构图，以便在基底的目标区域中生成图案的器件。应注意到，构建在投射束中的图案不可能精确地与基底的目标部分中期望的图案一致。通常，构建到投射束中的图案与目标部分中要生成的器件中的具体功能层一致，例如集成电路。
构图器件可以是透射的或反射的。构图器件的示例包括掩模、可编程镜面阵列和可编程LCD面板。掩模是光刻中熟知的，且包括掩模类，例如双态的、交替相移和衰减相移，以及各种混合掩模类型。可编程镜面阵列的一个示例采用小镜面的矩阵布置，其每个小镜面可以单独倾斜以便在不同方向上反射引入的辐射束，以这种方式，构图反射束。
支撑结构支撑(即承担)构图器件的重量。其根据构图器件的方向、光刻装置的设计以及其它条件(例如是否将构图器件保持在真空环境中)来保持构图器件。可以使用机械吸附、真空或其它吸附技术(例如真空条件下的静电吸附)来支撑。支撑结构可以是框架或台，例如，根据需要其可以是固定的或可动的，且其可以确保构图器件在期望的位置上，例如相对于投射系统在期望的位置上。可以认为在使用的术语“标线片”或“掩模”与更概括的术语“构图器件”同义。
在此使用的术语“投射系统”应广泛地解释为包括各种类型的投射系统，包括折射光学系统、反射光学系统和反射折射的光学系统，其适合于例如所使用的曝光辐射，或适合于其它因素，例如使用浸液或使用真空。可以认为在此使用的术语“透镜”与更概括的术语“投射系统”同义。
照明系统还可以包括各种类型的光学部件，包括折射、反射和反射折射的光学部件，用于引导、成型和控制辐射束，且在下面这些部件还可以全体或个别地被称为“透镜”。
光刻装置可以是具有两个(双阶)或更多个基底台(和/或两个或更多个掩模台)的类型。在这种“多阶”机器中，可以并行使用额外的台，或者在使用一个或更多其它台曝光时，可以在一个或更多台上进行准备步骤。
光刻装置还可以是这种类型，其中将基底浸在具有相对高的折射率的液体中，例如水，以便填充投射系统最后的元件和基底之间的空间。浸液还可以应用于光刻装置中的其他空间，例如，掩模和投射系统第一元件之间。为了提高投射系统的数值孔径，浸渍技术是本领域熟知的。
现在参考示意性附图，仅通过举例的方式描述本发明的实施例，附图中相应的附图标记表示相应部分，并且其中图1描述了根据本发明一种实施例的光刻装置；图2表示通过反射积分器在照明系统的光瞳平面内构成镜像对称的光瞳形状；图3示意性地表示强度分布围绕光轴的旋转；图4表示具有一对平坦且平行的两个反射面以旋转部分强度分布的本发明优选实施例，图5表示具有象涡轮一样配置并用于旋转任一强度分布的多个镜面叶片的另一优选实施例。
具体实施例方式
图1示意性地表示了根据本发明特别实施例的光刻装置，该装置包括-照明系统(照明器)IL，用于提供辐射PB(例如，UV辐射或DUV辐射，即波长在100到400nm之间的电磁辐射，例如365、248、193或157nm)的受调节的投射束；-支撑结构(例如掩模台)MT，用于支撑构图器件(例如掩模或标线片)MA，并将其连接到第一定位装置PM以用于相对于物体PL精确定位构图器件；-基底台(例如晶片台)WT，用于保持基底(例如有抗蚀涂层的晶片)W，并将其连接到第二定位装置PW以用于相对于物体PL精确定位该基底；和-投射系统(例如折射投射透镜)PL，用于将通过构图器件MA使投射束PB携带的图案成像在基底W的目标部分C(例如包括一个或多个管芯)上。
如此所述，该装置是透射型(例如使用透射掩模)的。可选择地，该装置可以是反射型的(例如使用如上引用类型的可编程镜面阵列)。
如此所述，沿着直光轴OPA设置后面的光学元件或光刻装置的模块。这意味着光轴对称地穿过后面的光学元件的中心，比如积分器IN、聚光器CO，以及投射系统PL。然而，为了改变布局和减小整个装置的尺寸，光轴还可以包括通过使用例如束偏转镜来导向不同方向的几个邻近直线部分。
照明器IL从辐射源SO接收辐射束。例如当源是受激准分子激光器时，源和光刻装置可以是分离的实体。在这种情况下，不认为该源构成光刻装置的一部分，并且在包括例如合适的定向镜和/或扩束器的束传输系统BD的帮助下，使辐射束从该源SO传输到照明器IL。在其他情况下，例如当源是汞灯时，源可以为装置的组成部分。可以将源SO和照明器IL、与束传输系统BD(如果需要)一起称为辐射系统。
照明器IL可以包括用于调节束的角强度分布的调节元件AM。通常，能调节在照明器的光瞳平面内的强度分布的至少外部和/或内部辐射度(一般分别称为σ外部和σ内部)。此外，照明器IL通常包括多种其他元件，比如积分器IN(例如诸如石英棒的反射积分器)和聚光器CO。照明器提供受调节的辐射束，称为投射束PB，在其截面具有期望的均匀性和强度分布。为了在投射束照明的构图器件(或者标线片)上掩蔽矩形区域的一部分，照明器IL还包括标线片掩模单元RM。通常，两个叶片在非扫描方向上定义裂缝的尺寸，而另外两个叶片用于限定扫描方向上管芯的尺寸。因此，传统的标线片掩模单元包含四个可独立移动的叶片，这些叶片彼此重叠或彼此相邻地定位，并且在积分器后的场平面里定位这些叶片，例如直接在积分器后或邻近构图器件。
投射束PB入射到保持在掩模台MT上的掩模MA上。投射束PB在横跨掩模MA后，穿过透镜PL，该透镜将光束在基底W的目标部分聚焦。例如在第二定位装置PW和位置传感器IF(例如干涉器件)的帮助下，能精确移动基底台WT，以便在光束PB的路径中定位不同目标部分C。类似地，例如在从掩模库机械检索后或者扫描期间，能使用第一定位装置PM和另一位置传感器(未示出)关于光束PB的光路精确定位掩模MA。通常，在长冲程模块(粗定位)和短冲程模块(精定位)的帮助下将能实现物体台MT和WT的移动，长冲程模块和短冲程模块构成定位装置PM和PW的一部分。然而，在步进器的情况中(与扫描器相对)，可以仅将掩模台MT连接到短冲程传动器，或者将掩模台MT固定。使用掩模对准标记M1和M2以及基底对准标记P1、P2可以对准掩模MA和基底W。
在下面的优选实施方式中可以使用已描述的装置。
1.在步进方式中(例如单个静态曝光)，在一次运行中的目标部分C上投射投射束的整个图案时，掩模台MT和基底台WT保持基本静止。然后在X和/或Y方向上移动基底台WT以便可以曝光不同目标部分C。在步进方式中，曝光场的最大尺寸限制了在单个静态曝光中成像的目标部分C的尺寸。
2.在扫描方式中(例如单个动态曝光)，在目标部分C上投射投射束的图案时，同步扫描掩模台MT和基底台WT。通过放大(缩小)以及利用投射系统PL的图像倒转特性来确定基底台WT相对于掩模台MT的速率和方向。在扫描方式中，曝光场的最大尺寸限制了在单个动态曝光中的目标部分的宽度(在非扫描方向上)，因此，扫描运动的长度确定目标部分的高度(在扫描方向上)。
3.在另一方式中，掩模台MT维持基本静止，并且保持一个可编程构图器件，在目标部分C上投射投射束的图案时，移动或扫描基底台WT。在该方式中，通常使用脉冲辐射源，并且根据需要在基底台WT的每一次移动后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间更新可编程构图器件。该操作方式能容易地应用于使用可编程构图器件(例如如上引用类型的可编程镜面阵列)的无掩模光刻。
还可以采用上述使用模式的组合和/或变形或完全不同的使用模式。
图2示出了反射积分器IN的积分或混合效果，例如，具有矩形截面的由石英或CaF2构成的棒，并形成关于两个垂直中心轴镜像对称的光瞳，当在垂直于光轴的公共面中观察时，该轴平行于反射积分器截面的各个边界段。
引入的辐射束在积分器IN上游的光瞳平面20中具有相应于空间强调分布的角强度分布。辐射束首先穿过光瞳平面20并接着穿过积分器IN。引入的辐射束的两束辐射射线22和23穿过光学系统，该光学系统包括入射(incoupling)透镜27a、积分器IN和出射(outcoupling)透镜27b。通过入射透镜27a聚焦两平行射线22和23并形成初级辐射源24。在该图中，初级源24的位置与积分器的入射面重合，但是初级源24也可设置在积分器的入射面之前和之后，例如为了减小入射面处的局部密度。在积分器中，射线22在积分器的水平面处反射5次，且在射出积分器时，射线22结束时具有镜像方向。注意到，可以认为出射面处射线22的位置不同于入射面处的位置。可以认为射线22源自第二源26。射线23在积分器的水平面处反射4次，且在射出积分器时，射线23没有改变方向。可以认为射线23源自第二源25。有效地，积分器产生多个虚拟的第二源，第二源照射积分器的出射面，从而提供了辐射束的混合并提高了束的均匀性。此外，在积分器水平面处进行奇数次反射的辐射射线在射出积分器时获得了镜像方向。同样用于保持积分器的垂直面。这种效果使得积分器后面的光瞳平面21处的空间强度分布关于两个垂直的中心轴MSA镜像对称，该轴平行于反射积分器截面的各个边界段。在本文中，比较物理上限定在不同平面中的边界段和轴的几个方向。当作这种比较时，当在垂直于光轴OPA的公共面中观察时限定这些方向。这意味着，如果光轴弯曲，例如在光瞳平面20和积分器之间或在积分器和标线片的平面之间或在积分器和标线片之间弯90度，则首先对准这些平面使其在由光轴的方向上观察时平行，其后比较方向。
例如，进入具有单极光瞳形状28a的积分器的束在射出积分器时得到双极光瞳形状29a，其关于轴MSA镜像对称。旋转的双极28b以四极形状29b结束。类似地，旋转的四极变成八极。稍微旋转的四极28c被转换成具有延伸了较宽角度的极的四极29c，但是相应于28c中光瞳形状的镜像对称部分的所得到的极在中心部分具有明显更高的强度。相似地，稍微旋转的双极被转换成具有延伸了较宽角度的极的双极。总地来说，入射光瞳被转换成相应的光瞳形状，该光瞳形状关于与侧表面(界面的边界段)平行的两个轴MSA镜像对称。
注意到，由石英构成的积分器具有不同于1的折射率，因此图2未正确地示出在入射和出射面发生折射的辐射射线。对于中空波导来说，该折射被显著地吸收。然而，为了本发明的目的，与该折射不相关。此外，这些图是示意性画出的而不是成比例的。
图3示意性地示出了围绕光轴OPA的强度分布旋转，该光轴垂直于该图的平面。优选地在反射积分器IN(参见图2)下游的光瞳平面21中进行旋转。例如根据本发明的强度分布的旋转是指将要通过光瞳平面中的点31的辐射束中的所有射线在不改变它们方向的同时基本平移到光瞳平面中的点32。旋转还意味着光瞳平面中从31到32的平移距离越大，点31距光轴的距离越远。
图4示出了本发明的实施例。在相对彼此平行的位置中将成对的两个平坦反射表面41和42(例如两个平坦镜面)定向，以便理想地在不改变角强度分布的情况下，从镜面41到镜面42重新分配光瞳平面中的部分强度分布(例如高强度极)。由于与镜面41和42之间的距离相应的光路增大而发生角强度分布的改变。例如，辐射束43从镜面41和42反射并将在不改变方向的情况下进行平移。在理想情况下，在镜面41处照射的角强度分布与源自镜面42的一致。实际上，由于镜面和所得到的尺寸增大的极之间的距离，镜面42的表面积需要大于镜面41的表面积，后者在光瞳平面中至少具有该尺寸的高强度极。可以预见，当镜面处所有点的平移距离相等且与距光轴OPA的距离无关时，本实施例不产生纯粹的旋转。
图5示出了包括多个构造成涡轮状的倾斜镜面叶片的光学元件的另一实施例，以便旋转所有任意的强度分布。本实施例中的镜面叶片在两面上具有反射表面，使得一个叶片的底面与相邻叶片的顶面形成一对反射表面。每对反射表面旋转一部分强度分布，且由于闭合的涡轮构造，光瞳平面中所有强度分布基本上被旋转。在本实施例中，平移距离随距光轴的距离而增大，因此可以以本发明的方式获得旋转。
权利要求
1.一种包括用于提供受调节的辐射束的照明系统的光刻装置，该照明系统包括沿光刻装置的光轴设置的反射积分器，该反射积分器具有垂直于所述光轴的矩形截面，该截面的边平行于相互垂直的X和Y轴；和光学元件，构造并布置该光学元件，从而重新分布射出该反射积分器的强度分布，使得该强度分布相对于X和/或Y轴不对称。
2.根据权利要求1的光刻装置，其中构造并布置所述光学元件，以便围绕所述光轴在5和85度之间的角度上旋转辐射束的强度分布。
3.根据权利要求2的光刻装置，其中所述角度是90/n度，其中n是2到18范围内的整数。
4.根据权利要求1的光刻装置，其中所述光学元件设置在位于所述照明系统光瞳平面中的所述反射积分器的下游。
5.根据权利要求4的光刻装置，其中所述光学元件包括至少一对反射表面，构造并布置所述该对反射表面以便重新分配所述束的部分强度分布。
6.根据权利要求5的光刻装置，其中光轴和所述光学元件上游的所述部分强度分布之间的距离等于所述光学元件下游的所述距离。
7.根据权利要求5的光刻装置，其中所述反射表面包括涂有涂层的镜面。
8.根据权利要求5的光刻装置，其中所述至少一对反射表面是平面且彼此平行，使得所述光学元件上游的所述辐射束的射线方向与所述光学元件下游所述射线的方向相同。
9.根据权利要求5的光刻装置，其中所述至少一对反射表面是平面，并且其中一个反射表面被设置成与另一表面成预定角度，以便与照明系统焦平面中所述束的相应强度分布的中心重合。
10.根据权利要求5的光刻装置，其中光学元件包括两对反射表面，构造并布置每对反射表面，以便重新分配所述强度分布的两个相应的极中的一个极。
11.根据权利要求5的光刻装置，其中所述光学元件包括多对反射表面，构造并布置所述的反射表面以便基本上旋转整个所述辐射束的强度分布。
12.根据权利要求11的光刻装置，其中所述多对反射表面包括放射状延伸并倾斜的镜面叶片，该镜面叶片在两面上都具有反射涂层。
13.根据权利要求12的光刻装置，其中所述镜面叶片的厚度按照与光轴所成的距离的函数和围绕光轴的角度的函数发生变化。
14.一种照明系统，包括沿光轴设置的反射积分器，该反射积分器具有垂直于所述光轴的矩形截面，该截面的边平行于相互垂直的X和Y轴；和光学元件，构造并布置该光学元件，以便重新分布射出该反射积分器的强度分布，使得该强度分布相对于X和/或Y轴不对称。
15.一种光学元件，构造并布置该光学元件以便在5和85度之间的角度上旋转辐射束的强度分布。
16.根据权利要求14的光学系统，其中所述角度是可变的且根据所述角度的值设置该光学元件。
17.一种光刻装置，包括用于提供投射的辐射束的照明系统；用于支撑构图器件的支撑结构，该构图器件使上述投射的辐射束具有截面图案；用于保持基底的基底台；用于在基底的目标部分上投射已构图的辐射束的投射系统；其中该照明系统包括沿光刻装置的光轴设置的反射积分器，该反射积分器具有垂直于所述光轴的矩形截面，该截面的边平行于相互垂直的X和Y轴；和光学元件，构造并布置该光学元件，以便重新分布射出该反射积分器的强度分布，使得该强度分布相对于X和/或Y轴不对称。
全文摘要
一种光刻投射装置，包括具有有矩形截面的反射积分器的照明系统。提供一种光学元件以便重新分布射出反射积分器的强度分布。
文档编号G03F7/20GK1684000SQ20051006262
公开日2005年10月19日 申请日期2005年4月1日 优先权日2004年4月2日
发明者H·M·穆德, H·博特马 申请人:Asml荷兰有限公司