专利名称：显示板及其制造方法
技术领域：
本发明涉及有反射层的显示板及其制造方法。
背景技术：
液晶显示板有透过型和反射型。透过型具有使来自配置在液晶显示板背面侧的背光灯的光透过液晶显示板而进行显示的构造，在暗处容易看见。反射型具有用配置在液晶显示板内部或液晶显示板背面侧的反射层来反射从外部来的光而进行显示的构造，在明处容易看见。为了在暗处在明处都容易看见，公知具有透过型和反射型的两种构造的半透过型(透过型和反射型两用)液晶显示板。在液晶显示板的内部形成反射层情况，从外部来的光因反射层不散射时，由于在特定方向反射亮度高的光，所以不能辨认周围的显示。因此，通常在反射层的表面形成微小的凸凹。日本公开公报2004-20688号公报公开了具备带有微小的凸凹的反射层的反射型液晶显示板。该在先文献记载的液晶显示板，在玻璃基板的上面设置由铝构成的平坦反射层，在包含反射层的玻璃基板的上面设置绝缘膜，在绝缘膜的与反射层对应的部分上设置附带截面反梯形形状的多个倾斜面的通孔，在包含带倾斜面通孔的绝缘膜的上面，设置由ITO构成的象素电极，该象素电极具有追随包含带倾斜面通孔的绝缘膜的凸凹表面的凸凹表面。
而且，在上述构成的液晶显示元件中，平坦的反射层仅有文字通过的光反射功能，但由于象素电极追随包含带倾斜面通孔的绝缘膜的凸凹表面而被形成为凸凹状，所以利用在该部分的折射而发挥光散射功能，作为全体能使外光进行散射反射。
可是，在上述构成的液晶显示元件中，由于利用由被形成为凸凹状的ITO构成的象素电极的折射来发挥光散射功能，散射性小，而且，由于带倾斜面通孔的倾斜角是相同的，所以反射光是规则的，有不能得到充分的光散射反射的问题。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供有充分的光散射反射功能的显示板及其制造方法。
为了完成上述目的，本发明的显示板，其特征是具有基板、设置在上述基板上的并具有凸凹表面的有机膜、追随上述有机膜的上述凸凹表面而设置的反射膜、和至少与上述反射膜一部分重叠而设置的象素电极。
另外，本发明的显示板的制造方法，其特征是包含以下步骤准备具有一面的基板；准备一面具有凸凹的有机膜；在上述基板的上述一面上复制上述有机膜，以使上述有机膜的一面显示出来；在上述绝缘膜上形成反射膜；在上述反射膜上形成透明的象素电极，并使至少一部分重叠。
图1是作为本发明第1实施方式的有源矩阵型半透过反射型的液晶显示元件主要部分的截面图。
图2是图1所示的液晶显示元件的薄膜晶体管基板侧的透过平面图。
图3是作为本发明第2实施方式的液晶显示元件的与图1同样的截面图。
图4是作为本发明第3实施方式的液晶显示元件的与图1同样的截面图。
图5是作为本发明第4实施方式的液晶显示元件的与图1同样的截面图。
图中1-薄膜晶体管基板，2-扫描线，3-数据线，4-薄膜晶体管，5-象素电极，5a-透过用象素电极部，5b-反射用象素电极部，6-反射膜，7-辅助电容电极，22-间隙限制膜。
具体实施例方式
(第1实施方式)图1表示作为本发明第1实施方式的有源矩阵型半透过反射型的液晶显示元件的主要部分的截面图，图2表示其中薄膜晶体管基板侧的透过平面图。此时，图1是相当于沿图2的IA-IA线部分的截面图。该液晶显示元件具备由玻璃基板等构成的薄膜晶体管基板1和相向基板31。
首先，参照图2，对薄膜晶体管基板1侧进行说明。在薄膜晶体管基板1的上面侧(和相向基板31相向的内面侧)，以矩阵状设置扫描线2和数据线3，在其各交点附近设置薄膜晶体管4、象素电极5和反射膜6，而且，与扫描线2和数据线3平行地设置大致格子状的辅助电容电极7。这里，因使图2明确的目的，在象素电极5的边缘部写上斜短实线的剖面线。
此时，象素电极5的大致右半部分成为透过用象素电极部5a，左半部分大致成为反射用象素电极部5b。象素电极5的四边部与在其周围配置的大致格子状的辅助电容电极7重叠。在反射膜6的上侧配置有反射用象素电极部5b。由此，象素电极5内，除去反射膜6形成区域和辅助电容电极7形成区域的区域是实际的透过用象素区域。即，透过用象素电极部5a内，除去辅助电容电极7形成区域的区域是实际的透过用象素区域。对应于反射膜6的区域是反射用象素区域。
辅助电容电极7是大致格子状，由和数据线3重叠的第1辅助电容电极部7a、与扫描线2重叠的第2辅助电容电极部7b、和与薄膜晶体管4重叠的第3辅助电容电极部7c构成。在该情况下，在后面说明，但辅助电容电极7设置在和扫描线2不同层上，而且，其中的特别之处是，第1辅助电容电极7a，在厚度方向、即在图2的纸面垂直方向上，分别经由绝缘膜被设置在数据线3和象素电极5之间。
而且，第1辅助电容电极7a的宽度比数据线3的宽度大某种程度。由此，第1辅助电容电极7a，即使有和数据线3正交方向的位置偏移，也能可靠地掩盖数据线3，以使数据线3和象素电极5不直接相向。第1辅助电容电极7a被配置成遍及数据线3配置区域的大致全部区域。由此，第1辅助电容电极7a相对象素电极5，即使有和数据线3平行方向的位置偏移，也能可靠地与象素电极5的左右边部重叠，从而能可靠地防止因该方向位置重合偏移引起的辅助电容变动。
第2辅助电容电极7b的宽度比扫描线2的宽度大某种程度。因此，第2辅助电容电极7b，即使有和扫描线2正交方向的位置偏移，也能可靠地与扫描线2重叠。另外，第2辅助电容电极部7b被配置成遍及扫描线2配置区域的大致全部区域。由此，第2辅助电容电极部7b相对象素电极5，即使有和扫描线2平行方向的位置偏移，也能可靠地与象素电极5的上下边部重叠，从而能可靠地防止因该方向位置重合偏移引起的辅助电容的变动。
第3辅助电容电极7c和反射膜6被设置成覆盖薄膜晶体管4。由此，能可靠地防止外光向薄膜晶体管4的入射。另外，由于用大致格子状的辅助电容电极7和反射膜6掩盖象素电极5的实际透过用象素区域以外，所以没有必要在后述的相向基板31上置防止光泄露用的黑色掩膜(blackmask)，从而可以能增大开口率。
接着，参照图1，说明该液晶显示元件的具体构造。在薄膜晶体管基板1的上面的规定处，设置有包含由铬和钼等构成的栅电极11的扫描线2(参照图2)。在包含栅电极11和扫描线2的薄膜晶体管基板1的上面设置有由氮化硅构成的栅绝缘膜12。
在栅电极11上的栅绝缘膜12上面规定处设置有由本征非晶硅构成的半导体膜13。在栅电极11上的半导体膜13的上面规定处设置有由氮化硅构成的沟道保护膜14。在沟道保护膜14的上面两侧和其两侧的半导体膜13的上面，设置有由n型非晶硅构成的欧姆接触层15、16。在欧姆接触层15、16的上面设置有由铬和钼等构成的源·漏电极17、18。
而且，用栅电极11、栅绝缘膜12、半导体膜13、沟道保护膜14、欧姆接触层15、16、源·漏电极17和18构成薄膜晶体管4。
在栅绝缘膜12上面的规定处设置数据线3。这时，数据线3，从下依次形成本征非晶硅层3a、n型非晶硅层3b、由铬和钼等构成的金属层3c的3层构造。本征非晶硅层3a、n型非晶硅层3b、金属层3c与源·漏电极18形成区域上的半导体膜13、欧姆接触层16和源·漏电极18连接。
在包含薄膜晶体管4和数据线3的栅绝缘膜12的上面，设置有由氮化硅构成的层间绝缘膜19。在层间绝缘膜19上面的规定处设置有由铬和钼等构成的辅助电容电极7(7a、7b、7c)。在包含辅助电容电极7的层间绝缘膜19上面设置有由氮化硅构成的覆盖膜20。在源·漏电极17上的层间绝缘膜19和覆盖膜20上设置有接触孔21。
在覆盖膜20上面的反射膜形成区域上，设置有表面凸凹的由环氧系树脂和聚酰亚胺树脂系等有机材料构成的间隙限制膜(有机膜)22。在间隙限制膜22的凸凹表面上设置有具有追随该凸凹表面的凸凹表面的、由铝和铝合金等的铝系列金属构成的反射膜6。在反射膜6的凸凹表面上设置有具有追随该凸凹表面的凸凹表面的、由自然氧化膜和氧化处理膜等构成的绝缘膜23。
在包含绝缘膜23的覆盖膜20的上面规定处设置有由ITO构成的象素电极5，其经由接触孔21与源·漏电极17连接。这时，在绝缘膜23上面设置的象素电极5为追随绝缘膜23的凸凹表面的凸凹状。象素电极5和反射膜6，在其之间介着绝缘膜23，所以电绝缘。在设置在绝缘膜23上面的象素电极5的上面规定处，设置有由树脂等构成的柱状衬垫24。
接着，说明将表面形成为凸凹的间隙限制膜22的形成方法。首先，在将表面形成为凸凹的模型凸凹表面上，用印刷法、旋转涂敷法、模涂敷法等形成由环氧系树脂和聚酰亚胺系树脂等有机材料构成的间隙限制膜形成用膜，并使其上面平坦。接着，使模型上下反转。将间隙限制膜形成用膜复制在图1所示的覆盖膜20上面。接着，当用光刻法使该复制的间隙限制膜形成用膜图案形成时，如图1所示，形成表面为凸凹的间隙限制膜22。
这里，模型的凸凹表面，例如，能用使有凸凹的滚筒在树脂薄膜上一面旋转一面热压接的方法形成，在图1中，间隙限制膜22的表面凸凹，图示为大致一样的倾斜角度和深度，但通过适宜变化滚筒凸凹的倾斜角度和深度，也能使模型的凸凹形成为倾斜角度和深度是随机的，能在充填于该模型的间隙限制膜形成用膜的表面、即间隙限制膜22的表面上，形成倾斜角度和深度是随机的凸凹。
作为其他的形成方法，通过印刷法、旋转涂敷法、模涂敷法等，在图1所示的覆盖膜20上面，形成由环氧系列树脂和聚酰亚胺系树脂等有机材料构成的间隙限制膜形成用膜，并使其上面平坦。接着，使间隙限制膜形成用膜半硬化。接着，通过边加热边旋转表面有凸凹的滚筒，在半硬化状态的间隙限制膜形成用膜上面形成凸凹。接着，当用光刻法使间隙限制膜形成用膜图案形成时，如图1所示，形成表面为凸凹的间隙限制膜22。
另外，在图1中，间隙限制膜22的表面凸凹，被图示成相对上面(水平面)的倾斜角度是60度以上，但这是因为图面的关系，为了实际入射到液晶显示元件的光在垂直方向反射，优选相对上面的倾斜角度大多数包含5度～20度左右。
为了在间隙限制膜22上形成反射膜6，通常，采用喷涂使反射膜形成用膜在间隙限制膜22上成膜，用光刻技术做成希望的形状即可。接着，在反射膜6上形成绝缘膜23，通过喷涂使ITO在全面上成膜，用光刻技术形成象素电极5。这里，在作为反射膜形成用膜使用铝系列金属的情况，用喷涂使反射膜形成用膜成膜时，由于表面形成自然氧化膜，作为其他工序没有必要形成绝缘膜23。在作为其他工序形成绝缘膜23的情况，用CVD法或喷涂使氧化硅膜和氮化硅膜成膜，用蚀刻等进行图案形成即可。
另外，在相向基板31的下面(和薄膜晶体管1相向侧的内面)，设置有由树脂构成的红绿兰的彩色滤色器32。在彩色滤色器32的下面设置有由ITO等透明导电材料构成的相向电极33。而且，薄膜晶体管基板1和相向基板31，在层叠于间隙限制膜22上的象素电极5上，形成柱状衬垫24，将该柱状衬垫24、间隙限制膜22(包含象素电极5、反射膜6、绝缘膜23)作为间隙部件，并经由密封材料(未图示)相互粘合，在密封材料内侧的两基板1、31之间封入液晶34。
而且，在将上述构成的液晶显示元件作为透过型使用的情况，使配置在薄膜晶体管基板1下面侧的背光灯(未图示)点亮时，从背光灯来的光透过薄膜晶体管基板1、栅绝缘膜12、层间绝缘膜19、覆盖膜20、象素电极5中的实际透过用象素区域、液晶34、相向电极33、彩色滤色器32和相向基板31，出射到相向基板31的上面侧，由此进行显示。
另外，在将上述构成的液晶显示元件作为反射型使用的情况，背光灯不点亮，从相向基板31上面侧入射的外光透过相向基板31、彩色滤色器32、相向电极33、液晶34、象素电极5和绝缘膜23，并由反射膜6反射，该反射光经过与上述相反的光路出射到相向基板31的上面侧，由此进行显示。
这时，由于反射膜6用铝系列金属形成，而且有追随于间隙限制膜22的凸凹表面的凸凹表面，因此该凸凹表面散射性大，且发挥具有各向异性的光散射反射功能。另外，由于反射膜6下的间隙限制膜22的膜厚，反射膜6和相向电极33之间的间隙为象素电极5的实际透过用象素区域和相向电极33之间的间隙的1/3～2/3、优选1/2左右，这样便能形成反射率和透过率都是最佳的多间隙构造。
可是，在上述构成的液晶显示元件中，象素电极5和反射膜6，由于在其间介有绝缘膜23，所以电绝缘。其结果是，在由铝系列金属构成的反射膜6的表面上形成了由自然氧化膜和氧化处理膜等构成的绝缘膜23后，在用光刻法形成由ITO构成的象素电极5时，能在由ITO构成的象素电极5和由铝系列金属构成的反射膜6之间不发生电池反应。
而且，在上述构成的液晶显示元件中，由于在数据线3和象素电极5之间设置有具有比数据线3的宽度宽的形状第1辅助电容电极7a，通过该第1辅助电容电极7a，能防止数据线3和象素电极5之间发生耦合电容，因而能不发生垂直串扰，能提高显示特性。
(第2实施方式)图3表示作为本发明第2实施方式的液晶显示元件的与图1相同截面图。在该液晶显示元件上，和图1所示的情况不同的点是，代替绝缘膜23，在包含反射膜6和间隙限制膜22的覆盖膜20上面，设置由氮化硅、氧化硅等无机材料构成的薄的绝缘膜25。这时，绝缘膜25由于较薄，所以在反射膜6的凸凹表面上被形成为追随该凸凹表面的凸凹状。象素电极5经由设置在绝缘膜25、覆盖膜20和层间绝缘膜19上的接触孔21，与源·漏电极17连接。
(第3实施方式)图4表示作为本发明第3实施方式的液晶显示元件的与图1相同截面图。在该液晶显示元件中，和图1所示的情况的较大不同的点是，在覆盖膜20的上面设置由环氧系树脂和聚酰亚胺系树脂等有机材料构成的表面凸凹膜26，在表面凸凹膜26的凸凹表面上设置有具有追随该凸凹表面的凸凹表面的反射膜6，在反射膜6的凸凹表面上设置有具有追随该凸凹表面的凸凹表面的绝缘膜23，在包含绝缘膜23的表面凸凹膜26的凸凹表面上设置有具有追随该凸凹表面的凸凹表面的象素电极5。
这时，象素电极5经由设置在表面凸凹膜26、覆盖膜20和层间绝缘膜19上的接触孔21与源·漏电极17连接。另外，在和反射膜相向的部分的相向电极33的下面，设置有由环氧系树脂和聚酰亚胺系树脂等的透明有机材料构成的透明间隙限制膜35。另外，在象素电极5和辅助电容电极7之间的绝缘、因表面凸凹膜26是充分的情况，覆盖膜20可以变薄，或者省略覆盖膜20也可以。(第4
如图5所示，在薄膜晶体管基板1的上面，设置有由氧化硅构成的第1基底绝缘膜41和由氮化硅构成的第2基底绝缘膜42。在第2基底绝缘膜42的上面规定处，设置有由多晶硅构成的半导体薄膜43。这时，半导体薄膜43中央部成为由本征区域构成的沟道区域43a，其两侧成为由n型杂质注入区域构成的源区域43b和漏区域43c。
在包含半导体薄膜43的第2基底绝缘膜42的上面，设置有由氮化硅构成的栅绝缘膜12。在沟道区域43a上的栅绝缘膜12的上面规定处，设置有由铬和钼等构成的栅电极11。而且，在绝缘膜12的上面规定处，与栅电极11连接地设置有由铬和钼等构成的扫描线(未图示)。
在包含栅电极11等的栅绝缘膜12的上面，设置有由氮化硅构成的第1层间绝缘膜44。在源区域43b和漏区域43c上的栅绝缘膜12和第1层间绝缘膜44上设置有接触孔45、46。
在第1层间绝缘膜44的上面各规定处，设置有由铬和钼等构成的源·漏电极17、18，其经由接触孔45、46与源区域43b和漏区域43c连接。在第1层间绝缘膜44的上面规定处，设置有由铬和钼等构成的数据线3，其与源·漏电极18连接。
而且，通过半导体薄膜43、栅绝缘膜12、栅电极11、第1层间绝缘膜44、接触孔45、46、源电极17、漏电极18，构成薄膜晶体管4。
在包含源·漏电极17、18和数据线3的第1层间绝缘膜44的上面，设置有由氮化硅构成的第2层间绝缘膜47。在第2层间绝缘膜47上面规定处，设置有由铬和钼等构成的辅助电容电极7。在包含辅助电容电极7的第2层间绝缘膜47的上面，设置有由氮化硅构成的覆盖膜20。在源·漏电极17上的第2层间绝缘膜47和覆盖膜20上设置有接触孔21。
在覆盖膜20上面的反射膜形成区域上，设置有由环氧系树脂和聚酰亚胺系树脂等的有机材料构成的间隙限制膜22，其表面为凸凹状。在间隙限制膜22的凸凹表面上，设置有具有追随该凸凹表面的凸凹表面的、由铝系列金属构成的反射膜6。在反射膜6的凸凹表面上，设置有具有追随该凸凹表面的凸凹表面的、由自然氧化膜和氧化处理膜构成的绝缘膜23。在包含绝缘膜23的覆盖膜20上面规定处，设置有由ITO构成的象素电极5，使其经由接触孔21与源·漏电极17连接。这时，设置在绝缘膜23上面的象素电极5也成为追随绝缘膜23凸凹表面的凸凹状。
(其他实施方式)在上述实施方式中，在间隙限制膜(有机膜)22上重叠设置反射膜6和象素电极5，但也可以不以该顺序，而在象素电极5上形成反射膜6。这时，反射膜6和象素电极5不需要绝缘，也可以电导通。而且，柱状衬垫24能形成在间隙限制膜22上以外的区域。
并且，对象素电极5(和反射膜6)成为在列方向排列成直线状的条纹排列，在该象素电极5间、在列方向上将数据线3和第1辅助电容电极7a排列成直线状的情况，进行了说明，但也可以适用于成为在每1行使每个象素电极5错开半节距的所谓三角排列，在该情况下，数据线3和第1辅助电容电极7a，在象素电极5的各行间，与扫描线2平行地形成为象素电极5的半节距延长的曲折形状。另外，作为开关元件使用薄膜晶体管，但也能适用二极管等其他开关元件。
根据本发明，由于在具有凸凹表面的有机膜上设置反射膜，在该反射膜上设置至少一部分重叠的象素电极，从而能使反射膜表面成为追随有机膜凸凹表面的凸凹表面，由此由反射膜引起的反射有充分的光散射反射功能。
权利要求
1.一种显示板，其特征在于，具有基板(1)；设置在所述基板(1)上的、具有凸凹表面的有机膜(22、26)；追随所述有机膜(22、26)的所述凸凹表面而设置的反射膜(6)；在所述反射膜(6)上至少重叠一部分而设置的象素电极(5)。
2.如权利要求1所述的显示板，其特征在于，还具有介于所述反射膜(6)和所述象素电极(5)之间的绝缘膜(23)。
3.如权利要求2所述的显示板，其特征在于，所述绝缘膜(23)由在所述反射膜(6)的表面形成的氧化膜构成。
4.如权利要求2所述的显示板，其特征在于，所述绝缘膜(23)由在所述反射膜(6)的表面设置的无机绝缘膜构成。
5.如权利要求2所述的显示板，其特征在于，所述反射膜(6)由氧化了的氧化层构成。
6.如权利要求1所述的显示板，其特征在于，所述反射膜(6)由铝系列金属构成，所述象素电极(5)由ITO构成。
7.如权利要求1所述的显示板，其特征在于，所述象素电极(5)具有在所述反射膜(6)上重叠而设置的反射用象素电极部；在与所述基板(1)的所述反射膜(6)相邻的区域上设置的透过用象素电极部。
8.如权利要求1所述的显示板，其特征在于，所述反射膜(6)仅设置在所述有机膜(22)上。
9.如权利要求1所述的显示板，其特征在于，还具有与所述基板(1)相向的相向基板(31)，并在所述相向基板(31)的内面和所述有机膜(22、26)之间配置柱状衬垫(24)。
10.如权利要求9所述的显示板，其特征在于，在与所述相向基板(31)的所述内面的所述有机膜(22、26)相向的区域上，设置有透明的间隙限制部(35)。
11.如权利要求1所述的显示板，其特征在于，在所述基板(1)和所述有机膜(22、26)之间设置薄膜晶体管(4)，所述象素电极(5)与所述薄膜晶体管(4)的源·漏电极(17)连接。
12.如权利要求11所述的显示板，其特征在于，具有介于所述反射膜(6)和所述象素电极(5)之间的绝缘膜(23)。
13.如权利要求12所述的显示板，其特征在于，所述反射膜(6)和所述象素电极(5)电绝缘。
14.如权利要求11所述的显示板，其特征在于，在所述薄膜晶体管(4)和所述有机膜(22、26)之间设置辅助电容电极(7)，在所述辅助电容电极(7)和所述薄膜晶体管(4)之间设置中间绝缘膜(19)。
15.如权利要求14所述的显示板，其特征在于，在所述基板(1)上设置与所述薄膜晶体管(4)的源·漏电极(18)连接的数据线(3)，所述辅助电容电极(7)具有经由所述中间绝缘膜(19)与所述数据线(3)重叠的部分(7a)，所述辅助电容电极(7)的与所述数据线(3)重叠的部分(7a)的宽度比所述数据线(3)的宽度宽。
16.如权利要求14所述的显示板，其特征在于，所述辅助电容电极(7)与所述象素电极(5)的全周边部重叠。
17.一种显示板，其特征在于，具有具有薄膜晶体管(4)的薄膜晶体管基板(1)；与所述薄膜晶体管基板(1)相向而配置的相向基板(31)；在所述薄膜晶体管基板(1)和所述相向基板(31)之间形成的液晶；掩盖在所述薄膜晶体管基板(1)上设置的所述薄膜晶体管(4)的覆盖膜(20)；在所述覆盖膜(20)上设置的有凸凹表面的绝缘膜(22、26)；在所述绝缘膜(22)的凸凹表面上设置的反射膜(6)；至少一部分设置在所述绝缘膜(22、26)上的透明的象素电极(5)。
18.如权利要求17所述的显示板，其特征在于，还有介于所述反射膜(6)和所述象素电极(5)之间的绝缘膜(23)。
19.如权利要求18所述的显示板，其特征在于，所述薄膜晶体管(4)具有栅电极(11)和源·漏电极(17、18)，所述象素电极(5)与所述源·漏电极(17)连接。
20.如权利要求19所述的显示板，其特征在于，所述反射膜(6)和所述象素电极(5)电绝缘。
21.如权利要求17所述的显示板，其特征在于，所述绝缘膜(22)被设置在与所述覆盖膜(20)上的所述薄膜晶体管(4)对应的区域，所述象素电极(5)跨越设置在所述绝缘膜(22)上和所述覆盖膜(20)上。
22.如权利要求21所述的显示板，其特征在于，在所述绝缘膜(22)上形成的所述反射膜(6)，其上面位于显示板的间隙的1/3～2/3位置。
23.如权利要求17所述的显示板，其特征在于，所述绝缘膜(26)被设置在所述覆盖膜(20)上的大致全部表面上。
24.如权利要求23所述的显示板，其特征在于，所述反射膜(6)具有追随于所述绝缘膜(26)的凸凹表面的凸凹表面。
25.一种显示板制造方法，其特征在于，包含以下步骤准备有一面的基板(1)；准备一面有凸凹的有机膜(22、26)；在所述基板的所述一面上复制所述有机膜(22、26)，以使所述有机膜(22、26)的一面显示出来；在所述有机膜(22、26)上形成反射膜(6)；在所述反射膜(6)上形成透明的象素电极(5)，并使至少一部分重叠。
26.如权利要求25所述的显示板制造方法，其特征在于，还包含在所述反射膜(6)和所述象素电极(5)之间形成绝缘膜(23)的步骤。
27.如权利要求25所述的显示板制造方法，其特征在于，形成所述有机膜(22、26)的步骤包含将所述有机膜(22)形成为岛状。
28.如权利要求25所述的显示板制造方法，其特征在于，准备所述基板(1)的步骤包含在所述基板(1)上形成具有栅电极(11)和源·漏电极(17、18)的薄膜晶体管(4)。
29.如权利要求28所述的显示板制造方法，其特征在于，形成所述象素电极(5)的步骤包含使所述象素电极(5)与所述薄膜晶体管(4)的所述源·漏电极(17)连接。
30.如权利要求29所述的显示板制造方法，其特征在于，准备所述基板(1)的步骤还包含在所述薄膜晶体管(4)上形成覆盖膜(20)。
31.如权利要求30所述的显示板制造方法，其特征在于，形成所述有机膜(22、26)的步骤包含在与所述覆盖膜(20)上的所述薄膜晶体管(4)对应的区域上，将所述有机膜(22)形成为岛状。
32.如权利要求31所述的显示板制造方法，其特征在于，形成所述象素电极(5)的步骤包含跨越被形成为所述岛状的所述有机膜(22)上、和所述覆盖膜(20)上而形成所述象素电极(5)。
全文摘要
本发明提供一种显示板，其特征是具有基板(1)、设置在上述基板(1)上的并具有凸凹表面的有机膜(22、26)、追随上述有机膜(22、26)的上述凸凹表面而设置的反射膜(6)、在上述反射膜(6)上至少重叠一部分而设置的象素电极(5)。
文档编号G02F1/1343GK1782794SQ20051012917
公开日2006年6月7日 申请日期2005年9月19日 优先权日2004年9月21日
发明者中村弥生, 森川茂, 石井裕满 申请人:卡西欧计算机株式会社