专利名称:液晶面板的晶胞厚间隙形成方法
技术领域:
本发明涉及一种液晶面板的晶胞厚间隙形成方法,特别是应用于液晶面 板制造,通过一上下可粘贴的隔离层与液晶面板的顶底层基板粘贴结合而形 成厚液晶晶胞间隙的方法。二、 背景技术液晶是广泛使用于显示产品的材料,液晶通过电压加在两面电极而形成 一光通开-关作用。通常,现有液晶层在二个电极之间的厚度是非常稀薄的,举例而言,在TFT-LCD型态的液晶显示面板,厚度在6到8微米(um);在TN 或STN型态的液晶显示面板的液晶层与间隙则是在IO微米以下;LCOS微型 显示器(micro display)的液晶层平均厚度在3到5微米左右。现有的较薄厚度的液晶面板特性归纳如下1、液晶分子极快速上升与 下降反应时间,厚度较薄的晶胞间隙及低电压驱动的液晶材料,低电压驱动 可以达到更低的电力消耗,和容易设计电子控制电路。2、较高的透射率, 厚度较薄的液晶层可以产生较高的穿透率。3、容易组装,厚度较薄的晶胞 间隙,通常以间隔粒来维持晶胞间隙一致。晶胞间隙广泛被液晶显示器产业 采用,更小的间隔粒子,较容易取得及在制程中易处理。但是,在某些应用领域中,厚度较厚的液晶层是有其必要与需求,厚度 较厚的液晶层如以上述现有厚度较薄的液晶层制法,将遇到不利制造问题。 如在现有的液晶面板生产过程中,由玻璃基板在内面点胶并形成一液晶腔以 供容置液晶,再由一顶端玻璃基板盖在顶端,形成内部液晶腔结构,然后于 边缘处开口,让液晶腔由抽真空机抽真空后将液晶注入真空的液晶腔内,或 者是通过另外一种现有滴下式液晶注入方式,由液晶液滴填入液晶腔中,并 混合间隔粒,使该晶胞间隙可以被形成与维持。如果液晶晶胞间隙增加到30微米(um), 50微米(um), 100微米(um), 或者更高时,间隔粒取得不易,并且所需花费的成本会大幅增加。即使较大 粒径的间隔粒供应问题可以勉强解决,但液晶腔结构无法维持与形成厚度较 薄的粘着内壁,且宽度将大为增加,无法满足小型化需求,在某些制程情况
下,是无法接受此种结构。相关在先专利技术文献方面,如中国台湾发明公开公报第200610585号 "液晶显示面板间隙物制造方法"发明公开案,揭示典型现有液晶显示面板 的制作方法,仅能够使间隙物分布均匀,无法达到厚间隙的形成效果。 三、发明内容本发明的主要目的在于克服现有产品存在的上述缺点,而提供一种液晶 面板的晶胞厚间隙形成方法,其是通过一隔离层预先设置系列空洞,以供液 晶以ODF方法注入,并进而由隔离层形成晶胞厚间隙。本发明的再一目的在于提供一种液晶面板的晶胞厚间隙形成方法,增加 ,生产周期,节省间隔粒成本,并提升液晶晶胞生产质量。本发明的目的是由以下技术方案实现的。本发明液晶面板的晶胞厚间隙形成方法,其特征在于,包括下列步骤(A) 底面基板及顶面基板定位,将一底面基板与一顶面基板输送至之固 定位置,即顶面基板位于底面基板上方;(B) 隔离层移动至定位,即至少一隔离层移动对应至步骤A的底面基板 与顶面基板之间位置,即位于底面基板上方及顶面基板下方间位置,隔离层 内设有数个隔离柱与空洞;(C) 隔离层粘合至底面基板,即将步骤B的隔离层下方粘合至底面基板 顶端;, (D)注入液晶于隔离层之空洞中,将步骤c完成粘合底面基层之隔离层, "供液晶注入该步骤A的隔离层的空洞中;'(E)粘合隔离层与顶面基板,即藉由步骤D完成液晶注入步骤的隔离层 '顶端的上端粘合至步骤A的顶面基板下方,使该底面基板、隔离层与顶面基 板结合为一体;(F) 用紫外光设备照射加热,即将步骤E完成底面基板、隔离层与顶面基 板组合一体的结构,通过紫外光设备进行照射加热,使隔离层与底面基板、 顶面基板间稳固结合;(G) 裁切成型,即将步骤F完成紫外光照射的底面基板、隔离层与顶面 .基板组合一体的结构中的隔离层进行切割,形成一厚晶胞间隙的液晶面板产品o前述的液晶面板的晶胞厚间隙形成方法,其特征在于,所述步骤A中的
底面基板包括 一底层,位于底部;一ITO导电层,结合于底层上; 一配向 层,结合于ITO导电层上。前述的液晶面板的晶胞厚间隙形成方法,其特征在于,所述底层为玻璃; 所述底层为挠性基板构成。前述的液晶面板的晶胞厚间隙形成方法,其特征在于,所述步骤B中的 隔离层包括数个隔离柱与空洞,分布于隔离层内,且隔离柱与空洞形成交 错方式布置; 一下UV粘胶层,结合于隔离柱与空洞下方; 一下保护膜,结 合下UV粘胶层,以保护下UV粘胶层; 一上UV粘胶层,结合于隔离柱与 空洞上方; 一上保护膜,结合UV粘胶层,以保护上UV粘胶层并可用于封 住空洞顶面。前述的液晶面板的晶胞厚间隙形成方法,其特征在于,所述隔离柱为聚 四氟乙烯构成。前述的液晶面板的晶胞厚间隙形成方法,其特征在于,所述步骤B的隔 离层为带状。前述的液晶面板的晶胞厚间隙形成方法,其特征在于,所述步骤A的顶 面基板包括一配向层,位于顶面基板底面;一ITO导电层,结合于配向层上; 一玻 璃基体,结合于ITO导电层上。前述的液晶面板的晶胞厚间隙形成方法,其特征在于,所述步骤D的液 晶注入隔离层空洞的方式为滴下式液晶注入(ODF)方法。前述的液晶面板的晶胞厚间隙形成方法,其特征在于,所述步骤B的隔 离层数量为二个;所述两隔离层之间结合一双向配向薄膜,该双向配向薄膜 包括 一透明基板; 一第一配向膜,涂镀于透明基板顶面,结合于一隔离层; 一第二配向膜,涂镀于透明基板底面,结合于另一隔离层;所述透明基板为 一异向性聚合物薄片;所述第一配向膜的配向角度与第二配向膜之配向角度 相差九十度。本发明液晶面板的晶胞厚间隙形成方法,其特征在于,其包括以下步骤:(a) 底面基板及顶面基板定位,即将一底面基板与顶面基板输送至之固定 位置,即顶面基板位于底面基板上方;(b) 离层移动至定位,即一带状隔离层,移动对应至步骤(a)底面基 板与顶面基板之间位置,即位于底面基板上方及顶面基板下方位置,该隔离 层内设有数个隔离柱与空洞,该空洞一侧至少形成一注入孔;(c) 隔离层粘合至底面基板,即将步骤(c)的隔离层下方粘合至底面基 板顶端;(d) 粘合隔离层与顶面基板,即通过步骤(c)完成隔离层粘合至底面基 板步骤的隔离层顶端的上端粘合至步骤(a)顶面基板下方,使该底面基板、 隔离层与顶面基板结合为一体;(e) 通过紫外光设备照射加热,即将步骤(d)完成底面基板、隔离层与 顶面基板组合一体的结构,用一紫外光设备进行照射加热,使隔离层下端的 下UV粘胶层与上端的上UV粘胶层加热硬化,让隔离层与底面基板和顶面 基板稳固结合;(f) 裁切成型,即将步骤(e)完成紫外光照射的底面基板、隔离层与顶 面基板组合一体的结构中的隔离层切割后,形成一液晶面板的单元件;(g) 液晶真空注入隔离层空洞,即通过现有真空注入方式,将液晶经由步 骤(f)的液晶面板单元件的隔离层注入孔注入以填满整个空洞;(h) 密封注入孔,即在步骤(g)完成液晶注入隔离层的空洞步骤后,将 隔离层注入孔予以密封,形成一液晶面板产品。11、 根据权利要求10所述的液晶面板的晶胞厚间隙形成方法,其特征 在于,所述步骤(b)中的隔离层包括数个隔离柱与空洞,分布于隔离层 内; 一下UV粘胶层,结合于隔离柱与空洞下方; 一下保护膜,结合下UV 粘胶层,以保护下UV粘胶层; 一上LTV粘胶层,结合于隔离柱与空洞上方;一上保护膜,结合uv粘胶层,以保护上uv粘胶层并可封住空洞顶面。12、 根据权利要求10所述的液晶面板的晶胞厚间隙形成方法,其特征 在于,所述隔离柱为不规则形状。本发明液晶面板的晶胞厚间隙形成方法的有益效果是,本发明之液晶面 板之晶胞厚间隙形成方法,是由一液晶面板的底面基板固定至定位,至少一 隔离层,上、下设有至少一UV粘胶层,隔离层内部设有数个空洞(画素显示 区域),该隔离层对位至底面基层位置,并通过下端的UV粘胶层粘贴于底板 基层;再通过滴下式液晶注入方法或真空液晶注入方式将液晶填入隔离层的 各孔中,由隔离层上端的UV粘胶层与一液晶面板的顶面基板粘贴对位,之 后通过紫外光照射加热,使该上下两个UV粘胶层硬化,也可以上下两个UV 粘胶层分开照射硬化方式,让液晶面板的底面基板与顶面基板分别结合于隔
离层的底面与顶面,达到使隔离层形成液晶面板的晶胞厚间隙的功效。 四
图1为本发明方法第一实施例的底层基板结构放大剖面图。图2为本发明方法第一实施例隔离层结构放大剖面图。 图3为本发明方法第一实施例顶层基板结构放大剖面图。 图4为本发明方法第一实施例流程图。图5为本发明方法第一实施例底面基板、隔离层及顶面基板定位结构立 体图。图6为本发明放大结构剖面图,显示第一实施例隔离层粘合至底面基板 状态。图7为本发明放大结构剖面图,显示第一实施例注入液晶于隔离层空洞 中状态。图8为本发明放大结构剖面图,显示第一实施例底面基板、隔离层及顶 面基板结合一体照射加热状态。图9为本发明方法第一实施例所形成的液晶面板结构放大剖面图。图IO为本发明方法所形成的液晶面板第二实施例图。图11为图10中双面配向薄膜立体分解结构图。图12为发明方法第三实施例底面基板、隔离层及顶面基板结构。图13为本发明方法第三实施例底面基板、隔离层及顶面基板定位立体图。图14为本发明方法第三实施例流程图。图15为本发明方法第三实施例液晶面板单元件结构图。图16为本发明方法的液晶面板结构图。图中主要标号说明IO底面基板、ll底层、12为ITO导电层、13配向层、 20隔离层、20'隔离层、21隔离柱、22空洞、23下UV粘胶层、24下保护膜、 25上UV粘胶层、26上保护膜、30顶面基板、31配向层、32为ITO导电层、33 玻璃基体、40底面基板及顶面基板定位、41隔离层移动至定位、42隔离层粘 合至底面基板、43注入液晶于隔离层空洞中、44粘合隔离层与顶面基板、45 以紫外光设备照射加热、46裁切成型、50紫外光设备、60双面配向薄膜、61 透明基板、62第一配向膜、63第二配向膜、70隔离层、71隔离柱、72空洞、 721注入孔、73下UV粘胶层、74下保护膜、75上UV粘胶层、76上保护膜、80
底面基板及顶面基板定位、81隔离层移动至定位、82隔离层粘合至底面基板、 83粘合隔离层与顶面基板、84以紫外光设备照射加热、85裁切成型、86液晶 真空注入隔离层空洞、87密封注入孔、100液晶面板、100'液晶面板、H高 度。五具体实施方式
参阅图1所示,本发明液晶面板的晶胞厚间隙形成方法,包括一液晶面 板的底面基板10,该底面基板IO包括一底层11 、ITO导电层(Indium Tin Oxide Layer)12及至少一配向层(AlignmentLayer)13,该底层ll位于底部,可以是玻 璃或其它透明物质,或者为可挠性基板(flexible substrate)构成,例如PC、 PET及PES等材料;一ITO导电层12,结合于底层ll上,该配向层13结合 于ITO导电层12上。参阅图2所示,至少一隔离层20,包括数个隔离柱21、数个空洞22、 至少一下UV粘胶层23、下保护膜24、至少一上UV粘胶层25及上保护膜 26,该隔离柱21与空洞22分布于隔离层20内,且隔离柱21与空洞22形成 交错方式布置,隔离柱21材料不限,在本发明中是以聚四氟乙烯(Teflon)或 不会与液晶相互起反应的材料为例,隔离柱21高度H可以无限范围预先设 定制成,即隔离层20整体厚度范围也可无限范围加厚,该下UV粘胶层23 结合于隔离柱21与空洞22下方,下UV粘胶层23表面由下保护膜24贴合 保护, 一旦剥除下保护膜24,即可让下UV粘胶层23具有粘性,该上UV 粘胶层25结合于隔离柱21与空洞22上方,该上LTV粘胶层25表面由上保 护膜26贴合保护,上保护膜26可用于封住空洞22顶面,同样地,撕去上保 护膜26,可使上UV粘胶层25具有黏性及使空洞22露出。上述UV粘胶层 23及粘胶层25并非以具有保护膜24及保护膜26者为限,如以UV粘胶层23 直接涂布结合于隔离柱21与空洞22下方,及粘胶层25直接涂布结合于隔离 柱21与空洞22上方的方式,也属于本发明的技术范畴。该隔离层20的形式 不限,在本发明中是以数个隔离层20相邻连接而构成带状(如图5所示),也可以是单一组件形式。参阅图3所示, 一液晶面板之顶面基板30,包括一配向层31、 ITO导电 层32及玻璃基体(Glass Substrate)33,配向层31位于顶面基板30底面,ITO 导电层32结合于配向层31上,玻璃基体33结合于ITO导电层32上。参阅图4、图5、图6、图7及图8所示,本发明液晶面板的晶胞厚间隙 形成方法,其步骤包括步骤40至49;其中(40) 底面基板及顶面基板定位,即将上述图1所示底面基板10与顶面基 板30输送至如图5所示的固定位置,即顶面基板30位于底面基板10上方。(41) 隔离层移动至定位,即如图2所示的带状隔离层20移动对应至步骤 (40)底面基板10与顶面基板30之间位置,即如图5所示位于底面基板10上方及顶面基板30下方位置。(42) 隔离层粘合至底面基板,即将步骤(41)隔离层20的下保护膜24 除去,使下UV粘胶层23黏合至底面基板10顶端的配向层13上,如图6所 示。(43) 注入液晶于隔离层的空洞中,即将步骤(42)完成粘合底面基层10 的隔离层20的上保护膜26除去,使空洞22露出,并逐一注入液晶于空洞22 中,如以滴下式液晶注入方法充填于空洞22中,如图7所示。(44) 粘合隔离层与顶面基板,即藉由步骤(43)完成液晶注入步骤的隔 离层20顶端的上UV粘胶层25粘合至步骤40所示的顶面基板30下方的配 向层31,使底面基板IO、隔离层20与顶面基板30结合为如图8所示的一体 结构。(45) 以紫外光设备照射加热,即将步骤(44)完成底面基板10,隔离层 20与顶面基板30组合一体的结构,利用一紫外光设备50进行照射加热,使 隔离层20下端的下UV粘胶层23与上端的上UV粘胶层25加热硬化,如图 8所示,使隔离层20与底面基板10和顶面基板30稳固结合。(46) 裁切成型,即将步骤(45)完成紫外光照射的底面基板10、隔离层 20与顶面基板30组合一体的结构中的隔离层20切割后,即形成如图9所示 本发明的厚晶胞间隙之液晶面板100产品。参阅图IO所示,显示本发明液晶面板的晶胞厚间隙形成方法的第二实 施例,其中,显示在顶面基板30及底面基板IO之间,底面基板连结有两个 隔离层20及20',该隔离层20与顶面基板30间的连结方式及隔离层20'与 底面基板IO的连结方式,与图8及图9所示的隔离层20与底面基板10及顶 面基板30之间连结方式相同。参阅图ll所示,上述两个隔离层20及20'间结合有一双面配向薄膜60, 该双面配向薄膜60包括一透明基板61、第一配向膜62及第二配向膜63,透 明基板61为一异向性聚合物薄片(anistrop/c polymer films)构成,该第一配 向膜62涂镀结合于透明基板61顶面,第二配向膜63涂镀结合于透明基板61 底面,第一配向膜62由隔离层20的UV粘胶层25黏合,第二配向膜63由 该隔离层20'的UV粘胶层23加以粘合,该第一配向膜62及第二配向膜63 的配向角度不限,在本发明中是以第一配向膜62的配向角度为45度,第二 配向膜63的配向角度为145度为例,此种正交配向角度设计,可以使两个隔 离层20及20'间的液晶光学偏极光依存性作最适当的配对,并且可以增加 液晶面板100的液晶晶胞间隙厚度,又不会增加所需驱动电压与相对应的反 应时间。图10及图ll所示,本发明液晶面板100的液晶晶胞厚间隙构成方法的 第二实施例,其形成步骤可依如图4所示的步骤40至46完成,同时,加上 如可挠性的底面基板10的底层11,可以改变液晶面板100的外形,以符合 不同的应用场合需求,例如球面镜的液晶镜头或增加液晶面板100的液晶 晶胞间隙的光学特性,例如光学焦距特性。参阅图12、图13所示,为本发明液晶面板的晶胞厚间隙形成方法的第 三实施例,其中, 一隔离层70位于该底面基板10及顶面基板30间,该隔离 层70,包括数个隔离柱71、数个空洞72、至少一下UV粘胶层73、下保护 膜74、至少一上UV粘胶层75及上保护膜76,隔离柱71形状不限,在图12 及图13中为一不规则形状之例,且并非为上述隔离层20或20'的隔离柱21 圆柱形状,该空洞72分布于隔离层70内,每一空洞72—侧形成至少一注入 孔721,该下UV粘胶层73结合于封闭隔离柱71与空洞72下方,该下UV 粘胶层73表面由下保护膜74加以贴合保护, 一旦剥除下保护膜74,即可让 下UV粘胶层73具有粘性,上UV粘胶层75结合封闭于隔离柱71与空洞72 上方,且上UV粘胶层75表面由该上保护膜76加以贴合保护,同样地,撕 去上保护膜76,可使上UV粘胶层75具有黏性。参阅图14、图15及图16所示,图14为上述图12及图13所示本发明 液晶面板的晶胞厚间隙形成方法第三实施例的流程图,包括步骤80至86, 其中-(80) 底面基板及顶面基板定位,即将图13所示的底面基板10与顶面基 板30输送至如图13所示的固定位置,即顶面基板30位于底面基板10上方。(81) 隔离层移动至定位,即如图13所示的带状隔离层70,移动对应至步 骤80的底面基板10与顶面基板30之间位置,即如图13所示位于底面基板 10上方及顶面基板30下方位置。(82) 隔离层粘合至底面基板,即将步骤(81)的隔离层70的下方UV粘 胶层73的保护膜74除去,使下UV粘胶层73黏合至底面基板10顶端的配 向层13上,其作法类同于上述步骤(42)。(83) 粘合隔离层与顶面基板,即借助步骤(82)完成隔离层70黏合至底 面基板10步骤后,该隔离层70顶端的上UV粘胶层75粘合至步骤(80)所 示的顶面基板30下方的配向层31,使该底面基板IO、隔离层70与顶面基板 30结合为如图12所示的一体结构。(84) 以紫外光设备照射加热,即将步骤(83)完成底面基板10、隔离层 70与顶面基板30组合一体结构,通过一紫外光设备50进行照射加热,使隔 离层70下端的下UV粘胶层73与上端的上UV粘胶层75加热硬化,让隔离 层20与底面基板10与顶面基板30稳固结合。(85) 裁切成型,即将步骤(84)完成紫外光照射的底面基板10、隔离层 70与顶面基板30组合一体的结构中的隔离层70加以切割后,即形成如图15 所示的液晶面板100'的单元件。(86) 液晶真空注入隔离层空洞,即通过现有真空注入方式,将液晶经由 步骤(85)所形成的液晶面板100'的单元件的隔离层70的注入孔721注入, 以填满整个空洞72。(87) 密封注入孔,即将步骤(86)完成液晶注入隔离层70的空洞72制 程后,将隔离层70的注入孔721予以密封,形成如同图16所示的液晶面板 100'产品。上述图1至图16所示本发明的液晶面板的晶胞厚间隙形成方法,其中 所揭示的说明及图式,是为便于阐明本发明的技术内容及技术手段,所揭示 较佳实施例之一隅,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明作任何形 式上的限制,凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修 改、等同变化与修饰,均仍属于本发明技术方案的范围内。
权利要求
1. 一种液晶面板的晶胞厚间隙形成方法,其特征在于,包括下列步骤(A)底面基板及顶面基板定位,将一底面基板与一顶面基板输送至之固定位置,即顶面基板位于底面基板上方;(B)隔离层移动至定位,即至少一隔离层移动对应至步骤A的底面基板与顶面基板之间位置,即位于底面基板上方及顶面基板下方间位置,隔离层内设有数个隔离柱与空洞;(C)隔离层粘合至底面基板,即将步骤B的隔离层下方粘合至底面基板顶端;(D)注入液晶于隔离层之空洞中,将步骤c完成粘合底面基层之隔离层,供液晶注入该步骤A的隔离层的空洞中;(E)粘合隔离层与顶面基板,即藉由步骤D完成液晶注入步骤的隔离层顶端的上端粘合至步骤A的顶面基板下方,使该底面基板、隔离层与顶面基板结合为一体;(F)用紫外光设备照射加热,即将步骤E完成底面基板、隔离层与顶面基板组合一体的结构,通过紫外光设备进行照射加热,使隔离层与底面基板、顶面基板间稳固结合;(G)裁切成型,即将步骤F完成紫外光照射的底面基板、隔离层与顶面基板组合一体的结构中的隔离层进行切割,形成一厚晶胞间隙的液晶面板产品。
2、 根据权利要求1所述的液晶面板的晶胞厚间隙形成方法,其特征在于,所述步骤A中的底面基板包括 一底层,位于底部;一ITO导电层,结 .合于底层上; 一配向层,结合于ITO导电层上。
3、 根据权利要求2所述的液晶面板的晶胞厚间隙形成方法,其特征在于,所述底层为玻璃;所述底层为挠性基板构成。
4、 根据权利要求l所述的液晶面板的晶胞厚间隙形成方法,其特征在于, 所述步骤B中的隔离层包括数个隔离柱与空洞,分布于隔离层内,且隔离 柱与空洞形成交错方式布置; 一下UV粘胶层,结合于隔离柱与空洞下方; 一下保护膜,结合下UV粘胶层,以保护下UV粘胶层;-一上UV粘胶层, 结合于隔离柱与空洞上方; 一上保护膜,结合UV粘胶层,以保护上UV粘胶层并可用于封住空洞顶面。
5、 根据权利要求4所述的液晶面板的晶胞厚间隙形成方法,其特征在于,所述隔离柱为聚四氟乙烯构成。
6、 根据权利要求1所述的液晶面板的晶胞厚间隙形成方法,其特征在 于,所述步骤B的隔离层为带状。
7、 根据权利要求l所述的液晶面板的晶胞厚间隙形成方法,其特征在于, 所述步骤A的顶面基板包括一配向层,位于顶面基板底面;一ITO导电层,结合于配向层上; 一玻 璃基体,结合于ITO导电层上。
8、 根据权利要求1所述的液晶面板的晶胞厚间隙形成方法,其特征在 于,所述步骤D的液晶注入隔离层空洞的方式为滴下式液晶注入(ODF)方法。
9、 根据权利要求1所述的液晶面板的晶胞厚间隙形成方法,其特征在 于,所述步骤B的隔离层数量为二个;所述两隔离层之间结合一双向配向薄 膜,该双向配向薄膜包括 一透明基板; 一第一配向膜,涂镀于透明基板顶 面,结合于一隔离层; 一第二配向膜,涂镀于透明基板底面,结合于另一隔 离层;所述透明基板为一异向性聚合物薄片;所述第一配向膜的配向角度与 第二配向膜之配向角度相差九十度。
10、 一种液晶面板的晶胞厚间隙形成方法,其特征在于,其包括以下步骤(a) 底面基板及顶面基板定位,即将一底面基板与顶面基板输送至之固定 位置,即顶面基板位于底面基板上方;(b) 隔离层移动至定位,即一带状隔离层,移动对应至步骤(a)底面基 板与顶面基板之间位置,即位于底面基板上方及顶面基板下方位置,该隔离 层内设有数个隔离柱与空洞,该空洞一侧至少形成一注入孔;(c) 隔离层粘合至底面基板,即将步骤(c)的隔离层下方粘合至底面基 板顶端;(d) 粘合隔离层与顶面基板,即通过步骤(c)完成隔离层粘合至底面基 板步骤的隔离层顶端的上端粘合至步骤(a)顶面基板下方,使该底面基板、 隔离层与顶面基板结合为一体;(e) 通过紫外光设备照射加热,即将步骤(d)完成底面基板、隔离层与 顶面基板组合一体的结构,用一紫外光设备进行照射加热,使隔离层下端的下UV粘胶层与上端的上UV粘胶层加热硬化,让隔离层与底面基板和顶面 基板稳固结合;(f) 裁切成型,即将步骤(e)完成紫外光照射的底面基板、隔离层与顶 面基板组合一体的结构中的隔离层切割后,形成一液晶面板的单元件;(g) 液晶真空注入隔离层空洞,即通过现有真空注入方式,将液晶经由步 骤(f)的液晶面板单元件的隔离层注入孔注入以填满整个空洞;(h) 密封注入孔,即在步骤(g)完成液晶注入隔离层的空洞步骤后,将 隔离层注入孔予以密封,形成一液晶面板产品。
11. 根据权利要求10所述的液晶面板的晶胞厚间隙形成方法,其特征 在于,所述步骤(b)中的隔离层包括数个隔离柱与空洞,分布于隔离层 内; 一下UV粘胶层,结合于隔离柱与空洞下方; 一下保护膜,结合下UV 粘胶层,以保护下UV粘胶层; 一上LTV粘胶层,结合于隔离柱与空洞上方;一上保护膜,结合uv粘胶层,以保护上uv粘胶层并可封住空洞顶面。
12. 根据权利要求10所述的液晶面板的晶胞厚间隙形成方法,其特征 .在于,所述隔离柱为不规则形状。
全文摘要
本发明提供一种液晶面板的晶胞厚间隙形成方法,包括(A)底面基板及顶面基板定位;(B)隔离层移动至定位;(C)隔离层粘合至底面基板(D)注入液晶于隔离层之空洞中;(E)粘合隔离层与顶面基板;(F)用紫外光设备照射加热;(G)裁切成型,形成一厚晶胞间隙的液晶面板产品;节省间隔粒成本,提升液晶晶胞生产质量。
文档编号G02F1/13GK101211071SQ20061017049
公开日2008年7月2日 申请日期2006年12月31日 优先权日2006年12月31日
发明者廖正兴, 曾令远 申请人:曾令远;草田敦男