专利名称：：抗反射硬掩膜组合物的制作方法
技术领域：
：本发明涉及具有抗反射性能的用于光刻工艺的硬掩膜组合物，更具体地，涉及包括含芳香环聚合物、并在短波长范围(例如，157nm、193nm和248nm)具有强吸收的石更掩月莫组合物。
背景技术：
：人们不断要求降低微电子工业以及其他的相关工业中的结构型材的尺寸，包括显微结构的制造(例如，微机械、》兹阻磁头(magnetoresisthead)以及类似、物)。在樣吏电子工业中，存在着只于于降低微电子器件(或装置)尺寸的需要，以便在指定芯片尺寸上提供多个电^各。高效的光刻技术对于获得结构型材尺寸的降低是必要的。从在特定基底上直4妻成〗象图样以及产生通常用于这种成像的掩膜的角度，光刻技术影响着显微结构的生产。典型的光刻工艺包括辐射壽文感抗蚀剂的朝图样方向曝光(patternwiseexposure)，进^f亍辐射成^f象，以开》成有图才羊4匕的4元々虫剂层。之后，通过将曝光的抗蚀剂层与某种物质(通常，水溶性的碱性显影溶液)相4妄触来显影该图像。然后，对在图样化的抗蚀剂的空缺处存在的物质进行蚀刻，以便将图样转移至下面的材料。在转移完成之后，将抗蚀剂层的剩余部分移除。对于在大多数光刻工艺中的更佳解决方案，使用了抗反射涂层(ARC)以便使成像层，例如辐射敏感抗蚀材料层，以及下面的层之间的反射率最小化。然而，由于在形成图样之后的ARC蚀刻过程中，移除了成^f象层的许多部分，因此在随后的蚀刻步骤中需要进一步形成图样。也就是说，在一些光刻成像工艺中，所使用的抗蚀剂不会向随后的蚀刻步骤提供足够的抵抗性，以达到足以有效地将所期望的图样转移至抗蚀剂下面的层的程度。在实际的应用中(例如，在需要超薄膜抗蚀剂层的情况下，要进行蚀刻的下面的材料是厚的，需要相当大的蚀刻深度，和/或在下面的材料中需要使用特定的蚀刻剂)。使用了所谓的"硬掩膜层，，作为图样化的抗蚀剂层与可以通过从图样化的抗蚀剂进行转移而被图样化的下面的材料之间的中间层。硬掩膜层必须能够容纳(或适用于，accommodate)来自图样化的抗蚀剂层的图样，以及4氐抗所需要的蚀刻，以4更将图样转移至下面的材料。
发明内容技术问题尽管已知多种硬掩膜材料，但是对于改进的硬掩膜组合物仍存在持续的需要。由于传统的硬掩膜材料难于施加至基底，因此需要4吏用化学及物理气相沉积、特定的溶剂、和/或高温烘烤。一种优选的硬掩膜组合物可以通过旋涂技术进行施加，而无需高温烘烤。另一种优选的硬掩膜组合物能够以一种容易的方式在下面的光敏抗蚀剂中进行选择性蚀刻，同时，对于使下面的层，特别是下面的金属层图样化必要的蚀刻具有抵抗力。另一种优选的硬掩膜组合物提供了优异的存储性能，并避免了与成像抗蚀剂层之间的不良相互作6用(例如，来自硬掩膜的酸性污染)。另一种优选的硬掩膜组合物具有在更短波长(例如，157證、193nm、和248nm)处对抗成像辐射的特定的光学性能。本发明的另一个目的是提供一种使用硬掩膜组合物而使基底上的下面的材料层图样化的方法。技术方案根据本发明的一个方面，提供了一种抗反射硬掩膜组合物，包括(a)具有由式1表示的结构单元的含芳香环聚合物其中，m和n是满足0^m〈190,0=n<190以及m+n=190关系的整凄t，条件是m和n两者均不等于零；1^和113它们可以相同或不同，各自独立地选自氢原子、羟基基团(-OH)、d-Cu)烷基基团、CVdo芳基基团、烯丙基基团和卣素原子；R2和R4它们可以相同或不同，各自独立地选自<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>(其中，Rs选自氢原子、羟基基团(-OH)、C广CK)烷基基团、C6-d。芳基基团、烯丙基基团和卤素原子)，以及(b)有机溶剂。本发明的石更掩膜组合物可进一步包括(c)交联组分和(d)酸寸生4崔4匕剂(或酸4崔4匕剂，acidcatalyst)。在这种情况下，本发明的石更掩膜组合物可以包括按重量计1至20%的含芳香环聚合物(a)、按重量计75至98.8%的有机溶剂(b)、按重量计0.1至5%的交联组分(c)、以及按重量计0.001至0.05%的酸性催化剂(d)。含芳香环聚合物可具有l，OOO至30,000的重均分子量。如果需要的话，本发明的硬掩膜组合物可进一步包括表面活性剂。交联组分可以选自由醚化的氨基树脂类、N-曱氧基甲基-三聚氰胺树脂类、N-丁氧基甲基-三聚氰胺树脂类、甲基化脲醛树脂类、丁基化脲醛树脂类、甘脲衍生物类、2，6-双(羟曱基)对曱酚、双环氧4匕合物类、以及它们的混合物构成的组。酸性催化剂可以选自由对曱苯石黄酸一水合物、对曱苯石黄酸吡"定鑰、2,4，4，6-四溴环己二烯酮、安息香曱苯磺酸酯、2-硝基节基曱苯磺酸酯、以及有机石黄酸的烷基酯类构成的组。根据本发明的另一个方面，提供了一种使用硬掩膜组合物在基底上形成图样化的材料层的方法。具体地，本发明的方法包括步骤(a)在基底上提供材料层，(b)使用硬掩膜组合物在材料层上形成抗反射硬掩膜层，(c)在抗反射硬掩膜层上形成辐射敏感成像层，(d)将辐射敏感成像层朝图才羊方向曝露于(patternwiseexposing)辐射，以Y更在成^f象层上形成辐射曝光区域的图样，(e)选择性地移除一部分辐射敏感成像层和一部分抗反射石更掩膜层，以^更曝露材并+层的该部分，以及(f)蚀刻曝露的材料层的该部分，以便形成图样化的材料层。本发明的方法在步4繁(c)之前还可另外包4舌形成底部抗反射涂层(BARC)的步骤。根据本发明的另一个方面，提供了一种使用该方法制成的半导体集成电路器件(或装置)。具体实施例方式下面将详细描述本发明。本发明提供了一种抗反射硬掩膜组合物，包括在短波长范围，特别是在248nm处具有强吸收的含芳香环聚合物。具体地，本发明的该抗反射硬掩膜组合物包括(a)具有由式1表示的结构单元的含芳香环聚合物-」niL」n(i)其中，m和n是满足0:m〈190,0=n<190以及m+n=190关系的整凄t,条件是m和n两者均不等于零；1^和113它们可以相同或不同，各自独立地选自氢原子、羟基基团(-OH)、C广do烷基基团、C6-Q。芳基基团、烯丙基基团和囟素原子；R2和R4它们可以相同或不同，各自独立地选自(其中，Rs选自氢原子、羟基基团(-OH)、d-do烷基基团、C6-do芳基基团、烯丙基基团和卤素原子)，以及(b)有机溶齐'J。优选地，在本发明的硬掩膜组合物中使用的含芳香环聚合物(a)的芳香族环存在于聚合物的骨架链上。此外，优选地，含芳香环聚合物(a)包含多个能够与交联组分进行反应的活性位置，并沿聚合物的骨架链分布。此外，含芳香环聚合物必须具有成膜特性，其有助于通过传统的旋涂技术的层的形成。可以用于本发明的硬掩膜组合物中并满足上述要求的优选的含芳香环聚合物由式1表示<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>(i)其中，m和n是满足0二m〈190，0=n<190以及m+n=190关系的整凄t,条件是m和n两者均不等于零；R!和R3它们可以它们相同或不同，各自独立地选自氢原子、羟基基团(-OH)、C广do烷基基团、C6-do芳基基团、烯丙基基团和卤素原子；R2和R4它们可以相同或不同，各自独立;也选自(其中，Rs选自氢原子、羟基基团(-OH)、C广do烷基基团、C6-Cn)芳基基团、烯丙基基团和卣素原子)。更优选地，含芳香环聚合物的重均分子量处于约l，OOO至约30,000之间。优选地，基于100重量份的有机溶剂(b),使用的含芳香环聚合物(a)的量为l至30重量份。当含芳香环聚合物的使用量在该范围之外时，得不到所希望的涂层厚度，因此，使得准确控制(regulate)涂层的厚度变得困难。有机溶剂(b)的种类不受特别的限制，只要该含芳香环聚合物(a)在有机溶剂(b)中具有足够的溶解性。作为合适的有机溶剂，可以举例的有，丙二醇单曱醚醋酸酯(PGMEA)、环己酮和乳酸乙酯。本发明的硬掩膜组合物可进一步包括(c)交联组分和(d)酸性催化剂。优选地，在本发明的硬掩膜组合物中使用的交联组分(c)，是在由加热产生的酸来催化的反应中，能够使聚合物的重复单元交联的一种组分。优选地，酸性催化剂(d)为热活化的一种催化剂。作为在本发明的硬掩膜组合物中使用的酸性催化剂(d),可以4吏用常见的有才几酸，例如，对曱苯石黄酸一水合物。为了改进存^f渚稳定性，可以寸吏用热酉交发生剂(thermalacidgenerator)(TAG)4匕合物作为酸性催化剂(cLTAG是一种一进4于热处理就产生酸的化合物。优选的TAG类的实例包括对曱苯^黄酸吡啶鎗、2，4,4,6-四溴环己二歸酮(2，4,4,6-tetrabromocyclohexadienol)、安息香甲苯石黄酸酯、2-硝基千基甲苯磺酸酯、以及有机磺酸的烷基酯类。还可以-使用抗蚀剂领域中其他已知的辐射壽丈感酸性催化剂，只要它们与抗反射组合物中的其他组分可相容。另一方面，能够与含芳香环聚合物的羟基基团进行反应的，以这样的方式即通过产生的酸进行催化的任意交4关剂，可以用作交联组分(c)。12可以用于本发明的抗反射硬掩膜组合物中的交联剂的实例包括醚化的氨基树脂类、烷氧基烷基三聚氰胺树脂类(例如，N-曱氧基甲基-三聚氰胺树脂类和N-丁氧基曱基-三聚氰胺树脂类)、曱基化脲醛树脂类、丁基化脲醛树脂类(CymelU-65树脂和UFR80树月旨)、甘脲书亍生物类(例3口，式2表示的Powderlink1174)、2,6-双(羟甲基)对曱酚、和双环氧化合物类。在本发明的硬掩膜组合物中，在短波长范围内具有强吸收的含芳香环聚合物(a)优选使用的量为按重量计1至20%，更优选按重量计3至10%,有机溶剂(b)优选使用的量为按重量计75至98.8%，(c)交联组分(c)优选使用的量为按重量计0.1至5%且更优选按重量计0.1至3%,酸性催化剂(d)优选使用的量为按重量计0.001至0.05%且更优选按重量计0.001至0.03%。当所用的含芳香环聚合物的量按重量计小于1%或按重量计超过20%时，不能获得所需要的涂层厚度，因此，使得准确控制涂层的厚度变得困难。当所使用的交联组分的量为按重量计小于0.1%时，交联特性是不能令人满意的。同时，当所使用的交联组分的量按重量计大于5%时，可能改变涂层薄膜的光学性能。CHjOC^2CH3OCH2CH2OCH3用量为按重量计小于0.001%的酸性催化剂的应用可能导致令人不满意的交联特性。同时，用量为按重量计超过0.05%的酸性催化剂的应用会引起酸度的增大，这可能对硬掩膜组合物的存储稳定性造成负面影响。如果所使用的有机溶剂的量为按重量计小于75%或按重量计超过98.8%,则得不到所期望的涂层厚度，因此，使得准确控制涂层厚度变得困难。如果需要，本发明的硬掩膜组合物可以进一步包括至少一种添加剂，如表面活性剂。本发明还提供了一种使用石更掩膜组合物在位于基底上的下面的材并+层上形成图^f的方法。具体地，本发明的方法包括以下步艰朵(a)在基底上提供一种材料层；(b)在材料层上使用硬掩膜组合物形成抗反射硬掩膜层；(c)在抗反射》更掩膜层上形成辐射壽文感成^f象层；(d)将该辐射敏感成像层朝图样方向曝露于辐射，以在成像层中形成辐射曝光区域的图样；(e)选择性地移除一部分辐射#文感成<象层和一部分抗反射石更掩月莫层，以曝露材津牛层的该部分；以及(f)蚀刻所曝露的材料层的该部分以形成图样化的材料层。本发明的方法在步骤(c)之前可另外包括形成底部抗反射涂层(BARC)的步骤，以保证抗反射功能。本发明的方法可根据以下过程来实施。首先，将一种要形成图样的材料，诸如铝或氮化硅(SiN)通过传统技术施加至硅基底。作为要形成图样的材料，可以使用导电性的、半导电性的、磁性的或绝缘的材料。之后，将本发明的硬掩膜组合物旋涂成厚度为500至4,000A,然后在100-300。C下烘烤10秒至10分钟，以形成石更掩膜层。在硬掩膜层上形成了辐射敏感图像层。通过曝光要经由成像层的曝光而形成的图才羊的部分来实施显影。随后，将成^f象层和抗反射层选择性移除，以曝光材料层的部分，然后，使用气体诸如CHF3/CF4的混合气体来实施干蚀刻。在图样化的材料层形成之后，使用常见的光敏抗蚀剂剥离器将抗蚀剂的剩余部分移除。通过使用本发明的方法可以提供半导体集成电路器件(或装置)。因此，根据一般的半导体制造工艺，本发明的组合物和在基底上形成的图样化的材料层可以用于集成电路器件(或装置)的制造和设计。例如，本发明的组合物可用于图样化的材料层结构的形成中，诸如金属布线、用于4妄触和倾4牛(biases)的^U隔离部分(insulatingsection)(例长口，嵌入式沟才曹(DT)禾口浅沟冲曹隔离(STI))、用于电容器结构的沟槽。应当理解，本发明并不限于任何特定的光刻技术和器件(或装置)结构。下面将参照以下实施例对本发明进行详细描述。然而，所给的这些实施例仅为说明的目的，并不是旨在限制本发明的保护范围。实施例(1，5-二羟基萘和1，4-双甲氧基曱基苯的共聚物的合成)将装配有温度计、冷凝器、机械搅拌器和滴液漏斗的2,000ml三口烧瓶浸在140°C的油浴(oilbath)中。烧瓶和》兹力搅拌在热盘上进行。冷凝器中的冷却水的温度调整为40。C。添加160.17g(1摩尔)的1,5-二羟基萘1至反应器中，并溶解在656.02g的丙二醇单曱基醚醋酸酯(PGMEA)中。向;容液中添力卩4.63g(0.03摩尔)的錄u酸二乙酯(DS)。将116.35g(0.7摩尔)的1,4-双曱氧基曱基苯(MMB)引入至滴液漏斗中。当反应器的温度达到130。C时，緩慢逐滴地在1.5小时内将MMB添加至反应器中，以1更进行反应物的聚合反应。在反应过程中，以^L则的时间间隔测量反应混合物的粘度值以确定反应完成的时间。对于粘度值的测量，从反应器中取样lg反应混合物，迅速冷却至室温，使用PGMEA作为溶剂进行稀释，直至固体含量变为按重量计20%。当反应完成时，将4.48g(0.03摩尔)的三乙醇胺作为中和剂添加至反应器中，进行搅拌来终止该反应。将反应混合物緩慢冷却至室温。4吏用500g的PGMEA稀释该反应混合物，并转移至2,000ml的分液漏斗中。在剧烈搅拌下，将聚合物溶液逐滴添加至4kg的甲醇和乙二醇(90:10(g/g))的醇混合物中。在烧瓶的底部收集聚合物产品，并将上清液(supernatant)分离储藏。4吏用旋转蒸发器在60。C下10分钟将曱醇移除，得到共聚物。该共聚物的重均分子量和多分散性通过凝月交渗透色i普(GPC)来测量。结果发现该共聚物具有14,000的重均分子量和2.5的多分散性。[合成实施例2](2，7-二羟基萘和1,4-双曱氧基曱基苯的共聚物的合成)按照与合成实施例1中相同的方式来合成共聚物，只是使用160.17g(1摩尔)的2,7-二羟基萘代替160.17g的1，5-二羟基萘。在四氢呋喃中通过凝月交纟參透色i普(GPC)来测量共聚物的重均分子量和多分散性。结果发现该共聚物具有13,000的重均分子量和2.8的多分散性。(1—萘酚和1,4-双曱氧基曱基苯的共聚物的合成)按照与合成实施例1中相同的方式来合成共聚物，只是使用144.17g(1摩尔)的1-萘酚代替160.17g(1摩尔)的1,5-二羟基萘。在四氢吹喃中通过凝月交渗透色i普(GPC)来测量共聚物的重均分子量和多分散性。结果发现该共聚物具有14,000的重均分子量和2.5的多分散性。(l-萘酚和甲醛的共聚物的合成)按照与合成实施例3中相同的方式来合成共聚物，只是使用21.02g(0.7摩尔)的多聚曱醛代替116.35g(0.7摩尔)的1,4-双甲氧基甲基苯(MMB)。17在四氬呋喃中通过凝月交渗透色谱(GPC)来测量共聚物的重均分子量和多分散性。结果发现该共聚物具有11,000的重均分子量和2.2的多分散性。(l-萘酚、甲醛和1，4-双曱氧基曱基苯的三元共聚物的合成)按照与合成实施例1中相同的方式来合成该三元共聚物，只是使用15.02g(0.5摩尔)的多聚曱醛和83.11g(0.5摩尔)的1,4-双曱氧基曱基苯(MMB)代替116.35g(0.7摩尔)的1,4-双曱氧基曱基苯(MMB)。在四氬呋喃中通过凝月交渗透色i普(GPC)来测量三元共聚物的重均分子量和多分散性。结果发现该共聚物具有12,000的重均分子量和2.4的多分散性。将0.8g的合成实施例1至5中制备的每一种聚合物、0.2g作为交联组分的Powderlink1174(式2)和2mg的对曱笨石黄酸吡啶鎗溶解在9g丙二醇单甲基醚醋酸酯(PGMEA)中，过滤以制备样品溶液。CH^OCHsCHpCHaCH3OCH2CH2OCH3(2)将在实施例1和2中制备的每一种样品溶液旋涂在硅晶片上，并在200。C下烘烤60秒钟以形成1,500A厚的膜。另一方面，将在实施例3至5中制备的每一种样品溶液旋涂在硅晶片上，并在200。C下烘烤60秒钟以形成2，500A厚的膜。使用椭圓偏振测量仪(J.A.Woollam)测量膜的折光指数(n)和消光系数(k)。结果列于表l中。该结果表明，该膜具有在193nm(ArF)和248nm(KrF)处用作抗反射膜的合适的折光指数和吸光率。(9,9-双羟基苯基药和1,4-双曱氧基曱基苯的共聚物的合成)^j夸350.41g(l.O摩尔)的9，9-只又羟基苯基药、3.08g(0.02摩尔)的硫酸二乙酯和350g的丙二醇单曱基醚醋酸酯，搅拌下完全溶解于装配有机械搅拌器和冷凝器的3升的四口烧瓶中，保持反应器的温度为115。C。溶解10分钟后，将116.35g(0.7摩尔)的1,4-双甲氧基甲基苯逐滴添加至溶液中，然后，使所得到的混合物在相同温度下反应15小时。向反应混合物中添加2.98g(0.02摩尔)的三乙醇胺作为中和剂以终止该反应。在反应完成之后，使用水和曱醇的混合物从反应混合物中移除酸，使用曱醇将含有低聚物和单体的低分子量化合物移除，产生了由式3表示的聚合物(Mw=12，000、多分散'1~生=2.0、n=23)。(3)将0.8g的由合成实施例6制备的聚合物、0.2g的作为交联组分的Cymel303和2mg的对甲苯>黄酸吡啶鎗溶解在9g丙二醇单曱基醚醋酸酯(PGMEA)中，过滤以制备才羊品:容液。然后，将制备的样品溶液旋涂在硅晶片上，并在200。C下烘烤60秒、4中以形成2，500A厚的月莫。使用椭圆偏振测量仪(J.A.Woollam)测量膜的折光指数(n)和消光系数(k)。结果列于表l中。该结果表明，该膜具有在193nm(ArF)处用作抗反射膜的合适的折光指凄t和吸光率(消光系凄t)，但在248nm(KrF)处显示出了相对较低的吸光率。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>[实施例6至10]将实施例1和2中制备的每一种样品溶液旋涂在铝涂覆的珪晶片上，并在200。C下烘烤60秒钟以形成1，500A厚的膜。另一方面，将在实施例3至5中制备的每一种样品溶液旋涂在铝涂覆的硅晶片上，并在200。C下烘烤60秒钟以形成2，500A厚的月莫。在每一种"莫上涂覆KrF光4文抗蚀剂，在110。C下烘烤60秒4中，使用由ASML(XT:1400,NA0.93)制造的曝光系统进行曝光，利用TMAH(2.38wt。/。的水溶液)进4亍显影，以形成90-nm的线和空间图样。使用FE-SEM观察该图样，所得的结果示于以下表2中。测量了根据曝光能量的变化的曝光宽容度(EL)裕度(或极限，margin)和根据距测量光源的距离的变化的焦深(DoF)裕度(或极限，margin),并记录(表2)。结果，该图样在轮廓(profile)和裕度(margin)方面显示出了好的结果。[比4交例2]将由比较例1中制备的样品溶液旋涂在铝涂覆的硅晶片上，并在200。C下烘烤60秒钟以形成2,500A厚的薄膜。在薄膜上涂覆KrF光敏抗蚀剂，在110。C下烘烤60秒钟，使用由ASML(XT:1400,NA0.93)制造的曝光系统进行曝光，利用TMAH(2.38wt。/。的水溶液)进4亍显影，以形成90-nm的线和空间图样。使用FE-SEM观察该图样，所得的结果示于以下表2中。测量了根据曝光能量的变化的曝光宽容度(EL)裕度和根据距测量光源的距离的变化的焦深(DoF)裕度，并记录(表2)。结果，该图样在轮廓和裕度方面显示出了相对较差的结果，人们认为这是由于在248nm波长(KrF)处的吸收特性的差异。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>[实施例11至15]使用CHF3/CF4混合气体对图样化的试样(实施例6至10)进行干蚀刻，利用BCVCl2混合气体进行进一步的千蚀刻。最后，使用02将所有的剩余有机材料移除，使用FE-SEM观察试样的截面。结果列于表3中。如乂人该结果中可看出的，蚀刻的图才羊显示出了良好的蚀刻4仑廓和高的蚀刻选择性。使用CHF3/CF4混合气体对图样化的试样(比较例2)进行干蚀刻，利用BC13/C12混合气体进行进一步的干蚀刻。最后，使用02将所有的剩余有机材料移除，使用FE-SEM观察试样的截面。结果列于表3中。如从该结果中可看出的，在蚀刻图样的轮廓中出现了推体。人们相信该推体的出现是由于在蚀刻条件下的低的蚀刻选择性。表3在膜的形成中使用的样品蚀刻的图样的形状t匕哞交侈'J3锥形的，粗糙表面实施例11垂直的实施例12垂直的实施例13垂直的实施例14垂直的实施例15垂直的2工业应用本发明的抗反射性硬掩膜组合物可用于形成这样的膜其在深紫夕卜(DUV)处(例3口，ArF(193nm),KrF(248nm)等)具有用作抗反射膜的合适的折光指凄t和吸光率。即，当本发明的抗反射硬掩膜组合物用于光刻工艺时，其呈现出高的蚀刻选择性，对于多重蚀刻具有足够的抵抗力，且能够使抗蚀剂和下面的层之间的反射性降至最小。因此，本发明的抗反射硬掩膜组合物可用于提供在图样的轮廓和裕度方面具有更佳结果的光刻结构。权利要求1.一种抗反射硬掩膜组合物，包括(a)具有由式1表示的结构单元的含芳香环聚合物其中，m和n是满足0＝m<190，0＝n<190以及m+n＝190关系的整数，条件是m和n两者均不等于零；R1和R3可以相同或不同，它们各自独立地选自氢原子、羟基基团(-OH)、C1-C10烷基基团、C6-C10芳基基团、烯丙基基团和卤素原子；R2和R4可以相同或不同，它们各自独立地选自—CH2—、和其中，R5选自氢原子、羟基基团(-OH)、C1-C10烷基基团、C6-C10芳基基团、烯丙基基团和卤素原子，以及(b)有机溶剂。2.根据权利要求1所述的抗反射硬掩膜组合物，进一步包括(c)交联组分和(d)酸性催化剂。3.根据权利要求2所述的抗反射硬掩膜组合物，其中所述硬掩膜组合物包括(a)按重量计1%至20%的所述含芳香环聚合物，(b)按重量计75%至98.8%的所述有才几溶剂，(c)按重量计0.1%至5%的所述交联组分，以及(d)按重量计0.001%至0.05%的所述酸性催化剂。4.根据权利要求1所述的抗反射硬掩膜组合物，其中所述含芳香环聚合物具有1,000至30,000的重均分子量。5.根据权利要求1所述的抗反射硬掩膜组合物，进一步包括表面活性剂。6.根据权利要求2所述的抗反射硬掩膜组合物，其中所述交联组分选自由醚化的氨基树脂类、N-曱氧基曱基-三聚氰胺树脂类、N-丁氧基曱基-三聚氰胺树脂类、曱基化脲醛树脂类、丁基化脲醛树脂类、甘脲衍生物类、2，6-双(羟甲基)对曱酚、双环氧化合物类、以及它们的混合物构成的组。7.根据权利要求2所述的抗反射硬掩膜组合物，其中所述酸性催化剂选自由对曱苯磺酸一水合物、对曱苯石黄酸吡啶鑰、2，4,4,6-四溴环己二烯酮、安息香甲苯石黄酸酯、2-硝基苄基曱苯磺酸酯、以及有扭^黄酸的殳克基酯类构成的组。8.—种用于在基底上形成图样化的材料层的方法，所述方法包括以下步骤(a)在基底上提供材料层；(b)使用根据权利要求1至7中任一项所述的硬掩膜组合物在所述材料层上形成抗反射硬掩膜层；(c)在所述抗反射硬掩膜层上形成辐射壽丈感成像层；(d)将所述辐射敏感成像层朝图样方向曝露于辐射，以便在所述成像层上形成辐射曝光区域的图样；(e)选择性地移除一部分所述辐射敏感成像层和一部分所述抗反射硬掩膜层，以便曝露所述材料层的所述部分；以及(f)蚀刻曝露的所述材料层的所述部分，以便形成图样化的材料层。9.根据权利要求8所述的方法，在步骤(c)之前，进一步包括形成底部4元反射涂层(BARC)的步艰《。10.—种利用才艮据^^利要求8所述的方法而制成的半导体集成电路器件。全文摘要本发明披露了一种抗反射硬掩膜组合物，其具有对于光刻工艺有用的抗反射性能。该硬掩膜组合物提供了优异的光学性能、优异的机械性能以及高的蚀刻选择性。另外，该硬掩膜组合物可以通过旋涂技术容易地施用。有利地，该硬掩膜组合物适用于短波长光刻工艺，并具有最小的剩余酸含量。文档编号G03F7/004GK101449207SQ200680054744公开日2009年6月3日申请日期2006年12月29日优先权日2006年5月30日发明者南伊纳,吴昌一,尹熙灿,李镇国,林相学,邢敬熙,金旼秀,金相均,金钟涉,鱼东善申请人:第一毛织株式会社