专利名称：：去除光致抗蚀剂、蚀刻残余物的barc的配制料的制作方法去除鄉抗蚀剂、懒贼織和BARC的配伟蝌相关申请的交叉引用本发明要求享有2006年11月21日申请的名称为"去除光致抗蚀剂、鹏lj残鄉和BARC的配制料"的美国临时申请l1/602,662的优先权。在此引入该临时申请所公开的内容作为参考。
背景技术：
：微电子结构的帝膽涉及许多步骤。在制造集成电路的方案中，有时需要选择性懒伴导体表面。历史上，己经不同程度地成功利用许多差别很大的类型的蚀刻工艺，择性去除物质。此外，在微电子结构中不同层的选蚀刻被认为是集成电路制紅艺中的关键且决定性步骤。在半导体和半导体微电路的制造中，经常需要用聚合有机物质凃敷基底材料。一些基底材料的实例包括钛、铜、可进一步含有钛、铜等金属元素的涂有二氧化硅的硅片。一般地，所述聚合有机物质是皿抗蚀剂材料。这是一种在曝光后显影时将形成'掩模的材料。在接下来的加工步骤中，将至少一部分所述光致抗蚀剂，/MS底的表面去除。一种常用的从基底去除光致抗蚀齐啲方法JiM:湿化学法。所配制来iABlf述基底去除所述光致抗蚀剂的湿化学组合物应该ti腿点而不腐蚀、溶解和/或钝化任何金属电路的表面；化学改势万述无m^底；和/劍fWf述基絲身。另一种去除繊抗蚀剂的方法;！Mil干灰法，在该方法中使用氧气或合成气体例如氢气通过等离子灰化去除所述光致抗蚀剂。所述残余物或副产物可能是所述光致抗蚀齐体身鄉/f述光致抗蚀剂、下面的基底和/或懒忾体的组合。这些残余物或副产物经常作为侧壁聚储、掩■(veils)或围栏物(fences)而,。活性离子蚀刻(R正)^M多地作为在通孔、金属线路(metalline)和沟槽形成期间图案传输工艺的选择。例如，需要线路互连配线的后端的多重层的复杂半导体装置例如髙级DRAMS和微M器，利用RIE生成通孔、金属线路和沟槽结构。使用通孔穿过层间介电体从而提供一层的硅、硅化物或金属配线(wiring)与下一层的配线之间的接触。金属线路Jiffl作装置互连的导电结构。沟槽结构在金属线路结构的形成中使用。在含铜的半导体基底中广泛使用底部抗^!t凃层(BARC)和间隙填充材料，它们一般是髙度交联的有机聚,材料。BARC材料还可以包含，例如，硅。通L、金属线路和沟槽结构一般露出金属和合金例如Al-Cu、Cu、Ti、TiN、Ta、TaN、W、TiW、硅或硅化物例如钨、滅钴的硅化物。所述RE工2M常留下可能包括下述物质的残總Mlt了的(re^sputtered)氧化辦才料以及可能的来自用于平版印刷地限定所舰孔、金属线路和或沟槽结构的抗蚀剂和抗反肿凃敷材料的有机材料。因此，人们希望提供一种选择性清洗组合物以及肯辦去除例如下述物质的残留物的方法例如，残留的5^蚀剂、BARC和/鄉卩工残留抓例如，使用等离子禾P/或RIE选择性嫩iJ产生的残余物。财卜，人们希望提供一种选择性清洗组合物以及育辦去除残繊例如光鄉蚀剂、BARC和鹏喊余物的方法，其对于所述残織相比于下述物质表现出高选择性金属、高介电常数物质(此处写作"髙-k")、硅、硅化物禾n/或包樹氐介电常数物质(此处写作"低-k")例如也可能暴露于所述清洗组合物的沉积氧化物的层间介电体材料。人们希望提供一种组糊，它能和例如下述的感光低-k膜兼容并一起^柳HSQ、MSQ、FOx、黑金刚石和TEOS(硅酸四乙基酯)。发明此处所公开的配制料(fommlatioii)能够选择性去除残余物而不在任何不希望的禾號上侵蚀也可兽據露于戶脱配帝蝌的金属、低-k介电体柳或高-k介电体材料，所述残余物例如光致抗蚀剂、离子注入光致抗蚀剂、间隙填料、BARC和/麟它聚^t才料、和/或无糊才料以及来自基底柳口工残雑。所述去除光致抗蚀剂、嫩喊総或BARC的配伟蝌包括氢氧化铵和2-氨基苯并噻唑、縫的水。一雌的该配制料包括；氣氧化四甲基铵、甲苯基三唑、丙二醇、2-魏苯并噻唑、二丙二醇单甲醚、綠的水；更雌氢氧化四甲纖安1一15重量％、甲苯基三唑l一5重量％、丙二醇5—15重量％、2-氨基苯并噻唑1一10重#%;二丙二醇单甲醚20—45fiS%、縫的水。一种具体更鶴的配葡鹏包括氢氧化四甲基铵6.5重量％、甲苯基三唑3重量％、丙二醇10重量％、2-^^苯并噻唑6重量％;二丙二醇单甲醚39重量％、余量的7K。另一种具体更雌的配制,斗包括氢氧化四甲基铵5重%、甲苯基三唑3重*%、丙二醇12.13重量％、2-氨基苯并噻唑1.5重量％;二丙二醇单甲醚40重量％、余量的水。本发明还是一种从基底去除选自舰抗蚀剂、懒喊繊、BARC以及它们的组合的物质的方法，它包括将J:^的配制料应用到所述基底从而;^;f述基底去除所述物质。发明详述方法，抗蚀剂、离子注入光致抗蚀剂、柳MI斗、底部抗Rlt凃层(BARC)子装置的;底的清洗^法中，通常需要去除的污鹏可包括，例如，有机化合物例如暴露的秋^^化的光，蚀剂材料、灰化的光，蚀剂残，、UV或X光硬化的光致抗蚀剂、含C-F的聚合物、低^量和高^量聚合物，以及其它有机蚀刻残余物；无机化合物例如金属氧化物、来自化学机械平面化(chemicalmechanicalplanarization)(CMP)浆的陶M粒和其它无机M喊Mh含金属的化，例如有机金属残^tl和金属有机化合物；离子的和中性的、轻的和重的无机(金属)物质、湿气、以及不溶的材料，包括由例如研磨和MlJ加工的方法产生的颗粒。在一个具体实施方案中，M万述基底去除的残余物包齢硅的BARC残她所述残余物通常存在于基底中，该基底还可以包括金属、硅、硅酸盐和/^间介电,料，例如沉积的二氧化硅和二氧化硅衍生物例如HSQ、MSQ、FOX、TEOS和旋涂式玻爽spiiw)nglass)、化学气相沉积的介电体材料、低-k材料和/或髙-k材料例如硅自、氧化铪、钛隞思钡(BST)、TiOz、Ta05,其中所述残余物和所述金属、硅、硅化物、层间介电##料、低-k和/或高-k材料都将与所逾清洗配制料相接触。此处所公开的配制料和方法提供选择性去除所述残總而不显割fWf^^属、硅、二氧化硅、层间介电糊料、低-k禾卩/或高-k材料，该残，例如光致抗蚀剂、离子注入光致抗蚀剂、BARC、间隙1"和/或加工残余物。在特定实施方案中，该基底可包含金属，例如但不限于铜、铜合金、钛、氮化钛、钽、氮化钽、妈和/或敏餘金。在一个实施方案中，此处所公开的配伟鹏可适用矜感刑氏-k-膜(sensitivelow-k-film)的基底。在一个具体实駄案中，该基底可包含低-k材料、高-k材料或它们的组合。—方面，衝共了从包含BARC的基底去除残雑的配制料，该配制料包括二丙二醇单甲醚、氣氧化四甲基铵、甲苯基三唑、丙二醇、2-錢苯并噻唑和去离子水。更^该配制料是二丙二醇单甲醚20—45重量％、氮氧化四甲基铵l一15重量％、甲苯基三唑l一5重量％、丙二醇5—15重量％、2-氨基苯并噻唑1一10S1T。和綠的去离子水。一种具体更雌的该配制料是包職氧化四甲基铵6.5重量％、甲苯基三唑3重量％、丙二醇10重*%、2-，苯并噻唑6重量％、二丙二醇单甲醚39重*%和余量的水。另一种具体更优逸的该配制,斗是包,氧化四甲基铵5重量％、甲苯基三唑3重量％、丙二醇12.13重量y。、2-MS苯并噻唑1.5M0/。、二丙二醇单甲醚40重1%和縫的水。该魏化物不含有超过100ppm的污Ml金属，例如K，Na等等。此处所公开的配伟鹏不含氧化剂、磨粒或任何不利地影响所述配制料的剥离和清洗能力或损害下面的基底的一个或多个表面的附加成分。氧化剂的实例包括但不限于过氧化氢(HA)、过一硫^a、碘酸盐、过邻苯二甲,、过氧乙酸和其它过酸、过硫,、溴,、过碘,、硝、石肖酸、微、铈盐、Mn(m)、Mn(IV)和Mn(VI)盐、舰、Cu盐、铬盐、钴盐、齒素次氯離以及它们的混合物。磨粒的实例包括金刚石颗粒和金属氧化物、硼化物、碳化物、氧化铝、二氧化铈和硅石以及它们的混合物。在特定实施方案中，该配制料用于去除残余物例如M自CMP工艺的CMP溶液中所含的磨粒。此^^f公开的配制料tt^不含这样的颗粒。此姬万公幵的配审蝌中还雜水。水按錢计以大约1%到大约95%，或大约1到大约75%，或大约1到大约50%的量存在。它可以作为其它成分的组分附带地存在，例如，包含氟化物离子源或季铵化合物的水溶液，或者可以将其单独地加入。一些非限制性的水的实例包括去离子水、超纯水、蒸馏水、二次蒸馏水或具有低金属含量的去离子水。在特定实案中，此处所公开的配伟胖斗可包含作为任选组分的有机翻y,其雌是水溶性的。銜权溶性有机總啦重影十可以以大约0%到大约60%，或大约0到大约55%,或大约0到大约50%的量存在。该7K溶性有机赚啲实例包括但不限于二甲基乙S5t^'(DMAC)、N-甲掛比咯烷酮(NMP〉、二甲基亚砜(DMSO)、二甲基甲,、N-甲基甲酰胺、甲酰胺、二甲基2-哌啶酮(DMPD)、四纖醇、甘油、乙二醇和其它,、醇或亚砜，或多官能团化，，例如羟基,或氨基醇。该7K溶性有机溶剂的进一步实例包括二醇和多元醇例如(C2一Qo)烷基二醇和(C3—C2Q)烷基三醇、环状醇和取代的醇。这些7K溶性有机翻啲具体实例包括丙二醇、四織醇、双丙酮醇和1，4-环己烷二甲醇。在特定实M^案中，该有机极性，何以是DMSO、NMP禾0/或DMAC。以上列举的水溶性有,阿以单独iOT或者两种或更多种，iJi^使用。在特定实施方案中，该7K溶性有机,IJ可包括乙二醇醚。二醇醚的实例包括乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丁醚、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丙醚、二乙二醇单异丙醚、二乙二醇单丁醚、二乙二醇单异丁醚、二乙二醇单节醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、三乙二醇单甲醚、三乙二醇二甲醚、聚乙二醇单甲醚、二乙二醇甲基乙基醚、乙二醇单甲基醚乙酸酯、乙二醇单乙基醚乙酸酯、丙二醇甲基醚乙酸酯、丙二醇单甲醚、丙二醇二甲醚、丙二醇单丁醚、丙二醇、单丙醚、二丙二醇单甲醚、二丙二醇单丙醚、二丙二醇单异丙醚、二丙二醇单丁醚、二丙二醇二异丙醚、三丙二醇单甲醚、l-甲綠2-丁醇、2-甲氧吝I-丁醇、2-甲氧吝2-甲基丁醇、1，1-二甲竊乙烷和2-(2-丁竊乙竊)乙醇。在特定实lfe^案中，该配制料可任选包括按S4i十大约0.1%到大约5%的取代的I5M或它的^盐。羟胺的实例包括二乙基羟胺和它的乳酸和，酸盐。在特定实案中，该配制料可ffi^地包括有机酸。该有机酸按重量计以该配伟胖斗的大约0%到大约10%,駄约0%到大约5%，或大约0%到大约2%的量存在。有机酸的实例包括但不限于拧檬酸、邻，苯甲酸、没食子酸、苯甲酸、丙二酸、马總、富马酸、D^苹果酸、异酞酸、邻苯二甲酸和乳酸。在特定实案中，此姬万描述的配制料可任选地包括一种或多种腐蚀抑制剂。所述磺酸自应的盐按重量计以该配制料的大约0%到大约20%，或大约0%到10%,駄约0%到大约5%的量存在。賴的腐蚀抑制剂的实例包括但不限于有机,、儿茶酚、苯并三唑(BZT)、间苯二酚、其它鼢、酸或三唑、马来酸酐、邻苯二甲酸酐、儿茶酚、麟三i)(pyrogallol)、没食子酸的酯、羧基苯并三唑、果糖、硫代硫,、甘氨酸、四甲基胍、亚氨基二乙酸、二甲基乙酰乙醐安、三羟基苯、二羟基苯、ZK杨基,酸(salicyclohydroxamic)以及它们的混，。该配审鹏还可以包括一种或多种下述的添加剂表面活性剂、鳌合剂、化学改性剂、染料、生物杀灭剂和其顿加剂。可以将这些添加剂加入此处所描述的配制料的条件是S^会不利地影响该配制料的剥离和清洗能力或下面的金属、硅、二氧化硅、层间介电##料、低-k禾n/或高-k材料的魏性。例如，如果用该配制料处理含铜的基底，该配制料不含有会增加所述配制料的铜懒腿率的附加添加剂。4诚性添加剂的一些实例包括鹏及其衍生物、炔二醇(非离预竊化的禾P/或可自乳化的炔二醇表面活性剂)及其衍生物、醇、雑和二胺、鹏(包括麵子翻,如二甲基甲,和二甲基乙鹏)、烷基烷醇胺(例如二乙醇乙胺)和鳌合剂例如P-二酮、P-酮-鹏、羧酸、基于苹果酸(mallicacid)和、舰酸的酯和二酯以及它们的衍生物、和叔胺、二胺和三胺。此^^f公开的配带脚是与包含低-k膜例如HSQ(FOx)、MSQ、SiLK等的基底相容的。该配制料还在低温下有效池剥离包括正性和负性光致抗蚀齐啲光致抗蚀剂以及等离，喊余物例如有机残，、有l/l^属残余物、无机残余物、金属氧化物或舰抗蚀剂复糊，并且对含铜和/或钛的基底具有极低的腐蚀。此外，该配帝蝌是与多种金属、硅、二氧化硅、层间介电^t才料、低-k禾P/或高-k材料相容的。在制itilli中，将舰抗蚀剂层涂到基底上。使用照相平版印刷法将图案限定在光致抗蚀剂层上。这样，将所述具有图案的光致抗蚀剂层进纟拷离预刻，Mil等离，l將图案传输到所^^底上。懒U残余物在蚀刻阶段产生。本发明所用的基底有些灰化而有些不灰化。当所^^底灰化时，餘清洗的主要残余物是嫩跻蛾雑。如果所述基底没有灰化，另，么待淸洗或剥离的主要残雑麯亥鹏総和光致抗蚀剂。可以舰将基底与戶膽的配制料相接角妹实施此舰描述的方法，其中所述的基底具有作为膜^残^^m的金属、有机^^属有机聚，、无机盐、氧化物、氢氧化物或^物或它们的组合。实际条件例如温度、时间等取决于待去除的物质的'M和厚度。通常地，在20'C到85'C,或20'C到6(TC，或20"到4(TC的M下将戶;f^^底导入或臥含有戶服配伟蝌的織中。所^S底暴露于所述配制料的一般时间间隔可以是,例如0.1到60併中，或1到30射中,或1到15分钟。在与戶，配制,触后，可冲洗该基底然后^P燥。千M常在惰性气氛中进行。在特定实"案中，在所fe&S底与此处所描述的配制,触之前、期间和/或之后，可以进行去离子水冲洗或包含去离子水与其t^加齐啲冲洗。然而，该配制料可用于任何利用清洗液去除光致抗蚀剂、离子注入光致抗蚀剂、BARC、灰分或贼，和/或残，的本领域公知的方法中。以下是本说明书中使用的縮写DPM二丙二醇单甲醚TMAH氢氧化四甲TMAF氟化四甲,DI水去离子水PG丙二醇ABT2-ttS苯并噻唑TTL甲^S三唑实施例的配伟蝌被列于表l:表1配制料实施例A实施例B实施例CDPM25.00DPM39,00DPM50.00TMAF0.30TMAF0.00TMAF0.00TMAH6.50TMAH6.50TMAH6.50TTL3.00TTL3.00TTL3.00PG10.00PG10.00PG4.00ABT8.00ABT6.00ABT楊DI水47.20DI水35.50DI水32.50实施例D实施例E实施例FDPM44.00DPM40.00DPM38.00TMAF0.00TMAH5.00TMAH5.00TMAH6.50TTL3.00TTL3.00TTL3.00PG12.13PG16.13PG10.00層1.50ABT1.50ABT5,00DI水38.37DI水36.37DI水31.50表2提供在低k介电体壳层上的嫩腿率的概要。在所有下述的嫩i腿率中，在40'C暴露5、10、20、40和60，中的^{牛下实施测量。在^^时间间隔测定厚度并对每个实例组合物的结果用"最小平^^合"模型作图。*组合物的"最小平^f(合"觀的计算斜率是以纷倂中(A/min)彰5的合成懒瞇率。在确定介电体懒瞇率ill呈中，所述芯片具有沉积在Si芯片上的已知厚度的鶴。舰FilmTek2000SE型光谱椭偏W娜仪测定初始厚度。将大约200mls测^^體于250ml烧杯中鄉拌和加热(如果需要)至蹄定的、纖。如果只将一片芯片置矜溶液的娜中则糊芯片(dummywafer)置于纖杯中。在测定所述初始厚度后，将测试芯片、臥实例组糊中。五辦巾后，将该测试芯片从所述测试溶液中移除，用去离子水冲洗三併中并在氮气中完全干燥。测量每片芯片的厚度并且如果需要，在所述测试芯片上重复该工序。实施例A，B，D,E及F与低k介电体的兼容性被评估。实施例C与低k介电体的兼容性未被刑古。所有六个实施例的去除^C蚀剂、BARC和后蚀亥喊繊的能力繊iW古并列于表3。颜图案化的芯片所得到的结果，实施例C未破坏多孔性ILD,且能有效的去除光致抗蚀剂和BARC物质。表2嫩瞇率(A/min)<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>JSRLEB力43，JSR公司制造PDEMS2.5/2.2W:气体产品与化学公司制造pSiLK:DOW化学公司伟隨表3鄉脱明雌的组激从测试基底去除jfeW[蚀剂、BARC和懒贼糊的效果。所述芯片具有193nm的繊抗蚀剂层、193nm的BARC层、未知的超低-k层和二氧化娃层。然后，ffi3i将戶;f^s底^A优逸的组^;中加工该基底。在这个工序中，将一片或多片测试芯片置于含有400mls每种组讀的600亳升(ml)烧杯中。该600ml烧杯进一步包括1英寸的搅拌棒，该搅拌棒以^中400转旋转。然后，以表3中所衝共的时间和驗加热其中含有所述芯片的组合物。在暴露于所述优选的组合物后，用去离子水冲洗该芯片并用氮气干燥。将该芯片劈裂以提供棱边，随后用扫描电子显微镜(SEM)在所述芯片上的多个预定位置上检测，并EXt淸洗性能和对下面的层间介电体(ILD)的损害的结mift行视觉说明和标记，其以下述的方式提供在表3中对于清洗"+"te^优秀，"P"^^P份移除，而"-"标差，以舰于ILD损害"+"标无损害，而"-"fe^损害。表3SEM结果<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>歸图案化的芯片所得到的结果，实施例C,B,D,E及F未破坏多孔性ELDo所有六个实施例都能有效的去除舰抗蚀剂。另一方面，实施例B，C,E及F能有效的去除BARC物质。虽然参照具体的实施例并详细描述了本发明，但;i^领域的熟练技术人员可以在所揭示内容的教导下可以对前述细节进行不同的修饰和改变。因此所揭示的特定配置仅作为示范说明的用途，而不是用于限制本发明范围，本发明范围为下列权利要求及其均^f所界定。权利要求1、一种去除光致抗蚀剂、离子注入光致抗蚀剂、BARC和/或蚀刻残余物的配制料，其中该配制料包括氢氧化铵和2-氨基苯并噻唑、余量的水，并且该氢氧化铵不含有超过100ppm的污染物金属。2、权利要求1所述的配制料，其不含有氧化剂或磨粒。3、权利要求l所述的配制料，其中该该氢氧化铵选自氢氧化四铁、氟化四甲氨基及它们的混合物所组成的群组。4、权利要求1所述的配制料，其进—步包括0-60重量％的水溶性的有机翻溶剂，其选自二甲基乙酰胺,、N-甲掛比咯烷酮、二甲基亚砜、二甲基甲,、N-甲基甲酰胺、甲酰胺、二甲基2-哌啶酮、四氢糠醇、甘油、乙二醇、酰胺、醇、亚砜、多官能团化糊、羟基,、氨基醇、二醇、多元醇、(Q-Qo)烷基二醇、(C广Qo)織三醇、环状醇、丙二醇、四氢糠醇、双丙酮醇、1，4-环己烷二甲醇、乙二IMS它们的混合物所组成的群组。5、权利要求l所述的配制料，其迸一步包括0.1-5重量％的取代的,或它的酸式盐。6、权利要求1所述的配律蝌，其进一步包括0-10重量%的有机酸，棘机酸选自柠檬酸、邻髓苯甲酸、没食子酸、苯甲酸、丙二酸、马来酸、富马酸、D，L-苹果酸、异酞酸、邻苯二甲酸、乳自它们的混合物所组成的群组。7、权利要求1所述的配审脚，其进一步包括0-20重量%的腐蚀抑制剂，该腐蚀抑制剂选自有机,、酚、酸、三唑、儿茶酚、苯并三唑、间苯二酚、马来酸酐、邻苯二甲酸酐、儿娜、麟三酚、没食子酸的酯、羧基苯并三唑、果糖、硫代硫,、甘氨酸、四甲基胍、亚氨基二乙酸、二甲基乙酰乙,、三羟基苯、二羟基苯、7夂杨基它们的混合物所组成的群组。8、权利要求l戶脱的配制料，其进一步包括选自表面活性抓鳌合剂、化学改性剂、染料、生物杀灭剂及它们的混合物所组成的群组的添加剂，条件是该添加剂不会不利地影响该配制料的剥离和清洗能力或下面的金属、硅、二氧化硅、层间介电懒才料、低-k和/或高-k材料的完整性。9、一种去除光致抗蚀剂、离子注入抗蚀剂、BARC禾口/或蚀刻残余物的配制料，其中该配制料包括氢氧化四甲基铵、甲苯基三唑、丙二醇、2-氮基苯并噻唑、二丙二醇单甲醚、縫的水，并且该氢氧化四甲辭安不含有超过iooppm的污鹏金属。10、权利要求9所述的配制料，其中该配制料包括氢氧化四甲纖l一15重量％、甲苯基三唑1一5重量％、丙二醇5—15重量％、2-氨基苯并噻唑l一10重量％、二丙二醇单甲醚20—45lfto/。、余量的水。11、权利要求9戶脱的配制料，其中该配制料包括氮氧化四甲纖6.5M%、甲苯基三唑3重3%、丙二醇10重量％、2-^^苯并噻唑6重變/。、二丙二醇单甲醚39重量％、余量的水。12、权利要求9戶脱的配帝蝌，其中该配制料包括氢氧化四甲纖5重量％、甲苯基三唑3重量％、丙二醇12.13重量％、2-皿苯并噻唑1.5重量％、二丙二醇单甲醚40重量％、余量的水。13、一种从基底去除选自，抗蚀剂、离子注入，抗蚀剂、M贼，、BARC以及它们的组合的物质的方法，其包括将根据权利要求1的配制料施用到所述基底从而M^述基底去除所述物质。14、权利要求13所述的方法，其中该配制料不含有氧化剂鹏粒。15、权利要求13所述的方法，其中该配制料进一步包括0-60重量％的水溶性的有机翻IJ,其选自二甲基乙鹏、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜、二甲基甲,、N-甲基甲,、甲鹏、二甲基-2-哌啶酮、四織醇、甘油、乙二醇、醐安、醇、亚砜、多官能团化合物、羟基鹏、錢醇、二醇、多元醇、(C2—&0)織二醇、(C3—C20)烷基三醇、环状醇、丙二醇、四織醇、双丙酮醇、1，4-环己烷二甲醇、乙二醇舰它们的混^tl所组成的群组。16、权利要求13所述的方法，其中该配制料进一步包括0.1-5重量％的取代的羟胺或它的酸^4k。17、权利要求13所述的方法，其中该配制料进一步包括0-10重4%的有机酸，该有机酸选自機酸、邻氨基苯甲酸、没食子酸、苯甲酸、丙二酸、马来酸、富马酸、D^苹果酸、异酞酸、邻苯二甲酸、乳舰它们的混合物所组成的群组。18、权利要求13所述的方法，其中该配制料进一步包括0-20重1%的腐蚀抑帝,J,彌蚀抑制剂选自有机酸盐、酚、酸、三唑、儿茶酚、苯并三唑、间苯二酚、马来酸酐、邻苯二甲酸酐、儿茶酚、3*三酚、没食子酸的酯、羧基苯并三唑、果糖、硫代硫,、甘氨酸、四甲基胍、亚氨基二乙酸、二甲基乙酰乙酰按、三羟基苯、二羟基苯、7K杨基羟照酸及它们的混合物所,的群组。19、权利要求13所述的方法，其中该配制料进一步包括选自表面活性剂、鳌合剂、化学改性剂、染料、生物杀灭剂及它们的混合物所组成的群组的添加剂，剝牛是该添加齐杯会不利地影响该配制料的剥离和清洗能力或下面的金属、硅、二氧化硅、层间介电#^才料、低-k和/或高-k材料的完整性。20、一种从基底去除选自舰抗蚀剂、离子^A繊抗蚀剂、懒喊雑、BARC以及它们的组合的物质的方法，其包括将根据权利要求9的配制料施用到所述基底从而^Ff述基底去除所述物质。21、权利要求20所述的方法，其中该配制料包括氢氧化四甲基铵1一15重量％、甲苯基三唑1一5重量％、丙二醇5-15重lTo、2-ES苯并噻唑l一10重量％、二丙二醇单甲醚20—45重量％、余量的水。22、权利要求20所述的方法，其中戶腿配制料包括魏化四甲基铵6.5重量％、甲苯基三唑3重量％、丙二醇10重量％、2-§[^苯并噻唑6重量％、二丙二醇单甲魅39重量％、余量的7K。23、权利要求20戶腿的方法，其中所述配制料包總氧化四甲基铵5重量%、甲苯基三唑3重量％、丙二醇12.13重量％、2-氨基苯并噻唑1.5重量％、二丙二醇单甲醚40重1^、縫的水。全文摘要一种去除光致抗蚀剂、离子注入光致抗蚀剂、蚀刻残余物或BARC的配制料，其中该配制料包括氢氧化铵和2-氨基苯并噻唑、余量的水。优选地，该配制料包括氢氧化四甲基铵、甲苯基三唑、丙二醇、2-氨基苯并噻唑、二丙二醇单甲醚、余量的水；更优选氢氧化四甲基铵1-15重量％、甲苯基三唑1-5重量％、丙二醇5-15重量％、2-氨基苯并噻唑1-10重量％、二丙二醇单甲醚20-45重量％、余量的水。本发明还是一种从基底去除选自光致抗蚀剂、蚀刻残余物、BARC以及它们的组合的物质的方法，其包括将上述的配制料施用到所述基底从而从所述基底去除所述物质。文档编号G03F7/42GK101187789SQ20071007897公开日2008年5月28日申请日期2007年2月16日优先权日2006年11月21日发明者M·I·埃贝,M·W·勒根扎申请人:气体产品与化学公司